Hétéroépitaxie Ge/Si(001) pour la photodétection à 1,31 µm et 1,55 µm dans la filière silicium, M. Halbwax et al., IEF Orsay
11h-11h15
Photodetection et électromodulation proche infrarouge avec des îlots auto-assemblés Ge/Si insérés dans des guides d'onde SiGe et silicium sur isolant, M. El kurdi et al., IEF, ST, LPN
11h45-12h
Composants à cristaux photoniques silicium pour le contrôlede l'émission de boîtes quantiques de Ge dans le proche infrarouge.