4118a-4218a-4138a-Elektronikanin esaslari-Rehimov Memmed
1. Atomun tərkibinə daxilolan hər bir elektronun enerji səviyyəsinə nə deyilir
energetik səviyyə
doyma səviyyə
diferensial səviyyə
çıxış enerji
heç biri
2. Bərk cisimlərdə atomların qarşılıqlı təsirindən energetic səviyyələrin parçalanmasından nə yaranır
energetik zona
energetic güclınmə zonası
çıxış zonası
giriş zonası
heç biri
3. Valent elektronlarının energetic səviyyələrinin parçalanması nə yaradır
Valent zonası
ion zonası
atom zonası
qadağan rejim
xaotik hərəkət
4. Həyəcanlanmamış atomun parçalanmasında elektronlar olmayan zona
sərbəs
məcburi
xaotik t
əsas
qeyri əsas
5. Qadağan zonası
valent və keçiricilik zonası arasında
Valent zonasından kənarda
keçiricilik zonasında
Valent zonasında
heç biri
6. Silisium üçün qadağan zonasının enı
1,12 ev
1,43 ev
2,5 ev
3,5 ev
0,5 ev
7. Germanium üçün qadağan zonasının eni
0,5 ev
1,43 ev
2,5 ev
3,2 ev
1,8 ev
8. Arsenid – qallium üçün qadağan zonasının eni
1, 43 ev
2,5 ev
0,75 ev
3,2 ev
1,8 ev
9. Silisium karbid üçün qadağan zonasının enı
2,4- 3,4 ev
0,75 – 1,43 ev
2,0- 2,2 ev
1,5 ev
0,75 ev
10. Yük daşıyıcıların generasiyasının baş vermə səbəbi
B, C
Kristalik qəfəsin atomlarının xaotik istilik təsirindın
yarımkeçiricinin işıq kvantının udulmasından
mexaniki təsirdən
qadağan zonasının eninin azalmasından
11. Rekombinasiya nədir
elektronların keçiricilik zonasından valent zonasına keçməsi
elektronların qadağan zonaya keçməsi
deşiklərin sayının elektronlardan hədsiz çox olması
elektronların sayının hədsiz azalması
heç biri;
12. yük daşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası prosesinin qarşılıqlı müvazinətləşməsi necə adlanır
Termodinamiki müvazinətləşmə
dinamiki müvazinətləşmə
statiki müvazinətləşmə
termostati müvazinətləşmə
heç biri;
13. yarımkeçirici materialların xüsusi elektrik müqaviməti
heç biri
14. Yarımkeçiricinin keçiriciliyi əsasən nədən asılıdır
B, C
qarışıqların alınmasından
temperaturdan
əlavə maddəlırin olmamasından
heç birindən
15. Təmiz yarımkeçirici – yarımkeçirici cihazlarda nəyə görə istifadə olunmur.?
B, C
Keçiriciliyi aşağı olduğundan
Birtərəfli keçiriciliyə malik olmasından
qabaritli olmasından
baha başa gəldiyindən
16. Eelektronu verən atoma
donor
akseptor
rekombinator
reyektor
heç biri;
17. Əgər 4- valentli silisium kristalik qəbəsinə 5- valentli tostor əlavə edilərsə hansı hadisə baş verir
П- tip yarımkeçirici
P- tip yarımkeçirici
p- п tip yarımkeçirici
п- p- п tip yarımkeçirici
heç biri
18. Əgər 4- valentli silisiumun kristalik qəfəsinə 3-valentli indium yerləşdirilərsə hansı tip yarımkeçirici olar
tip
tip
tip
19. tip yarımkeçiricilərdə əsas yük daşıyıcılar
deşiklər
reseptorlar
elektronlar
donorlar
heç biri
20. - tip yarımkeçiricilərdə əsas yükdaşıyəcəlar
elektonlar
akseptorlar
deşiklər
atomlar
donorlar
21. Təmiz yarəmkeçiricilərdə deşiklər ( ) və elektronlar ( ) arasında asılılıq
=
+ 1
N 0
22. əlavələr edilmiş yarımkeciricilərdə qarışıqliqların atomlarının konsentrasiyası
B, C
N
N
N
N
23. Konstruksiyalarına görə electron deşik keçidi necə adlanır
B, C, D, E
Qeyri simmetrik
Simmetrik
Nöqtəvi
müstəvi
24. Qeyri simmetrik keçidin əsas xassəsi
Kristal bir istiqamətdə cərəyan buraxır, digər istiqamətdə buraxmır
Elektrik sahəsindən asılıdır
Kristal hər iki istiqamətdə cərəyanı buraxır
Kristal hər iki istiqamətdə cərəyanı buraxmır
heç biri
25. Valent zonası ilə keçiricilik zonası arasında həndəsi məsafə çox kiçik olarsa hansı effekt yaranır
Tunnel
heç biri
Lavin
istilik
elektrik
26. Çox kiçik xüsusi müqavimətli bazalı - keçidində deşilmə
Tunnel
elektrik
istilik
Lavin
heç biri
27. = keçidinin deşilməsində əsas üç fiziki hadisə
E, C, D
heç biri
tunel deşilməsi
istilik deşilməsi
lavin deşilməsi
28. - keçidində diferensial müqavimətinin sıçrayışla azalması formulu
= )
=
=
29. keçidində əks işarəli yüklərin bir- birinə əks istiqamətdə yaratdığı cərəyan
Diffuziya
düz cərəyan
əks cərəyan
Tunnel
Lavin
30. Yarımkeçiricinin statik parametrləri
hamısı
düz cərəyanın orta qiyməti
impuls əks gərginlik
diodda düşən gərginlik
əks istiqamətdə cərəyan
31. Tranzistorun hər iki keçidi bağlı olduğu və ondan çox kiçik cərəyan axdığı rejimə
bağlı rejim
doymuş iş rejimi
aktiv iş rejimi
passiv rejim
heç biri
32. Tranzistorun doymuş iş rejimi
Hər iki electron deşik keçidi açıq olması
Hər iki electron deşik keçidi bağlı olması
Keçidlərdən biri açıq, digəri bağlı
hər iki keçid periodik artıb bağlanması
heç biri
33. Tranzistorun aktiv iş rejimi
elektron – deşik keçidlərindən biri açıq, digəri bağlı
elektron – deşik keçidlərinin hər ikisi açıq
elektron – deşik keçidlərinin hər ikisi bağlı
elektron – deşik keçidlərinin passiv iş rejimi
heç biri
34. Əsas vəzifəsi bazadan yük daşıyıcıların bazaya injeksiysı olan olan oblasta
emitter
Kollektor
baza
onod
katod
35. Əsas vəzifəsi bazadan yük daşıyıcıların ekstraksiyası olan oblasta
Kollektor
katod
emitter
baza
onod
36. Transistorun işlənməsi
hamısı
sabit cərəyanla
kiçik dəyişən siqnallarla
böyük dəyişən siqnallarla
impuls rejimdə
37. keçidindən q əsas yüklərin injeksiyası ilə baza müqavimətinin modulyası nəticəsində elektromaqnit siqnalların güclənməsini və generasiyanı yerinə yetirən tranzistora nə deyilir
Birkeçidli tranzistor
S İT tranzistoru
Bipolyaz tranzistor
Sahə tranzistor
MDU tranzistor
38. Tranzistorun h parametrni təyin etmək üçün hansı rejimdın istifadə edilir
Çıxış da qisa qapanma və girişdə yüksüz iş rejimi
Çıxış dövrəsində yüksüz və girişdə qisa qapanmada rejimi
Girişvə çıxış dövrəsində aktiv rejim
Çıxış və giriş dövrəsində yüksüz iş rejimi
heç biri
39. Metal-elektrik-yarımkeçirici tranzistor hansı materialdan hazırlanır?
silisium
germanium
indium
selen
molibden
40. parametri nədir
Giriş dövrəsinin yüksüz işlənməsində gərginliyə görə əks əlaqə əmsalı
qısa qapanma rejimi
Giriş dövrəsinin qısa qapanma rejimində yüksüz gərginliyə görə əks əlaqə əmsalı
yüksüz işləmə rejimi
sabit cərəyan rejimi
41. parametri nədir
Cərəyanın ötürmə əmsalı, çıxışda qısa qapanma rejimində
Gərginliyin ötürmə əmsalı
yüksüz işləmə zamanı cərəyana görə ötürmə əmsalı
dəyişən siqnala görə güclənmə əmsalı
sabit cərəyana gərə güclənmə əmsalı
42. parametri nədir
giriş dövrəsinin yüksüz işləmə rejimində çixiş keçiriciliyi
giriş dövrəsinin qısa qapanma rejimində çıxış keçiriciliyi
çixış dövrəsinin qısa qapanma rejimində giriş keçiriciliyi
giriş və çıxış dövrəsinin yüksüz işləmə rejimində çıxış müqaviməti
heç biri
43. Bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçərkən, VAX-da mənfi diferensial müqavimətdən istifadə edilən cihaz
Tiristor
Varistor
Transistor
heç biri
dinistor
44. Birkeçidli tranzistor
Bir keçidli , və iki ədəd bazaya birləşmiş düzləndirilmiş kontakt
iki keçidli , bir ədəd baza kontaktı
Bir keçidli , iki düzləndirilmiş kontakt
iki keçidli , üçelektrodlu cihaz
heç biri
45. keçidindən q əsas yüklərin injeksiyası ilə baza müqavimətinin modulyası nəticəsində elektromaqnit siqnalların güclənməsini və generasiyanı yerinə yetirən tranzistora nə deyilir
Birkeçidli tranzistor
S İT tranzistoru
Bipolyaz tranzistor
Sahə tranzistor
MDU tranzistor
46. Varikapın iş rejimi nəyə əsaslanır
P - - keçidinin baryer tutumu
keçidinin düz istiqamətdə gərginliyi
Diodun keçiriciliyi
keçidinin əks gərginliyi
keçidinin əks gərginliyi
47. Varikapın baryer tutumu nədən asılıdır
dioda əks istiqamətdə verilən gərginlikdən
diodun keçiriciliyindən
keçidinin qalınlığından
diodun işləmə tezliyindən
heç biri
48. Varikapa verilən əks gərginliyin artdığı zaman onun baryer tutumu necə dəyişir
azalır
sabit qalır
artır
sonsuz qiymət alır
heç biri
49. fotocərəyanın, işıq selinə və ona tətbiq edilən gərginliyə olan nisbətinə
xüsusi inteqral həssaslığı
diferensial keçiricilik
xüsusi müqavimət
xüsusi inteqral keçiricilik
heç biri
50. Üç keçidli və iki elektrodlu cihaza nə deyilir
Dinistor
Tristor
Transistor
stabilitor
diod
51. Tranzistorun parametrlərinə daxildir
hamısı
kollektor- emitter arasında maksimal buraxıla bılən gərginlik
bazanın sabit və ya impuls cərəyanı
keçidin buraxıla bilən maksimal temperaturu
kollektor- emitter arasında buraxıla bılən impuls gərginlik
52. güc yarımkeçirici cihazlarda itkiləri azaltmaq üçün hansı rejimdən istifadə oluhur
Açar
Aktiv
doymuş
passiv
heç biri
53. güc yarımkeçirici cihazlara olan tələbat
hamısı
bir vəziyyətdən digərinə keçmə zamanı yüksək sürət
kommutasiya zamanı böyük gərginliyin çevrilməsi
idarə dövrəsinin az cərəyan tətbiq etməsi
böyük kommutasiya cərəyanı
54. Üç və daha çox keçidli yarımkeçirici cihaz
Tristor
Dinistor
rezistor
Transistor
diod
55. Bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçərkən, VAX-da mənfi diferensial müqavimətdən istifadə edilən cihaz
Tiristor
Varistor
Transistor
heç biri
dinistor
56. Tiristor neçə vəziyyətdə ola bilər
Açıq, qapalı
aktiv
aktiv - açıq
passiv- qapalı
heç biri
57. Fotorezistorun spektral xarakteristikası
fotorezistorun səthinə düşən dalığa uzunluğu ilə fotocərəyan arasınmda asılılıq
heç biri
onun fotocərəyanının, ondan keçən cərəyan arasında asılılıq
onun fotocərəyanının, qida mənbəsinin gərginliyindən asılılığı
fotorezistora tətbiq edilın gırginliklə, onun səthinə düşən işıq dalğası arasınmda asılılıq
58. fotocərəyanın, işıq selinə və ona tətbiq edilən gərginliyə olan nisbətinə
xüsusi inteqral həssaslığı
diferensial keçiricilik
xüsusi müqavimət
xüsusi inteqral keçiricilik
heç biri
59. Tristorun kollektor keçidindən axan tutum cərəyanı
heç biri
60. Tranzistor bağlandıqda kollektordakı gərginlik sıçrayışlarının qarşısının alınması
Stabilitronda məhdudlaşdırıcı
Tunel diodunda məhdudlaşdırıcı
Diodda mühafizə
RC- dövrəsi
sonsuzluğa yaxın müqavimət
61. idarəedici elektrodun yerləşməsindən asılı olaraq tirinsistorun
anod və katod idarəsi
baza - kollektor
anod- kollektor
katod- tor
anod- idarəedici tor
62. Stabilitronun əsas parametrləri
Diferensial müqavimət
Düz istiqamətdə cərəyan
Ondan axan cərəyan
Əks istiqamətdə cərəyan
heç biri
63. Elektron deşik keçidi nəyə deyilir
müxtəlif elektrik keçiricilikli sahələr arasında keçid təbəqəsi
heç biri
eyni keçiricilikli yarımkeçiricidə elektrik sahəsi
müxtəltf elektrik keçirici yüklərin elektrik sahəsi ilə qarşılıqlı təsiri
yarımkeçiricinin müxtəltf elektrik keçirici sahələrin maqnit sahəsində hərəkəti
64. Diffuzion elektrik sahəsi
qarışıqların müxtəlif işarəlı ionlaşdırılmış yükləri arasında - oblastından oblastına yönəlmiş elektrik sahəsi
Müxtəlif işarəli yüklərin bir-birini cəzb etdiyi nəticəsində elektrik sahəsi
qarışıqların müxtəlif işarəlı yüklərin arasında potensiallar fərqi
Eyni işarəli yüklərin elektrik sahəsi
heç biri
65. Tranzistorun deşilmədən mühafizə dövrəsində nədən istifadə edilir
hamısı
rezistor
kondensator
diod
stabilitron
66. İnduktiv yüklü tranzistorun deşilmədən mühafizəsində istifadə edilir
Rezistor və tutumun (R, C) ardıcıl birləşmə sxemi
Rezistor və tutumun parallel birləşmə sxemi
Tranzistorun şuntlama sxemi
Tranzistorun cərəyanının artırılması sxemi
heç biri
67. Tranzistor həddindən artıq qızdıqda, onun istilik deşilməsindən mühafizədə nədən istifadə edilir
Tranzistor korpusunun soyuducu lövhəyə bərkidilməsi
Tranzistor korpuzsuz hazırlanır
Tranzistorun giriş cərəyanını azaldın
Tranzistorun kollektor cərəyanı azaldılır
heç biri
68. İnduktıv yüklü tranzistorun deşilmədən mühavizəsində RC dövrəsi necə təsir edir
Tranzistor bağlandıqda induktiv cərəyan C kondensatorunu doldurur və R- də itkilər yaranır
heç biri
Tranzistor açıldıqda cərəyan R və C-dən keçir və onu qoruyur
Tranzistor soyuducu radiator üzərində yerləşdirilir
Tranzistor bağlandıqda induktivlikdən keçən cərəyan c kondensatorunu boşaldır və R rezistorundan cərəyan axmır
69. Tranzistor bağlandıqda kollektordakı gərginlik sıçrayışlarının qarşısının alınması
Stabilitronda məhdudlaşdırıcı
Tunel diodunda məhdudlaşdırıcı
Diodda mühafizə
RC- dövrəsi
sonsuzluğa yaxın müqavimət
70. Tranzistorun təkrar deşilməsi necə mühafizə edilir
Kollektor- emitter keçidinin cəld izləyən titistorla suntlanması
baza-kollektor keçidinin cəld- işləyən tiristorla suntlanması
heç biri
kollektoremitter keçidinin müqavimətinin artırılması
kollektor keçidinin avtomatik açılması
71. Lavn deşilmə rejimində işləyən yarımkeçirici diod
Stabilitron
Stabistor
Tristor
Dnistor
heç biri
72. Stabilitronun əsas parametrləri
Diferensial müqavimət
Düz istiqamətdə cərəyan
Ondan axan cərəyan
Əks istiqamətdə cərəyan
heç biri
73. Yarımkeçirici dioda əks istiqamətdə gərginlik verildikdə hansı hadisə baş verir
keçidinin elektrik lavin deşilməsi
heç biri
keçidinin istilikdən deşilməsi
keçidinin bağlanır
keçidinin tunel deşilməsi
74. Lavin deşilməsində
Ondan axan cərəyan geniş diapazonda dəyişdikdə gərginlik çox cuzi dəyişir
Ondan keçən cərəyan azalarsa , gərginlik artır
Ondan axan cərəyan gərginliklə mütənasib dəyişir
Diodun cərəyan dəyişdikcə gərginliyi azalır
heç biri
75. Stabilitronun əsas parametrləri
Hamısı
Stabilləşmə gərginliyi
Diferensial müqavimət
Ondan axan buraxıla bilən cərəyan
Stabilləşmə gərginliyinin temperatur əmsalı
76. Gücləndirmə əmsalının modulunun gücləndirilən siqnalın tezliyindən asılılığı
amplitud - tezlik
heç biri
amplitude - tor
keçid tor
amplitud – tezlik- amplitud
77. Faza təhriflərinin yaranma səbəbi
reaktiv element
giriş müqavimətı
aktiv element
qida mənbəyi
gücləndiricinin qida mənbəyindən yüksək güc tələb etdiyindən
78. Elektrik siqnallarının gücləndirilməsi nəyin hesabına baş verir
Əlavə enerji mənbəyi
elektronların diffuziyası
Daxili enerji
Temperaturun dəyişməsi
heç biri
