2011 YÜksek lisans tez özetleri



Yüklə 1,82 Mb.
səhifə6/356
tarix04.01.2022
ölçüsü1,82 Mb.
#62089
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   356
FİZİK ANABİLİM DALI

ARIKAN İsmail Fırat

Danışman : Prof. Dr. Nurten ÖNCAN

Anabilim Dalı : Fizik

Programı : Katıhal Fiziği

Mezuniyet Yılı : 2011

Tez Savunma Jürisi : Prof. Dr. Nurten ÖNCAN

Prof. Dr. Yani SKARLATOS

Prof. Dr. Fatma TEPEHAN

Prof. Dr. Haşim MUTUŞ

Doç. Dr. Nevin KALKAN


InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktaları İçeren Yapıların Elektriksel Özelliklerini İncelenmesi

Bu çalışmada, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örneklerin elektriksel özellikleri incelenmiştir.

Her iki örnek de MBE (Moleküler Işın Epitaksi) yöntemiyle büyütülmüştür. Her iki örnekte de Kuantum Noktaları n+- p ekleminin arınma bölgesi civarına yerleştirilmiştir.

Her bir örnek için 20K ve 300K sıcaklık aralığında, Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj, DLTS (Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ve Seviye Seçici DLTS (Charge Selective Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ölçümleri alınmıştır.

InAs/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için, aktivasyon enerjisi Seviye Seçici DLTS metodu ile 198 meV olarak bulunmuştur. GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için ise aynı metotla aktivasyon enerjisi 461 meV olarak bulunmuştur.

Araştırmanın daha ileri bir adımı olarak, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnekler için, saklama zamanları oda sıcaklığında sırasıyla 0.5 ns ve 1 μs olarak bulunmuştur.

Çalışmanın bir bölümü Berlin Teknik Üniversitesi, Katıhal Fiziği Enstitüsü’nde gerçekleştirilmiştir.

 



Yüklə 1,82 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   356




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin