Ventil fotoelementi yarımkeçiriji diod olub, onun həssas elementi p – tip yarımkeçirijidir. Bu yarımkeçirijinin üzərində xüsusi emal ilə n – tip yarımkeçiriji və onları ayıran p–n keçidi adlanan çox nazik qapayıjı qat yaranır; n – yarımkeçirisinin nazik təbəqəsindən keçən işıq selinin təsiri altında yaranan fotoeffekt nətijəsində p – yarımkeçirijidə elektron-deşik jütlərinin yüksək sıxlığı yaranır. Elektronlar p – n keçidi sərhədindəki potensial arakəsmə tərəfindən jəzb olunur və maneəyə rast gəlmədən n – yarımkeçirijisi qatına keçərək onu mənfi yükləndirir; p – yarımkeçirijidə qalan deşiklər onu müsbət yükləndirir. Bunun nətijəsində elektrodlar arasında potensiallar fərqi yaranır. Onun qiyməti işıq selinin intensivliyindən və fotoelementin inteqral həssaslığından asılı olur.
Fotodiodlar – optik şüalanmanın təsiri nətijəsində birtərəfli fotokeçirijilik xassəsinə malik olan daxili effektli fotoelektrik çevirijisindən ibarətdir. Fotodiod elektron – deşik (p – n) keçidinə malik yarımkeçiriji kristaldan (Ge, Si, Ga, As və s.) hazırlanır və hər iki oblastdan ayrıja metal çıxışları olur.
Fotodiodun iki recimi vardır: fotogenerator və fotodiod recimləri. Fotodiod recimində onun xariji dövrəsində sabit cərəyan mənbəyi qoşulur və p – n keçidinə əks sürüşmə gərginliyi yaradılır.
Fotodiodun jərəyanının işıqlanmadan asılılığı praktiki olaraq xəttidir. Onun daxili müqaviməti MOm – larla ölçülür.
Fotodiodun generator recimində həmjins olmayan yarımkeçirijinin işıqlandırılması potensiallar fərqi və ya foto e. h. q. – si yaradır. Başqa sözlə, fotoelementin üzərinə işıq düşdükdə onun özü jərəyan mənbəyinə çevrilir, yəni çıxışda gərginlik alınır.
Dostları ilə paylaş: |