79. Unipolyar tranzistorlarda hansı hadisədın istifadə edilir
Bir işarəli yükdaşıycıların hərəkəti
heç biri
Elektron və deşiklərin hərəkəti
Atomların şüalanması
İonların sürətinini idarı olunması
80. Sahə Tranzistorlarinin idarə mexanizmi
Elektrik sahəsi
Sabit cərəyanı
Cərəyan
İon cərəyanı
Dəyişən cərəyan
81. Gücləndiricilərdə əks əlaqənin növləri
Hamısı
Gərginliyə görə ardıcıl
Gərginliyə görə paralel
Cərəyana görə ardıcıl
Cərəyana görə paralel
82. Gücləndiricinin güclənmə əmsalə
heç biri
83. Ardicil qoşulmuş kaskadlı gücləndiricinin güclənmə əmsalı
heç biri
84. Gücləndirmə əmsalının modulunun gücləndirilən siqnalın tezliyindən asılılığı
amplitud - tezlik
heç biri
amplitude - tor
keçid tor
amplitud – tezlik- amplitud
85. Faza təhriflərinin yaranma səbəbi
reaktiv element
giriş müqavimətı
aktiv element
qida mənbəyi
gücləndiricinin qida mənbəyindən yüksək güc tələb etdiyindən
86. Gücləndiricinin dəyişən siqnala görə giriş müqaviməti
=
heç biri
87. Gücləndiricinin girişinə vahid sıçrayişla gərginlik təsir etdikdə çıxış gərginliyinin ani qiymətinin zamandan asılılığı xarakteristikasına
keçid
Tezlik
Amplitud
Faza
Faza- Tezlik
88. Gərginliyə görə əks əlaqə nədir
girişə verilən əks-əlaqə gərginliyinin yük gərginliyinə mütənasib olması
yükdəki gərginliyin, yük cərəyanına nicbəti
giriş və gərginliklərin nisbəti
giriş verilən əks-əlaqə gərginliyinin yük cərəyanına mütənasib olması
heç biri
89. Cərəyana görə əks əlaqə
Gücləndiricinin girişinə verilən əks-əlaqə gərginliyinin yük cərəyanına mütənasib olması
Heç biri
Gücləndiricinin girişindəki əks-əlaqə gərginliyinin yük gərginliyi mütənasib olması
Gücləndiricinin girişindəki cərəyanın yükcərəyanı arasında mütənasiblik
Gücləndiricinin girişinə verilən əks-əlaqəcərəyanıninyük müqavimət arasında mütənasiblik
90. Şəbəkə gərginliyinin və yük müqavimətinin dəyişdiyi halda yükdəki gərginliyi sabit saxlayan qurğu
Stabilizator
heç biri
Tranzistor
Tiristor
Dinistor
91. Gərginliyin stabilləşdirilmasində qeyri-xətti elementin xarakteristikasının qeyri xətti hissəsindən istifadə edilən Stabilizator
parametrik
kompensasion
aktiv
paralel
ardıcıl
92. Şotku diodunda
qeyri-əsas daşiyiciların injeksiyası baş vermir
yük daşıyəcıiarın sorulma hadisəsi yaranır
əsas yük daşiyiciların injeksiyası baş vermir
yük daşıyəcıiarın toplanma hadisəsi yaranır
heç biri
93. şotki diodunda nədən istifadə edilir
metal yarımkeçirici düzləndirici kontaktdan
keçidinin mənfı diferensial tutumundan
keçidinin deşilməsindən
keçidinin bərpasından
heç biri
94. şotki diodlarının işləmə tezliyi
onlarla QHS
çox aşağı tezliklər
onlarla KHS
onlarla MHS
yüzlərlə MHS
95. Güc elektronikasında istifadə olunan tranzistorun asas gəstəriciləri
Hamısı
kommutasiya tezliyi (açılıbqoşulma
kommutasiya cərəyanı
kommutasiya gərginliyi
çıxış gücü
96. Elektrik sahəsi və yükdaşıyıcıların injeksiyası ilə idarə olunan tranzistor
Hibrid İGBT tranzistor
MOY
MDY
SİT
heç biri
97. İGBT tranzistorun dikliyi
S=dik/dUk
S=dis/dUs
S=dik/dUe
S=dik/dUi
S=dik/dU
98. İdarəolunan keçidli Tranzistor
SİT
İQBT
MOY
MDY
99. Sahə Transistorlarda Miller effekti nəyə səbəb olur
ranzistorun çevrilməsini gecikdirir və siqnal mənbəyindən alinan cərəyanı artırır
heç biri
tranzistorun çevrilmə tezliyini və giriş cərəyanı artırır
giriş dövrəsindən tələb etdiyi cərəyanı və gərginliyi azaldır
Tranzistorun çevrilməsini tezləsdirir və giriş gərginliyini dəyişdirir
100. İGBT Tranzistorlarının sahə Tranzistorlarına nəzərən əsas üstün cəhəti
Açiq vəziyyətdə çox kiçik gərginliyi
heç biri
Qlobal vəziyyətdə kiçik gərginliyi
Açiq vəziyyətdədən qapalı vəziyyətə keçməsinin bərpası
Təkrar deşilmənin bərpası
101. İGBT tranzistorun çıxış xarakteristikası
ik=f(UkE)
ik=f(UbE)
ik=f(Ubk)
ib=f(UkE)
ie=f(UkE)
102. İGBT tranzistorun ötürmə funksiyası
ic=f(UzE)
iR=f(UzE)
ic=f(Uzc)
ie=f(UzE)
ic=f(UkE)
103. İGBT tranzistorun dikliyi
S=dik/dUk
S=dis/dUs
S=dik/dUe
S=dik/dUi
S=dik/dU
104. Statik induksiyalı SİT
idarəedici p-n keçidli sadə tranzistor
idarəolunan p-n keçidli bipolyar tranzistor
idarəedici p keçidli sadə tranzistor
idarəolunan p-n keçidli sadə tranzistor
heç biri
105. SİT tranzistorunun p oblastının forması
silindr
piramida
düzbucaq
üçbucaq
kürə
106. SİT tranzistorunda p oblastının diametri
mikrometrlərlə
millimetrlərlə
santimetrlərlə
metrlərlə
heç biri
107. SİT tranzistorunda silindrlər sistemi nə rolunu oynayır?
zatvor
kollektor
baza
stok
istok
108. SİT tranzistorunda kanalların sayı
1000
10
100
200
500
109. SİT tranzistorun dövrəyə qoşulma sxemi
ümumi istok
ümumi zatvor
ümumi stok
ümumi baza
ümumi emitter
110. SİT tranzistorun xarakterik xüsusiyyəti
kanalların uzunluğunun çox-çox kiçik olması
heç biri
stokun uzun olması
istokun qısa olması
zatvorun orta nöqtəyə birləşməsi
111. SİT tranzistorda istok-zatvor gərginliyi artdıqda p-oblastının genişlənməsi halında o hansı elementə oxşayır?
sahə tranzistoruna
p-n-p tranzistora
n-p-n tranzistora
İGBT tranzistora
p-n dioduna
112. SİT tranzistorun vəziyyətini xarakterizə edən işçi nöqtə harada yerləşir?
doyma iş oblastında
aktiv iş oblastında
bağlı iş rejimində
açıq iş oblastında
sərhəd nöqtəsində
113. SİT tranzistorda stok cərəyanın təsirindən nə baş verir
hər bir kanalda gərginlik düşgüsü
stok gərginliyi artır
hər bir zatvorda çox kiçik gərginlik yaranır
istok gərginliyi azalır
kanallar qapanır
114. Nəyə görə SİT tranzistorlara triod-tranzistor deyilir?
VAX-nın elektrovakuum trioduna oxşamasına
VAX-nın kenotron xarakteristikası olduğu kimi
statik xarakteristikası trioda oxşamasına görə
VAX-nın tetrod lampasına oxşamasına görə
heç biri
115. Silindrlər sistemi SİT tranzistorunda nə rolunu oynayır?
zatvor
istok
stok
baza
kollektor
116. SİT tranzistorda stok cərəyanın artım sürətinə (iC) nə təsir etmir?
stok-istok gərginliyi (Ucu)
istok-zatvor gərginliyi (Uiz)
stok-zatvor gərginliyi (Usz)
stok-emitter gərginliyi
istok kollektor gərginliyi
117. SİT tranzistorunun VAX-nın xətti hissəsinin davamlı olması nəyə imkan verir?
yüksək keyfiyyətli səs gücləndiricilərinin yaradılmasına
yüksək keyfiyyətli ceviricilərin hazırlanmasına
yüksək keyfiyyətli süzgəclərin hazırlanmasına
yüksək gərginlikli açar sxemi
aşağı tezlikli açar sxemi
118. Yüksək keyfiyyətli səs gücləndiricilərinə qoyulan tələbləri SİT tranzistorunun hansı parametri ödəyir?
kiçik daxili müqaviməti
kiçik cərəyan
böyük giriş gərginliyi
yüksək daxili müqaviməti
heç biri
119. SİT tranzistorda Uiz (istok-zatvor) gərginliyi mənfi qiymət aldıqda nə baş verir?
bipolyar rejim
açarın bağlı rejimi
aktiv rejim
doyma rejimi
açarın açıq rejimi
120. SİT tranzistor bipolyar rejimə keçdikdə
zatvor baza olur
zatvor kollektor olur
zatvor emitter olur
istok baza olur
stok kollektor olur
121. Yarımkeçiricilərdə elektrik cərəyanı hansı növ yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır?
elektron və deşiklərin
atomların
deşiklərin
elektronların
deşiklərin
122. Hər hansı bir təsirdən valent elektronunu itirən atoma nə deyilir?
ion
müsbət atom
neytron
mənfi atom
heç nə
123. Yarımkeçiricilərin əsas xüsusiyyəti
deşik keçiriciliyi
elektron keçiriciliyi
fotoelektron keçiriciliyi
ion keçiriciliyi
induksiya keçiriciliyi
124. Yarımkeçirici nə deməkdir?
xüsusi elektrik keçiriciliyinə görə metallar və dielektriklər arasında yerləşən maddələr
xüsusi elektrik keçiriciliyi metalların xüsusi elektrik keçiriciliyindən
xüsusi elektrik keçiriciliyi dielektriklərin xüsusi elektrik keçiriciliyindən azdır
xüsusi elektrik keçiriciliyi sıfra bərabərdir
xüsusi elektrik keçiriciliyinə görə dielektriklərdən aşağıda yerləşir
125. Metallarda elektrik cərəyanı hansı növ yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır?
elektronların
ionların
atomların
qazların
deşiklərin
126. Atomda elektronunun olmaması şərti olaraq necə adlanır?
deşik
elektron
ion
qazotron
neytron
127. Elektrk- deşik keçiriciliyi nəyə deyilir ?
p-n keçidi
n-keçidi
n-p-n keçidi
p- keçidi
p-n-p keçidi
128. p-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə yük daşıyıcılarının hərəkəti necə olur?
xaotik
müsbətdən mənfiyə
mənfi atomdan müsbətə
hərəkət etmir
nizamlı
129. p-n keçidinə düz istiqamətdə gərginlik təsir edirsə onda keçiddən kesən tam cərəyan nəyə bərabərdir?
İd.i = İdif - İdif
İd.i = İd1 + İd2
İd.i = ip + in
İd.i = İdif + İdif
İd.i = ip - in
130. Elektron-deşik keçiriciliyinə əks istiqamətdə gərginlik təsir etməsi necə baş verir?
gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü n-keçidinə mənfi qütbü p-keçidinə birləşdikdə
elektron keçidi mənfi yüklənir
gərginlik mənbəyinin mənfi qütbü n- keçidinə birləşdirildikdə
p- keçidinə gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü birləşdikdə
p və n- keçidinə gərginlik mənbəyi birləşməzsə
131. Elektron-deşik keçiriciliyinə əks istiqamətdə gərginlik təsir edərsə onda
yük daşıyıcılarının diffuzion hərəkəti tam dayanır
yük daşıyıcılarının diffuzion hərəkəti cüzi azalır
yük daşıyıcılarının diffuzion hərəkətinə heç bir təsir etmir
yük daşıyıcılarının diffuzion hərəkəti sürətlənir
yük daşıyıcılarının diffuzion hərəkəti öz istiqamətini 1800 dəyişir
132. Əks istiaqamətdə gərginlikdə elektron-deşik keçidində
əks gərginliyin yaratdığı sahə kontakt potensiallar fərqi ilə cəmlənir
əks gərginliyin yaratdığı sahə sıfra bərabər olur
əks gərginliyin yaratdığı sahə kontakt potensiallar fərqindən çıxır
kontakt potensiallar fərqi elektronların diffuziya hərəkətini sürətləndirir
əks gərginliyin yaratdığı sahə kontakt potensiallar fərqini yox edir
133. Əks cərəyan İəks hansı yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlı cərəyandır
qeyri-əsas yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə
elektronların
deşiklərin
elektron və deşiklərin
ionların hərəkəti ilə bağlı
134. Atomların elektron vermə qabiliyyətinə nə deyilir?
donor
injektor
diffuzion
reseptor
rekombinator
135. Fotoeffekt hadisəsi nəyə əsaslanmışdır?
daxili fotoeffekt hadisəsinə
istilik hadisəsi
rekombinasiya hadisəsinə
diffuziya
injeksiya hadisəsinə
136. Metallarda fotokeçiricilik müşahidə olunurmu?
olunmur
80 %
tam olunur
50 %
baxır metalın növünə
137. Optron nə deməkdir?
şüa qəbuledici və şüa mənbəyi
özündən sinusoidal rəqslər hasil edən
düzləndirici
e.h.q.-sini qəbul edən
şüanın bir mənbədən digər mənbəyə ötürən
138. Optocüt nəyə deyilir?
bir şüa mənbəyi və bir işıq qəbuledici
işıq şüası buraxan
şüa mənbəyini qidalandıran
bir işıq şüasını qəbul edən
iki işıq qəbuledici və bir şüa mənbəyi
139. İnteqral optoelektron mikrosxem nəyə deyilir?
bir və ya bir neçə əlavə qurğusu, gücləndiricisi olan optocütə
inteqral əməliyyat gücləndiricisində yığılan
bir neçə əlavə qurğusu olan optocütə
gücləndiricisi, düzləndiricisi olan optocütə
yalnız bir əlavə qurğusu, düzləndiricisi olan optocütə
140. Optronun əsas üstünlüklərindən hansı biri aşağıda göstərilir?
girişlə çıxış arasında izolyasiya müqavimətinin çox yüksək olması R=(1010-1015) Om
çox kiçik enerji tələbatı
giriş müqavimətin sonsuz olması
girişlə çıxış arasında izolyasiya müqavimətinin kiçik olması- R=(1÷5) kOm
foto qəbuledici və şüa buraxıcı arasında bir başa əlaqənin olması
141. Optron hansı tezliklə rəqsləri buraxma qabilliyyətinə malikdir?
0-1014 Hs 0 - 1014Hs
0- 2 · 104 Hs 0 - 2.104Hs
2000÷ 10000 2 ·103 - 10· 103 Hs 2.103 -10.103Hs
0-103 Hs 0 - 103Hs
1020- 1030 Hs
142. Optronda çıxış siqnallarını idarəetmək qabiliyyəti necə baş verir?
optiki hissəyə təsir etməklə
siqnalları düzləndirməklə
işıq mənbəyini dövrədən açmaqla
qida mənbəyinə təsir etməklə
yüksək tezlikli rəqslər verməklə
143. Təhriflərə qarşı optronda mühafizə varmı?
100 %
çox az -10 %
80 %
50 %
yoxdur
144. Optronun çatışmayan cəhəti?
enerjinin iki dəfə dəyişməsi ilə nisbətən böyük enerji tələbatı
çox böyük qabaritli olması
qida mənbəyindən asılı olmaması
qida mənbəyindən çox kiçik enerji tələbatı
təhriflərə məruz qalması
145. Optronda girişlə çıxış arasında hansı əlaqə mövcuddur?
heç bir əlaqə
induktiv əlaqə
tutum əlaqə
rezistiv əlaqə
tenzometrik əlaqə
146. Müxtəlif tipli elektrikkeçiricilikli yarımkeçiricinin sərhəddində oblast necə adlanır?
p-keçidi
qadağan olunmuş oblast
zənginləşdirilmiş oblast
p-n keçidi
n-keçidi
147. Optronlar hansı hissələrdən ibarətdir?
şüa mənbəyi və fotoqəbuledicidən
gücləndiricidən, vericidən
şüa mənbəyindən və qida mənbəyindən
vericidən, düzləndiricidən
qida mənbəyi və fotoqəbuledicidən
148. Rezistor optronun şüa mənbəyi hansı dalğanı hasil edir?
infraqırmızı
qırmızı
bənövşəyi
ultrabənövşəyi
ultraqırmızı
149. Kadmium- sulfitdən hazırlanmış fotorezistor hansı dalğanı qəbul edir?
görünən
ultraqırmızı
qırmızı
ultrabənövşəyi
görünməyən
150. Rezistor optronun ötürmə xarakteristikası hansıdır?
çıxış müqavimətinin giriş müqavimətindən asılılığı
giriş cərəyanın çıxış müqaviməti hasili
giriş müqavimətinin çıxış müqavimətindən asılılığı
giriş gərginliyinin çıxış gərginliyindən asılılığı
çıxış gərginliyinin çıxış müqavimətindən asılılığı
151. Rezistor optronun əsas parametrlərindən biri?
işə düşmə və işdən çıxma müddəti
çıxışda minimal cərəyan
minimal enerji tələbatı
girişdə minimal gərginlik
minimal izolyasiya gərginliyi
152. p-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə yük daşıyıcılarının hərəkəti
p- tipdən n-tipə deşiklərin diffuziyası və əksinə
p- tipdən p-tipə deşiklərin diffuziyası
yük daşıyıcıların hərəkəti tormozlanır
n- tipdən n-tipə deşiklərin diffuziyası
p- tipdən n-tipə elektronların n-tipdən p- tipə deşiklərin diffuziyası və əksinə
153. p-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə kontakt gərginliyi nəyə bərabərdir?
