Richard perdriau*/ Mohamed ramdani

Modélisation VHDL-AMS haut niveau de l’activité en courant des mémoires en vue de l'optimisation de la compatibilité électromagnétique

• Richard PERDRIAU*/**

• Mohamed RAMDANI*

• Jean-Luc LEVANT***

• Anne-Marie TRULLEMANS**

• *École Supérieure d’Électronique de l’Ouest - Angers

• **DICE – Université Catholique de Louvain – Louvain-la-Neuve

• ***ATMEL - Nantes

Présentation

• Objectif

• Pourquoi modéliser l’activité interne d’un µC ?
• Pourquoi VHDL-AMS ?

• Méthodologie globale

• Principe
• Validation

• Simulation de la SRAM

• Extraction
• Modélisation
• Résultats

• Conclusion

Objectif

• Caractérisation CEM d’un CI : modèle ICEM

• Eléments passifs (réseau d’alimentation)
• Générateur de courant interne

Objectif

• Caractérisation CEM d’un CI : modèle ICEM

• Eléments passifs
• Ne dépendent pas de l’activité interne (sauf capacités dynamiques MOS dans Cb)
• Extraits par mesures (publications avec J. L. Levant, M. Ramdani)
• Générateur de courant interne
• Dépend de l’activité
• Pire cas : difficile à modéliser mais très utile
• La simulation doit être rapide mais pas nécessairement précise (20 % suffit)
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