2011 YÜksek lisans tez özetleri

P Tipi Silikonda Pozitif Yüklü İyon Difüzyonu
Bu tez çalışmasında pozitif yüklü kirliliklerin boron katkılı silikon içindeki davranışları araştırıldı ve bu kirliliklerin silikon içerisindeki difüzyon katsayıları hesap edildi. Bu çalışma kapsamında yapılan deneylerde yüksek saflıkta bakır ya da demir katkılanmış p-tipi silikondan üretilen “Schottky” tipi doğrultucular kullanıldı. Bakır ya da benzer kirliliklerin yarı iletkenlerdeki davranışlarının tayini teknolojik olarak önem taşımaktadır. Bu kirliliklerin yarattığı kusurlar serbest taşıyıcı davranışını değiştirerek yarı iletken cihazların doğru çalışmasını engellerler, bu cihazların ısınmasına ve sonuçta bozulmasına neden olurlar.  Pozitif iyonların katkılanmasından sonra silikonun taşıyıcı konsantrasyonunda net bir azalma meydana gelir. Taşıyıcı konsantrasyonundaki bu azalma C-V (Kapasite-Voltaj) yöntemiyle tayin edilebilir. Katkı iyonlarının elektrik alana maruz bırakılması sonucu silikon içerisinde sürüklenmeleri (difüze olmaları) söz konusu olacaktır. Hareketli yüklerden meydana gelen kapasite değişimlerinin analizi ile difüzyon katsayıları da tayin edilebilir. Bu analiz TID (Transient Ion Drift) yöntemi ile gerçekleştirilir. Bu yöntemlerin kullanımında gerekli olan deney düzeneği (bu ölçümleri yapabilen bir ölçüm sistemi ve bu ölçümlerden elde edilen dataların analizini gerçekleştirecek olan yazılımları) tezi hazırlayan yüksek lisans öğrencisi tarafından tasarlanmıştır. Bu kapsamda C-V ve TID ölçümleri yapabilen ölçüm sisteminin kurulması (örnek üstünde elektrik alan yaratabilen ve bunun karşılığında kapasite değişimini ölçebilen ayrıca bu ölçümleri yüksek vakumda ve farklı sıcaklıklarda gerçekleştirebilen) bu tezin amacıdır.