| SHAKİR Arsen A.M.
Danışman : Doç. Dr. Fırat KAÇAR
Anabilim Dalı : Elektrik-Elektronik Mühendisliği
Mezuniyet Yılı : 2011
Tez Savunma Jürisi : Doç. Dr. Fırat KAÇAR
Prof. Dr. Ayten KUNTMAN
Prof. Dr. Aydın AKAN
Prof. Dr. Mukden UĞUR
Yrd. Doç. Dr. Mustafa DAĞTEKİN
Yeni Geçiş İletkenliği Yapıları ve Süzgeç Uygulamaları Danışman
Yaşadığımız dünyada bütün olaylar zaman içinde gerçekleşmektedir. Elektronik sistemleri analog devrelerinin önemli bir yeri durumundadır. Bu çalışmada “ Yeni Geçiş iletkenliği Yapıları ve Süzgeç Uygulamaları” üzerine çalışılmaktadır. Geçiş iletkenlikler (Gm); geniş bandlı olmaları, eğimlerinin kutuplama akımı ile kontrol edilebilmesi, yapılarının tümleştirmeye uygun ve basit olması gibi nadenlerden dolayı yaygın bir kullanım alanı bulunmaktadır.
Bu tezin amacı analog işaret işleme uygulamaları için Gm yapıları oluşturmak ve yeni aktif süzgeç yapıları elde etmektir. CMOS teknolojisini kulanarak fanksiyon en az sayıda aktif ve pasif elemanlarla gerçekleştirebilmektir.
Bu çalışmada. Gm-C tekniğinde monolitik aktif filtreleri gerçekleştirmek için geçiş iletkenliği (Gm) ve kapasitörler (C) kullanılmaktadır. Geçiş iletkeni Gm-C filtrelerinin temel yapı bloğunu oluşturur. Harhangi bir filtre ve indüktans devresini gerçekleştirirken Gm yapılarından faydalanarak direnç ve indüktör kullanmadan sedece Gm-C yapıları ile gerçekleştirmektedir.
Geçiş iletkenleri ile ilgili literatürde çok sayıda devre tekniği bulunmakla birlikte, bu tekniklerin başlıca sınırlaması sınırlı giriş sinyali salınımı ve yetersiz doğrusallıktır. Ayrıca, bir çok teknik çok düşük güç beslemeli çalışma ile uyumlu değildir.
Bu tezde standart CMOS teknolojisinde Gm-C filtrelerinin tasarımı için açık devre konfigürasyonunda kullanılması planlanan geçiş iletken bloğu devre seviyesindeki filtre uygulamaları yer almaktadır. Geçiş iletken bloğu ve uygulama devreleri 0.18µm TSMC CMOS teknolojisi ile LTSPICE programı ile test edilmiştir.
Dostları ilə paylaş: | 
