Qr. 4115 Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır?



Yüklə 0.67 Mb.
səhifə1/6
tarix04.07.2018
ölçüsü0.67 Mb.
  1   2   3   4   5   6

qr.4115 Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri
1. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır?

1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından.

2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından.

3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından.

4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından.

A)1,2,3


B)1,2,3,4

C)1,2,4


D)2,3,4

E)2,4,5
2. Yarımkeçiricilərdən istifadə olunmağa başlayana qədər 1 dm3-də neçə element



yerləşən MS ən kiçik ölçülü hesab olunurdu?

A) 300


B) 200

C) 100


D)50

E)150


E) 107
3. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir.Bunlardan

hansı doğru deyildir?

1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından.

2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından.

3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından.

4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından.

A) 4


B)2

C)3


D) 1

E)1,2,3,4


4. Mikrosxemlərdən hansı metallarda istifadə olunur?

1.Qələvi metallardan

2.Xassələrinə görə bir-birindən kəskin fərqlənən metallardan

3. Xassələrinə görə oxşar olan metallardan

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1,2


E) 2,3
5. İMS-lərin üzərində yazılmış I element (rəqəm) nəyi göstərir?

A) Qrupunu

B) Təyinatını

C) Yarımqrupunu

D) Ölçüsünü

E) Seriyasını


6. İMS-lərin üzərində yazılmış İMS-lərin üzərində yazılmış IV element (rəqəm)

nəyi göstərir?

A) Yarımqrupuna görə seriyasını

B) Təyinat xüsusiyyətinə görə seriyasını

C) Etibarlılığını

D) Elektron qurğusu olduğunu

E) Seriya nömrəsini


7. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupuna aid olduğunu

göstərir?

A) 2,4,6,8

B) 1,5,7,8

C) 2,3,4,6,7

D) 1,3,4.5

E) 2,3,4,8


8 .MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun təbəqəli olduğunu göstərir?

A) 3


B) 2

C) 1


D) 4

E) 5
9. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun yarımkeçirici qrupundan



olduğunu göstərir?

A) 5


B) 3

C) 4


D) 2

E) 6
10. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun yarımkeçirici qrupundan



olduğunu göstərir?

A)1


B) 2

C) 3


D) 4

E) 6
11. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu



göstərir?

A) 2


B) 1

C) 3


D) 5

E) 7
12. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu



göstərir?

A) 4


B) 1

C) 3


D) 5

E) 7
13. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu



göstərir?

A) 6


B)3

C) 5


D) 1

E) 7
14..İnteqral mikrosxemlərin tətbiqindən əvvəl qurğular nəyin üzərində yığılırdı?

A) Çap platalarının

B) Keramikanın

C) Şüşənin

D) Ebonitin

E) Misin
15. Statik siqnaldan nə zaman istifadə olunur?

A) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı

B) Məlumatın uzağa ötürülməsində

C) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı

D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı

E) Doğru cavab yoxdur


16. Dinamik siqnallardan harada istifadə olunur?

A) Məlumatın məkanda ötürülməsi zamanı

B) Məlumatın uzağa ötürülməsində

C) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı

D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı

E) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı


17. Analoq siqnalı dedikdə nə başa düşülür?

A) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

B) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası

D) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları

E) Doğru cavab yoxdur


18. Diskret siqnallar dedikdə nə başa düşülür?

A) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları

B) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası

D) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

E) Doğru cavab yoxdur


19. Siqnalları xarakterizə edən parametrlər hansı əsas qruplara bölünür?

1.Struktur 2.İdentifikasiyaedici 3. Məlumat daşıyan 4.Məlumat mənbəyi

A) 1,2,3

B) 2 və 3

C) 1 və 2

D) 2,3,4

E) 1,3,4
20. Siqnalın sərbəstlik dərəcələrinin sayını hansı parametrlər göstərir?

A) Struktur

B) Məlumat

C) İdentifikasiyaedici

D) Xətti

E) Keçid
21. Əgər məlumat daşıyıcı parametrin mümkün olan qiymətlər çoxluğu



sayılandırsa və müəyyən hüduda malikdirsə, siqnal bu parametrə görə necə

adlanır?

