Qr. 2216 Mikroprosessor texnikası mp-lərin rəqəmsal və proqramlanan qurğu olması nə ilə əsaslandırılır?
Tranzistor-tranzistor məntiq sxemlərini ən azı neçə tranzistorla yaratmaq olar?
Yüklə 0,83 Mb.
|
378. Tranzistor-tranzistor məntiq sxemlərini ən azı neçə tranzistorla yaratmaq olar? A) İki
B) Bir C) Üç
D) Dörd E) Beş
A) 0 (sıfır) B) y
C) x D) z
E) α 380. Onaltılıq hesablama sistemində «D» hərfi hansı rəqəmin simvoludur? A) 13
B)12 C)10
D)11 E) 14
A) 010 B)001
C) 011 D) 1001 E) 1010
A) 1010
B) 101 C)110
D) 1110 E) 1101 378. Hesablama sistemində 13 rəqəminə hansı rəqəm simvolu uyğundur? A) 1101 B) 1100 C) 1011 D)1010 E) 1110
B) yüksək cərəyan C)yüksək müqavimət D)alçaq gərginlik E) kiçik cərəyan
A) alçaq gərginlik B)yüksək cərəyan C) yüksək gərginlik D)yüksək müqavimət E) kiçik cərəyan 381. Müsbət məntiqdə “və ya” əməliyyatı mənfi məntiqdə hansı əməliyyata uyğundur? A) və
B) hə C) yox
D) bəlkə E) heç biri 382. müasir inteqral sxemlərdə göstərilən elektrik dövrəsi hansı məntiq elementinə uyğundur? A) yox
B) və ya C) və
D)implikasiya E) ekvivalentlik 383. sxeminin hansı girişinə (C1, C2, C3) informasiya (siqnal) daxil olduqda, çıxışda (P) çıxış siqnalı peyda olar? A) A, B, C, D birlikdə B) yalnız C2 C) yalnız C3 D) eyni zamanda C1, C2, C3 E)yalnız C1 384. Yaddaş elementlərinə daxildir? A) trigger B) və ya C) yox
D) implikasiya E) ekvivalentlik 385. Elektrik sxemi hansı məntiq elementinə uyğundur? A) yox
B) və C) və ya D)implikasiya E) ekvivalentlik 386. “Deyil” məntiq elementi neçə giriş (C) və neçə çıxışa (P) malikdir? A) 1(C) və 1(P) B) 2(C) və 2(P) C) 2(C) və 1(P) D) 1(C) və 2(P) E) 3(C) və 1(P) 387. Mikroprosessorun idarəedici informasiyasını nə təşkil edir? A) Proqram B) Yaddaşdakı sözlər C)Taktlı impulslar D) Əmrlər E) Rəqəm simvolları 388. Aşağıdakı hansı qurğu mikroprosessora daxildir? A) Hesablama məntiq qurğusu B) Çap platası yaradan qurğu C) Diffuziya qurğusu D) Nazik təbəqə yaradan qurğu E) Mikrosxemlərin mexaniki sınaq qurğusu 389. Mikroprosessorla əlaqələr hansı quruluşla yerinə yetirilir? B)Təbəqəli quruluşla C) Kristallik quruluşla D) Diod quruluşları ilə E) Tranzistor quruluşu ilə 390. Mikroprosessor sisteminin bütün qurğuları nə ilə əlaqələndirilir? A) Ümumi sistem şini ilə B) Qalvanik əlaqə ilə C) Bir istiqamətli əlaqə xətti ilə D) Kimyəvi əlaqə ilə E. Analoq siqnalları ilə
A) Sabit ± 5V və ± 12V B)Dəyişən 360 Voltla C) Dəyişən 127 Voltla D) Sabit 220 Voltla E) Dəyişən 1 Voltla 392. Aşağıdakı mübadilələrdən hansı mikroprosessora xas deyil? A) Qarşılıqlı təsirlə baş verən mübadilə B) İnformasiyanın proqram mübdiləsi C) Fasilələrdən istifadə etməklə mübadilə D) Arasıkəsilmə ilə olan mübadilə E) Yaddaşa bilavasitə daxil olmaqla mübadilə 393. Mikroprosessor sisteminə mikrokontroller əsasən nə üçün daxil edilir? A) Yaddaşa balavasitə daxil olmaq üçün B) Şin əlaqəsi yaratmaq üçün C) Mikroprosessorun iş recimini tənzimləmək üçün D. Hesablama sistemini dəyişmək üçün E) Mikroprosessoru qidalandırmaq üçün 394. Aşağıdakı adlardan hansı mikroprosessorun arxitekturasına aiddir? A) Priston və Fon-Neyman B)Taktlı impuls C) Aşağı siqnal səviyyəsi D) Yüksək siqnal səviyyəsi E)Çox pilləli 395. İnformasiya