Qr. 2216 Mikroprosessor texnikası mp-lərin rəqəmsal və proqramlanan qurğu olması nə ilə əsaslandırılır?


Tranzistor-tranzistor məntiq sxemlərini ən azı neçə tranzistorla yaratmaq olar?



Yüklə 0,83 Mb.
səhifə6/7
tarix04.07.2018
ölçüsü0,83 Mb.
#55613
1   2   3   4   5   6   7

378. Tranzistor-tranzistor məntiq sxemlərini ən azı neçə tranzistorla yaratmaq olar?

A) İki


B) Bir

C) Üç


D) Dörd

E) Beş
379. Aşağıdakı simvollardan hansı ikilik kodlaşdırma simvoludur?

A) 0 (sıfır)

B) y


C) x

D) z


E) α
380. Onaltılıq hesablama sistemində «D» hərfi hansı rəqəmin simvoludur?

A) 13


B)12

C)10


D)11

E) 14
381. Hesablama sistemlərində 2 rəqəminə hansı simvol uyğundur?

A) 010

B)001


C) 011

D) 1001

E) 1010
382. Hesablama sistemində 10 rəqəminə hansı rəqəm simvolu uyğundur?

A) 1010


B) 101

C)110


D) 1110

E) 1101


378. Hesablama sistemində 13 rəqəminə hansı rəqəm simvolu uyğundur?

A) 1101

B) 1100

C) 1011

D)1010

E) 1110
379.Müsbət məntiqdə “1” məntiq səviyyəsi aşağıdakılardan hansına uyğundur?

A) yüksək gərginlik

B) yüksək cərəyan

C)yüksək müqavimət

D)alçaq gərginlik

E) kiçik cərəyan
380. Müsbət məntiqdə “0” məntiq səviyyəsi aşağıdakılardan hansına uyğundur?

A) alçaq gərginlik

B)yüksək cərəyan

C) yüksək gərginlik

D)yüksək müqavimət

E) kiçik cərəyan


381. Müsbət məntiqdə “və ya” əməliyyatı mənfi məntiqdə hansı əməliyyata

uyğundur?

A) və


B) hə

C) yox


D) bəlkə

E) heç biri


382. müasir inteqral sxemlərdə göstərilən elektrik dövrəsi hansı məntiq

elementinə uyğundur?

A) yox


B) və ya

C) və


D)implikasiya

E) ekvivalentlik


383. sxeminin hansı girişinə (C1, C2, C3) informasiya

(siqnal) daxil olduqda, çıxışda (P) çıxış siqnalı peyda olar?

A) A, B, C, D birlikdə

B) yalnız C2

C) yalnız C3

D) eyni zamanda C1, C2, C3

E)yalnız C1



384. Yaddaş elementlərinə daxildir?

A) trigger

B) və ya

C) yox


D) implikasiya

E) ekvivalentlik


385. Elektrik sxemi hansı məntiq elementinə uyğundur?

A) yox


B) və

C) və ya

D)implikasiya

E) ekvivalentlik


386. “Deyil” məntiq elementi neçə giriş (C) və neçə çıxışa (P) malikdir?

A) 1(C) və 1(P)

B) 2(C) və 2(P)

C) 2(C) və 1(P)

D) 1(C) və 2(P)

E) 3(C) və 1(P)


387. Mikroprosessorun idarəedici informasiyasını nə təşkil edir?

A) Proqram

B) Yaddaşdakı sözlər

C)Taktlı impulslar

D) Əmrlər

E) Rəqəm simvolları


388. Aşağıdakı hansı qurğu mikroprosessora daxildir?

A) Hesablama məntiq qurğusu

B) Çap platası yaradan qurğu

C) Diffuziya qurğusu

D) Nazik təbəqə yaradan qurğu

E) Mikrosxemlərin mexaniki sınaq qurğusu


389. Mikroprosessorla əlaqələr hansı quruluşla yerinə yetirilir?

A) Şin quruluşu ilə

B)Təbəqəli quruluşla

C) Kristallik quruluşla

D) Diod quruluşları ilə

E) Tranzistor quruluşu ilə


390. Mikroprosessor sisteminin bütün qurğuları nə ilə əlaqələndirilir?

A) Ümumi sistem şini ilə

B) Qalvanik əlaqə ilə

C) Bir istiqamətli əlaqə xətti ilə

D) Kimyəvi əlaqə ilə E. Analoq siqnalları ilə
391. Mikroprosessor sisteminin qurğuları əsasən hansı gərginliklə qidalanırlar?

A) Sabit ± 5V və ± 12V

B)Dəyişən 360 Voltla

C) Dəyişən 127 Voltla

D) Sabit 220 Voltla

E) Dəyişən 1 Voltla


392. Aşağıdakı mübadilələrdən hansı mikroprosessora xas deyil?

A) Qarşılıqlı təsirlə baş verən mübadilə

B) İnformasiyanın proqram mübdiləsi

C) Fasilələrdən istifadə etməklə mübadilə

D) Arasıkəsilmə ilə olan mübadilə

E) Yaddaşa bilavasitə daxil olmaqla mübadilə


393. Mikroprosessor sisteminə mikrokontroller əsasən nə üçün daxil edilir?

A) Yaddaşa balavasitə daxil olmaq üçün

B) Şin əlaqəsi yaratmaq üçün

C) Mikroprosessorun iş recimini tənzimləmək üçün

D. Hesablama sistemini dəyişmək üçün

E) Mikroprosessoru qidalandırmaq üçün


394. Aşağıdakı adlardan hansı mikroprosessorun arxitekturasına aiddir?

A) Priston və Fon-Neyman

B)Taktlı impuls

C) Aşağı siqnal səviyyəsi

D) Yüksək siqnal səviyyəsi

E)Çox pilləli


395. İnformasiya mübadiləsi tsikli deyildikdə nə başa düşülür?

A) Bir əməliyyatın yerinə yetirilməsində yaranan zaman intervalı

B) Taktlı impuls generatorunun tezliyi

C)Ünvana müraciət etmək müddəti

D)Sistemə qida gərginliyi verilən an

E) Kodlaşdırmaya sərf edilən müddət


396.Mikroprosessorda əsasən hansı yaddaş qurğuları olur?

A) Operativ və daimi yaddaş qurğuları

B) Xəyali yaddaş qurğuları

C)Diskə yazılmış yaddaş

D) Disketdə olan yaddaş

E) Multipleksor yaddaşı


397. Mikroprosessorda yaddaş qurğusu informasiyanı nə etməlidir?

A) Yazmalı və oxumalıdır

B)Dekodlaşdırmalıdır

C) Mini-EHM-ə ötürməlidir

D) İnformasiyanı çevirməlidir

E) Kodlaşdırmalıdır


398. Yaddaşa bilavasitə daxil olmaq üçün mikroprosessor sisteminə nə daxil

edilir?

A) Mikrokontroller

B) Əlavə qida mənbəyi

C) Yaddaş yuvaları

D) Çıxış kaskadları

E) Registrlər


399. Aşağıdakı qurğulardan hansı daha çox informasiyanı saxlaya bilir?

A) Kompyuterlər

B) Mikrokontrollerlər

A) Kontrollerlər

D)İnformasiyanı nümayiş etdirən qurğu

E) Qida gərginliyi qurğusu


400. Mikroprosesordan alınmış siqnalı xarici qurğuların qəbul edə biləcəyi siqnala

və əksinə çevirmək üçün qoşma vasitə necə adlanır?

A) interfeys

B) interfaks

C) interport

D)çevirici

E) düzləndirici


401. Mikroelekronika elmi nəyi öyrənir?

A) inteqral mikrosxemlərin yaradılması və inkişafı, tətbiq sahələrini öyrədən elmdir

B) elektrik intiqalı ilə bağlı

C) inteqral elektrovakuum cihazların yaradılması ilə bağlı

D) inteqral elektroenergetik cihazların yaradılması ilə bağlı

E) heç biri


402. Bir neçə qarşılıqlı əlaqəli-tranzistor, diod,kondensator, rezistor və s. elementlərin vahid texnoloji lövhədə hazırlanan element necə adlanır

A) inteqral mikrosxem

B) inteqral diod

C) inteqral tranzistor

D) inteqral tristor

E) prosessor


403. Mikroelektronika sərbəst bir elm kimi meydana çıxmamışdan qabaq necə adlanırdı

A) diskret sxemlər

B) analoq sxemlər

C) kəsilməz sxem

D) invertor (invers elementi) sistemlər

E) heç biri


404. İnteqral sxemin əsasını nə təşkil edir

A) planar texnologiya və qrup metodu

B) epitaksial qrup

C) diffuzion texnologiya

D) monotexnologiya

E) bipolyar texnologiya


405. İnteqrasiya ideyası

A) ayrı-ayrı tranzistorlarla yanaşı,funksional blok qurmaq üçün bütün komponentlər yığımı

B) bir tranzistor və bir neçə diod yığımı

C) bir neçə tranzistorlar yığımı

D) rezistorlar yığımı

E) kondensatorlar yığımı


406. Elementlərin birləşdirilməsi üçün əsas şərt

A) elektrodların bütün çıxışlarının bir müstəvidə olması

B) elektrodların çıxışlarının perpendikulyar müstəvidə yerləşməsi

C) elektrodların üfüqi və şaquli birləşməsi

D) elektrodların podlojkadan kənarda birləşməsi

E) B,C
407. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir

A) planar texnologiya

B) qrup texnologiya

C) izodrom texnologiya

D) monoton texnologiya

E) heç biri
408. Elektron cihazların hazırlanmasında çoxlu sayda payka (qaynaq) birləşmələrin azalması nəyə səbəb olur

A) cihazın kütləsi,qabariti azalır,etibarlılıq artır

B) cihazın etibarlılığı azalır

C) cihazın kütləsi artır

D) cihazın qabariti artır

E) heç biri


409. Mikrosxemin inteqrasiya dərəcəsi

A) K=lgN


B) K=lgN+1

C) K=Alg ..

D) K=A.lgN

E) k=AlgeNt


410. Birinci dərəcə inteqrasiyada K

A) K=1


B) K=1,5

C) K=2


D) K=5

E) K=3
411. İkinci dərəcə inteqrasiyada K

A) K=2

B) K=1


C) K=1,5

D) K=5


E) K=3
412. Üçüncü dərəcə inteqrasiyada K

A) k≥3


B) K=1,5

C) K=2


D) K=5

E) K=3
413. Böyük inteqral sxem nəyə deyilir

A) MDP texnologiyada 1000 və daha çox elementdən hazırlanan mikrosxem

B) vahid texnologiyada 200 və daha çox elementdən hazırlanmış mikrosxem

C) bipolyar texnologiya ilə hazırlanmış 100 elementi olan mikrosxem

D) inteqrasiya dərəcəsi K=1 olan mikrosxem

E) heç biri
414. İfrat böyük inteqral sxemlərdə elementlərin sayı (SBİS)

A) 10 000-dən çox

B) 5 000-dən çox

C) 200 - 300

D) 8 000-dən çox

E)100 - 1 000


415. Optimal sxemlərin yaradılması və tədqiqatı

A) mikrosxemotexnika

B) makrosxemotexnika

C) elektrotexnika

D) elektroradiotexnika

E) radiotexnika


416. Mikrosxemlərin izahı və analizində neçə sxemotexnik qaydadan istifadə edilir

A) 2


B) 5

C) 3


D) 4

E) B, C (3 - 5)