Uk= φn- φp
Uk= Up+Un
Uk= Up
Uk= IR
Uk= φp + φn
154. Rezistor optronun əsas parametrlərindən biri hansıdır?
maksimal izolyasiya gərginliyi
girişlə minimal cərəyan
minimal izolyasiya cərəyanı
ətalətliliyi
çıxış müqavimətinin sıfra düşməsi
155. İstifadə olunması mümkün olmayanı göstərməli?
alçaldıcı transformatorlarda
avtomatik tənzimləmə
gücləndiricilərdə
kontaktsız gərginlik bölücülərində
siqnalların modulyasiyasında
156. Rezistor optronda Uid idarəedici gərginlik nəyi idarə edir?
yük müqavimətindən keçən cərəyanı
giriş cərəyanı
şüa mənbəyinin dalğa uzunluğunu
giriş müqavimətini Rgir
qidalandığı mənbənin (E) gərginliyini
157. Tranzistor optrocütündə şüa buraxıcısı kimi nədən istifadə edilir?
işıq diodu
közərmə lampası
fotorezistoru
fototranzistoru
işıq tranzistoru
158. p-n keçidinə düz istiqamətdə gərginlik təsir edirsə
p- tipə gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü birləşir, n- tipə mənfi qütbü birləşir
n- tipə gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü birləşir
p- tipə gərginlik mənbəyinin mənfi qütbü birləşir
p-n keçidində elektromaqnit sahəsi yaranır
p-n keçidində yük daşıyıcılarının bir-birini dəf etməyə başlayır
159. Tranzistor optrocütündə şüa qəbuledici
bipolyar tranzistor
fotodiod
fotorezistor
MDY sahə tranzistoru
unipolyar tranzistor
160. Rekombinasiya nədir?
elektronların deşiklərlə birləşməsi
elekironların əmələ gəlməsi
deşiklərin valent zonasında elektronları cəzb etməsi
elektronların valent zonası tərk etməsi
elektronların atomdan ayrılması
161. Atomların elektronlarını vermə qabiliyyətinə nə deyilir?
donor
elekirolit
yarımkeçirici
ion
akseptor
162. Akseptor nə deməkdir?
elektron alan və deşik keçiriciliyi
atomun elektron verməsi
atomun elektronlarının dreyt hadisəsi
yük daşıyıcılarının diffuziyası
elektron verən və elektron keçiriciliyi yaradan maddə
163. Düz istiqamətdə elektron- deşik keçiriciliyi necə baş verir?
p- tip yarımkeçiriciyə gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü
p- tip yarımkeçiriciyə xarici gərginlik mənbəyinin mənfi qütbü birləşərsə
n- tip yarımkeçiriciyə xarici gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü birləşərsə
p və n - tip keçidlərə müsbət gərginlik verilərsə
p və n - tip keçidlərinə güclü maqnit sahəsi təsir etdikdə
164. Gərginlik və cərəyanın geniş diapazonunda dəyişməsi ilə hansı elementin müqaviməti sabit qalır?
xətti yarımkeçirici rezistorun
yarımkeçirici diodun
triodun
yarımkeçirici tranzistor
qeyri-xətti rezistorun
165. Varistorda qeyri-xəttilik nə səbəbdən yaranır?
kristallik qəfəsin lokal qızması
elektronların atomu tərk etməsi
kristallik qəfəsin şüalanmasından
katodun qızdırılması
anodun elektronlarla bombardman edilməsi
166. Yarımkeçirici termistor nəyə deyilir?
artır temperatur artdıqda onun müqaviməti
temperatur azaldıqda onun müqaviməti azalırsa
temperatura qarşı çox davamlıdır
temperatur artdıqda onun omik müqavimət sabit qalır
temperatur artdıqda onun müqaviməti azalır
167. Temperaturun artması ilə omik müqavimətin azalması hansı yarımkeçirici rezistorda baş verir?
porezistorda
termistorda
fotorezistorda
xətti rezistorda
termonveksdə
168. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı səhvdir
dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur
sahə tranzistoruna aiddir
izolə olunmuş elektroda malikdir
n və p tipli induksiya edilmiş kanaldır
heç biri
169. Fotorezistordan ibarət qapalı dövrədə «işıq» cərəyanı hansı səbəbdən yaranır?
işıq şüalarının təsirindən elektronların enerji alması
deşiklərin yaranması
elektronların deşiklərlə rekombinası
elektronların p-n keçidinə diffuziyası
işıq şüalarının atomdan sərbəst elektronların qoparması
170. Bipolyar tranzistorda ümumi kollektor ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir
1.cərəyana görə
2.gərginliyə görə
3.gücə görə
1
1,2,3
2
3
1,3
171. Fotodioda işıq seli təsir etdikdə hansı hadisəsi baş verir?
yük daşıyıcılarının generasiyası
elektronların atomu tərk etməsi
yük daşıyıcılarının injeksiyası
yük daşıyıcılarının diffuziyası
yük daşıyıcılarının metalın atomunu tərk etməsi
172. Bipolyar tranzistorun hansı sxemi üzrə qoşulmasına emitter təkrarlayıcısı deyilir
1.ümumi baza
2.ümumi emitter
3.ümumi kollektor
3
1
2
1,3
2,3
173. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərginliyə və gücə görə gücləndirməni təmin edən element aşağıdakılardan hansıdır
yük müqaviməti
giriş müqaviməti
kondensator
çıxış müqaviməti
heç biri
174. Fototranzistorda işıq selinin təsirindən hansı hadisə baş verir?
bazada yük daşıyıcıların generasiyası yaranır
yük daşıyıcıların sayı azalır
yük daşıyıcıların sayı sabit qalır
Emitter keçidi əks istiqamətdə qoşulur
Emitterdə yük daşıyıcıların rekombinasiyası baş verir
175. Elektron gücləndiricisində siqnalın gücünün güclənməsi hansı enerji mənbəyi hesabına baş verir?
qida mənbəyinin enerjisi
işıq enerjisi
tranistorun
elektromaqnit sahəsi
günəş enerjisi hesabına
176. Elektron gücləndiricisinin əsas parametri
güclənmə əmsalı
qida mənbəyinin gərginliyi
qida mənbəyinin cərəyanı
onun volt-amper xarakteristikası
yük müqaviməti
177. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı doğrudur
1.izolə olmuş idarəedici elektroda malikdir
2.dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur
3.n və ptipli induksiya edilmiş kanaldır
1
3
2
1,3
2,3
178. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır
yarımkeçiricinin səth yanı qatı
dielektrik qatı
yarımkeçiricinin orta təbəqəsi
metal qatı
heç biri
179. MDY-tranzistorlarda neçə elektrod olur
2
5
3
4
6
180. MDY-tranzistorda altılığın çıxışı hara qoşula bilər
mənbəyə
heç biri
mənsəbə
idarəedici elektroda
dielektrik təbəqəyə
181. Yarımkeçirici güc cihazlarının seçilməsində əsas texniki faktorlardan biri
cərəyanın kommutasiyası
giriş müqaviməti
çıxış müqaviməti
tələb olunan güc
f.i.ə.
182. Elektron gücləndiricinin maksimal olma şərti
Rq<< Rgir; Ryük >> Rçıx
Rgir = Rq ; Ryük = Rçıx
Rgir = Rçıx ; Rq = Ryük
Rgir << Rq ; Ryük << Rçıx
Rq<< Rgir; Ryük = 0
183. Girişdə daxili müqaviməti Rq olan cərəyan generatoru təsir edərsə gücləndiricinin çıxışda maksimal cərəyan alınma şərti
Rçıx >> Ryük ; Rq >> Rgir;
Rçıx = Ryük;Rq = Rgir;
Rçıx >> Ryük ;Rq = Rgir;
Rçıx = Ryük; Rq >> Rgir;
Rçıx >> Ryük ; Rq = Rgir;
184. Hansı şərt daxilində maksimal düc alınır
Rq = Rgir; Ryük = Rçıx
Rq = Rgir; Ryük > Rçıx
Rq > Rgir; Ryük > Rçıx
Rq > Rgir; Ryük = Rçıx
Rq = Rgir; Ryük çıx
185. Tranzistorun ikinci parametrləri nəyi nəzərdə tutur
tranzistorun qoşulma sxemini
tranzistorun tipini
tranzistorun daxili müqavimətini
tranzistorun çıxış müqavimətini
tranzistorun baza müqavimətini
186. Tranzistorun xüsusi parametrləri
baza, emitter, kollektor müqaviməti Rb, Rk, Re
emitter cəryanı - I e
baza cəryanı - I b
baza gərginliyi -Ub
tranzistorun qida mənbəyindən tələb etdiyi güc
187. P-n keçidinə xaricdən gərginlik təsir etmirsə yükdaşıyıcıların hərəkəti
xaotik-nizamlanmış
xaotik istilik hərəkəti
yükdaşıyıcıların hərəkəti məhdud olur
nizamlanmış
qeyri-xətti qanunla dəyişir
188. Mənfi diferensial müqavimətli, bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmək imkanı olan iki və daha çox p - n keçidli element
tiristor
transistor
diod
tiratron
kenotron
189. Üç kənar çıxış elektroduna malik olan cihaz
tiristor
dinistor
tranzistor
triod
varistor
190. Dinistor açıldıqda (bağlı) vəziyyəti nə ilə xarakterizə olunur?
böyük gərginlik düşgüsü, çox cüzi cərəyan axşamı, çox böyük müqavimətin yaranması
ondan kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan axşamı
ondan çox böyük cərəyanın axşamı, yüksək müqavimətin yaranması
ondan çox kiçik cərəyanın axşamı, böyük keçiricilik
dinistordan çox böyük cərəyan axır, p-n keçidi dağılır
191. Dinistor açıldıqda qoşulduqda hansı hadisə baş verir?
dinistorda kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, kiçik müqavimət
dinistorda kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, sonsuz böyük müqavimət
dinistorda böyük gərginlik düşgüsü, cüzi cərəyan
dinistorda kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, sonsuz böyük müqavimət
dinistorun p-n keçidlərinin bağlanması
192. Emitterin tranzistorda rolu
yük daşıyıcıların bazaya injeksiyasını yerinə yetirir
yük daşıyıcılarının bir-birini dəf etməsi
yük daşıyıcıların diffuziyası
elektronları özünə cəzb etməsi
yük daşıyıcıların kollektora diffuziyası
193. Kollektorun tranzistorda yerinə yetirdiyi vəzifə
yük daşıyıcıların bazadan ekstraksiyanı
yük daşıyıcıların bazaya injeksiyası
yük daşıyıcıların emitterə injeksiyası
yük daşıyıcıların rekombinasiyası
yük daşıyıcıların bazaya injeksiyası
194. Bazanın tranzistorda yerinə yetirdiyi vəzifə
qeyri-əsas yük daşıyıcıların emitter tərəfindən injeksiyasını
yük daşıyıcıların bazadan injeksiyası
yük daşıyıcıların bazada rekombinasiyası
yük daşıyıcıların diffuziyası
qeyri-əsas yük daşıyıcıların kollektor tərəfindən injeksiyasını
195. n-p-n tipli bipolyar tranzistorların elektrik nöqtəyi nəzərindən quruluşu
iki kənar oblast elektron, orta oblast deşik keçiriciliyə malikdir
elektron keçiricilikli
hər üç oblast deşik keçiriciliyə malikdir
hər üç oblast elektron keçiriciliyə malikdir
iki kənar oblast deşik, orta oblast elektron keçiriciliyə malikdir
196. n-p-n tipli tranzistor elektrik keçiricilik nöqteyi nəzərindən hansı ardıcıllıqla qurulur
iki kənar oblast deşik keçiriciliklə, orta oblast elektron keçiriciliklə
iki kənar oblast elektron keçiriciliklə
iki kənar oblast elektron keçiriciliklə, orta oblast deşik keçiriciliklə
orta oblast deşik keçiriciliklə
hər üç oblast elektron keçiriciliklə
197. Tranzistorun aktiv iş rejimində keçidlərə gərginliklərin verilmə polyarlığı
emitter keçidinə düz istiaqamətdə, kollektor keçidinə əks istiqamətdə
emitter keçidinə gərginlik əks istiqamətdə, kollektor keçidinə düz istiaqamətdə
kollektor keçidinə düz istiaqamətdə, baza keçidinə düz istiaqamətdə
baza keçidinə düz istiaqamətdə, emitter keçidinə əks istiqamətdə
hər üç keçidə düz istiaqamətdə
198. Tranzistorun bağlı iş rejimində keçidlərə gərginliklərin verilmə polyarlığı
emitter və kollektor keçidlərə əks istiqamətdə
baza keçidinə əks istiqamətdə, o biri keçidlərə düz istiaqamətlərdə
emitter keçidinə düz kollektor keçidinə əks istiqamətdə
kollektor keçidinə düz, emitter keçidinə əks istiqamətdə
emitter və kollektor keçidlərinə əks istiqamətdə
199. Tranzistorun doyma iş rejimində keçidlərə gərginliklərin verilmə polyarlığı
emitter və kollektor keçidlərinə düz istiaqamətdə
emitter və kollektor keçidlərinə əks istiqamətdə
kollektor keçidinə düz, emitter keçidinə əks istiqamətdə
baza keçidinə əks emitter keçidinə əks istiqamətdə
emitter keçidinə əks, kollektor keçidinə düz istiaqamətdə
200. Ümumi emitterli sxemdə kollektorun tam cərəyanı
İK =αİe + İKo
İK =αİe
İK =αİb
İK =αİb + İKo
İK =αİe + βİKo
201. Emitter cərəyanının ötürmə əmsalı hansı qiymətləri alır
α = 0,95 ÷ 0,998
α = 0,05 ÷ 0,100
α = 10 ÷ 20
α = 0,2 ÷ 0,50
α = 0,550 ÷ 0,700
202.Emitter cərəyanının ötürmə əmsalının α→1 yaxınlaşması zamanı tranzistorda hansı hadisə baş verir?
yük daşıyıcıların bazaya rekombinasiyası zəifləyir
elektronların sayı sıçrayışla artır
yük daşıyıcıların bazaya diffuziyası baş verir
deşiklərin sayı sıçrayışla artır
yük daşıyıcıların bazaya rekombinasiyası sürətlənir
203. Ümumi emitterli gücləndiricinin kollektorun başlanğıc cərəyanı İKo ölçmək üçün
emitterə gələn naqil kəsilir
bazaya gələn naqil kəsilir
emitteri bazaya birləşdirir
kollektora böyük yük müqavimət qoşulur
kollektora gələn naqil kəsilir
204. Ümumi emitterli gücləndiricinin emitter cərəyanın ötürmə əmsalı α = 0,95 olarsa, baza cərəyanının ötürmə əmsalı
β = 19
β = 10
β = 14
β = 28
β = 50
205. Sahə tranzistorlarının çıxış cərəyanı necə ifadə olunur?
elektrik sahəsinin köməyilə
maqnit sahəsi ilə
giriş cərəyanı ilə
giriş gərginliyi ilə
çıxış gərginliyi ilə
206. Unipolyar tranzistorlar elektrik cərəyanı neçə növ yük daşıyıcıların köməyilə baş verir?
1
3
5
2
4
207. Kanalda yük daşıyıcıların sayı kifayət qədər olmadıqda zatvorun elektrik sahəsi onun keçiriciliyi
artırır
azaldır
keçiriciliyini sıfra endirir
ona təsir etmir
keçiriciliyini sonsuzluğa çatdırır
208. MDP tranzistorlar statik elektrik hadisəsindən mühafizə etmək üçün
onun çıxış ayaqları (ucları) qısa qapanır
onun zatvoru yerlə birləşdirilir
onun stok elektrodu yerlə birləşdirilir
onun istok elektrodu dielektriklə izolyasiya olunur
onun çıxış ayaqları (ucları) qida mənbəyinə birləşdirir
209. Əgər sahə tranzistorunda kanal elektron keçiriciliyinə malikdirsə 0
n- kanal
p-kanal
p-n kanal
n-p kanal
p-n-p kanal
210. Əgər sahə tranzistorunda kanal deşik keçiriciliyinə malikdirsə 0
p- kanal
p-n kanal
n-p kanal
g- kanal
n- kanal
211. Ümumi baza sxemli gücləndiricidə Ryük=0 və Ukb=const olduğu halda statik güclənmə əmsalı α
α < 1
α=10
α=20
α=1
α >1
212. P-n keçidinə xaricdən gərginlik təsir etmirsə...diffuziya edir
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə ionlar
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə yarımkeçiriciyə elektronlar
p-tip yarımkeçiricidən p-tipə ionlar
p-tip yarımkeçiricidən p-tipə elektronlar
n-tip yarımkeçiriciyə p-tipə ionlar
213. Ryük=0 və Ukb=const olduqda ümumi emitter sxemi üzrə qoşulmuş gücləndiricinin statik güclənmə əmsalı
β»10
β = 1
β = 0
β ≤ 1
β = 0
214. P-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə...diffuziya edir
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə deşiklər
p-tip yarımkeçiricidən n-tipə deşiklər
p-tip yarımkeçiridən n-tipə elektronlar
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə ionlar
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə atomlar
215. Ümumi kollektor sxemi üzrə qoşulmuş gücləndiricinin əsas xüsusiyyətləri
giriş müqavimətinin Rgir çox-çox böyük olması
giriş cərəyanın Ib çox böyük olması
giriş gərginliyinin Ub-e= 0 olması
gərginliyə görə güclənmə əmsalı Ku >1
giriş müqavimətinin Rgir çox az olması
216. Ümumi kollektor sxemi üzrə qoşulmuş gücləndiricinin gərginliyə görə güclənmə əmsalı
Ku < 1
Ku = 10
Ku = 15
Ku = 1
Ku > 100
217. Differrensiator sxeminin çıxış siqnalının ifadəsi
Uçıx (t) =-RC
Uçıx=-K (Ugir1+Ugir2)
Uçıx=-KUgir
Uçıx(t) =-Uçıx=2U0-Ugir
Uçıx=Ugir
218. İnteqratorun çıxış siqnalının əməliyyat formulu
Uçıx (t) =-gir(t) dt
Uçıx= Ugir
Uçıx=
Uçıx = -KUgir
Uçıx = -KUgir
219. Elektrik siqnallarının diskret təsvir edilmə forması
Rəqəm
Tezlik
Qrafik
Cədvəl
Söz
220. Transformatorun iş prinsipi hansı hadisəyə əsaslanır?
elektromaqnit induksiya hadisəsinə
amper qanununa
deyilənlərin heç birinə
tam cərəyan qanununa
pyezoeffek hadisəsinə
221. Transformatorun dolaqları hansı materialdan hazırlanır?
mis və ya alyuminiumdan
elektrotexniki poladdan
nixromdan
volfromdan
istənilən materialdan
222. Transformatorda yük dəyişdikdə...
I1və I2 dəyişir
I2-dəyişir
I1-dəyişmir
I2-dəyişmir
I1-dəyişir
223. Transformatorun yüksüz işləmə rejimində itkilər əsasən nəyin hesabına olur?
içlikdə histerezis və burulğan cərəyanlarının olması
histerezis əyrisi hesabına
birinci tərəf dolağının qızması
yüksüz işləmə rejimində itkilər olmur
ikinci tərəf dolağının qızması
224. Transformatorda ən azı neçə dolaq ola bilər?
2
1
3
5
7
225. Aşağıdakı elementlərdən hansı yarımkeçirici deyil?
Cu
Ge
Si
İn
Fe
226. Aşağıdakı müddəalardan hansı səhvdir?
yarımkeçiricidə valent zona ilə keçiricilik zonası arasında qadağan zonası yoxdur
yarımkeçiricilərin elektrik keçiriciliyi temperatur artdıqca artır
yarımkeçiricidə yalnız ion keçiriciliyi mövcuddur
yarımkeçiricidə elektron və deşik keçiriciliyi mövcuddur
yarımkeçiricilər naqillərlə dielektriklər arasında keçiriciliyə görə orta vəziyyət tuturlar
227. Yarımkeçiricidə hansı yüklər cərəyan daşıyıcısıdır?
elektronlar və deşiklər
elektronlar
yarımkeçiricinin tipindən asılıdır
ionlar
deşiklər
228. n-tip yarımkeçiricidə əsas yük daşıyıcısı hansıdır?
