Journées Nationales du gdr nanoélectronique

Jeudi 30 Janvier – Grande salle

8h30-10h15 Composants balistiques et hyperfréquences

8h30-9h	Composants non-linéaires de la micro-électronique pour les applications dans le spectre millimétrique et submillimétrique (invité) X. Mélique, IEMN
9h-9h30	Micro et nanodispositifs pour la future cryoélectronique (invité) Y. Jin, LPN Marcoussis
10h-10h15	Simulation physique de TBH SiGe : Etude du temps de transit sur une structure 1D et 2D, S. Fregonese et al., IXL Bordeaux

Pause

10h30-12h15 Caractérisation physique

10h30-11h	Quantitative characterisation at the nanoscale by electron microscopy (invité) M. Hytch et al., CECM Vitry, CEA/DRFMC, SATIE-ENS Cachan, Université de Cambridge (GB)
11h-11H30	Chemical composition analysis and cathodoluminescence on a local scale of III-V and III-nitride materials (invité) M. Albrecht, Université d’Erlangen (Allemagne)s
12h-12h15	Analyse de défaillance de composants microélectroniques par sonde laser et imagerie à faible cohérence S. Dilhaire et al., CPMOH Bordeaux

Pause de midi : repas libre

14h-15h – Session posters

15h-16h – MOS avancés (diélectrique de grille)

15h-15h30	Statistical properties of current flowing through tunnel junctions (invité), F. Bardou, IPCMS Strasbourg
15h30-15h45	Simulation à l’échelle atomique de processus physico-chimiques dans la croissance d’oxydes à forte constante diélectrique L. Jeloaica et al., LAAS, LPS Toulouse
15h45-16h	Etude de pièges individuels à l’interface SiO2/Si dans des transistors MOS, L. Militaru et al. LPM INSA Lyon

Pause

16h15-16h45 – MOS avancés (composants)

16h15-16h45	Composants CMOS avancés : pourquoi le SOI est-il inévitable ? (invité), S. Cristoloveanu, IMEP
16h45-17h	Impact du courant de grille tunnel sur les performances du transistor MOS sur SOI partiellement déserté F. Dieudonné et al., IMEP
17h45-18h	Lifetime extraction in deep submicrometer nMOSFET's B. Cretu et al. IMEP

20h – Dîner de la Conférence Caffe Forte - 4 Place de Lavalette (Musée de Grenoble)