Yadroning bo’linish rеaktsiyalari

1958 yil oxirida va 1959 yilning birinchi yarmida yarinno'tkazgich 
sanoatida yutuq yuzaga keldi. Uchta xususiy Amerika 
korporatsiyasini vakili bo'lgan uch kishi integral mikrosxemalar 
yaratilishiga to'sqinlik qilgan uchta asosiy muammolarni hal qildi. 
Texas Instruments kompaniyasining Jek Kilby birlashuv 
tamoyilini patentladi, birinchi nomukammal I IMS prototiplarini 
yaratdi va ularni ketnna- ket ishlab chiqarishga olib> keldi. 
IMSIarning hajnni ihcham, og'irligi kam, energiya sarfi kichik, 
ishonchliligi yuqori bo'lib, hozirgi kunda uch konstruktiv -
texnologik variantlarda yaratilnnoqda: qalin va yupqa pardali, 
yarinno'tkazgichli va gibrid.
6.
Интеграл микросхема (ИМС) унинг элементи ва 
компоненти.
Integral mikrosxema (IMS) o'ta ixcham, o'ta pishiq, kichik 
tannarxga ega bo'lgan va kam quvvat iste'nnol qiladigan 
radioelement yasash yo'lidagi urinishlar mahsulidir. IMS elementi

---

deb, konstruktsiyasi bo'yicha kristalI yoki asosdan ajralnnaydigan, 
ERE funktsiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS 
komponenti dee, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin 
montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan IMSning bo'lagiga 
aytiladi. Yig'ish, montaj qilish operasiyalarini bajarishda 
komponentlar mikrosxema asosiga o'rnatiladi. Qobiqsiz diod va 
tranzistorlar, kondensatorlarning maxsus turlari, kichik o'lchamli 
induktivlik g'altaklari va boshqalar sodda komponentlarga, 
murakkab komponentlarga esa - bir nechta elementdan tashkil 
topgan, masalan, diod yoki tranzistorlar yig'malari kiradi.
7.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) тавсифланиши.
Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan birvaqtda 
funktsional elektronika rivojlanmoqda. Elektronikaning bu 
yo'nalishi ananaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar 
va kondensatorlar)dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik 
hodisa (optik, magnit, akustik va h.k.)lardan foydalanish bilan 
bog'liq. Funkisonal elektronika asboblariga akustoelektron, 
magnitoelektron, kriogen asboblar va boshqalar kiradi.
8.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) белгиланиш 
тизими.
Imslar 6ta elementdan iborat bo’lgan belgilanish tizinni 
yordamida klassifikasiyalanadi: Birinchi element (K - harfi) -
IMS keng ko'lamda qo'llanilish uchun mo'ljallanganligini bildiradi. 
Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A - 
plastmassali planar, E- metall- polinnerli, chiqishlari 2qatorqililb 
yasalgan, I- shishakeramikli planar, B- qobiqsiz). Uchinchi 
element (bitta son) - IMSning konstruktiv- texnologik turini 
bildiradi (1,5,6,7- yarimo'tkazgichli, 2,4,8- gibrid, 3- boshqa: 
pardali, keramik, vakuumli). To'rtinchi element (ikkita yoki uchta