elektronlar
deşiklər
müsbət ionlar
deşiklər
mənfi ionlar
229. p-tip yarımkeçiricidə əsas yük daşıyıcıları hansılardır?
deşiklər
elektronlar
müsbət ionlar
elektronlar və deşiklər
yoxdur
230. Bipolyar tranzistor neçə p-n keçidinə malikdir?
2
1
3
4
5
231. Bipolyar tranzistor neçə elektrodlu yarımkeçirici cihazdır?
3
4
1
2
tranzistorun tipindən asılıdır
232. Gücləndiricidə aktiv element kimi ən çox tətbiq olunan tranzistorun hansı qoşulma sxemidir?
hər üçü
ümumi emitterli (ÜE)
ümumi bazalı (ÜB)
ümumi kollektorlu (ÜK)
heç biri
233. Tranzistorun hansı qoşulma sexmində həm cərəyan, həm gərginlik, həm də güc gücləndirilir?
hər üçündə
ÜB
ÜK
ÜE
heç birində
234. Emitter cərəyanının ötürmə əmsalı hansı qiymətə çatır?
0,95 0,995
0,70 0,90
0,05 0,1
0,5 1
1
235. Fotorezistorun müqaviməti işıqlandırdıqda onun müqviməti necə dəyişir?
azalır
dəyişmir
artır
sabit qalır
dəyişir
236. Günəş batareyalarının hazırlanmasında hansı tip fotoelementdən istifadə edilir?
ventil fotoelementi
fotoelektron vurucular
vakuum fotoelementləri
fotodiod
hamısı
237. Gücləndiricinin giriş dövrəsi üçün aşağıdakı ifadələrdən hansı düz deyil?
Pgir =İ2gir / Rgir
İgir =Ugir / Rgir
Pgir =İ2gir+Rgir
Ugir =Em+İgRm
heç biri
238. Çoxkaskadlı gücləndiricilərdə axırıncı kaskad necə adlanır?
güc gücləndiricisi
gərginlik gücləndiricisi
cərəyan gücləndiricisi
hər biri ola bilər
heç biri ola bilməz
239. ÜE gücləndirici kaskadda çıxış siqnalı faza giriş siqnalından necə fərqlənir?
1800 fərqlənir
fərqlənmir
600 fərqlənir
900 fərqlənir
2700 fərqlənir
240. Üçkaskadlı gücləndiricidə kaskadların gücləndirmə əmsalları k1=5, k2=20, k3=10. Yekun gücləndirmə əmsalını təyin edin?
1000
500
400
300
200
241. Mənfi əks əlaqə gücləndiricinin hansı paramtrlərinə təsir etmir?
giriş müqavimətinə
gücləndirmə əmsalına
çıxış müqavimətinə
təsir etmir
yuxarıda göstərilənlərin hamısına
242. Gücləndiricinin çıxış gərginliyinin (cərəyanının) giriş gərginliyindən(cərəyanından) asılılıq qrafiki hansı xarakteristikası adlanır?
volt-amper
amplitud-tezlik
amplitud
tezlik
faz-tezlik
243. Gücləndiricilərin çıxış gərginliyinin(cərəyanının) giriş gərginliyin(cərəyanın) tezliyindən asılılıq qrafiki onun hansı xarakteristikası adlanır?
faz-tezlik
amplitud-tezlik
tezlik
amplitud
volt-amper
244. Sabit cərəyan gücləndiricisində kaskadlar arasında hansı əlaqə olur?
Qalvanik əlaqə
RS-əlaqə
İstənilən tip əlaqə ola bilər
Transformator əlaqəsi
Hər üç əlaqə
245. Sabit cərəyan gücləndiricisində sıfır dreyfini azaltmaq üçün hansı tədbir görülür. Səhv cavabı göstərməli.
kaskadlar arasında RS-rabitəsindən istifadə olunur
mənbənin gərginliyi stabilləşdirilir, tranzistorların iş rejimi temperatura görə stabilləşdirilir
hamısından istifadə olunur
diferensial(balans) sxemindən istifadə olunur
gücləndirilən gərginliyin çevrilməsi tətbiq olunur
246. Ümumi emitter (ÜE) sxemi üçün h parametrlərindən hansı tranzistorun giriş müqavimətidir?
h22
h12
h21
h11
heç biri
247. Tranzistorun h parametrlərindən hansı qiymətcə çox kiçik olduğundan sıfra bərabər qəbul edilir?
h12
h11
h24
h22
heç biri
248. Xarici qida mənbəyi olmadıqda fotodiod hansı rejimdə işləyir?
fotogenerator rejimdə
fotodiod rejimində
fotoçevrici rejimdə
fotogücləndirici rejimdə
heç birində
249. Sahə trnazistorunda idarəedici elektrodla kanal arasında neçə p-n keçidi var?
2
-1
4
3
0
250. Mənfi əks əlaqə daxil edildikdə gücləndiricinin girişində idarəedici siqnalın gərginliyi necə dəyişir?
azalır
dəyişmir
artır
0 olur
tranzistorun tipindən asılıdır
251. Yarımkeçirici nə deməkdir?
xüsusi elektrik keçiriciliyinə görə metallar və dielektriklər arasında yerləşən maddələr
xüsusi elektrik keçiriciliyi dielektriklərin xüsusi elektrik keçiriciliyindən azdır
xüsusi elektrik keçiriciliyi sıfra bərabərdir
xüsusi elektrik keçiriciliyi metalların xüsusi elektrik keçiriciliyindən
xüsusi elektrik keçiriciliyinə görə dielektriklərdən aşağıda yerləşir
252. Metallarda elektrik cərəyanı hansı növ yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır?
elektronların
ionların
qazların
atomların
deşiklərin
253. Aktiv element nədir?
Enerji mənbəyi
Müqavimət
Tutum
İnduktivlik
Cərəyan şiddəti
254. Passiv element nədir?
Elektrik işlədiciləri
Cərəyan mənbəyi
Gərginlik mənbəyi, tutum
Tutum, induktivlik
Gərginlik mənbəyi, induktivlik
255. Dövrənin passiv elementləri hansılardır?
Müqavimət, induktivlik və tutum
Diod, müqavimət, cərəyan mənbəyi
Cərəyan mənbəyi, müqavimət
Gərginlik mənbəyi, induktivlik
Tutum, induktivlik, tranzistor
256. Dövrələrdə gərginlik və cərəyan xətti tənliklərlə ifadə olunursa bu dövrələr necə adlanır?
Xətti dövrə
Qeyri xətti
Sabit cərəyan dövrəsi
Dəyişən cərəyan dövrəsi
Sinusiodal cərəyan dövrəsi
257. Parametrləri dövrənin rejimindən asılı olaraq dəyişən dövrələr necə adlanır?
Qeyri-xətti dövrə
Xətti dövrə
Dəyişən cərəyan dövrəsi
Sabit cərəyan dövrəsi
Maqnit dövrəsi
258. Şotki diodları nəyə deyilir?
keçidlərlə qeyri-əsas yükdaşıyıcıların infeksiyası ilə işləyən diodlara
keçidlərdə donor yük daşıyıcıları olduğu halda
keçidlərdə ionlar hərəkəti
emissiya hadisəsi ilə işləyən cihazlara
yalnız kationlarla işləyən cihazlara
259. Şotki keçidi nə zaman yaranır?
metalın n tipli yarımkeçirici ilə təmasından
metalda qeyri-əsas yük daşıyıcılarla təmasdan
mayenin n tipli yarımkeçirici ilə təmasından
metalın p tipli yarımkeçirici ilə birləşməsindən
heç biri
260. Bipolyar tranzistor nəyə deyilir?
iki p-n keçidə və üç qatlı yarımkeçirici strukturdan ibarət cihaza
şüa enerjisi ilə idarə olunan elektron cihazlara
üç p-n keçidə malik olan cihaza
iki p-n keçidə və iki qat yarımkeçirici strukturdan ibarət cihaza
monoxromatik şüalanma yaradan p-n keçidə
261. Bipolyar sözü cərəyanın necə işarəli yükdaşıyıcıların hərəkəti ilə bağlıdır?
elektron və deşiklər
yalnız elektronlar
yalnız deşiklər
ionlar
qeyri-əsas yük daşıyıcıları
262. p-n-p tipli tranzistorda xarici gərginlik mənbələrinin qoşulması
emitter keçidinə düz, kollektora əks istiqamətdə
emitter keçidinə düz, kollektora düz istiqamətdə
emitter keçidinə əks, kollektor keçidinə düz istiqamətdə
baza keçidinə düz istiqamətdə
baza və emitter keçidinə əks istiqamətdə
263. Tranzistorun ekvivalent sxemi kiçik siqnallar üçün neçə qrupa bölünür?
2
3
5
4
heç biri
264. İş prinsipi yalnız bir işarəli yükdaşıyıcıların (elektron, deşik) hərəkəti ilə baglı olan tranzistora
unipolyar
fotoelektron
polyar
bipolyar
termoelektron
265. Nəyə görə unipolyar tranzistora həm də sahə ilə işləyən deyilir?
kanalın keçiriciliyinin elektrik sahəsi ilə dəyişdirilir
heç biri
zatvorun idarəsi elektrik induksiya qanuna görə baş verir
kanalın keçiriciliyi elektromaqnit sahəsi ilə idarə olunur
kanalın keçiriciliyi ionlarla qarşılıqlı təsirdə olur
266. Cərəyan keçirən kanalın yaradılması üsuluna görə unipolyar tranzistorlar neçə qrupa bölünür
3
6
4
5
2
267. Cərəyan keçirən kanala görə unipolyar tranzistorlar
p-n keçidli
p-n-p keçidli
p-p keçidli
p-n-n-p keçidli
n-p-p-n keçidli
268. Cərəyan keçirən kanalın növünə görə unipolyar tranzistorların tipi
qurama
inyeksiya
donor
izolyasiyalı
heç biri
269. Qurama və induksiya edilmiş kanallı tranzistorlara nə deyilir?
metal, elektrik, yarımkeçirici
p-n-p tranzistor
bipolyar tranzistor
metal-elektrik-metal
n-p-n tranzistor
270. Unipolyar tranzistorların neçə növ VAX mövcuddur?
2
heç biri
1
3
4
271. Metal-elektrik-yarımkeçirici tranzistor hansı materialdan hazırlanır?
silisium
germanium
indium
selen
molibden
272. Dielektrik kimi silisium-oksiddən istifadə olunarsa giriş müqaviməti
1012-1014 Om
103-106 Om
106-109 Om
109-1012 Om
1016-1020 Om
273. Tiristora düz istiqamətdə verilmiş gərginliyin artması o vaxta kimi davam edir ki
tiristorda gərginlik bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmə gərginliyinə bərabər olsun
tiristorda gərginlik bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmə gərginliyindən kiçik olsun
tiristorda gərginlik onun buraxılabilən nominal qiymətinə bərabər olsun
düz istiqamətdə verilən gərginliyin işarəsi əksinə dəyişdirilsin
heç biri
274. Tiristora düz istiqamətdə verilən gərginlik onun bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmə gərginliyinə bərabər olarsa, onda
tiristor açılır, cərəyan sıçrayışla artır və müqavimət azalır
tiristor açılır, cərəyan sıçrayışla azalır, müqavimət artır
tiristor aralıq vəziyyətə keçir, cərəyan azalır, gərginlik artır
tiristor bağlanır, cərəyan sıçrayışla azalır, müqavimət azalır
tiristor qeyri müəyyən vəziyyətə keçir
275. Tiristor açıldıqdan sonra giriş idarə gərginliyinin götürülməsindən sonra onun vəziyyəti
keçirici vəziyyəti qalır
keçirici vəziyyət dayanır
tiristor bağlanır
qeyri-müəyyən hal yaranır
keçid prosesi başlayır
276. İdarə elektrodunun yerləşməsindən asılı olaraq tiristor (trinistor) neçə qrupa bölünür?
2
4
5
3
6
277. Yük daşıyıcıların hərəkətə başladığı elektroda nə deyilir?
mənbə (istok)
mənsəb (stok)
anod
katod
idarəedici elektrod İE
278. MDY (metal-dielektrik-yarımkeçirici) tranzistorun iki p-n keçidi arasındakı n-tip yarımkeçiriciyə
kanal
mənbə
mənsəb
baza
emitter
279. MDY tranzistorda p tip yarımkeçirici qatların konsentrasiyası
n qatına nisbətən daha yüksək aşqar konsentrasiyasına malikdir
n qatına nisbətən qeyri-aşqar daşıyıcıların konsentrasiyasından asılılığı
n qatına nisbətən kiçik aşqar konsentrasiyasına malikdir
p və n qatların aşqar konsentrasiyaları bərabərdir
n qatının konsentrasiyası diffuziya cərəyanından asılıdır
280. İdarəedici elektrod nədir?
MDY tranzistorun bir-birinə birləşmiş iki p qatı
heç biri
MDY tranzistorun bir-birinə birləşmiş iki n qatı
MDY tranzistorun p qatı
MDY tranzistorun n qatı
281. MDY tranzistorun idarəedici elektroduna mənfi əks gərginlik verildikdə
kanal ensizləşir, keçiriciliyi azalır
kanal böyüyür, keçiriciliyi artır
kanal ensizləşir, keçiriciliyi artır
p qatının konsentrasiyası artır
heç biri
282. MDY tranzistorda dördüncü elektrod rolunu nə oynayır?
əsas yarımkeçirici birləşmiş altlıq
köməkçi yarımkeçirixi
mənsəb elektrodu
mənbə elektrodu
idarə elektrodu
283. MDY tranzistorda mənbə və mənsəbə yaxın səthləri mühafizə və idarəedici elektrodu kanaldan izolə etmək üçün nədən istifadə edilir?
oksid qatı-SiO2
Sİ qatı
Be qatı
CO2 qatı
heç biri
284. MDY tranzistorların qoşulma sxemləri
ümumi mənsəb, ümumi idarəetmə və ümumi mənbə
ümumi mənsəb, ümumi kollektor
ümumi baza
ümumi kollektor
ümumi mənbə, ümumi emitter
285. MDY tranzistorların ümumi idarəedici elektrodlu qoşulma sxeçi nə üçün az istifadə edilir?
kiçik giriş müqaviməti
heç biri
böyük giriş müqaviməti
çıxış müqavimətinin az olması
qida mənbəyinin böyük olması
286. MDY tranzistorun əsas xarakterik cəhəti
çox böyük giriş müqavimət
giriş müqavimətinin az olması
güclənmə əmsalının böyük olması
işləmə tezliyinin sonsuz böyüklüyü
qida mənbəyinin dəyişən olması
287. MDY tranzistorlarının sıradan çıxma səbəbi
statik elektrikləşmə
gərgimlik düşgüsü
böyük cərəyan
statik boşalma
statik yük
288. İki dayanıqlı vəziyyətə - alçaq və yüksək keçiricilikli vəziyyətə malik olan dördqatlı cihaza nə deyilir?
tiristor
diod
tranzistor
kenotron
triod
289. Diod tiristorlarına nə deyilir?
dinistor
trinostor
trinistor
tranzistor
kenostor
290. Triod tiristorlarına nə deyilir?
tirinostor
kenostor
pozistor
dinistor
termistor
291. Tristorun iki kənar emitter və kollektor keçidlərinə düz istiqamətdə gərginlik verildikdə
mərkəzi p-n keçidi əks istiqamətdə qoşulmuş olur
mərkəzi p-n keçidi düz istiqamətdə qoşulmuş olur
mərkəzi p-n keçidinin müqaviməti çox artır
mərkəzi p-n keçidindən yüksək cərəyan axır
emitter keçidi bağlanır, kollektor keçidi açılır
292. Dinistorun bağlı vəziyyətdən açıq vəziyyətə keçmə səbəbi
Anod və katod arasındakı gərginliyin müəyyən qiymətində
anod cərəyanın müəyyən qiyməti
katod cərəyanın artması
katoda müsbət gərginlik verdikdə
anoda mənfi potensial verdikdə
293. Birəməliyyatlı (açılan) tirinostoru idarəedici elektrodla yalnız
açmaq olar
mühafizə etmək olar
bağlamaq olar
yükü dövrədən açmaq
heç biri
294. Birəməliyyatlı (açılan tiristor) bağlamaq üçün
anod-katod arasındakı gərginliyin işarəsini dəyişmək lazındır
katoda əlavə gərginlik verilir
anod-katod arasındakı gərginlikləri bərabərləşdirilir
anod gərginliyi böyüdülür
katod dövrədən açılır
295. İki əməliyyatlı (bağlanan) tiristoru bağlamaq və açmaq üçün
idarə elektroduna gərginlik verilir
heç biri
anod elektroda siqnal vasitəsilə
katoda gərginlik verilir
anod-katod gərginliyin işarəsi dəyişdirilir
296. İşıq şüası ilə idarə olunan tiristora nə deyilir?
fototiristor
işıq tiristoru
qısa dalğa tiristoru
görünən şüalı tiristor
fotodiod
297. Hər iki istiqamətdə cərəyan keçirən tiristora
simmetrik simistor
dinistor
bağlanan tiristor
açılan tiristor
bağlanan-açılan tiristor
298. Üç elektrodlu (tirinistor) tiristorun əsas elementi nədir?
diffuziya və ərinti metodu ilə mikron qalınlıqda silisium lövhə
ərinti metodu ilə hazırlanmış mikron qalınlığı olan germanium lövhə
diffuziya metodu ilə hazırlanan germanium lövhə
diffuziya və ərinti metodu ilə hazırlanan bir neç ə mm qalınlıqda lövhə
p və n yüklərini sürətləndirən lövhə
299. Düz cərəyanın nominal qiymətinə görə tiristorlar neçə qrupa bölünür?
3
4
5
2
6
300. Alçaq güclü tiristorların düz cərəyanın nominal qiyməti
301. Orta güclü tiristorların düz istiqamətdə cərəyanın nominal qiyməti
302. Böyük güclü tiristorların düz istiqamətdə cərəyanın nominal qiyməti
303. Tiristorda idarəedici elektrodun cərəyanı sıfra bərabər olarsa, bu rejimə nə deyilir?
dinistor rejimi
aktiv rejim
simstor rejimi
baglı rejim
doymuş rejim
304. Generator çeviricilərdə qeyri – elektrik kəmiyyət nəyə çevirilir?
E.h.q. və cərəyana
Maqnitə
E.h.q.
Cərəyana
Dielektrikə
305. Asinxron mühərriklərdə işə salma cərəyanını azaltmaq üçün rotorun faz dolaqlarına nə qoşulur?
Əlavə müqavimətlər
Əlavə diodlar
Əlavə kondensatorlar
Əlavə induktivlik
Heç bir şey qoşulmur
306. Relelər konstruksiyasına görə neçə yerə ayrılır?
Elektromaqnit və yarımkeçirici relelər
Elektromaqnit
Yarımkeçirici relelər
Müqavimətli relelər
Tutumlu relelər
307. Avtomatik idarəetmə aparatlarına əsasən hansı elektrik aparatları aiddir?
Rele
Transformator
Lampa
Diod
Kondensator
308. Düzbucaqlı koordinat sistemində müəyyən müqavimətdə düşən gərginliyin cərəyandan asılılığı şəklində qurulan əyrilər necə adlanır?
Volt- amper xarakteristikası U(i)
Volt- amper xarakteristikası K(i)
Volt- amper xarakteristikası A(i)
Volt- amper xarakteristikası P(i)
Volt- amper xarakteristikası C(i)
309. Düzləndirmə neçə cür olur?
İki – bir yarım periodlu və iki yarım periodlu
bir yarım periodlu
Bir– bir yarım periodlu və iki yarım periodlu
Heç – bir
Tam periodlu
310. Ampermetr dövrəyə necə qoşulur?
Ardıcıl
Qarışıq
Paralel
Periodik
Simvolik
311. Voltmetr dövrəyə necə qoşulur?
Paralel
Ardıcıl
Qarışıq
Simvolik
Periodik
312. Elektron sxemlərdə istifadə olunan yarımkeçirici guclendirici element hansıdır?
Tranzistor
Diod
Kondensator
Stablitron
tiristor
313. Elektrik keçiriciliyinə görə naqillərlə dielektriklər arasında orta vəziyyət tutan materiallar necə adlanır?
Yarımkeçiricilər
Ferromaqnitlər
Dielektriklər
Elektromaqnitlər
Maqnitlər
314. Elektronikada ən çox istifadə olunan yarımkeçirici maddələr hansılardır?
Germanium, silisium və qallium
Qallium
Germanium
Silisium
Mis
315. İstənilən çevirici hansı əsas hissələrdən ibarətdir?
Həssas element və verici
Antenna
Həssas element
Verici
Qəbuledici
316. Dinistorun dövrəyə qoşulma sxemində gərginliyin polyarlığı
n tip kənar nöqtənin birinə mənfi, digər kənar nöqtəyə (p) müsbət gərginlik verir
n tip kənar nöqtədən birinə müsbət, digərinə isə mənfi gərginlik verilir
kənar nöqtələrin hər ikisinə müsbət gərginlik
kənar p tipdən birinə sıfır, digər kənar nöqtəyə n tip faza qoşulur
gərginliyin polyarlığı periodik dəyişdirilir
317. Tiristor (dinistor) bağlı olduqda
onda böyük gərginlik düşgüsü, kiçik cərəyan axması və böyük müqavimət olur
ondan çox kiçik cərəyan axır, müqavimət sıfra yaxınlaşır, gərginlik düşmür
onda böyük gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, böyük müqavimət müşahidə olunur
onda axan cərəyan, onun müqavimətilə mütənasib artır
onda düşən gərginlik azalır, cərəyan artır
318. Tiristor açıldıqda
onda düşən gərginlik azalır, böyük cərəyan və kiçik müqavimət müşahidə olunur
onda axan cərəyan kiçik, gərginlik düşgüsü böyük, müqavimət sonsuzluga yaxınlaşır
onda düşən gərginlik artır, böyük cərəyan axır və müqavimət azalır
onda axan cərəyan, onun müqavimətilə mütənasib artır
heç biri
319. Güc tranzistorları hansı cərəyanları idarəetmək üçün istifadə edilir?
10A və daha yüksək
2A-5A
0,1A-0,8A
0,8A-0,1A
6A-8A
320. Güc tarnzistorları hansı materialdan hazırlanır?
silisium
qallium
germanium
selen
arsenid
321. Güc tarnzistorları əsas hansı sxemlə qoşulur?
ümumi emitter (ÜE)
ümumi baza (ÜB)
ümumi kollektor (ÜK)
ümumi yük
ümumi giriş
322. ÜE sxemdə giriş gərginliyi
baza emitter arasında
baza kollektor arasında
kollektor-emitter
baza-giriş
emitter-çıxış
323. Bir yarımkeçirici lövhədə iki tsanzistor strukturundan yaranmış sxemə nə deyilir?
Darlinqton sxemi
SIT
IGBT
MOY
MDY
324. Darlinqton sxemin differensial ötürmə əmsalı
325. β1 və β2 əmsalları
T1 və T2 tranzistorların baza dövrəsinin ötürmə əmsallar
heç biri
T1 və T2 tranzistorların emitter cərəyan əmsalı
kollektorda yük daşıyıcıların qatılığı
tranzistorların güclənmə əmsalları
326. Qurma (quraşdırılmış) tranzistrda baza cərəyanı kollektor cərəyanından nə qədər kiçik ola bilər?
1000
500
10
100
200
327. Güc tranzistorunda giriş və çıxış tranzistorları arasında
328. Qurma tranzistorun iş rejimi
T1 tranzistor doymuş, T2 aktiv rejimdə
T1 tranzistor aktiv, T2 doymuş rejimdə
T1 tranzistor aktiv, T2 aktiv
hər iki tranzistor bağlı rejimdə
hər iki tranzistor açıq rejimdə
329. İnformativ elektronikanın elektron sistemləri ilə təchiz edilmiş güc elektron inteqral sxemlər
intellektual adlanır
metal-oksid-yarımkeçirici
elektro-intiqal
bipolyar
heç biri
330. İntellektual güc tranzistorları hansı rejimdə işləyir?
sərhədd
gücləndirici
aktiv
doymuş
nisbətən sakit
331. İntellektual güc tranzistorunun silisium kristalının temperaturu
200ºC və daha çox
100ºC
20ºC
50ºC
500ºC
332. İntellektual güc tranzistorunda gücün əsas hissəsi harada paylanır?
kollektor keçidində
baza keçidində
emitter keçidində
girişdə
çıxışda
333. Güc tranzistorunda Pk gücün effektiv azaldılması necə baş verir?
açar rejimində
doymuş rejimdə
aktiv rejimdə
buraxılabilən rejimdə
heç biri
334. Güc tranzistorunun əsas parametri
Uke.doy
Ubk
Ube
Uke.akt.
Uke.max.
335. Güc tranzistorunun əsas parametri
cəldişləmə
qida gərginliyi
buraxılabilən gərginlik
buraxılabilən cərəyan
güclənmə əmsalı
336. İntellektual güc trnzistorunda
p-n keçidinin deşilməsi
baza keçidinin deşilməsi
emitter keçidinin deşilməsi
baza-emitter keçidinin deşilməsi
heç biri
337. Təkrar deşilmə nədir?
yarımkeçiricinin lokal qızması
yarımkeçiricinin periferik qızması
gərginliyin sıçrayışla dəyişməsi
cərəyanın sıçrayışla dəyişməsi
heç biri
338. Lokal qızma necə baş verir?
kollektor keçidinin bir hissəsində cərəyan sıxlığı artır
emitterdə cərəyan sıxlığı artır
bazada cərəyan sıxlığı artır
kollektorun cərəyanı sıçrayışla azalır
baza dövrəsi qırılır
339. Tranzistorda lokal qızma ilə deşilmə müddəti
mikrosaniyədən az müddət
saniyələr
mikrosaniyədən böyük müddət
nanosaniyə
dəqiqə
340. Tranzistorun lavin deşilmə müddəti
nanosaniyə
dəqiqədən kiçik müddət
saniyə
mikrosaniyə
dəqiqə
341. Yükün daha böyük cərəyanlarında
tranzistorlar paralel birləşir
müqavimətlər ardıcıl birləşdirilir
tranzistorlar ardıcıl qoşulur
ballast müqavimət qoşulur
qoruyucudan istifadə edilir
342. Tranzistorların artıq yüklənməsinin qarşısını almaq üçün
emitter dövrəsində müqavimət qoşulur
baza dövrəsinə müqavimət qoşulur
kollektor dövrəsinə müqavimət qoşulur
baza-emitter dövrəsinə diod qoşulur
baza-kollektor keçidi şuntlanır
343. Sahə güc tranzistorlarının əsas parametri
istok və stok arası gərginlik
zatvor-istok gərginliyi
zatvor-stok gərginliyi
baza-stok gərginliyi
baza-istok gərginliyi
344. Sahə güc tranzistorlarının əsas parametri
qoşulub-açılma müddəti
h-parametri
güclənmə əmsalı
qida mənbəyinin gərginliyi
D-parametri
345. Sahə güc tranzistorlarının əsas parametri
kanalın müqaviməti - ris
heç biri
zatvorun müqaviməti - rz
istokun müqaviməti - ri
stokun müqaviməti - rs
346. İntellektual güc tranzistorları hansı rejimdə işləyir?
sərhədd
aktiv
doymuş
nisbətən sakit
gücləndirici
347. Güc tranzistorları hansı cərəyanları idarəetmək üçün istifadə edilir?
10A və daha yüksək
0,1A-0,8A
0,8A-0,1A
2A-5A
6A-8A
348. Güc tarnzistorları hansı materialdan hazırlanır?
silisium
selen
germanium
arsenid
qallium
349. Güc tarnzistorları əsas hansı sxemlə qoşulur?
ümumi emitter (ÜE)
ümumi yük
ümumi baza (ÜB)
ümumi kollektor (ÜK)
ümumi giriş
350. ÜE sxemdə giriş gərginliyi
baza emitter arasında
emitter-çıxış
baza kollektor arasında
kollektor-emitter
baza-giriş
351. Bir yarımkeçirici lövhədə iki tsanzistor strukturundan yaranmış sxemə nə deyilir?
Darlinqton sxemi
IGBT
SIT
MOY
MDY
352. Sahə güc tranzistorda kanalın müqavimətinin aşağı salınma üsulu
kanalın uzunluğunun kiçildilməsi
kanalın uzunluğunun böyüdülməsi
kanalın eninin kiçildilməsi
kanalın materialının zənginləşdirilməsi
heç biri
353. Sahə güc tranzistorlarda istok-stok dövrəsinin müqavimətinin aşağı salınması üçün nə istifadə edilir?
çoxkanallı strukturlar
kanalın enini azaldır
iki kanallı strukturlar
kanalın uzunluğu qısaldılır
bipolyar kanaldan istifadə edilir
354. Sahə güc tranzistorda stokun maksimal cərəyanı üçün nədən istifadə edilir?
çoxkanallı strukturlar
istokun müqaviməti artırılır
azkanallı strukturlardan
müqavimət azaldılır
stokun müqaviməti artırılır
355. Sahə güc tranzistorlarda kanalların sayı
100-1000
1000-2000
10-50
50-80
80-100
356. Sahə güc tranzistorunun əsas üstün cəhəti
temperatur artdıqda kanalın müqaviməti artır
temperatur azaldıldıqda kanalın müqaviməti artır
temperatur artdıqda kanalın müqaviməti azalır
temperatur azaldıldıqda kanalın müqaviməti dəyişmir
heç biri
357. Sahə tranzistorunun üstün cəhəti
öz-özünə qızma hadisəsinin qarşısının alınması
lavin deşilməsi olmur
yüksək gərginliyə davamlılıq
yüksək cərəyanda deşilmə olmur
heç biri
358. Sahə tranzistorunun üstün cəhəti
təkrar deşilmənin olmaması
dövrədən açılma gərginliyi artır
dövrəyə qoşulma gərginliyi azalır
cəldişləmə baş verir
cərəyan sıxlığı azalır
359. Yarımkeçirici lövhənin bir tərəfində istok, stok və digər tərəfində zatvor yerləşərsə buna .............. deyilir.
üfüqi struktur
n-p-n struktur
şaquli struktur
p-n-p stuktur
n-p-n-p struktur
360. Yarımkeçirici lövhənin bir tərəfində istok, zatvor, digər tərəfində stok yerləşərsə buna .............. deyilir.
şaquli struktur
sadə struktur
üfüqi struktur
paralel struktur
mürəkkəb struktur
361. Sahə güc tranzistorlarda keçid tutumun təsirindən giriş ekvivalent tutumun artmasına nə deyilir?
Miller effekti
giriş effekti
öz-özünü mühafizə effekti
Darlinqton effekti
Faradey effekti
362. İzolyasiyalı zatvorlu bipolyar İGBT tranzistor necə cihazdır?
hibrid yarımkeçirici cihaz
mikroelektron cihaz
mikrosxem cihaz
TTL-cihaz
DTL-cihaz
363. İzolyasiyalı zatvorlu bipolyar İGBT tranzistor neçə üsulla idarə olunur?
2
1
3
4
heç biri
364. İGBT tranzistorların sahə tranzistorlarına xas olan hansı üsulla idarə olunur
elektrik sahəsi
n-yükləri ilə
potensiallar fərqi
p-yükləri ilə
p-n keçidi ilə
365. İGBT tranzistorların bipolyar tranzistora xas olan idarə üsulu
elektrik yüklərinin infeksiyası
heç biri
elektrik sahəsi
dielektrik sahəsi
elektrik yüklərin adsorbsiyası
366. İGBT tranzistorlarda elektrodların işarələnməsi
emitter, kollektor, zatvor
emitter, kollektor, baza
stok-istok, zatvor
stok, istok, baza
emitter, kollektor, istok
367. İGBT tranzistorların sahə tranzistorlarına hansı xas olan üsulla idarə olunur?
elektrik sahəsi
n-yükləri ilə
p-yükləri ilə
potensiallar fərqi
p-n keçidi ilə
368. İGBT tranzistorun strukturu
iki bipolyar n-p-n və p-n-p strukturu
MOY və n-p-n strukturu
MOY və MDY strukturu
p-n-p və MDY strukturu
MDY, n-p-n tranzistor
369. Sahə tranzistorunun üstün cəhəti
öz-özünə qızma hadisəsinin qarşısının alınması
lavin deşilməsi olmur
yüksək cərəyanda deşilmə olmur
yüksək gərginliyə davamlılıq
heç biri
370. İGBT tranzistorda çıxış tranzistorunun (T3) vəzifəsi
aşağı n-tipli təbəqəyə deşiklərin infeksiyası
p-tipli təbəqədan t-tipə elektronların infeksiyası
orta n-tipli təbəqəyə deşiklərin infeksiyası
yuxarı n-tipli təbəqəyə deşiklərin infeksiyası
aşağı p-tipli təbəqəyə deşiklərin infeksiyası
371. İGBT tranzistorda n-tipli təbəqəyə deşiklərin infeksiyası nəyə səbəb olur?
bu tip təbəqənin müqaviməti xeyli azalır
n-tipli təbəqənin cərəyanı azalır
n-tipli təbəqənin gərginliyi sabit qalır
p-tipli təbəqə sıradan çıxır
heç biri
372. Sahə tranzistora nisbətən İGBT tranzistorun üstün cəhəti
açıq vəziyyətdə Uke gərginliyin az olması
açıq vəziyyətdə Uke gərginliyin maksimal olması
bağlı vəziyyətdə Uke gərginliyin az olması
bağlı vəziyyətdə Uke gərginliyin maksimal olması
periodik rejimdə iş qabiliyyəti
373. İGBT tranzistorda Uke çıxış gərginliyinin azalması nəyə səbəb olur?
onda ayrılan gücün azalmasına
onda ayrılan gücün böyüməsinə
ona verilən giriş gərginliyin azalmasına
tranzistorun bağlanmasına
heç biri
374. İGBT tranzistorların kommutasiya gərginliyi
10000 V və daha çox
1000-2000V
100-500V
500-1000V
2000-4000V
375. İGBT tranzistorun kollektor cərəyanın, kollektor-emitter gərginliyindən asılılığına nə deyilir?