A) Diskret siqnal

B) Analoq siqnal

C) Sabit analoq siqnal

D) Dəyişən analoq siqnal

E) Sinusoidal siqnal


22. İmpuls və ya ikilik siqnallar hansı siqnallara aiddir?

A) Diskret

B) Dəyişən analoq

C) Sabit analoq

D) Sinusoidal

E) Harmonik


23. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir.Bunlardan hansı doğru deyildir?

1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından.

2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından.

3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından.

4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından.

A) 4


B)2

C)3


D) 1

E)1,2,3,4


24. İMS-lərin əsasını və iş prinsipini bərk maddələrin kontakt hadisəsində harada

gedən fiziki-kimyəvi proseslər təşkil edir?

1.Bərk maddələrin həcmlərində

2. Bərk maddələrin toxunan sərhəddində

3.Bərk maddələrin səthlərində

A) 2,3

B)2


C)3

D) 1,2


E) 1
24. İMS-lərin üzərində yazılmış II element (2 hərf ) nəyi göstərir? 1.

Yarımqrupunu 2. Seriyasını 3. Təyinatını 4.Qrupunu

A) 2,4


B)1,4

C)2,3


D) 1,3

E)3,4
25. Hansı parametrlər faydalı siqnalı digər ( lazım olmayan) siqnalların içərisindən seçib ayırır?

A) Məlumat

B) Struktur

C) İdentifikasiyaedici

D)Xətti


E)Keçid
26. Siqnalın orta gücü aşağıdakı parametrlərin hansı ilə müəyyən edilir?

A)Amplitud siqnalı

B)Tezlik siqnalı

C)Fəza spektri

D)Harmonik spektri

E)Doğru cavab yoxdur.


27. Bir polyarlığa malik zamandan asılı olaraq yavaş dəyişən cərəyan və ya gərginlik siqnalı necə adlanır?

A) Dəyişən analoq siqnalı

B) Sabit analoq siqnalı

C)Diskret siqnal

D)Sinusoidal siqnal

E)İmpuls siqnalı


28. Zolaq nəzəriyyəsinə görə bərk cisimlərdə enerjinin mümkün olan göstərilən qiymətləri bir-birindən nə ilə ayrılır?

A) Enerjinin qadağan olunmuş qiymətləri ilə

B) Enerjinin ən kiçik qiymətləri ilə

C) Enerjinin ən böyük qiymətləri ilə

D) Enerjinin diskret qiymətləri ilə

E) Enerjilərin növləri ilə


29. Atomun əsas fiziki, kimyəvi xassələrini hansı elektronlar müəyyən edirlər?

A) Valent elektronları

B) Cütləşməmiş elektronlar

C) Eyni spinə malik elektronlar

D) Spinləri əks olan elektronlar

E) Doğru cavab yoxdur


30. Sredinger tənliyinə görə zərrəcik hansı halda sərbəst olur?

A) U=0


B) U>0

C) U<0


D) U≥E

E) U≤E
31. Dalğa funksiyası üzərinə qoyulmuş şərtlərdən hansı doğru deyildir?

1.Dalğa funksiyası kəsilməz olmalıdır

2.Dalğa funksiyasının törəməsi



3. Dalğa funksiyası birqiymətli olmalıdır

A) Doğru cavab yoxdur

B)2

C)3


D)1,2,3

E) 1
32. olduqda (k-dalğa ədədi,a-qəfəs sabiti) elektronun enerjisinin neçə qiyməti olur?

A) 2

B) 1


C) 3

D)4


E) Doğru cavab yoxdur
33. Brüllen zonalarının sərhəddində enerji kəsilməzliyinin pozulması nə ilə bağlıdır?

A) Elektrona uyğun dalğaların durğun dalğa olması ilə

B) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun artması ilə

C) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun azalması ilə

D) Elektronun dalğa uzunluğunun dəyişməsi ilə

E) Doğru cavab yoxdur


34. Yarımkeçirici diodda neçə elektron deçik keçidi mövcuddur?

A)1


B)3

C)2


D)5

E)4
35. Yarımkeçirici kristalda elektron-deşik cütünün yaranması prosesi necə adlanır?

