O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus тa’lim vazirligi



Yüklə 3,63 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə13/42
tarix05.12.2023
ölçüsü3,63 Mb.
#138262
1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   ...   42
avtomatika asoslari va ishlab chiqarish jarayonlarini avtomatlashtirish

dT
dU
ТКИ
ст
( 5.1) 
Zamonaviy stabilitronlarning stabillash kuchlanishi 1-1000 V oralig’ida 
yotadi va p-n o’tishning yopuvchi qatlamining qalinligiga bog’liqdir. 
Ом
R
мА
I
мА
I
д
мах
ст
ст
200
5
,
0
,
2000
50
,
10
1






Doimiy kuchlanshni stabillashishi diodni to’g’ri yo’nalishda ulash yordamida 
olish mumkin. Bu maqsadda qo’llaniladigan kremniyli diodlar stabilitron deb 
ataladi. Stabilitronlarni tayyorlashda kuchli legirlangan kremniy qo’llaniladi, 
sababi to’g’ri ulanganda kamroq dinamik qarshilik hosil qilinishi kerak. 
Stabilitronlarni ketma-ket ulash mumkin, bunda stabillashtirish umumiy 
kuchlanishi stabilitronlar kuchlanishlar yigindisiga teng. 
U
st 
= U
st1 
+ U
st2 
+ U
st3 
+ … + U
st.n 
(4.3) 
Stabilitronlarni parallel ulashga ruxsat etilmaydi, chunki barcha parallel 
ulangan stabilitronlardan faqatgina bitta eng kichik stabillash kuchlanishiga ega 


bo’lgan stabilitronda tok mavjud bo’ladi. Hozirgi paytda kuyidagi stabilitronlardan 
foydalanilmoqda: KD214A, GD412A, 2D504A, KV104A. 
5.3. Bipolyar tranzistorlar 
Bipolyar tranzistorlar deb, quvvat kuchaytiruvchi uchta elektr o’tkazuvchi 
zonasiga ega bo’lgan elektr o’tkazuvchi asbobga aytiladi. 
Bipolyar tranzistorlarda tok ikki qutbli zaryad tashuvchilar, ya’ni elektron va 
kovaklar harakatidan kelib chiqadi. Shuning uchun bu tranzistor nomi bipolyar 
deyiladi (ikki qutbli). Bu tranzistorlarning p-n-p va n-p-n turlari mavjud. 
5.7 - rasm. Bipolyar tranzistorlarning klassifikatsiyasi va shartli belgilanishi 
Тranzistorlarni tayyorlashda germaniyli va kremniyli o’tkazuvchi elementdan 
ko’proq foydalaniladi. 
5.8- rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b) tipli bipolyar tranzistorlarning strukturasi 


Bipolyar tranzistorlarda o’rta qatlami baza (B) deyiladi. Elektronlar va 
kovaklarning, ya’ni zaryad tashuvchilarning manbai bo’lgan tashqi qatlamlari 
emitter (E) va kollektor (K) deb yuritiladi. Kollektor emitterdan kelayotgan zaryad 
tashuvchilarni qabul qiladi. 
n-p-n tipidagi tranzistorlarning ishlashini ko’rib chiqamiz (5.9-rasm): 
kollektor va baza orasidagi musbat kuchlanish berilganda emitter toki I
e
nolga teng 
bo’lganda I
ko
kollektorning o’tkazishi tomonidan asosiy bo’lmagan zaryad 
tashuvchilar harakatidan hosil bo’lgan tok oqadi. 
Harorat oshganda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar soni ortadi va I
ko
kollektor toki keskin oshib ketadi 
Emitterni manbadagi manfiy qismga ulaganda I

emitter toki paydo bo’ladi. 
Тashqi kuchlanish emitter o’tishiga to’g’ri yo’nalishda berilganligi uchun 
elektronlar n-o’tish tomonidan o’tib bazaga keladi. Baza p -yarim o’tkazgichdan 
tayyorlangan shuning uchun elektronlar u yerda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchi 
hisoblanadi. 
5.9-rasm. n-p-n tranzistorning umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulanishi 
Bazaga tushgan elektronlarning bir qismgina baza kovaklari bilan 
rekombinatsiyalanadi, chunki bu yerda baza katta nisbiy qarshilikka ega bo’lgan 
yupqa p-tipidagi yarim o’tkazgichdan tayyorlanganligi sababli kovaklar 
konsentratsiyasi kichik. Elektronlarning ko’p qismi esa issiqlik harakati (diffuziya) 
va kolletor maydoni ta’sirida (dreyf) kollektor tokining asosiy I
k
tashkil etib, 
kollektorga yetib boradi. Emitter va kollektor orasidagi toklar orttirmasining 
bog’liqligi tok o’tkazish koeffitsiyentini xarakterlaydi. 


.

Yüklə 3,63 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   ...   42




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin