Lantan Elementinin İnce Ve Aşırı İnce Yapısının İncelenmesi
Bu çalışmada nötr Lantan elementinin (La I) ince ve aşırı ince yapısının incelenmesi amaçlandı.
Lantan elementinin aşırı ince yapısı deneysel olarak incelendi. La I elementinin
570 nm – 590 nm ve 700 nm – 825 nm dalgaboyu aralığındaki 19 farklı spektral geçişin spektrumları silindir katod boşalım ortamında boya laser ve Titan – Safir laser kullanılarak optogalvanik spektroskopi yöntemi ile ölçüldü.
La I elementinin tek pariteli 16 enerji seviyesine ait A manyetik dipol aşırı ince yapı sabiti ve B elektrik kuadropol aşırı ince yapı sabiti belirlendi. Altı A manyetik dipol ve 11 B elektrik kuadropol aşırı ince yapı sabiti ilk defa bu çalışmada elde edildi.
Lantan elementinin ince yapısı ise teorik olarak incelendi. La I elementinin tek pariteli 5d6s6p, 4f6s2, 6s26p, 5d26p, 4f5d6s konfigürasyonlarına ait ince yapı parametreleri belirlendi. 97 deneysel enerji seviyesinin 94’ü çok konfigürasyonlu fit metodu kullanılarak teorik enerji değerleri ile fit edildi.