çıxış xarakteristikası
astatik xarakteristika
giriş xarakteristikası
statik xarakteristika
yük xarakteristika
376. Elektrovakuum cihazlar neçə qrupa bölünür?
2
3
5
4
6
377. Vakuum nə deməkdir?
hava və qazın atmosfer təzyiqindən aşağı olan vəziyyəti
havanın təzyiqinin normal olma halı
hava və qazın atmosfer təzyiqindən yuxarı vəziyyəti
qazın atmosfer təzyiqindən yuxarı vəziyyəti
hava və qazın təzyiqin atmosfer təzyiqinə bərabər olma vəziyyəti
378. Vakuumdan axan cərəyan necə adlanır?
elektron cərəyan
boşalma cərəyanı
ion cərəyanı
sabit cərəyan
optiki cərəyan
379. Elektrovakuum cihaz kenotronun neçə elektrodu vardır?
2
1
3
5
4
380. Kenotronun katodunun vəzifəsi nədir?
elektronları özündən emissiya etmək
elektronları cəzb etmək
elektronları dəf etmək
elektronların hərəkət sürətinin artırılması
elektronların sürətinin azaldılması
381. Termoelektron emissiya hadisəsi neçə baş verir?
cisimlərin qızdırılması
elektronlara işıq şüaları təsir edir
elektronların sürətini yüksəltməklə
elektronla maqnit seli təsir edir
cisimlərin soyudulması
382. Elektrostatik emissiya hadisəsi neçə baş verir?
cisimlərin səthinin yüksək gərginlikli elektrik sahəsi ilə işlənməsi
cisimlərin səthinin işıq seli ilə qarşılıqlı təsirdə olması
cisimlərin səthinin maqnit seli ilə işləməsi
elektronların sürətinin yüksəldilməsi
cisimlərin səthinin aşağı tezlikli impulslarla bombarduman edilməsi
383. Fotoelektron emissiyası hadisəsi neçə baş verir?
cisimlərin səthinə işıq şüalarının düşməsilə
cisimlərin səthinin yüksək cərəyanla işlənməsi
cisimlərin səthinin yüksək tezlikli gərginliklə işlənməsi
cisimlərin səthinə maqnit selinin düşməsilə
cisimlərin səthinin qızdırılmasıilə
384. Katodlar nədən hazırlanır?
volfram
misdən
nikeldən
poladdan
qızıldan
385. Kenotronun lampasının əsas təyinatı
dəyişən cərəyanın düzləndirilməsi
siqnalları vurmaq
tezlik bölücüsü
impuls siqnalları saymaq
siqnalları gücləndirmək
386. Elektrovakuum triodda üçüncü elektrodunun vəzifəsi
anod cərəyanının tənzimlənməsi
gərginliyi düzləndirmək
cərəyanı düzləndirmək
katod cərəyanını məhdudlaşdırmaq
katod cərəyanını tənzimləmək
387. Elektrovakuum triodun tor elektrodunun katoda nəzərən potensiallarının polyarlığı
katoda nəzərən müsbət polyarlıqla
katoda nəzərən nəzərən mənfi
katod-anod gərginliyi sıfra bərabər olmalı
katodla eyni polyarlıqla olmalı
polyarlıq heç bir rol oynamır
388. 4- elekirodlu vakuum laplasında hansı elektrodlar mövcuddur?
katod - idarəedici tor - ekranlayıcı tor - anod
katod - tor - kollektor - anod
katod - kollektor- baza - anod
anod - tor- mühaftzə toru - anod
katod - emitter - baza - anod
389. Dinatron effekti nədir?
təkrar emissiyadan yaranan elektronlar ekranlayıcı tor tərəfindən zəbt edilir
elektronların sürəti azalır
volt-amper xarakteristikasında müsbət müqavimətli zonanın yaranması
katoddan çıxan elektronların geri qayıtması
təkrar emissiyadan yaranan elektronlar idarəedici tora qayıdır
390. Dinatron effektini aradan götürmək üçün hansı vasitədən istifadə edilir?
lampaya ekranlayıcı tordan sonra mühaftzə toru daxil edilir
lampanın anod gərginliyini artırırlar
idarəedici torla katod arasında güclü elekitrik sahəsi yaradılır
idarəedici tora mənfi yerdəyişmə gərginliyi verilir
lampanın katod gərginliyini azaldırlar
391. Yarımkeçirici materiallara xüsusi müqavimət aşağıda göstərilən maddələrdən hansı aiddir?
ρ= 10-2 ÷ 109 Om · cm
ρ =10-1 ÷ 102 Om · cm
ρ =10-1 ÷ 10-2 Om · cm
ρ =10-9 ÷ 10-2 Om· cm
ρ =10-2 ÷ 10-5 Om · cm
392. Dielektrik materiallara xüsusi müqaviməti aşağıda göstərilən maddələrə hansı aiddir?
ρ =1010 - 1018 Om · cm
ρ=100 - 104 Om · cm
ρ =10-4 - 10-8 Om · cm
ρ =100 - 10-3 Om · cm
ρ =103 - 108 Om · cm
393. Yarımkeçirici maddələrə hansı kimyəvi elementlər aiddir?
heç biri
mis
volfram
qızıl
moliden
394. Temperatur artdıqca yarımkeçiricinin müqaviməti necə dəyişirilir?
azalır
artır
artmır
dəyişmir
sabit qalır
395. Yarımkeçiricilərdə elektrik cərəyanı elektronlardan başqa hansı yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə baş verir?
deşiklərin
ionların
kristallik qəfəsin
valent elektronların
atomların
396. SİT tranzistorun bipolyar rejimə keçməsinin üstün cəhəti
stok-istok gərginliyin aşağı qiyməti
stok-istok gərginliyin yüksək olması
zatvor-istok gərginliyin yüksək olması
giriş müqavimətinin böyük olması
heç biri
397. Bağlanan tranzistorlarda maksimal buraxılabilən gərginlik
398. Bağlanan tiristorların kommutasiya cərəyanı
1000A
200A
500A
100A
300A
399. İGBT tranzistorun maksimal buraxılabilən gərginliyi
1000V və daha böyük
10-100V
100-200V
400-500V
heç biri
400. Yarımkeçirici güc cihazlarının seçilməsində əsas texniki faktorlardan biri
cərəyanın kommutasiyası
f.i.ə.
giriş müqaviməti
çıxış müqaviməti
tələb olunan güc
401. Yarımkeçirici güc cihazlarının seçilməsində əsas texniki faktorlardan biri
kommutasiya tezliyi
tələb olunan güc
giriş müqaviməti
qida mənbəyi
çıxış müqaviməti
402. MDY tranzistorların kommutasiya tezliyi
heç biri
403. İGBT tranzistorların kommutasiya tezliyi
404. Tiristorun kommutasiya tezliyi
10 Hs
30 kHs
10 kHs
20 kHs
35 kHs
405. Yarımkeçirici güc çeviricilərin seçilməsində əsas faktorlardan biri
çıxış gücü
qida mənbəyinin gərginliyi
giriş gücü
giriş müqaviməti
giriş tutumu
406. İstiliyə yüksək davamlılıgı və idarə siqnallarının sadə formalaşması ilə fərqlənən element
MDY tranzistor
SİT tranzistor
İGBT tranzistor
bipolyar tranzistor
metal-oksid yarımkeçirici tranzistor
407. SİT tranzistor bipolyar rejimdə işlədikdə çatışmayan cəhəti
cəldişləmə qabiliyyətinin xeyli azalması
gücün artması
buraxılabilən gərginliyin maksimal qiyməti
kommutasiya tezliyinin sıçrayışla artması
heç biri
408. p-n-p tipli bipolyar tranzistorda deşiklərin hərəkəti ilə yaranan cərəyanın (Jep. emitter cərəyanına ( Jep. nisbəti nəyi xarakterizə edir
injeksiya əmsalını
ekstraksiya əmsalını
güc əmsalını
volt
heç biri
409. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının (Jkp. emitter cərəyanına (JE) nisbəti nəyi xarakterizə edir
cərəyana görə ötürmə əmsalını
keçən cərəyan
güc əmaslını
injeksiya əmsalını
heç biri
410. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir
deşiklərin bazadan keçmə əmsalını
heç biri
ekstraksiya əmsalını
cərəyana görə
güc əmsalını
411. Əks istiqamətdə qoşulmuş kollektor keçidində cərəyanının idarə olunmayan toplananı yaranır.Bu cərəyan necə adlanır və nə ilə əlaqədardır
Əks cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların dreyfi ilə əlaqədardır
Düz cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların dreyfi iləəlaqədardır
Düz cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların diffuziyası ilə əlaqədardır
Əks cərəyan idarə edən,baza cərəyanı idarə olunandır
heç biri
412. Aşağıdakılardan hansı doğrudur
emitter cərəyanı idarə olunan,kollektor cərəyanı idarə edəndir
Emitter cərəyanı idarə edən,kollektor cərəyanı idarə olunandır
emitter cərəyanından keçir
emitter cərəyanından keçmir
heç biri
413. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur
giriş elektrodunun dövrəsinə
həm giriş,həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə
çıxış elektrodunun dövrəsinə
xarici dövrəyə
heç biri
414. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur
çıxış elektrodunun dövrəsinə
xarici dövrəyə
giriş elektrodunun dövrəsinə
həm giriş,həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə
heç biri
415. İGBT tranzistorun maksimal buraxılabilən gərginliyi
1000V və daha böyük
heç biri
100-200V
400-500V
10-100V
416. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi hara qoşulur
baza dövrəsinə
kollektor-emitter aralığına
kollektor dövrəsinə
emitter dövrəsinə
heç biri
417. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir
1.cərəyana görə
2.gərginliyə görə
3.gücə görə
1,2,3
1
2
3
heç biri
418. Müxtəlif polyarlıqlı dəyişən gərginlikləri bir polyarlıqlı pulsasiya olunan gərginliyə çevirən qurğuya ..... deyilir.
düzləndirici
tənzimləyici
gücləndirici
verici
modulyator
419. Yarımkeçirici diodda yığılmış düzləndiricinin çatışmayan cəhəti
bəzi parametrinin temperaturun təsirindən dəyişməsi
deşilmə gərginliyinin çox olması
p-n keçidinin olmaması
qabarit ölçülərinin böyüklüyü
cərəyanı buraxma qabiliyyəti
420. MDY tranzistorun əsas xarakterik cəhəti
çox böyük giriş müqavimət
qida mənbəyinin dəyişən olması
giriş müqavimətinin az olması
güclənmə əmsalının böyük olması
işləmə tezliyinin sonsuz böyüklüyü
421. İGBT tranzistorun çıxış xarakteristikası
ik=f(UkE)
ik=f(UbE)
ik=f(Ubk)
ib=f(UkE)
ie=f(UkE)
422. İGBT tranzistorun ötürmə funksiyası
ic=f(UzE)
iR=f(UzE)
ic=f(Uzc)
ie=f(UzE)
ic=f(UkE)
423. İGBT tranzistorun dikliyi
S=dik/dUk
S=dis/dUs
S=dik/dUe
S=dik/dUi
S=dik/dU
424. Statik induksiyalı SİT
idarəedici p-n keçidli sadə tranzistor
idarəolunan p-n keçidli bipolyar tranzistor
idarəedici p keçidli sadə tranzistor
idarəolunan p-n keçidli sadə tranzistor
heç biri
425. SİT tranzistorunun p oblastının forması
silindr
piramida
düzbucaq
üçbucaq
kürə
426. SİT tranzistorda istok-zatvor gərginliyi artdıqda p-oblastının genişlənməsi halında o hansı elementə oxşayır?
sahə tranzistoruna
p-n-p tranzistora
n-p-n tranzistora
İGBT tranzistora
p-n dioduna
427. SİT tranzistorun vəziyyətini xarakterizə edən işçi nöqtə harada yerləşir?
doyma iş oblastında
aktiv iş oblastında
bağlı iş rejimində
açıq iş oblastında
sərhəd nöqtəsində
428. SİT tranzistorda stok cərəyanın təsirindən nə baş verir
hər bir kanalda gərginlik düşgüsü
stok gərginliyi artır
hər bir zatvorda çox kiçik gərginlik yaranır
istok gərginliyi azalır
kanallar qapanır
429. Nəyə görə SİT tranzistorlara triod-tranzistor deyilir?
VAX-nın elektrovakuum trioduna oxşamasına
VAX-nın kenotron xarakteristikası olduğu kimi
statik xarakteristikası trioda oxşamasına görə
VAX-nın tetrod lampasına oxşamasına görə
heç biri
430. Silindrlər sistemi SİT tranzistorunda nə rolunu oynayır?
zatvor
istok
stok
baza
kollektor
431. Atomda elektronunun olmaması şərti olaraq necə adlanır?
deşik
elektron
ion
qazotron
neytron
432. Elektrk- deşik keçiriciliyi nəyə deyilir ?
p-n keçidi
n-keçidi
n-p-n keçidi
p- keçidi
p-n-p keçidi
433. p-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə yük daşıyıcılarının hərəkəti necə olur?
xaotik
müsbətdən mənfiyə
mənfi atomdan müsbətə
hərəkət etmir
nizamlı
434. p-n keçidinə düz istiqamətdə gərginlik təsir edirsə onda keçiddən kesən tam cərəyan nəyə bərabərdir?
İd.i = İdif - İdif
İd.i = İd1 + İd2
İd.i = ip + in
İd.i = İdif + İdif
İd.i = ip - in
435. Elektron-deşik keçiriciliyinə əks istiqamətdə gərginlik təsir etməsi necə baş verir?
gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü n- keçidinə mənfi qütbü p- keçidinə birləşdikdə
elektron keçidi mənfi yüklənir
gərginlik mənbəyinin mənfi qütbü n- keçidinə birləşdirildikdə
p- keçidinə gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü birləşdikdə
p və n- keçidinə gərginlik mənbəyi birləşməzsə
436. Metallarda fotokeçiricilik müşahidə olunurmu?
olunmur
80 %
tam olunur
50 %
baxır metalın növünə
437. Optron nə deməkdir?
şüa qəbuledici və şüa mənbəyi
özündən sinusoidal rəqslər hasil edən
düzləndirici
e.h.q.-sini qəbul edən
şüanın bir mənbədən digər mənbəyə ötürən
438. Optocüt nəyə deyilir?
bir şüa mənbəyi və bir işıq qəbuledici
işıq şüası buraxan
şüa mənbəyini qidalandıran
bir işıq şüasını qəbul edən
iki işıq qəbuledici və bir şüa mənbəyi
439. İnteqral optoelektron mikrosxem nəyə deyilir?
bir və ya bir neçə əlavə qurğusu, gücləndiricisi olan optocütə
inteqral əməliyyat gücləndiricisində yığılan
bir neçə əlavə qurğusu olan optocütə
gücləndiricisi, düzləndiricisi olan optocütə
yalnız bir əlavə qurğusu, düzləndiricisi olan optocütə
440. Optronun əsas üstünlüklərindən hansı biri aşağıda göstərilir?
girişlə çıxış arasında izolyasiya müqavimətinin çox yüksək olması R=(1010-1015) Om
çox kiçik enerji tələbatı
giriş müqavimətin sonsuz olması
girişlə çıxış arasında izolyasiya müqavimətinin kiçik olması- R=(1÷5) kOm
foto qəbuledici və şüa buraxıcı arasında bir başa əlaqənin olması
441. Rezistor optronun əsas parametrlərindən biri?
işə düşmə və işdən çıxma müddəti
çıxışda minimal cərəyan
minimal enerji tələbatı
girişdə minimal gərginlik
minimal izolyasiya gərginliyi
442. p-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə yük daşıyıcılarının hərəkəti
p- tipdən n-tipə deşiklərin diffuziyası və əksinə
p- tipdən p-tipə deşiklərin diffuziyası
yük daşıyıcıların hərəkəti tormozlanır
n- tipdən n-tipə deşiklərin diffuziyası
p- tipdən n-tipə elektronların n-tipdən p- tipə deşiklərin diffuziyası və əksinə
443. p-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə kontakt gərginliyi nəyə bərabərdir?
Uk= φn- φp
Uk= Up+Un
Uk= Up
Uk= IR
Uk= φp + φn
444. Rezistor optronun əsas parametrlərindən biri hansıdır?
maksimal izolyasiya gərginliyi
girişlə minimal cərəyan
minimal izolyasiya cərəyanı
ətalətliliyi
çıxış müqavimətinin sıfra düşməsi
445. İstifadə olunması mümkün olmayanı göstərməli?
alçaldıcı transformatorlarda
avtomatik tənzimləmə
gücləndiricilərdə
kontaktsız gərginlik bölücülərində
siqnalların modulyasiyasında
446. Atomların elektronlarını vermə qabiliyyətinə nə deyilir?
donor
elekirolit
yarımkeçirici
ion
akseptor
447. Akseptor nə deməkdir?
elektron alan və deşik keçiriciliyi
atomun elektron verməsi
atomun elektronlarının dreyt hadisəsi
yük daşıyıcılarının diffuziyası
elektron verən və elektron keçiriciliyi yaradan maddə
448. Düz istiqamətdə elektron- deşik keçiriciliyi necə baş verir?
p- tip yarımkeçiriciyə gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü
p- tip yarımkeçiriciyə xarici gərginlik mənbəyinin mənfi qütbü birləşərsə
n- tip yarımkeçiriciyə xarici gərginlik mənbəyinin müsbət qütbü birləşərsə
p və n - tip keçidlərə müsbət gərginlik verilərsə
p və n - tip keçidlərinə güclü maqnit sahəsi təsir etdikdə
449. Gərginlik və cərəyanın geniş diapazonunda dəyişməsi ilə hansı elementin müqaviməti sabit qalır?
xətti yarımkeçirici rezistorun
yarımkeçirici diodun
triodun
yarımkeçirici tranzistor
qeyri-xətti rezistorun
450. Varistorda qeyri-xəttilik nə səbəbdən yaranır?
kristallik qəfəsin lokal qızması
elektronların atomu tərk etməsi
kristallik qəfəsin şüalanmasından
katodun qızdırılması
anodun elektronlarla bombardman edilməsi
451. Elektron gücləndiricisinin əsas parametri
güclənmə əmsalı
qida mənbəyinin gərginliyi
qida mənbəyinin cərəyanı
onun volt-amper xarakteristikası
yük müqaviməti
452. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı doğrudur
1.izolə olmuş idarəedici elektroda malikdir
2.dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur
3.n və ptipli induksiya edilmiş kanaldır
1
3
2
1,3
2,3
453. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır
yarımkeçiricinin səth yanı qatı
dielektrik qatı
yarımkeçiricinin orta təbəqəsi
metal qatı
heç biri
454. MDY-tranzistorlarda neçə elektrod olur
2
5
3
4
6
455. MDY-tranzistorda altılığın çıxışı hara qoşula bilər
mənbəyə
heç biri
mənsəbə
idarəedici elektroda
dielektrik təbəqəyə
456. Dinistor açıldıqda qoşulduqda hansı hadisə baş verir?
dinistorda kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, kiçik müqavimət
dinistorda kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, sonsuz böyük müqavimət
dinistorda böyük gərginlik düşgüsü, cüzi cərəyan
dinistorda kiçik gərginlik düşgüsü, böyük cərəyan, sonsuz böyük müqavimət
dinistorun p-n keçidlərinin bağlanması
457. Emitterin tranzistorda rolu
yük daşıyıcıların bazaya injeksiyasını yerinə yetirir
yük daşıyıcılarının bir-birini dəf etməsi
yük daşıyıcıların diffuziyası
elektronları özünə cəzb etməsi
yük daşıyıcıların kollektora diffuziyası
458. Kollektorun tranzistorda yerinə yetirdiyi vəzifə
yük daşıyıcıların bazadan ekstraksiyanı
yük daşıyıcıların bazaya injeksiyası
yük daşıyıcıların emitterə injeksiyası
yük daşıyıcıların rekombinasiyası
yük daşıyıcıların bazaya injeksiyası
459. Bazanın tranzistorda yerinə yetirdiyi vəzifə
qeyri-əsas yük daşıyıcıların emitter tərəfindən injeksiyasını
yük daşıyıcıların bazadan injeksiyası
yük daşıyıcıların bazada rekombinasiyası
yük daşıyıcıların diffuziyası
qeyri-əsas yük daşıyıcıların kollektor tərəfindən injeksiyasını
460. n-p-n tipli bipolyar tranzistorların elektrik nöqtəyi nəzərindən quruluşu
iki kənar oblast elektron, orta oblast deşik keçiriciliyə malikdir
elektron keçiricilikli
hər üç oblast deşik keçiriciliyə malikdir
hər üç oblast elektron keçiriciliyə malikdir
iki kənar oblast deşik, orta oblast elektron keçiriciliyə malikdir
461. Emitter cərəyanının ötürmə əmsalı hansı qiymətləri alır
α = 0,95 ÷ 0,998
α = 0,05 ÷ 0,100
α = 10 ÷ 20
α = 0,2 ÷ 0,50
α = 0,550 ÷ 0,700
462.Emitter cərəyanının ötürmə əmsalının α→1 yaxınlaşması zamanı tranzistorda hansı hadisə baş verir?
yük daşıyıcıların bazaya rekombinasiyası zəifləyir
elektronların sayı sıçrayışla artır
yük daşıyıcıların bazaya diffuziyası baş verir
deşiklərin sayı sıçrayışla artır
yük daşıyıcıların bazaya rekombinasiyası sürətlənir
463. Ümumi emitterli gücləndiricinin kollektorun başlanğıc cərəyanı İKo ölçmək üçün
emitterə gələn naqil kəsilir
bazaya gələn naqil kəsilir
emitteri bazaya birləşdirir
kollektora böyük yük müqavimət qoşulur
kollektora gələn naqil kəsilir
464. Ümumi emitterli gücləndiricinin emitter cərəyanın ötürmə əmsalı α = 0,95 olarsa, baza cərəyanının ötürmə əmsalı
β = 19
β = 10
β = 14
β = 28
β = 50
465. Sahə tranzistorlarının çıxış cərəyanı necə ifadə olunur?
elektrik sahəsinin köməyilə
maqnit sahəsi ilə
giriş cərəyanı ilə
giriş gərginliyi ilə
çıxış gərginliyi ilə
466. Ümumi baza sxemli gücləndiricidə Ryük=0 və Ukb=const olduğu halda statik güclənmə əmsalı α
α < 1
α=10
α=20
α=1
α >1
467. P-n keçidinə xaricdən gərginlik təsir etmirsə...diffuziya edir
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə ionlar
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə yarımkeçiriciyə elektronlar
p-tip yarımkeçiricidən p-tipə ionlar
p-tip yarımkeçiricidən p-tipə elektronlar
n-tip yarımkeçiriciyə p-tipə ionlar
468. Ryük=0 və Ukb=const olduqda ümumi emitter sxemi üzrə qoşulmuş gücləndiricinin statik güclənmə əmsalı
β»10
β = 1
β = 0
β ≤ 1
β = 0
469. P-n keçidinə gərginlik təsir etmirsə...diffuziya edir
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə deşiklər
p-tip yarımkeçiricidən n-tipə deşiklər
p-tip yarımkeçiridən n-tipə elektronlar
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə ionlar
n-tip yarımkeçiricidən p-tipə atomlar
470. Ümumi kollektor sxemi üzrə qoşulmuş gücləndiricinin əsas xüsusiyyətləri
giriş müqavimətinin Rgir çox-çox böyük olması
giriş cərəyanın Ib çox böyük olması
giriş gərginliyinin Ub-e= 0 olması
gərginliyə görə güclənmə əmsalı Ku >1
giriş müqavimətinin Rgir çox az olması
471. Aşağıdakı müddəalardan hansı səhvdir?
yarımkeçiricidə valent zona ilə keçiricilik zonası arasında qadağan zonası yoxdur
yarımkeçiricilərin elektrik keçiriciliyi temperatur artdıqca artır
yarımkeçiricidə yalnız ion keçiriciliyi mövcuddur
yarımkeçiricidə elektron və deşik keçiriciliyi mövcuddur
yarımkeçiricilər naqillərlə dielektriklər arasında keçiriciliyə görə orta vəziyyət tuturlar
472. Yarımkeçiricidə hansı yüklər cərəyan daşıyıcısıdır?
elektronlar və deşiklər
elektronlar
yarımkeçiricinin tipindən asılıdır
ionlar
deşiklər
473. n-tip yarımkeçiricidə əsas yük daşıyıcısı hansıdır?
elektronlar
deşiklər
müsbət ionlar
deşiklər
mənfi ionlar
474. p-tip yarımkeçiricidə əsas yük daşıyıcıları hansılardır?
deşiklər
elektronlar
müsbət ionlar
elektronlar və deşiklər
yoxdur
475. Bipolyar tranzistor neçə p-n keçidinə malikdir?
2
1
3
4
5
476. Günəş batareyalarının hazırlanmasında hansı tip fotoelementdən istifadə edilir?
ventil fotoelementi
fotoelektron vurucular
vakuum fotoelementləri
fotodiod
hamısı
477. Gücləndiricinin giriş dövrəsi üçün aşağıdakı ifadələrdən hansı düz deyil?
Pgir =İ2gir / Rgir
İgir =Ugir / Rgir
Pgir =İ2gir+Rgir
Ugir =Em+İgRm
heç biri
478. Çoxkaskadlı gücləndiricilərdə axırıncı kaskad necə adlanır?
güc gücləndiricisi
gərginlik gücləndiricisi
cərəyan gücləndiricisi
hər biri ola bilər
heç biri ola bilməz
479. ÜE gücləndirici kaskadda çıxış siqnalı faza giriş siqnalından necə fərqlənir?
1800 fərqlənir
fərqlənmir
600 fərqlənir
900 fərqlənir
2700 fərqlənir
480. Üçkaskadlı gücləndiricidə kaskadların gücləndirmə əmsalları k1=5, k2=20, k3=10. Yekun gücləndirmə əmsalını təyin edin?
1000
500
400
300
200
481. Ümumi emitter (ÜE) sxemi üçün h parametrlərindən hansı tranzistorun giriş müqavimətidir?
h22
h12
h21
h11
heç biri
482. Tranzistorun h parametrlərindən hansı qiymətcə çox kiçik olduğundan sıfra bərabər qəbul edilir?
h12
h11
h24
h22
heç biri
483. Xarici qida mənbəyi olmadıqda fotodiod hansı rejimdə işləyir?
fotogenerator rejimdə
fotodiod rejimində
fotoçevrici rejimdə
fotogücləndirici rejimdə
heç birində
484. Sahə trnazistorunda idarəedici elektrodla kanal arasında neçə p-n keçidi var?
2
-1
4
3
0
485. Mənfi əks əlaqə daxil edildikdə gücləndiricinin girişində idarəedici siqnalın gərginliyi necə dəyişir?
azalır
dəyişmir
artır
0 olur
tranzistorun tipindən asılıdır
486. Bipolyar sözü cərəyanın necə işarəli yükdaşıyıcıların hərəkəti ilə bağlıdır?
elektron və deşiklər
yalnız elektronlar
yalnız deşiklər
ionlar
qeyri-əsas yük daşıyıcıları
487. p-n-p tipli tranzistorda xarici gərginlik mənbələrinin qoşulması
emitter keçidinə düz, kollektora əks istiqamətdə
emitter keçidinə düz, kollektora düz istiqamətdə
emitter keçidinə əks, kollektor keçidinə düz istiqamətdə
baza keçidinə düz istiqamətdə
baza və emitter keçidinə əks istiqamətdə
488. Tranzistorun ekvivalent sxemi kiçik siqnallar üçün neçə qrupa bölünür?
2
3
5
4
heç biri
489. İş prinsipi yalnız bir işarəli yükdaşıyıcıların (elektron, deşik) hərəkəti ilə baglı olan tranzistora
unipolyar
fotoelektron
polyar
bipolyar
termoelektron
490. Nəyə görə unipolyar tranzistora həm də sahə ilə işləyən deyilir?
kanalın keçiriciliyinin elektrik sahəsi ilə dəyişdirilir
heç biri
zatvorun idarəsi elektrik induksiya qanuna görə baş verir
kanalın keçiriciliyi elektromaqnit sahəsi ilə idarə olunur
kanalın keçiriciliyi ionlarla qarşılıqlı təsirdə olur
491. Metal-elektrik-yarımkeçirici tranzistor hansı materialdan hazırlanır?
silisium
germanium
indium
selen
molibden
492. Dielektrik kimi silisium-oksiddən istifadə olunarsa giriş müqaviməti
1012-1014 Om
103-106 Om
106-109 Om
109-1012 Om
1016-1020 Om
493. Tiristora düz istiqamətdə verilmiş gərginliyin artması o vaxta kimi davam edir ki
tiristorda gərginlik bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmə gərginliyinə bərabər olsun
tiristorda gərginlik bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmə gərginliyindən kiçik olsun
tiristorda gərginlik onun buraxılabilən nominal qiymətinə bərabər olsun
düz istiqamətdə verilən gərginliyin işarəsi əksinə dəyişdirilsin
heç biri
494. Tiristora düz istiqamətdə verilən gərginlik onun bir vəziyyətdən digər vəziyyətə keçmə gərginliyinə bərabər olarsa, onda
tiristor açılır, cərəyan sıçrayışla artır və müqavimət azalır
tiristor açılır, cərəyan sıçrayışla azalır, müqavimət artır
tiristor aralıq vəziyyətə keçir, cərəyan azalır, gərginlik artır
tiristor bağlanır, cərəyan sıçrayışla azalır, müqavimət azalır
tiristor qeyri müəyyən vəziyyətə keçir
495. Tiristor açıldıqdan sonra giriş idarə gərginliyinin götürülməsindən sonra onun vəziyyəti
keçirici vəziyyəti qalır
keçirici vəziyyət dayanır
tiristor bağlanır
qeyri-müəyyən hal yaranır
keçid prosesi başlayır
496. MDY tranzistorun idarəedici elektroduna mənfi əks gərginlik verildikdə
kanal ensizləşir, keçiriciliyi azalır
kanal böyüyür, keçiriciliyi artır
kanal ensizləşir, keçiriciliyi artır
p qatının konsentrasiyası artır
heç biri
497. MDY tranzistorda dördüncü elektrod rolunu nə oynayır?
əsas yarımkeçirici birləşmiş altlıq
köməkçi yarımkeçirixi
mənsəb elektrodu
mənbə elektrodu
idarə elektrodu
498. MDY tranzistorda mənbə və mənsəbə yaxın səthləri mühafizə və idarəedici elektrodu kanaldan izolə etmək üçün nədən istifadə edilir?
oksid qatı-SiO2
Sİ qatı
Be qatı
CO2 qatı
heç biri
499. MDY tranzistorların qoşulma sxemləri
ümumi mənsəb, ümumi idarəetmə və ümumi mənbə
ümumi mənsəb, ümumi kollektor
ümumi baza
ümumi kollektor
ümumi mənbə, ümumi emitter
500. MDY tranzistorların ümumi idarəedici elektrodlu qoşulma sxeçi nə üçün az istifadə edilir?
kiçik giriş müqaviməti
heç biri
böyük giriş müqaviməti
çıxış müqavimətinin az olması
qida mənbəyinin böyük olması
501. Yarımkeçirici diod nədir?
bir p-n keçidli və iki elektrodlu cihaz
iki p-n keçidli və iki elektrodlu cihaz
üç p-n keçidli cihaz
bir p-n keçidli və bir elektrodlu cihaz
bir p-n keçidli, üç elektrik çıxışlı cihaz
502. Yarımkeçirici tranzistor nədir?
iki p-n keçidə malik, üç elektrik çıxışı olan cihaz
iki p-n keçidli və iki elektrik çıxışı olan cihaz
bir p-n keçidli cihaz
keçiriciliyi az olan iki p-n keçidli cihaz
üç p-n keçidli cihaz və üç elektrik çıxışlı
503. Yarımkeçirici stabilitron nədir?
bir p-n keçidli və volt amper xarakteristikasının (VAX) deşilmə rejimində işləyən cihaz
bir p-n keçidə malik və üç elektrik çıxışlı cihaz
iki p-n keçidli və VAX-nın düzləndirmə rejimində işləyən cihaz
üç p-n keçidə malik və iki çıxışlı cihaz
heç biri
504. Dielektrik materiallarının xüsusi elektrik müqaviməti
heç biri
505. Zona nəzəriyyəsinə görə metal, yarımkeçirici və dielektrikdən necə fərqlənir?
qadağan zolağının qiymətinə görə
deşiklərin sayına görə
elektronların sayına görə
ionların sayına görə
atomların sayına görə
506. Məxsusi yarımkeçirici nədir?
aşkarsız (təmiz) yarımkeçirici
tərkibində istənilən qədər aşkar olan yarımkeçirici
tərkibində donor olan yarımkeçirici
tərkibində ionların sayı kifayət qədər olan yarımkeçirici
aşkarlı yarımkeçirici
507. Termoelektron emissiyası
qızdırılan metalı elektronların tərk etməsi
elektrik sahəsinin təsiri ilə elektronların tərk etməsi
işıq şüalarının təsirindən elektronların tərk edilməsi
radioaktiv təsirdən elektronların metalı tərk etməsi
heç biri
508. Diodun əks cərəyanı temperatur artdıqca
eksponensial qanunda artır
xətti qanunla azalır
sabit qalır
xətti qanunla artır
azalır
509. Yarımkeçirici diodun elektrik deşilməsi zamanı nə baş verir?
əks gərginliyin müəyyən qiymətindən sonra cərəyanın kəskin artması
əks gərginlikdə cərəyanın sabit qalması
diodun düz cərəyanın sıçrayışla artması
diodun düz cərəyanın sıçrayışla azalması
heç biri
510. Bipolyar tranzistorun iş rejimləri
aktiv, doyma və bağlı
reaktiv, doyma
heç biri
fasiləsiz, gücləndirici
diskret, doymuş
511. Aktiv rejimdə tranzistorun keçidlərinin qoşulması
emitter keçidi düz, kollektor keçidi əks istiqamətdə
emitter keçidi düz, kollektor keçidləri düz istiqamətdə
baza keçidi düz, emitter keçidi əks istiqamətdə
emitter keçidi əks, kollektor keçidi düz istiqamətdə
hər üç keçid düz istiqamətdə
512. Doymuş iş rejimində trazistorun keçidlərinin qoşulması
emitter və kollektor keçidinə düz istiqamətdə gərginlik verilir
emitter keçidinə düz istiqamətdə, kollektora əks istiqamətdə gərginlik
baza və emitter keçidinə düz istiqamətdə gərginlik verilir
baza və kollektor keçidinə əks istiqamətdə gərginlik
hər üç keçidə əks istiqamətdə gərginlik
513. Bağlı iş rejimində tranzistorun keçidlərinin qoşulması
kollektor və emitter keçidinə düz istiqamətdə
baza keçidinə düz, kollektor keçidinə əks istiqamətdə gərginlik
kollektora düz emitterə əks istiqamətdə gərginlik
baza və emitter keçidinə düz istiqamətdə gərginlik
heç biri
514. Tiristorda idarəedici elektrodun vəzifəsi
açılma gərginliyini idarə edir
bağlanma gərginliyini idarə edir
açılma gərginliyinə təsir etmir
kollektor keçidinin tutumunu azaldır
heç biri
515. Fotorezistorun əsas xarakteristikası
volt-amper, volt-işıq
giriş, ötürmə və spektzal
statik
dinamik
astatik
516. Aşağıdakı inteqral rezistorlardan hansının qalınlığı kiçikdir ?
ionlarla aşkarlanan n-tip keçiricilərin
epitaksial rezistorların
diffuziya rezistorların
emitter oblastlı p-n keçidinin
bazada yaradılmış SiO2 təbəqəli rezistorun
517. Sahə tranzistorunda yük daşıyıcıları hansı elektroddan hərəkətə başlayır?
istok
stok
zatvor
emitter
baza
518. Açar rejimində işləyən transistor neçə vəziyyətdə ola bilər?
2
3
4
1
2-3
519. Bipolyar tranzistorun iş rejimləri
aktiv, doyma və bağlı
reaktiv, doyma
heç biri
fasiləsiz, gücləndirici
diskret, doymuş
520. Düz istiqamətdə qoşulmuş emitter keçidinin differensial müqaviməti?
521. Yük daşıyıcılarının generasiyası nədir?
kristalda elektron deşik
kristalda elektronların yaranması
elektronların deşikləri tutması
kristalda electron-ion cütün yaranması
heç biri
522. p-n keçidinə malik olan və elektrik enerjisini spektrin görünən hissəsində optik şüalanmaya çevirən yarımkeçiriciyə nə deyilir?
işıq diodu
işıq stabilitronu
işıq tranzistoru
işıq rezistoru
işıq lampası
523. Avtomatik cihazlar nyə dəyilir?
İşıq şüasını elektrik enerjisinə və elektrik enerjisini işıq enerjisinə çevirən
Elektrik enerjisini işıq enerjisinə çevirən qurğu
İşıq şüasını istilik enerjisinə çevirən qurğu
İşıq şüasını elektromaqnit enerjiyə cevirən
Heç biri
524. Xarici təsirdən maddənin elektronlarının həyəcanlanmsından yaranan optic şüalanmaya nə deyilir?
Lüminessensiya
İntensitikasiya
Ditraksiya
Konversiya
Heç biri
525. Fotoelektrik cihazlar neçə qrupa bölünür?
B, C, D
elektromaqnit şüalandırıcılar
fotoelektron şüalandırıcılar
fotoelekrton şüaqəbuledicilər
optoelektron cütlər
526. Elektrolüminessensiya neyə deyilir?
elektrik sahəsinin təsirindən elektronlarin həyəcanlanması
maqnit sahəsinin təsirindən deşiklərin həyəcanlanması
elektrik sahəsinin təsirindən deşiklərin həyəcanlanması
elektrik sahəsinin təsirindən elekton və deşiklərin həyəcanlanması
heç biri
527. Monoxromatik şüaslanma generatoru olaraq işığın induksiya şüalanması ilə gücləndirilməsinə deyilir?
lazer
mazer
dedektor
indiksion verici
heç biri
528. Şüalanma prosesinin enerjisinin tam həyəcanlanma enerjisinə olan nisbətinə nə deyilir?
lümunessesensiya ettektivliyi
generasiya ettektivliyi
fotoressensiya ettektivliyi
radiasiya ettektivliyi
lazer ettektivliyi
529. İşıq saçmanın davamiyyətinə görə lümünessensiya
flüoressensiya
koherentlik
adaptasiya
aklimatizasiya
monoxromatizasiya
530. Millisaniyədən bir neçə saata kimi davam eden uzunmüddətli işıq saçmaya nə deyilir?
fostoressensiya
monoxromatizasiya
flüoressensiya
adektivasiya
adaptoressensiya
531. Flüoressensiyaya hansı parametrlər daxildir?
hamısı
elektron seli
işıq seli
rentgen şüası
elektrik sahəsi
532. Lüminessensiya xassələrinə malik olan maddələrə ne deyilir?
lüminotor
optofor
maqnofor
elektrofor
heç biri
533. Həyəcanlanma tor beyindən asılı olaraq lüminoforlar?
hamısı
katodolüminofor
fotolüminofor
rentgen lüminofor
elektrolüminofor
534. Metal-dialektrik yarımkeçirici tranzistorlar nədən hazırlanır?
silisium
selen
germanium
maqnezium
nikel
535. MDY-tranzistorda dielektrik kimi nədən istifadə edilir?
silisium oksid
alyuminum oksid
mis oksid
germanium oksid
karbon oksid
536. Keçidlərində qeyri-əsas yük daşıyıcıların inyeksiyasının olmadığı halda,bu dioda nə deyilir?
şotki
varikap
stabilitron
yarımkeçirici diod
impuls diodu
537. Elektronun elektrik yükü
e = 1,6 ∙ 10-19 Kl
e = 1,6 ∙ 10-12 Kl
e = 1,2 ∙ 10-10 Kl
e = 1,6 ∙ 105 Kl
e = 1,6 ∙ 10-8 Kl
538. Hərəkətsiz elektronun kütləsi
m = 9,1 ∙ 10-28 qr
m = 1,6 ∙ 10-19 qr
m = 9,1 ∙ 10-10 qr
m = 1,6 ∙ 10-28 qr
m = 9,1 ∙ 10-15 qr
539. Lüminoforun işıq saçma parlaqliğı
540. p-n keçidinə malik olaraq elektrik enerjisini spektrin görünən hissəsində optik şüalanmaya cevirən qurğu
işıq diod
pozistor
yarımkeçirici diod
termo diod
termistor
541. Lüminoforun hazirlandığı material
fosforun kiçildilmişpersil tozu
germanimun selenlə qarışığı
dielektrik kristal
qaz şəkilli maddə
optiki rezonator
542. Germaniuma sürmə əlavə edilmiş yarımkeciricidə hansı növ elektrik keçiriciliyi müşahidə olunur.
elektron keçiriciliyi
deşik keçiriciliyi
ion keçiriciliyi
elektron-deşik keçiriciliyi
heç biri
543. Elektronun verən atoma nə deyilir?
donor
reseptor
akseptor
injektor
donor-akseptor
544. Germanium və indium qarışığından hazırlanmış yarımkeçiricinin elektrik keçiriciliyi
deşik keçiriciliyi
ion keçiriciliyi
elektron keçiriciliyi
elektron-deşik keçiriciliyi
heç biri
545. Heç bir qarışığı olmayan yarımkeçirici neçə adlanır?
məxsusi və ya i-tipli
sərbəst-p- tipli
p- tipli
p-n tipli
məcburi i- tipli
546. İşıq diodunun qoşulma sxemində cərəyan
heç biri
547. Lüminoforun hazirlandığı material
fosforun kiçildilmişpersil tozu
germanimun selenlə qarışığı
dielektrik kristal
qaz şəkilli maddə
optiki rezonator
548. Heterokeçidli srukturlardan hansı diodların hazırlanmasının perspektiv üsulu
işıq diodu
varikap
impuls diodu
yarımkeçirici diodu
şotki diodu
549. Elektronun verən atoma nə deyilir?
donor
reseptor
akseptor
injektor
donor-akseptor
550. Baza cərəyanın ötürmə əmsalı
551. Ümumi emitterli qoşulma sxemində tronzistorun əsas gücləndirici xassəsi.
statik güclənmə əmsalı
dinamiki güclənmə əmsalı
gərginliyinə görə güc əmsalı
cərəyanın sabit qalma əmsalı
heç biri
552. Tranzistorun hansı qoşulma sxemində giriş və çıxış gərginlikləri arasında faz sürüşməsi olmur?
ümumi baza
ümumi emitter
ümumi kollektor
ümumi katod
ümumi anod
553. Lazirlərin iş prinsipi nəyə əsaslanır?
kvant sistemlərin həyəcanlanmış vəziyyətinə
kvant sistemlərin statik vəziyyətinə
optik sistemlərə
dinomonoxromatik şüalanmaya
heç biri
554. Kvant nə deməkdir?
işıq şüalarının ayrı-ayrı porsiyalarla şüalanması
həyəcanlanmış atomların və məcburi hərəkət edən atomların sayına bərabər olması
işıq şüalarının fasiləsiz şüalanması
elektronların fırlanma hərəkəti
heç biri
555. Kvantın enerjisi
556. Xarici enerjinin təsirindən həyəcanlanmış elektronlar.
daha yüksək enerji səviyyəsinə keçir
daha kicik enerji səviyyəsinə keçir
elektronlar sabit sürətlə hərəkət edir
elektronlar deşiklərlə rekombinasiya olunur
heç biri
557. Kvant sistemlərinin enerjisinin şüalanması necə baş verə bilər?
öz-özünə
xarici təsirdən
istəlinən halda
sərbəst halda
məxsussi
558. Kvant sistemlərinin enerjisinin şüalanması necə baş verə bilər?
məcburi (induksiya)
xüsusi hallarda
dinamiki
statik
fasiləsiz
559. Fəzada paylanmış sistemlərinn öz-özünə şüalanması necə olur?
qeyri-koherent
diskret
koherent
məcburi
heç biri
560. İnduksiya edilmiş şüalanmada işıq dalğaları .
eyni tezliyə və eyni yayılma istiqamətinə
tezlik və yayılma istiqamətlərinin sabit qaldığı halda
eyni amplituda və eyni tezliyə
eyni amplituda və eyni yayılma istiqamətinə
eyni tezlik və perioda
561. Elektron-deşik keçidindən indieksiya edilən yük daşıyıcıların öz-özünü rekombinasiya edən cihazlara nə deyilir?
işıq diodu
yarımkeçiri diodu
düzləndirici diodu
stabitron
yüksək tezliklər diodu
562. Görünən işıq spektrində işləyən işıq diodları hansı materialdan hazırlanır?
fosfid
qallium
arsenid
germanium
silisium
563. İnfraqırmızı işıq spektrində işləyən işıq diodları hansı materialdan hazırlanır?
qallium- arsenid
germanium
fosfid
silisium
arsenid
564. İşıq diodunun p-n keçidinə düz istiqamətdə verilmiş gərginliyin təsirindən.
keçiddə potensial səddin hündürlüyü azalır,yük daşıyıcıların injeksiyası başlayır
keçiddə potensial enerji,kinetik enerjiyə çevirilir
potensial səddin eni azalır,yük daşıyıcıların rekombinası başlayır
keçiddə potensial səddin hündürlüyü artır
heç biri
565. P-n keçidinə düz istiqamətdə gərginlik verilərsə işıq diodunda hansı hadisə baş verir?
elektronlar n-qatından p-qatına,deşiklər isə p- qatınadan n- qatına injeksiyası
heç biri
elektronlar p- qatınadan n- qatına deşiklər isə n-qatından p-qatına injeksiyası
elektronlar və deşiklər injeksiyası dayanır
elektronlar və deşiklər p-n keçidində rekombinası başlayır
566. Elektronların n qatdan p qata hərəkəti ilə keçiddə yük daşıyıcıları öz-özünə rekombinası nə yaranır?
enerji kvantı-foton
enerji kvantı-ion
enerji kvantı-neyron
enerji kvantı- fotonların azalması baş verir
heç biri
567. Kvantı-foton enerjisi hansı halda görünən işıq seli kimi ayrılır?
qadağan olunmuş zonanın eninin müyyən qiymətində
valent zonanın eninin maksimum qiymətində
valent zonanın eninin minimum qiymətində
qadağan olunmuş zonanın eninin valent zonanın eninə bərabər olmasında
heç biri
568. İşıq diodunda rekombinasiyada ayrılan enerji nədən aslıdır?
ilkin yarımkeçiricinin qadağan zonasının enindən
qadağan zonasının hazırlandığı dielektrikdən
ilkin yarımkeçiricinin qadağan zonasının sahəsindən
valent zonasının enindən
valent zonasının materialından
569. Germanium və silisiumdən nə ücün işıq diodlarının hazırlanmasından istifadə edilmir?
qadağan olunmuş zonanın eninin nisbətən kicik olmasına görə
qadağan olunmuş zonada n və p-tip qatların olması
qadağan olunmuş zonada yük daşıyıcılarının sayının çox kicik olmasına görə
kristallik qəfəsin temperaturunun sabit qalması
heç biri
570. Bipolyar tranzistorların bütün parametrlərini hansı qrupıara bölmək olar?
xususi (ilkin) və ikinci tərəf parametrləri
heç biri
məxsusi
birinci tərəf
aralıq parametrlər
571. Xususi(ilkin) parametrlər nə ilə xarakterizə olunur?
tranzistorun özünün xassəsi ilə
tranzistorun xarici parametrləri ilə
tranzistorun qoşulma sxemləri ilə
qida mənbəyinin gərginliyi ilə
p-n keçidlərin sayı ilə
572. İkinci tərəf parametrləri nə ilə xarakterizə olunur?
müxtəlif qoşulma sxemləri
tranzistorun özünün parametrləri
müxtəlif p-n keçidləri ilə
qida mənbəyinin gərginliyi ilə
heç biri
573. Əsas ilkin parametrlər.
re, rk və rb
Ue, Ie və re
Ie, rb və Ub
Uk, Ik və rk
heç biri
574. tranzistorun emitter müqaviməti
emitter keçidi ilə emitter oblastı müqavimətlərinin cəmi
baza keçidi ilə emitter keçidi müqavimətlərinin cəmi
emitter keçidi ilə baza oblastı müqavimətlərinin cəmi
baza keçidi ilə baza oblastı müqavimətlərinin cəmi
heç biri
575. Xususi(ilkin) parametrlər nə ilə xarakterizə olunur?
tranzistorun özünün xassəsi ilə
tranzistorun xarici parametrləri ilə
tranzistorun qoşulma sxemləri ilə
qida mənbəyinin gərginliyi ilə
p-n keçidlərin sayı ilə
576. Kvantı-foton enerjisi hansı halda görünən işıq seli kimi ayrılır?
qadağan olunmuş zonanın eninin müyyən qiymətində
valent zonanın eninin maksimum qiymətində
valent zonanın eninin minimum qiymətində
qadağan olunmuş zonanın eninin valent zonanın eninə bərabər olmasında
heç biri
577. Tranzistorun ikinci tərəf parametrləri necə adlanır?
aşagı tezlikli və kiçik siqnalla
yüksək tezlikli və kiçik siqnalla
aşagı tezlikli və böyük siqnalla
ifrat böyük siqnalla
ifrat böyük amplitudlu
578. Tranzistorun h və ya H hərifli ilə göstərilən parametrləri necə adlanır?
qarışıq
çıxış
giriş
gücləndirici
əks əlaqəli
579. Tranzistorun h (H) parametrlərinə niyə qarışıq parametrlər deyilir?
iki əmsal,bir müqavimət və bir keçirilik olduğuna görə
bir əmsal,bir müqavimət və bir keçirilik olduğuna görə
iki əmsal,iki müqavimət və bir cəryan olduğuna görə
iki əmsal,iki gərginlik və iki cəryan olduğuna görə
heç biri
580. Tranzistorun h- parametrlərindən ikisi dəyişən cəryana görə hansı şərtdə təyin olunur?
çıxışda qısa qapanma
giriş dörəsinin açıq olması
girişdə qısa qapanma
çıxışda yüksüz işləmə
girişdə yüksüz işləmə
581. Tranzistorun h- parametrlərindən digər ikisi girişdə sabit cəryana görə hansı şərtlə təyin olunur?
dəyişən cəryan üçün giriç dövrəsi açıq olduqda
dəyişən cəryan üçün çıxışda qısa qapanmaya
dəyişən cəryan üçün yüksüz işləmə rejimi
sabit cəryanda girişdə qısa qapanma
heç biri
582. h-parametrlər sisteminə daxil olan giriş müqaviməti (U2=const)
583. h-parametrlər sisteminə daxil olan əks əlaqə əmsalı
584. h-parametrlər sisteminə daxil olan cərəyana görə güclənmə əmsalı
heç biri
585. h-parametrlər sisteminə daxil olan çıxış keçiriciliyi
586. Fosforun kiçidilmiş persil tozundan hazırlanmış işıq diod işləmə gərginliyi.
50-300v dəyişən gərginlik
10-20v dəyişən gərginlik
2-2,5v sabit gərginlik
50-300v sabit gərginlik
9-24v dəyişən gərginlik
587. Fosfor sublimatdan hazırlanmış işiq diodunun işləmə gərginliyi.
2-2,5v sabit və dəyişən gərginlik
50-300v dəyişən gərginlik
50-300v sabit gərginlik
12-2,0v dəyişən gərginlik
9-24v sabit gərginlik
588. Fosfor və aşkarların növündən asılı olaraq işıq diodun şüalandırdığı dalğa uzunluğu
0,45-0,6 mkm
0,8-1,0 mkm
0,2-0,4 mkm
0,6-0,8 mkm
heç biri
589. Elektrolüminessent çeviricilərin işləmə müddəti
yanma və sönmə müddəti 10-3- 10-4 san
yanma və sönmə müddəti10-6- 10-8 san
yanma müddəti 10-2 san, sönmə müddəti 10-3san
yanma və sönmə müddəti10-5- 10-6 san
heç biri
590. İşıq diodunun parlaqlığı və şüalanma gücü nədən asılıdır?
cərəyan
tutum
gərginlik
müqavimət
keçiticilik
591. Elektrovakuum cihazlar neçə qrupa bölünür?
2
3
5
4
6
592. Vakuum nə deməkdir?
hava və qazın atmosfer təzyiqindən aşağı olan vəziyyəti
havanın təzyiqinin normal olma halı
hava və qazın atmosfer təzyiqindən yuxarı vəziyyəti
qazın atmosfer təzyiqindən yuxarı vəziyyəti
hava və qazın təzyiqin atmosfer təzyiqinə bərabər olma vəziyyəti
593. Vakuumdan axan cərəyan necə adlanır?
elektron cərəyan
boşalma cərəyanı
ion cərəyanı
sabit cərəyan
optiki cərəyan
594. Elektrovakuum cihaz kenotronun neçə elektrodu vardır?
2
1
3
5
4
595. Kenotronun katodunun vəzifəsi nədir?
elektronları özündən emissiya etmək
elektronları cəzb etmək
elektronları dəf etmək
elektronların hərəkət sürətinin artırılması
elektronların sürətinin azaldılması
596. Termoelektron emissiya hadisəsi neçə baş verir?
cisimlərin qızdırılması
elektronlara işıq şüaları təsir edir
elektronların sürətini yüksəltməklə
elektronla maqnit seli təsir edir
cisimlərin soyudulması
597. Elektrostatik emissiya hadisəsi neçə baş verir?
cisimlərin səthinin yüksək gərginlikli elektrik sahəsi ilə işlənməsi
cisimlərin səthinin işıq seli ilə qarşılıqlı təsirdə olması
cisimlərin səthinin maqnit seli ilə işləməsi
elektronların sürətinin yüksəldilməsi
cisimlərin səthinin aşağı tezlikli impulslarla bombarduman edilməsi
598. Fotoelektron emissiyası hadisəsi neçə baş verir?
cisimlərin səthinə işıq şüalarının düşməsilə
cisimlərin səthinin yüksək cərəyanla işlənməsi
cisimlərin səthinin yüksək tezlikli gərginliklə işlənməsi
cisimlərin səthinə maqnit selinin düşməsilə
cisimlərin səthinin qızdırılmasıilə
599. Katodlar nədən hazırlanır?
volfram
misdən
nikeldən
poladdan
qızıldan
600. Kenotronun lampasının əsas təyinatı
dəyişən cərəyanın düzləndirilməsi
siqnalları vurmaq
tezlik bölücüsü
impuls siqnalları saymaq
siqnalları gücləndirmək
Dostları ilə paylaş: |