Formulaire de dépôt des sujets de thèse de l’Ecole Doctorale SDLM
Unité d’accueil
Unité d’accueil : FOTON-INSA (Rennes) UMR CNRS 6082
Nom du directeur : LE CORRE Alain
Encadrement
Directeur : DURAND Olivier, FOTON-INSA (Rennes) 2 thèses en cours
Co-directeur :
Encadrant : LETOUBLON Antoine, FOTON-INSA (Rennes) 1 thèse en cours
Sujet :
Titre : Photonique sur Silicium à Base de Nanostructures III-V Epitaxiées sur Silicium
Résumé (10 lignes) :
Le but est de développer une zone optiquement active à base de semiconducteurs III-V sur silicium, de manière monolithique et sans relaxation plastique. Cela constitue une rupture technologique, avec des retombées dans les domaines des interconnections optiques et télécoms. Il s’agit de faire croître une couche de GaP sur substrat silicium afin d’obtenir un substrat virtuel III-V/Si. Nous développons une méthode d’analyse par diffraction des rayons X (DRX), pour caractériser la qualité structurale du GaP (défauts d’antiphase, etc..). Ceci permettra d'optimiser la croissance des structures de GaP/Si, puis d’obtenir des émetteurs de lumière à base de puits quantiques de GaAsPN/GaPN/GaP/Si ou de nanostructures III-V sur GaP/Si. Le projet s’appuie sur un nouveau système constitué d’un bâti de LPCVD (croissance du Si) relié sous vide à un bâti MBE (croissance III-V).
Support financier (ANR, programme européen…) :
Acquis : Projet PONANT (CPER 2007-2013) : près d’un million d’euros pour acquérir et installer un bâti LP-CVD Si/Ge couplé avec un bâti III-V existant.
Demandes : - projet « jeunes chercheurs » GaPhoSiX 2010 (classé 2nd sur liste complémentaire en 2009) -
Collaborations extérieures : CEA et SIMAP (Grenoble) pour les mesures TEM et SCR (univ Rennes 1), SPCTS (Limoges) et LPEC (le Mans) pour des mesures rayons X complémentaires, collaborations internationales prévues dans le cadre de dépots de projets européens (AALTO University (Finlande), Tyndall (Irlande), IMEM-CNR (Italie), etc…)
Site web : http://foton.insa-rennes.fr/
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