7- mavzu: Induktiv, transformatorli, fotoelektrik datchiklar. Reja

R_n -magnit o‘tkazgichning magnit qarshiligi,

S -xavo tirqishi uzunligi,
ju₀ -xavoning magnit krituvchanligi,

^ -magnit o‘tkazgich xavo tirqishining ko‘ndalang kesm yuzi.
Cho‘lg‘amning induktiv qarshiligi.

L

_T a* W²
= coL =
Rn + 2S \ (^₀ Sn)

U xolda cho‘lg‘amdan o‘tayotgan tok kuchi.
j-W- w
= Z =

R² +o^;

bu erda W - tarmoq kuchlanishi, R-cho‘lg‘amning aktiv qarshiligi.

W²
Rn + 2S /(^ Sn)
Ularning kamchiliklari: chiqish kattaligining tashqi elektromagnit maydonlarning ta'siri, xamda faqat o‘zgaruvchat tok tarmog‘ida ishlash mumkinligi. Eng soda induktiv datchik magnit o‘tkazgichi o‘zgaruchan S xavo tirqishiga ega bodgan drosseldan iborat.
U elektrotexnik podatdan tayorlangan o‘zakka 1 joylashtirilgan chodg‘am 2 va qo‘zg‘aluvchan yakor 3 dan iborat.
Chodg‘am o‘zgaruvchan tok tormogdga ulanganda xosil bodgan magnit oqim F asosan o‘zak va yakor' orqali aniqlanadi. YAkor' boshqarish ob'ekti bilan mexanik bogdangan xolda o‘zgarsa, u xolda u bilan birga yakor' xam o‘z xolatini o‘zgartiradi. Natijada esa xavo tirqishi S ning uzunligi xam o‘zgaradi. Ma'lumki, chodg‘amning induktivligi xavo tirqishi uzunligiga bogdiq.
Ifodadan ko‘rinib turibdiki, bu datchik mexanik siljishlarni tok kuchiga aylantirib berar ekan. Datchikning statik xarakteristikasi I=f(x) rasimda ko‘rsatilgan.
7.4-rasm. Induktiv datchik statik xarakteristikasi.
Xarakteristikaning AI qismi chiziqli bo‘lib, u ishga qism deb ataladi.
Fotoelektrik datchiklar.
Fotoelektrik datchiklar guruhiga kiruvchi fotodiodlar va ventilli fotoelementlarning ish printsipi ichki fotoeffekt hodisasiga asoslangan bo‘ladi. Ichki fotoelektrik effekt yorug ‘lik oqimi ta’sirida erkin elektronlar o dining energetik holatini o ‘zgartirib, moddaning o ‘zida qolishi hodisasi bilan xarakterlanadi. Bunda modda ichida ko‘cha oladigan erkin zaryadlar hosil bo ‘ladi. Erkin zaryadlar modda ichida ko ‘chganda fotoelektr yurituvchi kuchlarni hosil qiladi (ichki fotoeffektli fotoelementlar shu printsipda qurilgan) yoki elektr o ‘tkazuvchanlikni o‘zgartiradi (fotoqarshiliklar shu _printsipda qurilgan).
Ichki fotoeffektli fotoelementlar ko‘pincha ventilli fotoelementlar deb ataladi. Selenli fotoelementlar eng ko‘p tarqalgan fotoelementlar hisoblanadi. Selenli fotoelementning tuzilishi va sxemasi 8.5, a-rasmda, uning tavsifnomasi esa 8.5, b-rasmda ko‘rsatilgan.

7.5-rasm. Fotoelement va uning tavsifnomasi.

Element (7.5,a-rasm) yupqa oltin qatlami 1, berkituvchi qatlam 2, selenli qatlam 3 va po‘lat taglik 4 dan iborat. Selenning oltin bilan chegarasida berkituvchi qatlam hosil bo‘ladi; bu qatlam detektorlik xususiyatiga ega bo‘lib, yorug‘lik oqimi bilan urib chiqarilgan elektronlarning orqaga qaytishiga imkon bermaydi. Yorug‘lik oqimi oltin qatlamidan o‘tib, ventilli fotoeffekt hosil qiladi, shunda elektronlar yoritilgan qatlamdan yoritilmagan (izolyatsion berkituvchi qatlam bilan ajratilgan) qatlamga o‘tadi.

Fotorezistorlar
Fotorezistor - yarim o‘tkazgich fotoelektrik asbob bo‘lib, bunda foto o‘tkazuvchanlik hodisasi qo‘llaniladi, ya’ni optik nurlanish ta’sirida yarim o‘tkazgichni elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaradi. Fotorezistor tuzilishi quyidagi rasmda ko‘rsatilgan.


^a) Ел
7.6-rasm. Fotorezistorning tuzilishi va ulanish sxemasi. 1-plyonka yoki plastik 2-dielektrik material.

Asosiy kattaliklari:

Qorong‘ulik qarshiligi - yoritilmagan fotorezistorlaming qarshiligi qiymati

teng diapazonga ega R_k =10 ^10 Om;
Ishchi kuchlanishi - ishchi kuchlanish qiymati fotorezistor o‘lchamlariga bog‘liq, ya’ni elektronlar orasidagi masofaga bog‘liq raviщda 1-1000 V gacha tanlanadi.
Shuni ta’kidlash kerakki, fotorezistorlaming kattaliklari, tashqi muhit ta’sirida o‘zgaradi. Fotorezistorlar afzalligi: yuqori sezgirligi, nurlanishning infraqizil qismida qo‘llash mumkinligi, o‘lchamlari kichikligi va doimiy tok va o‘zgaruvchan tok zanjirlarida qo‘llash mumkinligi