---

son) - IMS seriyasining tartib raqamini bildiradi. Ikkita son
birlalikda- aniq seriya raqamini bildiradi. Beshinchi element
(ikkita harf) - IMSning funktsional vazifasini bildiradi. Oltinchi
element birturdagi 1 IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartilb
raqamini bildiradi.
9.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) актив ва пассив 
элементлари.
Yarim o'tkazgich IMS ning faol va passiv elementlari bip>olyar 
tranzistor tuzilishi asosida amalga oshirilishi mumkin. Emitter e, 
kollektor K va b ma'lumotlar bazasining xulosalari boshqa 
elementlarning xulosalari bilan bir xil tekislikda yotadi. Ushbu 
dizayn planar deb ataladi. Planar strukturada kollektor oqimining 
uzunligi oshadi va shuning uchun bu oqimning qarshiligi 
tranzistorning bir qator parametrlariga salt)iy ta'sir ko'rsatadi. 
Kollektor maydonining qarshiligini kamaytirish uchun u n + - tipli 
past yashirin qatlamni yaratadi.
10.
Интеграл микросхемаларнинг (ракамли) асосий 
параметрлари.
Ракамли техника хозирги кунда х,исоблаш техникасининг 
асосини ташкил килиб куйидаги йуналишларда кенг 
кулланилмокда:
- Технологик жараёнларни автоматик бошкариш, техник 
хусусиятларини автоматик назорат килиш ва ташхис килиш;
- 
Электрон 
хисоблаш 
машиналарида 
административ 
бошкариш, 
илмий 
ишлар 
ва 
автоматлаштирилган 
лойих,алаштиришлар учун фойдаланилмокда.
- 
Ракамли техниканинг 
ривожланишига 
1949 
йилда

---

транзисторнинг яратилиши туртки булди. Визга маълум 
булган мантикий функция ва амалларни хосил килишда 
транзисторлардан фойдаланиш 
имконияти мавжудлиги 
ракамли техниканинг шу даражада жадал ривожланишига 
олиб келди
- 
Ракамли 
курилмалар 
деб, 
мантикий 
алгебра 
функцияларини 
амалга 
ошириш 
учун 
ишлатиладиган 
курилмаларга айтилади.
- Ракамли курилмалар кодли сузларни киритиш ва чикариш 
усулига караб кетма- кет, параллел ва аралаш турларга 
булинади.
- 
Кетма- кет ракамли курилма киришига кодли суз 
белгилари бир вактда берилмайди.
11. ИМСлар яратишнинг технологик жараёни.
Интеграл микросхема (ИМС) куп сонли транзистор, диод, 
конденсатор, резистор ва уларни бир - бирига уловчи 
утказгичларни 
ягона 
конструкцияга 
бирлаштиришни 
(конструктив 
интеграция); 
схемада 
мураккаб 
ахборот 
узгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); 
ягона технологик циклда, бир вактнинг узида схеманинг 
электрорадио 
элементлари 
(ЭРЭ) 
хосил 
килинишини, 
уланишлар амалга оширилишини ва бир вактда гурух усули 
билан куп сонли бир хил интеграл микросхемалар хосил 
килиш (технологик интеграция) ни акс эттиради. ИМС, ягона 
технологик циклда, ягона асосда тайёрланган ва ахборот 
узгартиришда маълум функцияни бажарувчи узаро электр 
жихатдан уланган ЭРЭлар мажмуасидир
Ярим утказгичли ИМС, тузилмаси.
12
.

---

Ярим утказгичли IMS- bu elementlar yarimo'tkazgich 
substratining yer osti qatlamida ishlab chiqarilgan chip (shakl. 5). 
Ushbu IMS zamonaviy mikroelektronikaning asosini tashkil etadi.
12.
Ярим утказгичли ИМС яратилишининг технологик 
жараёни.
Issiqlik oksidlanishi yarimo'tkazgich asboblarini ishlab 
chiqarishda ma'lum bo'lgan standart texnologik jarayonlardan 
farq qilmaydi. Silikon yarinno'tkazgich chip>lari texnologiyasida 
oksidli qatlamlar keyingi texnologik jarayonlarda yarinno'tkazgich 
kristalining (elementlarning, chiplarning) alohida qismlarini 
izolyatsiya qilishga xizmat qiladi. Yarinn Supero'tkazuvchilar 
integral mikrosxemalar ishlab chiqarishda eng ko'p tomonlama 
texnologik jarayon optik litografiya yoki fotolitografiya 
hisoblanadi. Fotolitografiya jarayonining mohiyati fotosensitiv 
qoplamalarda (fotorezistlar) yuz beradigan fotokinnyoviy 
hodisalardan foydalanishga asoslangan.
12.
Интеграл микросхемаларда легирлаш жараёни.