2011 YÜksek lisans tez özetleri

Talyum Antimon Disülfid (TlSbS2) İnce Filmlerinin Elektriksel Özellikleri

Teknolojinin hızla geliştiği günümüzde, elektronik sanayinde yarı iletken malzemelerin kullanımı bu alanın gelişmesinde son derece önemli rol oynamıştır. Bu nedenle çalışmamızda TlSbS₂ yarıiletken malzemesinin dielektriksel özellikleri incelendi.

Bu amaca uygun olarak örneklerimiz Al//Al formunda hazırlandı. Hazırlanan örneklerin 25 Hz - 1 kHz frekans, 250 - 6000 kalınlık ve 293 ⁰K - 373 ⁰K sıcaklık aralığı bölgesinde kapasite, kayıp ve değişken alan iletkenliği davranışı belirlendi. Elde edilen sonuçlara göre, alçak frekanslarda yapıda uzun rölaksasyon zamanlı bir polarizasyon mekanizmasının hakim olduğu; frekans artışıyla birlikte yapıda farklı polarizasyon mekanizmalarının da etkin olabileceği görüldü.

Dielekrik iletkenliğin davranışının bağıntısına uydugu görüldü. “n” katsayının 0,6 ile 0,8 arasında değer aldığı ve sıcaklığa bağlı olduğu belirlendi. Buna göre yapıdaki polarizasyon mekanizmasının sıcaklığa bağlı olduğu sonucuna varıldı.