B. A. Nazarbayeva

Fotolitografiya. 
Fotolitografiya – mexanik mikrotizimlarning uch o‘lchamli 
strukturalarini yaratishning mikroelektronikadan olingan uslubidir. 4.42A- rasmda 
qandaydir materialning (aytaylik, kremniy dioksidining) boshqa bir materialdan 
(masalan, kremniydan) ishlangan taglikka qoplangan plenkasi ko‘rsatilgan. 
Uslubning maqsadi – taglikning talab qilinadigan uchastkasini bo‘shatish uchun 

---

244 
oksid qatlamining bir qismini selektiv tarzda chiqarib yuborishdan iborat (4.42F- 
rasm). 
Oksid qatlamining yuzasiga UB nurlanishga sezgir bo‘lgan fotorezist deb 
ataluvchi polimerdan plenka qoplanadi (4.42E- rasm). Polimerning ustidan niqob 
shakllantiriladi, u o‘zida ko‘pincha shisha plastinkaga qoplangan xrom shablonni 
taqdim qiladi. UB nurlanish fotorezistga niqob orqali tushadi (4.42D- rasm). 
Shundan keyin fotorezistning nurlatilgan qismi chiqarib tashlanadi. Natijada 
fotorezistdan niqob shakllanadi (4.42F- rasm). 
 
4.42- rasm. Musbat va manfiy fotolitografiya 
Fotorezistlarning ikkita tipi mavjud: musbat (4.42- rasmning chap tomoni) va 
manfiy (4.42-rasmning o‘ng tomoni). UB nurlar musbat fotorezistni nurlatganda bu 
nurlar polimerni zaiflashtiradi, natijada nurlatishdan keyin rezistning aynan ana 
shu qismi chiqarmb tashlanadi, u rezistiv qatlamda musbat niqobni qoldiradi. UB 
nurlar bilan manfiy rezist nurlatilganda polimerning kuchayishi sodir bo‘ladi, va 
polimerning nurlanishga tortilmagan qismi chiqarib tashlanadi. Bunda rezistiv 

---

245 
qatlamda boshlang‘ich niqobning invertirlangan rasmi qoladi. Rezist bilan 
himoyalanmagan zonalardan kremniy oksidini chiqarib tashlash uchun kimyoviy 
yoki boshqa biror to‘g‘ri keladigan uslub qo‘llaniladi (4.42E- rasm). Jarayonning 
oxirida rezist chiqarib tashalanadi va tayyor struktura qoladi. (4.42F- rasm).