| Tlse Malzemesinin Elektriksel Özellikleri
Bu çalışmada, 300 Å -3200 Å kalınlık bölgesinde, hazırlanan TlSe ince filmlerinin 10 Hz- 20 MHz frekans ve 173 K- 433 K sıcaklık aralığında sıcaklığa, frekansa ve film kalınlığına bağlı olarak değişken dış elektrik alana verdiği yanıtlar incelenip, mümkün polarizasyon mekanizmaları belirlendi. Ayrıca incelenen yapıdaki alternatif iletkenlik mekanizmasının, olmak üzere davranışına uyduğu gözlendi.
Stockbarger-Bridgman yöntemiyle hazırlanmış TlSe kristallerinin 10-4 Torr vakum ortamında termal buharlaştırılmasıyla cam taşıyıcılar üzerine farklı kalınlıklarda TlSe ince filmleri oluşturuldu. Filmlerin alt ve üst elektrotları alüminyum ile hazırlandı. Elektrot olarak kullanılacak alüminyum telleri buharlaştırmak için tungsten flamanlar; külçe halinde bulunan TlSe ' ni buharlaştırmak için de molibden potalar kullanıldı.
Hazırlanan Al/ TlSe/ Al formatındaki örnekler, sıcaklık kontrol ünitesi yardımıyla farklı sıcaklıklarda tutuldu. Bu örneklerin değişken dış alana verdiği yanıtlar kullanılarak kapasite (C) ve kayıp (tan Ø) değerleri bilgisayar kontrollü dielektrik spektroskopi cihazı kullanılarak elde edildi.
Yapılan bu ölçümler sonrası ulaşılan verilerden dielektrik katsayısı, dielektrik kayıp ve alternatik iletkenlik türetilerek, TlSe' nin dielekrik özelliklerinin sıcaklığa, frekansa ve film kalınlığına bağlı davranışları belirlendi. Böylece incelenen malzemedeki mümkün polarizasyon, enerji kayıp mekanizmaları ve iletkenlik belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürdeki benzer diğer malzemelerle karşılaştırıldı.
Dostları ilə paylaş: | 
