Qr. 4115 Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır?


p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir?



Yüklə 0,67 Mb.
səhifə10/103
tarix07.01.2022
ölçüsü0,67 Mb.
#84541
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   103
40. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir?

A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması

B) Fəza yüklərinin təsiri

C) Keçidin eninin dəyişməsi

D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


41. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor

enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


42. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı

tərtibdə olar?

A) 0.33 nm

B) 0.23 nm

C) 0.53 nm

D) 0.66 nm

E) 0.63 nm


43. Əgər I Bor orbitindəki elektron (U=150 V) sürətləndirilmiş olarsa onun dalğa uzunluğu hansı tərtibdə olar?

A) 0.1 nm

B) 0.01 nm

C) 0.11 nm

D) 0.011 nm

E) 1 nm
44. Dördvalentli yarımkeçiriciyə üçvalentli aşqar daxil etdikdə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar aşağıdakılardan hansıdır?

A) Deşiklər

B) Elektronlar

C) Protonlar

D)Fotonlar

E)Elekron və deşiklər
45. Dördvalentli yarımkeçiriciyə beşvalentli aşqar daxil etdikdə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar aşağıdakılardan hansıdır?

A) Elektronlar

B) Deşiklər

C) Protonlar

D) Fotonlar

E) Elekron və deşiklər



Yüklə 0,67 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   103




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin