O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus тa’lim vazirligi
Yüklə 3,63 Mb. Pdf görüntüsü
|
| dT
dU ТКИ ст ( 5.1) Zamonaviy stabilitronlarning stabillash kuchlanishi 1-1000 V oralig’ida yotadi va p-n o’tishning yopuvchi qatlamining qalinligiga bog’liqdir. Ом R мА I мА I д мах ст ст 200 5 , 0 , 2000 50 , 10 1 Doimiy kuchlanshni stabillashishi diodni to’g’ri yo’nalishda ulash yordamida olish mumkin. Bu maqsadda qo’llaniladigan kremniyli diodlar stabilitron deb ataladi. Stabilitronlarni tayyorlashda kuchli legirlangan kremniy qo’llaniladi, sababi to’g’ri ulanganda kamroq dinamik qarshilik hosil qilinishi kerak. Stabilitronlarni ketma-ket ulash mumkin, bunda stabillashtirish umumiy kuchlanishi stabilitronlar kuchlanishlar yigindisiga teng. U st = U st1 + U st2 + U st3 + … + U st.n (4.3) Stabilitronlarni parallel ulashga ruxsat etilmaydi, chunki barcha parallel ulangan stabilitronlardan faqatgina bitta eng kichik stabillash kuchlanishiga ega bo’lgan stabilitronda tok mavjud bo’ladi. Hozirgi paytda kuyidagi stabilitronlardan foydalanilmoqda: KD214A, GD412A, 2D504A, KV104A. 5.3. Bipolyar tranzistorlar Bipolyar tranzistorlar deb, quvvat kuchaytiruvchi uchta elektr o’tkazuvchi zonasiga ega bo’lgan elektr o’tkazuvchi asbobga aytiladi. Bipolyar tranzistorlarda tok ikki qutbli zaryad tashuvchilar, ya’ni elektron va kovaklar harakatidan kelib chiqadi. Shuning uchun bu tranzistor nomi bipolyar deyiladi (ikki qutbli). Bu tranzistorlarning p-n-p va n-p-n turlari mavjud. 5.7 - rasm. Bipolyar tranzistorlarning klassifikatsiyasi va shartli belgilanishi Тranzistorlarni tayyorlashda germaniyli va kremniyli o’tkazuvchi elementdan ko’proq foydalaniladi. 5.8- rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b) tipli bipolyar tranzistorlarning strukturasi Bipolyar tranzistorlarda o’rta qatlami baza (B) deyiladi. Elektronlar va kovaklarning, ya’ni zaryad tashuvchilarning manbai bo’lgan tashqi qatlamlari emitter (E) va kollektor (K) deb yuritiladi. Kollektor emitterdan kelayotgan zaryad tashuvchilarni qabul qiladi. n-p-n tipidagi tranzistorlarning ishlashini ko’rib chiqamiz (5.9-rasm): kollektor va baza orasidagi musbat kuchlanish berilganda emitter toki I e nolga teng bo’lganda I ko kollektorning o’tkazishi tomonidan asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar harakatidan hosil bo’lgan tok oqadi. Harorat oshganda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar soni ortadi va I ko kollektor toki keskin oshib ketadi Emitterni manbadagi manfiy qismga ulaganda I e emitter toki paydo bo’ladi. Тashqi kuchlanish emitter o’tishiga to’g’ri yo’nalishda berilganligi uchun elektronlar n-o’tish tomonidan o’tib bazaga keladi. Baza p -yarim o’tkazgichdan tayyorlangan shuning uchun elektronlar u yerda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchi hisoblanadi. 5.9-rasm. n-p-n tranzistorning umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulanishi Bazaga tushgan elektronlarning bir qismgina baza kovaklari bilan rekombinatsiyalanadi, chunki bu yerda baza katta nisbiy qarshilikka ega bo’lgan yupqa p-tipidagi yarim o’tkazgichdan tayyorlanganligi sababli kovaklar konsentratsiyasi kichik. Elektronlarning ko’p qismi esa issiqlik harakati (diffuziya) va kolletor maydoni ta’sirida (dreyf) kollektor tokining asosiy I k tashkil etib, kollektorga yetib boradi. Emitter va kollektor orasidagi toklar orttirmasining bog’liqligi tok o’tkazish koeffitsiyentini xarakterlaydi. |