Mikroprotsessorlar va mikroehm asoslari

M u ro ja a t u su llari
b o ’yicha quyidagi xotira qurilmalariga ajratiladi:
• 
ixtiyoriy foydaianuvchi;
• siklik foydaianuvchi;
• ketm a-ket foydaianuvchi.
3. 
A x b o ro tn i jo yla sh tirish va qidirish u su ii
b o ’yicha XQ adresli va adressiz XQ 
lariga ajratiladi. Hozirgi zamon XQ larining aksariyati adresli b o ’lib, ularda murojaat 
jo y i katak adresi orqali aniqlanadi.
214

---

4. 
E H M da bajaradigan vazifalari
b o ’yicha quyidagi xotira qurilmalari mavjud:
• o ’ta operativ XQ;
• operativ XQ;
• buferli XQ;
• tashqi XQ;
• o ’zg arm as XQ.
Tashqi 
xotira 
qurilmalari 
m a ’lu m otlam ing 
katta 
massivini 
saqlashga 
m o ’ljallangan b o ’iib, xotiralovchi muhit sifatida magnit disklar ishiatiladi. Tashqi XQ 
lardagi m a ’lumotlardan foydalanish uchun ularni asosiy operativ XQ siga o ’tkazish 
lozim. Tashqi X Q larda k o ’pincha murojaat usuli ishlatilgani sababli, murojaat vaqti 
axborot saqlan ad ig an xotira katagi qaerda jo ylashganlig iga b o g ’liq. Bunday XQ 
S A M (Serial A ccess Mem ory) harflari bilan ifodalash mum kin va misol tariqasida 
magnit lentali, magnit diskli XQ larni k o ’rsatish mum kin.
Buferli xotira qurilmalari har xil tezkor likka ega b o ’lgan qurilm alar (operativ 
va tashqi xotira) o ’rtasida axborot ayirboshlashda vosita vazifasini bajaradi. Hajmi va 
tezkorligi b o ’yicha buferli XQ lari operativ va tashqi X Q lar o ’rtasida oraliq o ’rinni 
egallaydi.
O 't a operativ XQ lar. Bu XQ lar tez- tez ishlatiladigan m a ’lumotlami va 
doimiylarni yoki tez-tez qaytariluvchi progr ammalarni vaqtincha saqlash uchun 
ishiatiladi. Bu xotira qurilmalarining hajmi bir nechta yoki niinglab s o ’zdan iborat 
b o ’iib, murojaat davri mikrosekundning o ’ndan yoki yu zd an birini tashkil etadi. 
Xotira elementi sifatida yarim o ’tkazgichli elementlar, yupqa plyonkalar va boshqalar 
ishiatiladi;
O perativ xotira qurilmada masalani yechuvchi program mani amal ga oshirishda 
bevosita ishlatiladigan m a ’lumotlami saqlashga mo'ljallangan . Hozirgi zamon 
operativ X Q larda ixtiyoriy murojaat usuli ishlatilib, murojaat vaqti ancha qisqa va 
tezkorligi yuqori. Bunday XQ ni RAM (R andom Access Mem ory) harflari bilan 
ifodalanadi.
Z am onaviy operativ XQ larda yarim o'tkazgichli XE lari ishlatilib, ular 
bipolyar yoki unipolyar (M O P) tranzislorlarda tuzilgan statik yoki dinamik triggerlar 
b o ’lishi mumkin.
Bipolyar tranzistorlarda qurilgan XQ lar unipolyar tranzistorlarda qurilgan XQ 
larga nisbatan katta tezkorlikka ega, am m o bu xil qu rilm alarda axborotni joylashtirish 
zichligi kam b o ’iib, ular k o ’p quv vat iste’mol qiladi. Undan tashqari, unipolyar 
tranzistorli XE ni yasalish texnologiyasiga qaraganda bipolyar tranzistorli XE ning 
yasalish texnolognyasi murakkabroq.
Bipolyar tranzistorlarda qurilgan XE da ikkita emitterli T| va T
2
tranzistorlar 
ham da Ri va R
2
rezistorlar ishiatiladi. Tranzistorlarning pastki emitterlari umum iy
adres shinasida (ASH), yuqori emitterlari esa m os holda «0» va «1» xonasi 
shinalariga (XSHO v a X S H !) ga ulangan (6.1-rasm).
215

---

+ Е
6 .1-rasm. Bipolyar tranzistor asosida qurilgan dinamik xotira elementi
A xborotni saqlash rejimida ASH ga musbat, XSHO va XSH1 xona shinalariga 
esa yoziladigan axborotga qarab, m os holda musbat yoki manfiy signallarni bir 
vaqtda berish orqali amal ga oshiriladi. «0» ni yoz ganda XSHO sh inasig a manfiy, 
XSH1 shinasiga musbat kuchlanish impulsi beriladi. Bu vaqtda T| tranzistor ochiladi 
va tok F_i emitter orqali XSHO shinasig a oqadi.
Axborotni o 'q is h rejimida ASH ga xona shinalaridagi potentsialdan katta 
b o ’lgan musbat signal beriladi. Bu vaqtda saqlash rejimida E
2
yoki E
4
emitterlar 
orqali ASH ga oqayotgan tokning ha mm asi E| yoki E
3
emitterlar y o rd a m id a mos 
xona shinalariga ulanadi va chiqish y o ’li signali sifatida ishiatiladi. A dre s shinasidagi 
im p u l’s tugashi bilanoq tranzistor yana A SH ga ulanadi, y a ’ni o ’qishdan s o 'n g
axborot o'chirilm ay di.
U nipolyar tranzistorlarda qurilgan statik XE ham odatd a trigger asosida 
quriladi va ular axborotni regeneratsiyalashni talab qilmaydi. Bu xotira elem enti oltita 
unipolyar (Tj va T 2) bevosita b o g ’lanishli triggerni tashkil etadi. T, va T
4
tranzistorlar 
trigger yukining chiziqli b o ’lmagan qarshiliklari vazifasini bajaradi. T
5
va T(, 
tranzistorlar esa XE ga murojaatni amal ga oshirishda venti I lar vazifasini o ’taydi 
( 2 . 3 1-rasm).
Statik holatda adres shinasi yerga ulanadi. T| va Ь tranzistorlar berk, ya'ni 
trigger xona shinalaridan ajratilgan b o ’ladi. Axborotni o ’qishda ASH ga berilgan 
im p u l's t a ’sirida Tj va T
2
tranzistorlar ochiladi va triggerdagi signallar XSHO va 
XSH I xona shinalariga beriladi. Axborotni yozish uchun manfiy, mos x o n a shinasiga 
(XSHO va XSH 1) musbat im pul's berish lozim.
Statik xotira elementlariniig kamchiligi ularning doimo katta elektr quvvatini 
iste 'm ol qilishidir.
Unipoly ar tranzistorlar asosida qurilgan dinamik xotira ele m entida statik XE ga 
nisbatan axborotni joylashtirish zichligi va tezkorligi katta. Dinamik XE ning asosini 
zaryad 
t o ’plovchi 
kondensator tashkil 
etadi. 
Bu xotirlash 
kondensatoridagi 
za ryadning 
muttasil 
kamayishi 
dinam ik 
xotira 
elementlarida 
axborotni 
regeneratsiyalash masalasini q o ’yadi.
216

---

ASH
6.2-rasm. Unipolyar tranzistorlar asosida qurilgan statik xotira elementi