A) Generasiya

B) Rekombinasiya

C) İnjeksiya

D) Ekstraksiya

E) Diffuziya
36.Yarımkeçirici kristalda elektron-deşik cütünün yox olması prosesi necə adlanır?

A) Rekombinasiya

B) Generasiya

C) İnjeksiya

D) Ekstraksiya

E) Diffuziya


37. Yarımkeçirici kristalda 1 V/sm sahə gərginliyində yüklü hissəciklərin istiqamətlənmiş sürəti necə adlanır?

A) Yürüklük

B) İstilikkeçirmə

C) Diffuziya

D) Keçiricilik

E) Diffuziya cərəyanı


38. Aşqarsız yarımkeçiricilər haqqında aşağıdakı fikirlərdən hansıları səhvdir?

Elektronların istiqamətlənmiş sürəti: I Temperaturla düz mütənasibdir.

II Temperaturla tərs mütənasibdir.III Orta istilik sürətilə düz mütənasibdir.

A) I və III

B) Yalnız II

C) Yalnız III

D) I və II

E) Yalnız I


39. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir?

A) Hər iki qat üçün eyni olur

B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir

C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir

D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur

E) Doğru cavab yoxdur


40. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir?

A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması

B) Fəza yüklərinin təsiri

C) Keçidin eninin dəyişməsi

D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


41. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor

enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


42. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı

tərtibdə olar?

A) 0.33 nm

B) 0.23 nm

C) 0.53 nm

D) 0.66 nm

E) 0.63 nm


43. Əgər I Bor orbitindəki elektron (U=150 V) sürətləndirilmiş olarsa onun dalğa uzunluğu hansı tərtibdə olar?

A) 0.1 nm

B) 0.01 nm

C) 0.11 nm

D) 0.011 nm

E) 1 nm
44. Dördvalentli yarımkeçiriciyə üçvalentli aşqar daxil etdikdə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar aşağıdakılardan hansıdır?

A) Deşiklər

B) Elektronlar

C) Protonlar

D)Fotonlar

E)Elekron və deşiklər
45. Dördvalentli yarımkeçiriciyə beşvalentli aşqar daxil etdikdə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar aşağıdakılardan hansıdır?

A) Elektronlar

B) Deşiklər

C) Protonlar

D) Fotonlar

E) Elekron və deşiklər


46. Aşağıdakılardan hansılarda elektrik keçiriciliyi müşahidə olunur?

1.Metallar

2.Yarımkeçiricilər

3.Nazik təbəqəli dielektrik

A) 1,2,3

B) 2,3


C) 1,3

D) 1,2


E) Heç birində
47. Dielektriklər üçün xüsusi keçiricilik:

A) σ < 10-14 Om-1·sm-1

B) σ >10-4 Om-1·sm-1

C) σ >10-14 Om-1·sm-1

D) σ >10-1 Om-1·sm-1

E) σ >10-10 Om-1·sm-1


48.Aşağıdakılardan hansılar elektrtron yarımkeçiricilərə aiddir?

1.ZnS

2.Si

3.CdS

4.B

A) 1,2,3,4

B) 2,3,4

C) 1,2,3


D) 1,2

E) Heç biri


49. Adi şəraitdə aşağıdakılardan elektrik cərəyanını keçirməyəni göstərin?

1.Metallar

2.Dielektriər

3.Yarımkeçiricilər

A) 2,3


B) 1,2

C) 1


D) 3

E) Heç biri keçirmir


50. n-tip yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir?

A) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində

B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində

C) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində

D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda

E) Doğru cavab yoxdur


51. Məxsusi yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir?

A) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində

B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində

C) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində

D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda

E) Doğru cavab yoxdur


52. Dayaz enerji səviyyəsi hansıdır?

A) Donor və akseptor

B) Yalnız akseptor

C) Yalnız donor

D) Yalnız Fermi

E) Doğru cavab yoxdur


53. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyasında aşağıdakılardan hansı səviyyə əsas rol oynayır?

1.Dayaz

2.Dərin

3.Fermi

A) 2


B) 1

C) 3


D) 1,2,3

E) 1 və 3


54. Yarımkeçiricilərdən elektrik cərayanı keçməsinə təsir edən rekombinasiya

növləri hansılardır?

