İki Boyutlu Elektron Sisteminin Kuantum Kapasitans Hesapları Bu tezde kuantum Hall rejiminde iki boyutlu elektron sisteminin (2BES) elektrostatik özellikleri ve kenar durumlarında oluşan sıkıştıralabilir ve sıkıştırılamaz şeritlerin değişimi incelenmiştir. İki boyuttaki durum yoğunluğu hesabında safsızlıkların sebep olduğu Landau seviyelerinin genişlemesi de düşünülmüştür. Safsızlıklar için iki farklı durum yoğunluğu alınarak, Gaussiyen formda ve öz uyumlu Born yaklaşımı (SCBA) altında (bu yaklaşıklıkta Gaussiyenlerin kuyrukları yalnızca sonsuzda sıfır olacağı için durum yoğunluğu yarı eliptik şekilde alınmıştır), Thomas – Fermi – Poisson yaklaşıklığı kullanılarak sistemin öz iletkenlikleri hesaplanmıştır. Kapasitansı iki plaka arasında bir plakadan diğerine geçmesi için gereken iş olaran tanımladığımızda, 2BES üzerinde girilebilir durum olduğunda kapasitans hesaplanabilir. 2BES’in durum yoğunluğu ile ilgili olan bu kapasitansa kuantum kapasitans diyoruz ve iki farklı durum yoğunluğu için bu hesaplamalar yapıldı. Elde edilen sonuçların, taramalı kapasitans mikroskobu ile yapılan deney sonucu alınan sonuçlarla uyumlu olduğu görülmüştür.
