Br n°WO2007107644 du 27 septembre 2007

BR n°WO2007107644 du 27 septembre 2007


Préparation de couche mince de matériaux à transition de spin pour l’électronique

Description : La présente demande concerne un nouveau procédé d'application de couches minces de matériaux moléculaires à transition de spin, substantiellement purs avec maintien des propriétés d'hystérésis du matériau. Ledit procédé permet l'obtention d'une surface dense, homogène et de très faible rugosité.



Applications : Les matériaux à transition de spin sont connus depuis les années 30 dans leur forme massique. Le procédé de l’invention permet le dépôt de ces matériaux massiques en couche mince avec maintien des propriétés de transition de spin sans décalage ni altération.

Les applications identifiées à ce jour concernent les mémoires non volatiles et l’affichage. Dans l’application mémoires non volatiles, la technologie de l’invention peut s’inscrire comme une alternative aux technologies en place aussi bien dans le domaine des mémoires embarquées que des mémoires discrètes.

Laboratoires : Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), UPR 8001 CNRS Toulouse et Laboratoire de chimie de coordination (LCC), UPR 8241 CNRS Toulouse.
Départements scientifiques : Chimie, MP, ST2I et EDD.
Copropriétaires : CNRS et Univ. de Valence (Espagne). CNRS gestionnaire. Invention pas encore exploitée.
Inventeurs : A. Bousseksou (CNRS), G. Molnar (CNRS), S. Cobo (doctorant), L. Salmon (CNRS), J.A. Real Cabezos (Univ. Valencia) et C. Vieu (INSA Toulouse)
Référence : Nouveau procédé d’application en couche mince de matériaux moléculaires à transition de spin.

2006 FR-0002539 du 23 mars 2006