1.Birbaşa zolaq-zolaq rekombinasiyası

2.Aşqar mərkəzlərinin rekombinasiyası

3.Səth rekombinasiyası

4.Elektron cütlərinin rekombinasiyası

A) 1,2,3


B) 1,3

C) 1,2,3,4

D) 2,3,4

E) 4
55. Diffuziya cərəyanı təyin olunur

A) Konsentrasiya qradienti ilə

B) Sürət qradienti ilə

C) Tempratur qradienti ilə

D)Tezlik qradienti ilə

E) Doğru cavab yoxdur
56. Dreyt cərəyanının yaranması üçün tələb olunur

1.Sürət qradienti

2.Potensial qradienti

3. Tempratur qradienti

A) 2


B) 1

C) 3


D) 1,2

E) 2,3
57. p-n keçidində injeksiya hadisəsi nə vaxt baş verər?

A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks

yönələrsə

B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda

C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni

istiqamətdə yönələndə

D) p-n keçidini qızdırdıqda

E) Doğru cavab yoxdur
58. p-n keçidində ekstraksiya hadisəsi nə zaman baş verə bilər?

A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni

istiqamətdə yönələndə

B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks

yönələrsə

C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda

D) p-n keçidini qızdırdıqda

E) Doğru cavab yoxdur


59. p-n keçidini xarici sahəyə qoşduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni

istiqamətdə yönəldikdə sərhəd yaxınlığında qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ( np və pn )

konsentrasiyalarının azalması prosesi necə adlanır?

A) Ekstraksiya

B) Dreyf

C) İnjeksiya

D) Diffuziya

E) Generasiya


60. Aşağıdakı deşilmələrdən hansılar elektrik sahəsinin mövcudluğu ilə

əlaqədardır?

1.Tunel 2.Selvari 3.Səthi 4.İstilik deşilməsi

A) 1 və 2

B) 1 və 3

C) 2 və 4

D) 2 və 3

E) 3 və 4
61. Aşağıdakı deşilmələrdən hansı p-n keçiddə səpələnən gücün artması ilə

əlaqədardır?

A) İstilik

B) Selvari

C) Tunel


D) Səthi

E) Doğru cavab yoxdur


62. Səthi deşilmənin baş vermə ehtimalını necə azaltmaq olar?

A) Yüksək dielektrik sabitinə malik örtükdən istifadə etməklə

B) Metal örtükdən istifadə etməklə

C) Xarici müqaviməti azaltmaqla

D) Xarici müqaviməti artırmaqla

E) Doğru cavab yoxdur


63. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur?

A) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir

B) Tunel deşilməsi ensiz keçidlərdə baş verir

C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir

D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir

C) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir


64. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur?

A) Selvari deşilmə enli keçidlərdə baş verir

B) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir

C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir

D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir

E) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir


65. Hansı deşilmə növü qazlarda elektrik boşalmasına bənzəyir?

A) Tunel


B) Selvari

C) İstilik

D) Səthi

E) Doğru cavab yoxdur


66. Səthi deşiləmədə əsas amillər hansıdır? 1.Dielektrik örtüklər 2.Səthi yüklər

3.Tətbiq olunan gərginliyin tezliyi

A) Yalnız 1

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) 1və 2


E) 1,2,3
67. p-n keçidin deşilməsi hansı halda baş verə bilər? 1.Əks qoşulmada 2.Düz

qoşulmada 3.Birtərəfli qoşulmada

A) 1


B) 2

C) 3


D)1 və 2

E)1,2,3
68. Sahə gərginliyinin kiçik qiymətlərində neytral atomların sürətli yükdaşıyıcılar



vasitəsilə zərbə ilə ionlaşması nəticəsində p-n keçidinin deşilməsi necə adlanır?

A) Selvari

B) Tunel

C) İstilik

D) Səthi

E) Həcmi
69. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? 1.Deşilmə gərginliyi bazanın xüsusi



müqavimətinə mütənasibdir. 2.Deşilmə gərginliyi keçiriciliyin növündən asılıdır

3.Deşilmə gərginliyi xarici müqavimətdən asılıdır

A) 1,2


B) 1,3

C) 2,3


D) 1,2,3

E) Doğru cavab yoxdur


70. Hansı temperaturda metallarda Fermi səviyyəsindən yuxarıda yerləşən enerji

səviyyələri boş olur?

