Kafedra: Elektronika va radiotexnika Fan: Elektronika va sxemalar 1 labaratoriya ishi №13
O`zbekiston Respublikasi axborot texnologiyalari va komunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi Muhammad al-
Xorazmiy nomidagi Toshkent Axborot texnologiyalari Universitati
Kafedra: Elektronika va radiotexnika Fan:Elektronika va sxemalar 1
LABARATORIYA ISHI №13 MAVZU: Umumiy istok ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish Bajardi: 216-19 guruh talabasi Jumayev Zamonbek
Tekshirdi:Abdullayev Abdubakir
TOSHKENT 2020
13- LABORATORIYA ISHI
Umumiy istok ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy istok ulanish sxemasidagi
maydoniy tranzistorning asosiy statik xarakteristikalari va
parametrlarini tadqiq etish.
Variant №19. Maydoniy tranzistor: 2N5078; R=600 Om.
2N5078 Maydoniy tranzistorining texnik xarakteristikalari:
Parametrlar
Qiymatlari
Transistor turi
JFET
Kanali
N
Maksimal belgilangan stok-istok kuchlanishi (Uds)
30V
Maksimal belgilangan zatvor-istok kuchlanishi (Ugs)