417. Funksioanal təyinatına görə mikrosxemlər

A) analoq və rəqəm qurğularına

B) rezistorlara

C) diodlara

D) tranzistorlara

E) termistorlara


418. Analoq mikrosxemlərdə siqnalların dəyişməsi

A) fasiləsiz funksiya kimi

B) diskret funksiya

C) siqnal dəyişmir

D) onun gərginliyi rəqəm kimi dəyişir

E) onun güclənmə əmsalı ikilik kodla dəyişir


419. Rəqəm tip mikrosxemdə siqnalların dəyişməsi

A) diskret funksiya qanunu üzrə

B) fasiləsiz funksiya qanunu üzrə

C) analoq funksiya kimi

D) ikilik kodla

E) heç biri


420. Mikrosxemlərin tranzistorları hansı materialdan hazırlanır

A) silisium

B) mis

C) qızıl


D) indium

E) platin


421. Baza dövrəsində elektronların hərəkətinin çox yüksək sürəti nəyə səbəb olur

A) cəld işləmə qabiliyyəti artır

B) cərəyan şiddətinin azalmasına

C) gərginliyin artmasına

D) p-n keçidinin keçiriciliyinin azalmasına

E) heç biri


422. Baza dövrəsində elektronların hərəkət sürəti yüksək olduğu halda nə baş verir

A) yüksək tezlik diapazonu

B) aşağı tezlik diapazonu

C) p-n keçidinin eni artır

D) p-n keçidinin boryer potensialı azalır

E) heç biri


423. İlkin mikrosxemlərdə hansı tranzistorlardan istifadə edilmişdir

A) epitaksial-planar tranzistorlar

B) planar-diffuzion tranzistorlar

C) MDP tranzistorlar

D) MDY tranzistorlar

E) bipolyar tranzistorlar


424. Tranzistorların qurulduğu podlojkanın xüsusi müqaviməti

A) 5...10 om cm

B) 0-2 om cm

C) 7...15 om cm

D) 2...4 om cm

E) 0...1 om cm


425. Parazit tranzistorun əsas tranzistorla əlaqəsi

A) emitteri-əsas tranzistorun bazasını,podlojkası kollektoru təşkil edir

B) emitteri-əsas tranzistorun kollektorunu

C) bazası-əsas tranzistorun emitterini

D) B,C

E) heç biri


426. Parazit tranzistorun qoşulma sxemi
f:\5555\scan10001.jpg
427. VTəsas və VTpar tranzistorları hansı iş rejimində işləir

A) VTƏSAS-aktiv, VTPAR-bağlı

B) VTƏSAS-aktiv, VTPAR-aktiv

C) VTƏSAS-bağlı, VTPAR-aktiv

D) VTƏSAS-bağlı, VTPAR-doymuş

E) VTƏSAS.doymuş


428. Sızma cərəyanının (.)-artması nəyə səbəb olur

A) əsas tranzistorun baza cərəyanın azalmasına

B) əsas tranzistorun baza cərəyanın artmasına

C) əsas tranzistora təsir etmir

D) parazit tranzistorun gücü artır

E) parazit tranzistor qisa qapanır


429. Çoxemitterli tranzistorlar nədir

A) P-tipli baza oblastında 4....8 emitter oblastı

B) P-tipli kollektor oblastında 2 emitter oblastı

C) n-tipli bazada 4....8 baza oblastı yaradılır

D) n-tipli bazada 4....8 kollektor oblastı

E) heç biri


430. Çox emitterli tranzistorların tətbiq sahəsi

A) TTM sxemi

B) DTM sxemi

C) TDM sxemi

D) DDM sxemi

E) heç biri


431. Çox emitterli tranzistorun sxemi
f:\5555\scan10002.jpg

432. Çoxemitterli tranzistorlar girişdə qoyularsa,hansı funksiyanı yerinə yetirər

A) diod


B) tranzistor

C) diod-tranzistor

D) tranzistor-tranzistor

E) heç biri


433. Çoxemitterli tranzistorların əsas xüsusiyyəti

A) kollektor keçidinin düz istiqamətdə qoşulması

B) kollektor keçidinin əks istiqamətdə qoşulması

C) emitterin düz istiqamətdə qoşulması

D) baza keçidinin əks istiqamətdə qoşulması

E) heç biri


434. Şotki diodunun mərkəzi oblastı hansı materialdan hazırlanır

A) dioksid-silisium

B) hidrogen peroksid

C) silisium

D) indium-peroksid

E) hidrogen-dioksid


435. Şotki diodu hansı texnologiya ilə hazırlanır

A) izoplanar

B) epitaksial

C) planar

D) planar-epitaksial

E) heç biri


436. Şotki diodunun sxemi
f:\5555\scan10003.jpg
437. Şotki diodlarının düz istiqamətdə cərəyanı hansı yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır

A) əsas yük daşıyıcıları

B) qeyri-əsas yük daşıyıcıları

C) əsas yüklərin injeksiyası

D) qeyri-əsas daşıyıcıların toplanması

E) heç biri



438. Şotki diodunun VAX sxemi

f:\5555\scan10004.jpg
439. Şotki diodlu açar sxemi
f:\5555\scan10004.jpg

440. Şotki diodlu açar sxemində tsor nəyə bərabərdir

A) tsor ≈ 0

B) tsor= ∞

C) sor< ∞

D) tsor-maksimum

E) heç biri


441. Şotki diodsuz tranzistor açar sxemlərində tsor azaltmaq üçün

A) əlavə yük daçıyıcıların yaşama müddəti azalır

B) əsas yük daşıyıcıların diffuziyası gücləndirilir

C) tranzisrtor diodla şuntlanır

D) tranzistor kondensatorla qısa qapanır

E) heç biri


442. Şotki diodsuz açar sxemində tsor azaldıqdan sonra nə baş verir

A) cərəyana görə ötürmə əmsalı 2...3 dəfə azalır

B) cəld işləmə 5...10 dəfə artır

C) cəld işləmə artmır

D) baza cərəyanı artır

E) emitter keçidi qisa qapanır


443. Şotki diodlu açar sxemlərinin cəld işləmə qabiliyyəti necə dəyişir

A) 2...5 dəfə artır

B) 1...2 dəfə artır

C) artmır

D) 10...20 dəfə artır

E) heç biri


444. Şotki diodlu tranzistorların çatışmayan cəhəti

A) yüksək keyfiyyətli düzləndirici metal-yarımkeçirici keçidin hazırlanması

B) yüksək keyfiyyətli planar texnologiya

C) güclənmə əmsalının məhdudiyyəti

D) elektronların sürətinin kiçik olması

E) elektronların sürətinin sonsuz böyük olması


445. Şotki diodlu tranzistorlar TTM sxemlərində hansı rejimdə işləməsi məqsədə uyğun sayılır

A) doymuş

B) aktiv

C) bağlı


D) reaktiv

E) heç biri


446. Çox kollektorlu n-p-n tranzistor
f:\5555\scan10005.jpg

447. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi

A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə

B) konstruktiv ölçüsündə

C) güclənmə əmsalı

D) tezlik qabiliyyəti

E) cəldişləmə qabiliyyəti


448. Çoxkollektorlu tranzistorların cərəyana görə ötürmə əmsalı

A) 0,8÷0,9

B) 0,2÷0,9

C) 10÷60


D) 0,5÷0,9

E) heç biri


449. ÇKT gərginliyinə görə güclənmə əmsalı

A) 4÷10


B) 0÷2

C) 2÷4


D) 0,8÷0,9

E) heç biri


450. ÇKT hansı məntiq elementlərində istifadə edilir

A) И2Л

B) TTM

C) DTM


D) RTM

E) RDM
451. И2Л məntiq sxeminin xaraktristik xüsusiyyəti

A) hər bir tranzistorun bazasının özünün cərəyan generatorundan qidalanması

B) gərginlik generatorundan qidalanması

C) hər bir tranzistorun fərdi qida mənbəyindən qidalanması

D) emitterdən qidalanması

E) heç biri
452. ÇKT cərəyana və gərginliyə görə güclənmə əmsalının qiyməti nədən asılıdır

A) emitter,kollektorun effektiv sahəsindən asılıdır

B) emitterin həndəsi ölçüsündən

C) kollektorun həndəsi ölçüsündən

D) emitter,kollektorun həndəsi ölçüsündən

E) qida mənbəyinin gərginliyindən



453. ÇKT sxemi
f:\5555\scan10006.jpg
454. İzolyasiyaedici yuvada yerləşən iki p-n keçidlərdən birinə nə deyilir

A) inteqral diod

B) inteqral tranzistor

C) inteqral kondensator

D) inteqral rezistor

E) diod-tranzistor


455. İnteqral diodun İəks cərəyanı necə adlanır

A) termogenerasiya cərəyanı

B) termoinjeksion cərəyan

C) termocərəyan

D) termodiffuzion cərəyan

E) heç biri


456. ÇKT əks cərəyanın bərpa müddəti

A) diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçmə müddəti

B) diodun bağlı qalma müddəti

C) diodun açıq qalma müddəti

D) diodun bağlı vəziyyətdən açıq vəziyyətdə qalma müddəti

E) heç biri


457. İnteqral p-n-p tranzistorlar n-p-n tranzistorlardan hansı göstəricisinə görə geri qalır

A) güclənmə əmsalı

B) qida mənbəyinin gərginliyinə

C) h-parametr

D) giriş tutumu

E) çıxış müqavimətinin sonsuz qiymətinə görə


458. İnteqral p-n-p tranzistorun son kənar tezliyi

A) 20-40 MHS

B) 10 HS-40 HS

C) 20 kHS-40kHS

D) 40 kHS-80 kHS

E) heç biri


459. İnteqral p-n-p tranzistorun dreyfə malik olmamasının səbəbi

A) bazasının bircinsli epitaksial n-təbəqədən olması

B) bazasının bir-neçə n-təbəqədən olması

C) emitterin epitaksial n-təbəqədən olması

D) kollektorun monotaksial n-təbəqədən olması

E) heç biri


460. Məntiqi elementin girişlərinin sayının artması nəyi azaldır

A) cəld işləməni

B) yük qabiliyyətini

C) cərəyanı

D) gərginliyi

E) qida mənbəyinin gərginliyi


461. Məntiq elementinin qida mənbəyindən tələb etdiyi orta güc

A) Porta=0.5Uq.m0q.m+ İ1q.m)

B) Porta=Uq.m İq.m

C) Porta=

D) Porta=

E) heç biri


462. Tələb olunan Porta gücü azaltmaq üçün hansı tranzistorlarda qurulmuş məntiq sxemlərindən istifadə edilir

A) KMDY


B) MDYП

C) TTM


D) bipolyar p-n-p

E) bipolyar n-n-p


463. RS triggerin xarakteristik tənliyi

A) Qn+1=s+RQn

B) Qn=s+RQn

C) Qn+1=

D) Qn+1=

E) heç biri


464. RS triggerdə giriş siqnalı S=R=1 olarsa

A) trigger qeyri-müəyyən vəziyyət alır

B) triggerin invers çıxışında 1 alınır

C) triggerin cəld işləmə qabiliyyəti artır

D) Q=1,

E) Q=0,


465. RST triggerin xarakteristik tənliyi

A) Qn+1=C()

B) Qn+1=(S+R)C

C) Qn+1=C(

D) Qn+1=C(

E) heç biri



466. D-triggerin xarakteristik tənliyi

A) Qn+1=D

B) Qn+1=

C) Qn+1=D(S+Qn)

D) Qn+1=D(

E) heç biri



467. T-triggerin xarakteristik tənliyi

A) Qn+1=

B) Qn=

C) Qn+1=DS

D) Qn+1=

E) Qn+1=


468. JK-triggerin xarakteristik tənliyi

A) Qn+1=

B) Qn=

C) Qn+1=

D) Qn+1=

E) Qn+1=


469. JK trigger giriş siqnallarının J=K=1 kombinasiyası buraxıla biləndirmi?

A) buraxıla biləndir

B) tezlik diapozonu hədsiz qalır

C) mümkün deyil

D) aşağı tezliklərdə mümkündür

E) yüksək tezliklərdə işləyə bilər


471. Optiki və elektriki prosesslərə əsaslanan elektronikanın bir bölməsi

A) optolelektronika

B) mikroelektronika

C) akustikorelektronika

D) elektronika

E) heç biri


472. Optoelektron cihazların işləmə prinsipi nəyə əsaslanır

A) ultrabənövşəyi spektrə

B) gecikən şüalara

C) akustik siqnallara

D) aşağı tezliklərə

E) heç biri


473. Foto qəbuledici nə üçündür

A) görünən və infraqırmızı diapazonda təsvirin video siqnala çevrilməsi

B) görünməyən şüaları video siqnala çevrilməsi

C) elektron keçiriciliyinin yüksəldilməsi

D) təsvirləri ikilik koda çevrilməsi

E) A,B,C
474. p-n keçidləri və ya heterokeçidlər əsasında işləyən matrislər necə adlanır

A) günəş batareyası

B) qalvanik batareya

C) alternativ enerji

D) biokimyəvi batareya

E) B,C
475. Şüalanmanın selektiv udulması hansı veriləndə istifadə edilir

A) atmosferin çirklənməsi və nəmlik vericilərində

B) atmosfer təzyiqin ölçülməsi

C) hiqroskopik nəmlik vericiləri

D) atmosfer qatının hündürlüyünün ölçülməsində

E) heç biri


Yüklə 0,83 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin