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Journées Nationales du gdr nanoélectronique
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səhifə | 1/6 | tarix | 02.01.2022 | ölçüsü | 90,79 Kb. | | #13564 |
| Journées Nationales du GDR Nanoélectronique
4èmes Journées "Hétérostructures à semiconducteurs IV-IV"
1ères Journées "Composants Micro et Nano-électroniques "
28-31 janvier 2003
CRDP
11, avenue Général Champon
Grenoble
Organisé par le GDR Nanoélectronique
(GDR n° 2054 du CNRS)
Programme préliminaire
Mardi 28 Janvier – Salle 207
9h-10h – Accueil
10h-10h15 – Ouverture des Journées (P. Hesto, F. Meyer)
10h15-12h - Technologies pour les nanocomposants
10h15-10h45
| An approach to Si nanoelectronics by using epitaxial CoSi2 nanostructures (invité)
S. Mantl, Forschung Zentrum Juelich (Allemagne)
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10h45-11h
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Épitaxie sélective de boîtes quantiques de Ge dans des motifs de Si(001)
Lam. H. Nguyen et al., IEF Orsay, CRMC2 Luminy
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11h45-12h
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Transport électronique de circuits de nanotubes de carbone monofeuillets connectés in-situ durant leur croissance
L. Marty et al., LEPES Grenoble
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Pause de midi : repas libre
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14h-15h45 – Dopage - jonctions fines
14h-14h30
| Out of equilibrium dopant diffusion (titre provisoire, invité), N. Cowern, University of Surrey (GB) |
14h30-14h45
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Défauts étendus et diffusion anormale des dopants: concepts physiques et modélisation
A.Claverie et al., CEMES-LAAS Toulouse, University of Surrey
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15h30-15h45
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Fast Monte-Carlo Simulation of Ion Implantation
A. Ferron et al., Silvaco Data Systems
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15h45-16h30 – Pause (accrochage posters)
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16h30-18h – Mémoires et structures à nanocristaux
16h30-16h45
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Croissance de nano-cristaux Si et Ge sur isolant
T. Baron et al. LTM, LPM INSA Lyon, Politecnico di Milano, CEA/LETI, CNR-IMM Catane
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16h45-17h
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Dépôt de boîtes de germanium sur diélectrique
M. Derivaz et al., CEA/DRFMC
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17h45-18h
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Localisation des charges dans une mémoire à nanogrille flottante
C. Busseret et al., LPM INSA Lyon
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