2 laboratoriya jumısı Bipolyar Tranzistorda (BT) jasalǵan Uliwmalıq Emitter (UE) kúsheytgish sxemasın izertlew Jumıstıń maqseti

2 - laboratoriya jumısı
Bipolyar Tranzistorda (BT) jasalǵan Uliwmalıq Emitter (UE) kúsheytgish sxemasın izertlew
Jumıstıń maqseti: Ulıwmalıq Emitter (UE) jalǵanıw sxemasında bipolyar tranzistorlardıń (BT) tiykarǵı statikalıq xarakteristikaları hám parametrlerin izertlew, xarakteristikalardı ólshew hám tájiriybe nátiyjelerin qayta islew usılı menen tanısıw.
1. Laboratoriya jumısın orınlawǵa tayarlıq :
Grafik kóriniste kórsetilgen tok hám kernew arasındaǵı baylanıslılıq tranzistor statikalıq xarakteristikaları dep ataladı. Ulıwma emitter jalǵanıw sxemasında ǵárezsiz ózgeriwshiler retinde baza tokı hám kollektor - emitter kernewi saylanadı, sonda :
(2.1)
Eki ózgeriwshili funktsiya grafik kóriniste xarakteristikalar shańaraǵı sıyaqlı suwretlenedi.
BT kirisiw xarakteristikaları shańaraǵı 2.1 a- suwretde, shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵı
2.1 b-suwretde keltirilgen.


2. 1-súwret
Xarakteristikalardıń hár biri tómendegi baylanıslılıq menen ańlatpalanadı :
, bolǵanda (2.2)
, bolǵanda (2.3)
Kishi amplitudali siganllar menen islengende hám bahalar menen beriletuǵın qálegen jumısshı noqat átirapındaǵı nochiziqli baylanıslılıqlar (2. 1-2. 3), sızıqlı teńlemeler menen almastırılıwı múmkin, mısalı tranzistordıń h- parametrler sistemasınan paydalanıp.


(2.4)
Jazıw múmkin, bul jerde, , bolǵanda,
, bolǵanda,
, bolǵanda (2.5),
, bolǵanda
h- parametrler (2.2) formulaları járdeminde xaratkeristikalar shańaraǵınan anıqlanıwı múmkin (h_11E hám h_12E - kirisiw xaratkeristikalar shańaraǵınan, h_21E hám h_22E - shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵınan ).
Ámeliy esaplarda kóbinese BT statikalıq xarakteristikaların bólekli- sızıqlı aprroksimatsiyasidan da keń paydalanıwadı. (2. 2- suwretke qarań).
Approksimatsiyalanǵan kirisiw xaratkeristiklari ushın
(2.6)
ge iye bolamız.

2. 2-súwret

Shiǵıw xarakteristikaları ushın bolsa

(2.7)
2.6 hám 2.7 formulalarda
- emitter ótiwdegi bosaǵalıq kernew,
- tranzistor kirisiw qarsılıgınıń orta ma`nisi ( ),
- toyınıw rejimindegi tranzistor shıǵıw qarsılıgı (baslanǵısh tarawda ).
, hám (2.8)
- aktiv rejimde shıǵıw qarsılıgı dıń orta ma`nisi.
, hám (2.9)