mübadiləsi tsikli deyildikdə nə başa düşülür? A) Bir əməliyyatın yerinə yetirilməsində yaranan zaman intervalı B) Taktlı impuls generatorunun tezliyi C)Ünvana müraciət etmək müddəti D)Sistemə qida gərginliyi verilən an E) Kodlaşdırmaya sərf edilən müddət 396.Mikroprosessorda əsasən hansı yaddaş qurğuları olur? A) Operativ və daimi yaddaş qurğuları B) Xəyali yaddaş qurğuları C)Diskə yazılmış yaddaş D) Disketdə olan yaddaş E) Multipleksor yaddaşı 397. Mikroprosessorda yaddaş qurğusu informasiyanı nə etməlidir? A) Yazmalı və oxumalıdır B)Dekodlaşdırmalıdır C) Mini-EHM-ə ötürməlidir D) İnformasiyanı çevirməlidir E) Kodlaşdırmalıdır 398. Yaddaşa bilavasitə daxil olmaq üçün mikroprosessor sisteminə nə daxil edilir? A) Mikrokontroller C) Yaddaş yuvaları D) Çıxış kaskadları E) Registrlər 399. Aşağıdakı qurğulardan hansı daha çox informasiyanı saxlaya bilir? A) Kompyuterlər B) Mikrokontrollerlər A) Kontrollerlər D)İnformasiyanı nümayiş etdirən qurğu E) Qida gərginliyi qurğusu 400. Mikroprosesordan alınmış siqnalı xarici qurğuların qəbul edə biləcəyi siqnala və əksinə çevirmək üçün qoşma vasitə necə adlanır? A) interfeys B) interfaks C) interport D)çevirici E) düzləndirici 401. Mikroelekronika elmi nəyi öyrənir? A) inteqral mikrosxemlərin yaradılması və inkişafı, tətbiq sahələrini öyrədən elmdir B) elektrik intiqalı ilə bağlı C) inteqral elektrovakuum cihazların yaradılması ilə bağlı D) inteqral elektroenergetik cihazların yaradılması ilə bağlı E) heç biri 402. Bir neçə qarşılıqlı əlaqəli-tranzistor, diod,kondensator, rezistor və s. elementlərin vahid texnoloji lövhədə hazırlanan element necə adlanır A) inteqral mikrosxem B) inteqral diod C) inteqral tranzistor D) inteqral tristor E) prosessor 403. Mikroelektronika sərbəst bir elm kimi meydana çıxmamışdan qabaq necə adlanırdı A) diskret sxemlər B) analoq sxemlər C) kəsilməz sxem D) invertor (invers elementi) sistemlər E) heç biri 404. İnteqral sxemin əsasını nə təşkil edir A) planar texnologiya və qrup metodu B) epitaksial qrup C) diffuzion texnologiya D) monotexnologiya 405. İnteqrasiya ideyası A) ayrı-ayrı tranzistorlarla yanaşı,funksional blok qurmaq üçün bütün komponentlər yığımı B) bir tranzistor və bir neçə diod yığımı C) bir neçə tranzistorlar yığımı D) rezistorlar yığımı E) kondensatorlar yığımı 406. Elementlərin birləşdirilməsi üçün əsas şərt A) elektrodların bütün çıxışlarının bir müstəvidə olması B) elektrodların çıxışlarının perpendikulyar müstəvidə yerləşməsi C) elektrodların üfüqi və şaquli birləşməsi D) elektrodların podlojkadan kənarda birləşməsi E) B,C
A) planar texnologiya B) qrup texnologiya C) izodrom texnologiya D) monoton texnologiya E) heç biri
A) cihazın kütləsi,qabariti azalır,etibarlılıq artır B) cihazın etibarlılığı azalır C) cihazın kütləsi artır D) cihazın qabariti artır E) heç biri 409. Mikrosxemin inteqrasiya dərəcəsi A) K=lgN
B) K=lgN+1 C) K=Alg .. D) K=A.lgN E) k=AlgeNt 410. Birinci dərəcə inteqrasiyada K A) K=1
B) K=1,5 C) K=2
D) K=5 E) K=3
A) K=2 B) K=1
C) K=1,5 D) K=5
E) K=3 412. Üçüncü dərəcə inteqrasiyada K A) k≥3
B) K=1,5 C) K=2
D) K=5 E) K=3
