| SEZGİN Hatice Gül
Danışman : Yard. Doç. Dr. Yasin ÖZÇELEP
Anabilim Dalı : Elektrik-Elektronik Mühendisliği
Programı : -
Mezuniyet Yılı : 2014
Tez Savunma Jürisi : Yard. Doç. Dr. Yasin ÖZÇELEP
Prof. Dr. Ayten KUNTMAN
Prof. Dr. Sıddık YARMAN
Prof. Dr. Ahmet SERTBAŞ
Doç. Dr. Fırat KAÇAR
MOSFET' lerde Aşırı Gerilim Kaynaklı Kapasite Değişimlerinin Zamana Bağlı İncelenmesi
Günümüzde yaygın bir şekilde kullanılan MOSFET' lerin geçit oksit tabakaları normal çalışma koşulları altında zaman içerisinde bozulmaya uğramaktadır. Bu durum MOSFET' lerin işlevlerini yerine getirememesine neden olmaktadır. Bu tezde, MOSFET' lere geçit ucundan normal çalışma koşullarının üzerinde bir gerilim uygulanarak MOSFET geçit oksidinin daha kısa sürede bozulması sağlanmıştır. Bu bozulmanın MOSFET' in terminal kapasiteleri üzerindeki etkileri zamana bağlı olarak incelenmiştir. Ayrıca elektriksel yormaya maruz kalan MOSFET' in karakteristik parametrelerindeki (eşik gerilimi, mobilite, çalışma direnci, vb.) değişimler de bu çalışma kapsamında ele alınmıştır.
Terminal kapasiteleri, sayısal uygulamalarda anahtarlama sürelerini ve analog uygulamalarda frekans cevabını belirlemede önemli bir rol oynamaktadır. Yorulmuş transistörler evirici ve kuvvetlendirici devrelerinde çalıştırılarak bu devrelere ait karakteristik parametreler (anahtarlama süreleri, frekans cevabı parametreleri) hesaplanmıştır. Bu karakteristik parametrelerin değişimleri üzerinden elektriksel yormanın devrelere olan etkileri incelenmiştir. Elde edilen deneysel sonuçların yanı sıra, benzetim çalışması da gerçekleştirilerek yorma etkisi modellenmiştir. Anahtarlama uygulamaları için basit ve doğru bir bozulmuş güç MOSFET modeli önerilmiştir. Kuvvetlendirici devresi açısından da üst kesim frekansının yormaya bağlı olarak değişiminin elde edilebilmesi için alternatif bir benzetim sistemi önerilmiştir. Önerilen bozulma modelleri, devre tasarımcılarına sürecin erken safhalarında devre güvenilirliğini tahmin etmede yardımcı olacaktır.
Dostları ilə paylaş: |
