FİZİK ANABİLİM DALI
ARIKAN İsmail Fırat
Danışman : Prof. Dr. Nurten ÖNCAN
Anabilim Dalı : Fizik
Programı : Katıhal Fiziği
Mezuniyet Yılı : 2011
Tez Savunma Jürisi : Prof. Dr. Nurten ÖNCAN
Prof. Dr. Yani SKARLATOS
Prof. Dr. Fatma TEPEHAN
Prof. Dr. Haşim MUTUŞ
Doç. Dr. Nevin KALKAN
InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktaları İçeren Yapıların Elektriksel Özelliklerini İncelenmesi
Bu çalışmada, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örneklerin elektriksel özellikleri incelenmiştir.
Her iki örnek de MBE (Moleküler Işın Epitaksi) yöntemiyle büyütülmüştür. Her iki örnekte de Kuantum Noktaları n+- p ekleminin arınma bölgesi civarına yerleştirilmiştir.
Her bir örnek için 20K ve 300K sıcaklık aralığında, Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj, DLTS (Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ve Seviye Seçici DLTS (Charge Selective Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ölçümleri alınmıştır.
InAs/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için, aktivasyon enerjisi Seviye Seçici DLTS metodu ile 198 meV olarak bulunmuştur. GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için ise aynı metotla aktivasyon enerjisi 461 meV olarak bulunmuştur.
Araştırmanın daha ileri bir adımı olarak, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnekler için, saklama zamanları oda sıcaklığında sırasıyla 0.5 ns ve 1 μs olarak bulunmuştur.
Çalışmanın bir bölümü Berlin Teknik Üniversitesi, Katıhal Fiziği Enstitüsü’nde gerçekleştirilmiştir.
Dostları ilə paylaş: | 