A) MDP texnologiyada 1000 və daha çox elementdən hazırlanan mikrosxem B) vahid texnologiyada 200 və daha çox elementdən hazırlanmış mikrosxem C) bipolyar texnologiya ilə hazırlanmış 100 elementi olan mikrosxem D) inteqrasiya dərəcəsi K=1 olan mikrosxem E) heç biri
A) 10 000-dən çox B) 5 000-dən çox C) 200 - 300 D) 8 000-dən çox E)100 - 1 000 415. Optimal sxemlərin yaradılması və tədqiqatı A) mikrosxemotexnika B) makrosxemotexnika C) elektrotexnika D) elektroradiotexnika E) radiotexnika 416. Mikrosxemlərin izahı və analizində neçə sxemotexnik qaydadan istifadə edilir A) 2
B) 5 C) 3
D) 4 E) B, C (3 - 5) 417. Funksioanal təyinatına görə mikrosxemlər A) analoq və rəqəm qurğularına B) rezistorlara C) diodlara D) tranzistorlara E) termistorlara 418. Analoq mikrosxemlərdə siqnalların dəyişməsi A) fasiləsiz funksiya kimi B) diskret funksiya C) siqnal dəyişmir D) onun gərginliyi rəqəm kimi dəyişir E) onun güclənmə əmsalı ikilik kodla dəyişir 419. Rəqəm tip mikrosxemdə siqnalların dəyişməsi A) diskret funksiya qanunu üzrə B) fasiləsiz funksiya qanunu üzrə C) analoq funksiya kimi D) ikilik kodla E) heç biri 420. Mikrosxemlərin tranzistorları hansı materialdan hazırlanır A) silisium B) mis C) qızıl
D) indium E) platin 421. Baza dövrəsində elektronların hərəkətinin çox yüksək sürəti nəyə səbəb olur A) cəld işləmə qabiliyyəti artır B) cərəyan şiddətinin azalmasına C) gərginliyin artmasına D) p-n keçidinin keçiriciliyinin azalmasına E) heç biri 422. Baza dövrəsində elektronların hərəkət sürəti yüksək olduğu halda nə baş verir A) yüksək tezlik diapazonu B) aşağı tezlik diapazonu C) p-n keçidinin eni artır D) p-n keçidinin boryer potensialı azalır E) heç biri 423. İlkin mikrosxemlərdə hansı tranzistorlardan istifadə edilmişdir A) epitaksial-planar tranzistorlar B) planar-diffuzion tranzistorlar C) MDP tranzistorlar D) MDY tranzistorlar E) bipolyar tranzistorlar 424. Tranzistorların qurulduğu podlojkanın xüsusi müqaviməti A) 5...10 om cm B) 0-2 om cm C) 7...15 om cm D) 2...4 om cm E) 0...1 om cm 425. Parazit tranzistorun əsas tranzistorla əlaqəsi A) emitteri-əsas tranzistorun bazasını,podlojkası kollektoru təşkil edir B) emitteri-əsas tranzistorun kollektorunu C) bazası-əsas tranzistorun emitterini D) B,C E) heç biri 426. Parazit tranzistorun qoşulma sxemi 
427. VTəsas və VTpar tranzistorları hansı iş rejimində işləir A) VTƏSAS-aktiv, VTPAR-bağlı B) VTƏSAS-aktiv, VTPAR-aktiv C) VTƏSAS-bağlı, VTPAR-aktiv D) VTƏSAS-bağlı, VTPAR-doymuş E) VTƏSAS.doymuş 428. Sızma cərəyanının (.)-artması nəyə səbəb olur A) əsas tranzistorun baza cərəyanın azalmasına B) əsas tranzistorun baza cərəyanın artmasına C) əsas tranzistora təsir etmir D) parazit tranzistorun gücü artır E) parazit tranzistor qisa qapanır 429. Çoxemitterli tranzistorlar nədir A) P-tipli baza oblastında 4....8 emitter oblastı B) P-tipli kollektor oblastında 2 emitter oblastı C) n-tipli bazada 4....8 baza oblastı yaradılır D) n-tipli bazada 4....8 kollektor oblastı E) heç biri 430. Çox emitterli tranzistorların tətbiq sahəsi A) TTM sxemi B) DTM sxemi C) TDM sxemi D) DDM sxemi E) heç biri 431. Çox emitterli tranzistorun sxemi 
432. Çoxemitterli tranzistorlar girişdə qoyularsa,hansı funksiyanı yerinə yetirər A) diod
B) tranzistor C) diod-tranzistor D) tranzistor-tranzistor E) heç biri 433. Çoxemitterli tranzistorların əsas xüsusiyyəti A) kollektor keçidinin düz istiqamətdə qoşulması B) kollektor keçidinin əks istiqamətdə qoşulması C) emitterin düz istiqamətdə qoşulması D) baza keçidinin əks istiqamətdə qoşulması E) heç biri 434. Şotki diodunun mərkəzi oblastı hansı materialdan hazırlanır A) dioksid-silisium B) hidrogen peroksid C) silisium E) hidrogen-dioksid 435. Şotki diodu hansı texnologiya ilə hazırlanır A) izoplanar B) epitaksial C) planar D) planar-epitaksial E) heç biri 436. Şotki diodunun sxemi 
437. Şotki diodlarının düz istiqamətdə cərəyanı hansı yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır A) əsas yük daşıyıcıları B) qeyri-əsas yük daşıyıcıları C) əsas yüklərin injeksiyası D) qeyri-əsas daşıyıcıların toplanması E) heç biri 438. Şotki diodunun VAX sxemi 
439. Şotki diodlu açar sxemi
440. Şotki diodlu açar sxemində tsor nəyə bərabərdir A) tsor ≈ 0 B) tsor= ∞ C) D) tsor-maksimum E) heç biri 441. Şotki diodsuz tranzistor açar sxemlərində tsor azaltmaq üçün A) əlavə yük daçıyıcıların yaşama müddəti azalır B) əsas yük daşıyıcıların diffuziyası gücləndirilir C) tranzisrtor diodla şuntlanır D) tranzistor kondensatorla qısa qapanır E) heç biri 442. Şotki diodsuz açar sxemində tsor azaldıqdan sonra nə baş verir A) cərəyana görə ötürmə əmsalı 2...3 dəfə azalır B) cəld işləmə 5...10 dəfə artır C) cəld işləmə artmır D) baza cərəyanı artır E) emitter keçidi qisa qapanır 443. Şotki diodlu açar sxemlərinin cəld işləmə qabiliyyəti necə dəyişir A) 2...5 dəfə artır B) 1...2 dəfə artır C) artmır D) 10...20 dəfə artır E) heç biri 444. Şotki diodlu tranzistorların çatışmayan cəhəti A) yüksək keyfiyyətli düzləndirici metal-yarımkeçirici keçidin hazırlanması B) yüksək keyfiyyətli planar texnologiya C) güclənmə əmsalının məhdudiyyəti D) elektronların sürətinin kiçik olması E) elektronların sürətinin sonsuz böyük olması 445. Şotki diodlu tranzistorlar TTM sxemlərində hansı rejimdə işləməsi məqsədə uyğun sayılır A) doymuş B) aktiv C) bağlı
D) reaktiv E) heç biri 446. Çox kollektorlu n-p-n tranzistor 
447. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə B) konstruktiv ölçüsündə C) güclənmə əmsalı D) tezlik qabiliyyəti E) cəldişləmə qabiliyyəti 448. Çoxkollektorlu tranzistorların cərəyana görə ötürmə əmsalı A) 0,8÷0,9 B) 0,2÷0,9 C) 10÷60
D) 0,5÷0,9 E) heç biri 449. ÇKT gərginliyinə görə güclənmə əmsalı A) 4÷10
B) 0÷2 C) 2÷4
D) 0,8÷0,9 E) heç biri 450. ÇKT hansı məntiq elementlərində istifadə edilir A) И2Л B) TTM C) DTM
D) RTM E) RDM
A) hər bir tranzistorun bazasının özünün cərəyan generatorundan qidalanması B) gərginlik generatorundan qidalanması C) hər bir tranzistorun fərdi qida mənbəyindən qidalanması D) emitterdən qidalanması E) heç biri
A) emitter,kollektorun effektiv sahəsindən asılıdır B) emitterin həndəsi ölçüsündən C) kollektorun həndəsi ölçüsündən D) emitter,kollektorun həndəsi ölçüsündən E) qida mənbəyinin gərginliyindən 453. ÇKT sxemi 
454. İzolyasiyaedici yuvada yerləşən iki p-n keçidlərdən birinə nə deyilir A) inteqral diod B) inteqral tranzistor C) inteqral kondensator D) inteqral rezistor E) diod-tranzistor 455. İnteqral diodun İəks cərəyanı necə adlanır A) termogenerasiya cərəyanı B) termoinjeksion cərəyan C) termocərəyan D) termodiffuzion cərəyan E) heç biri 456. ÇKT əks cərəyanın bərpa müddəti A) diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçmə müddəti B) diodun bağlı qalma müddəti C) diodun açıq qalma müddəti D) diodun bağlı vəziyyətdən açıq vəziyyətdə qalma müddəti E) heç biri 457. İnteqral p-n-p tranzistorlar n-p-n tranzistorlardan hansı göstəricisinə görə geri qalır A) güclənmə əmsalı B) qida mənbəyinin gərginliyinə C) h-parametr D) giriş tutumu E) çıxış müqavimətinin sonsuz qiymətinə görə 458. İnteqral p-n-p tranzistorun son kənar tezliyi A) 20-40 MHS B) 10 HS-40 HS C) 20 kHS-40kHS D) 40 kHS-80 kHS E) heç biri 459. İnteqral p-n-p tranzistorun dreyfə malik olmamasının səbəbi A) bazasının bircinsli epitaksial n-təbəqədən olması B) bazasının bir-neçə n-təbəqədən olması C) emitterin epitaksial n-təbəqədən olması D) kollektorun monotaksial n-təbəqədən olması E) heç biri 460. Məntiqi elementin girişlərinin sayının artması nəyi azaldır A) cəld işləməni C) cərəyanı D) gərginliyi E) qida mənbəyinin gərginliyi 461. Məntiq elementinin qida mənbəyindən tələb etdiyi orta güc A) Porta=0.5Uq.m(İ0q.m+ İ1q.m) B) Porta=Uq.m İq.m C) Porta= D) Porta= E) heç biri 462. Tələb olunan Porta gücü azaltmaq üçün hansı tranzistorlarda qurulmuş məntiq sxemlərindən istifadə edilir A) KMDY
B) MDYП C) TTM
D) bipolyar p-n-p E) bipolyar n-n-p 463. RS triggerin xarakteristik tənliyi A) Qn+1=s+RQn B) Qn=s+RQn C) Qn+1= D) Qn+1= E) heç biri 464. RS triggerdə giriş siqnalı S=R=1 olarsa A) trigger qeyri-müəyyən vəziyyət alır B) triggerin invers çıxışında 1 alınır C) triggerin cəld işləmə qabiliyyəti artır D) Q=1, E) Q=0, 465. RST triggerin xarakteristik tənliyi A) Qn+1=C( B) Qn+1=(S+R)C C) Qn+1=C( D) Qn+1=C( E) heç biri 466. D-triggerin xarakteristik tənliyi A) Qn+1=D B) Qn+1= C) Qn+1=D(S+Qn) D) Qn+1=D( E) heç biri 467. T-triggerin xarakteristik tənliyi A) Qn+1= B) Qn= C) Qn+1=DS D) Qn+1= E) Qn+1= 468. JK-triggerin xarakteristik tənliyi A) Qn+1= B) Qn= C) Qn+1= D) Qn+1= E) Qn+1= 469. JK trigger giriş siqnallarının J=K=1 kombinasiyası buraxıla biləndirmi? A) buraxıla biləndir B) tezlik diapozonu hədsiz qalır C) mümkün deyil D) aşağı tezliklərdə mümkündür E) yüksək tezliklərdə işləyə bilər 471. Optiki və elektriki prosesslərə əsaslanan elektronikanın bir bölməsi A) optolelektronika B) mikroelektronika C) akustikorelektronika D) elektronika E) heç biri 472. Optoelektron cihazların işləmə prinsipi nəyə əsaslanır A) ultrabənövşəyi spektrə B) gecikən şüalara C) akustik siqnallara D) aşağı tezliklərə E) heç biri 473. Foto qəbuledici nə üçündür A) görünən və infraqırmızı diapazonda təsvirin video siqnala çevrilməsi B) görünməyən şüaları video siqnala çevrilməsi C) elektron keçiriciliyinin yüksəldilməsi D) təsvirləri ikilik koda çevrilməsi E) A,B,C
A) günəş batareyası B) qalvanik batareya C) alternativ enerji D) biokimyəvi batareya E) B,C
A) atmosferin çirklənməsi və nəmlik vericilərində B) atmosfer təzyiqin ölçülməsi C) hiqroskopik nəmlik vericiləri D) atmosfer qatının hündürlüyünün ölçülməsində E) heç biri Yüklə 0,83 Mb. Dostları ilə paylaş:
|