A) -273 °C

B) 0 °C

C) 273 °C

D) 100 °C

E) 373 °C


71. Metal səthinə mənsub potensial çəpərin hündürlüyü dəyişir :

1.Xarici gərginliyin qiyməti dəyişdikdə .

2. Xarici gərginliyin istiqaməti dəyişdikdə .

3.Xaricə çıxış işi dəyişdikdə

A) 1,2


B) 2

C) 3


D) 1

E) 1,2,3
72. Yarımkeçiricinin qadağan zonasında zolaq nəzəriyyəsinə görə müxtəlif mənşəli



səth enerji səviyyələri olur.Aşağıdakılardan hansılar doğrudur?

1.Tamın enerji səviyyələri

2.Aşqarların yaratdığı enerji səviyyələri

3.Səthdəki defektlərin yaratdığı enerji səviyyələri

A) 1,2,3


B) 2

C) 3


D) 1,2

E) 1
73. Hansı halda kontakt sərhəddində böyük müqavimətə malik təbəqə yaranır?

A) Metalla-kiçik çıxış işinə malik donor yarımkeçirici kontaktında

B) Metal-metal kontaktında

C) Metalla-dielektrik kontaktında

D) Yarımkeçirici-dielektrik kontaktında

E) Metalla kiçik çıxış işinə malik akseptor yarımkeçirici kontaktında
74. Metal-yarımkeçirici kontaktında sərhəddə yaranan böyük müqavimətə malik

təbəqə necə adlanır?

A) Düzləndirici təbəqə

B) Laylı təbəqə

C) Metal təbəqəsi

D) Yarımkeçirici təbəqə

E) Aşqar təbəqə


75. Metal-yarımkeçirici kontaktı almaq üçün hansı üsuldan istifadə olunur?

A) Buxarlandırma

B) Diffuziya

C) Lehimlər

D) Elektroliz

E) Doğru cavab yoxdur


76. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə

dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır?

1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan

2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında

3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri fərqindən

A) 1,2,3


B) 2

C) 3


D) 1,2

E) 1,3
77. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə



dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır?

1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan

2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında

3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri cəmindən

A) 1,2


B) 2,3

C) 1,3


D) 3

E) 1,2,3
78. Metal-yarımkeçirici kontaktında yarımkeçiricinin səthindəki elektrik yüklərinin



miqdarı aşağıdakılardan hansılardan asılıdır?

1. Xarici potensiallar ferqindən

2.Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasından

3.Elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuzetmə dərinliyindən

A) 2,3


B) 2

C) 3


D) 1,2

E) 1
79. Metal p-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış



işindən böyük olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı işarəli yüklü təbəqə yaranır

və o necə adlanır?

A) Müsbət yüklü və antiqapayıcı

B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı

C) Müsbət yüklü və qapayıcı

D) Mənfi yüklü və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


80. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış

işindən böyük olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı işarəli yüklü təbəqə yaranır

və o necə adlanır?

A) Müsbət yüklü və qapayıcı

B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı

C) Müsbət yüklü və antiqapayıcı

D) Mənfi yüklü və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


81. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış

işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o

necə adlanır?

A) Mənfi və antiqapayıcı

B) Mənfi və qapayıcı

C) Müsbət və antiqapayıcı

D) Müsbət və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


82. Metal p-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış

işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o

necə adlanır?

A) Mənfi və qapayıcı

B) Mənfi və antiqapayıcı

C) Müsbət və antiqapayıcı

D) Müsbət və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


83. Metal-yarımkeçirici kontaktında kontakt strukturu əsasən aşağıdakılardan hansı

ilə təyin olunur?

1.Fermi səviyyələrinin qarşılıqlı yerləşməsi ilə

2.Kontakt tutumu ilə

3.Diffuziya tutumu ilə

A) 1


B) 2

C) 1 və 3

D) 2 və 3

E) 1,2,3
84. Metalla p-tip yarımkeçiricinin kontaktı zamanı onlar arasında elektron




Dostları ilə paylaş:
  1   2   3   4   5   6


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2017
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə