O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT VA KOMMUNIKATSION TEXNOLOGIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUXAMMAD AL-XORAZIMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Elektronika va radiotexnika kafedrasi
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan
1- MUSTAQIL ISH
Mavzu: «UMUMIY EMITTER SXEMASI BO‘YICHA YIG‘ILGAN BIPOLYAR TRANZISTORLI KUCHAYTIRGICH KASKADINI HISOBLASH»
Bajardi: CAE006 gurux talabasi
Toshpolatov Shexroz
Toshkent 2022
Ishning maqsadi: umumiy emitter sxemasi bo‘yicha yig‘ilgan BC549BP bipolyar tranzistorining kuchaytirgich kaskadlarini texnik parametrlarini hisoblash va o‘lchash bo‘yicha amaliy ko‘nikmalarni mustahkamlash.
Variantlar va dastlabki maʼlumotlar:
Variantlar
|
Tranzistor turi
|
Baza sokin
toki Ibp, mkA
|
Manba kuchlanishi Ek, V
|
Kollektor qarshiligi Rk, Om
|
Kuchaytirgichning quyi chegaraviy chastotasi fN, Gs
|
57
|
BC549BP
|
75
|
20
|
600
|
200
|
BC549BP
BC549BP tranzistorining parametrlarini hisoblash
UE sxemasi asosida BC549BP tranzistorining kirish va chiqish statik xarakteristikalarining grafigini tuzish.
UE sxemasiga asosida BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari yaʼni Uke = 0 Vva Uke = 10 V bo‘lganida Ib = f(Ube) bog‘liqlik oilasi grafigini tuzish.
Tranzistorning parametrlarini aniqlash uchun sxema yig‘iladi. 1- rasm
1- rasm. Tranzistorning kirish xarakteristikalari oilasini aniqlash
Aniqlangan IB va UBE qiymatlarini 1- jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi grafigini tuzamiz.
BC549BP tranzistorning UE sxemasiga mos ravishda Uke = 0 V va Uke
= 10 V bo‘lganda Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari oilasi
1-jadval
UKE=0V
|
UKE=10V
|
IB, mkA
|
UBE, mV
|
IB, mkA
|
UBE, mV
|
25
|
605
|
25
|
696
|
50
|
626
|
50
|
720
|
75
|
638
|
75
|
735
|
100
|
647
|
100
|
747
|
125
|
654
|
125
|
757
|
150
|
659
|
150
|
766
|
175
|
664
|
175
|
774
|
200
|
668
|
200
|
781
|
250
|
675
|
250
|
793
|
300
|
680
|
300
|
804
|
350
|
684
|
350
|
813
|
400
|
688
|
400
|
823
|
Berilgan qiymatlar asosida Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari oilasi grafigini chizamiz(2-rasm)
(2- rasm). BC549BP tranzistorining Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari oilasi grafigi
UE sxemasiga asosan BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari, yaʼni Ib = const bo‘lganida Ik = f(Uke) bog‘liqlik oilasi grafigini tuzish.
Tranzistor parametrlarini aniqlash uchun 2 sxema yig‘iladi (3- rasm)
3- rasm. Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasini aniqlash
Baza tokining Ib = 25 mkA; Ib = 50 mkA; Ib = 75 mkA; Ib = 100 mkA; Ib = 125 mkA; Ib = 150 mkA qiymatlarida tranzistorning kollektor toki Ik va kollektor va emitter orasidagi kuchlanish Uke olingan qiymatlarini 2- jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi Ib = const bo‘lganda Ik = f(Uke) grafigi tuziladi.
BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari oilasi Ik = f(Uke)
2-jadval
UKE
|
IB=25 mkA
bo‘lganda
IK
|
IB=50mkA
bo‘lganda
IK
|
IB=75 mkA
bo‘lganda
IK
|
IB=100mkA
bo‘lganda
IK
|
IB=125 mkA
bo‘lganda
IK
|
IB=150mkA
bo‘lganda
IK
|
0
|
0,29799
|
0,74952
|
1,24598
|
1,7585
|
2,27378
|
2,7842
|
0,5
|
7,317
|
14,441
|
21,092
|
27,324
|
33,198
|
38,766
|
1,0
|
7,363
|
14,536
|
21,232
|
27,506
|
33,419
|
39,025
|
2,0
|
7,46
|
14,729
|
21,513
|
27,869
|
33,861
|
39,541
|
3,0
|
7,556
|
14,92
|
21,793
|
28,233
|
34,304
|
40,058
|
4,0
|
7,653
|
15,112
|
22,074
|
28,597
|
34,746
|
40,574
|
5,0
|
7,751
|
15,305
|
22,354
|
28,961
|
35,189
|
41,091
|
6,0
|
7,846
|
15,496
|
22,634
|
29,325
|
35,632
|
41,608
|
7,0
|
7,945
|
15,688
|
22,915
|
29,687
|
36,072
|
42,125
|
8,0
|
8,041
|
15,88
|
23,197
|
30,052
|
36,516
|
42,641
|
9,0
|
8,139
|
16,071
|
23,476
|
30,417
|
36,955
|
43,157
|
10
|
8,237
|
16,264
|
23,759
|
30,781
|
37,399
|
43,675
|
15
|
8,721
|
17,222
|
25,16
|
32,598
|
39,611
|
46,256
|
20
|
9,207
|
18,186
|
26,56
|
34,415
|
41,823
|
48,839
|
Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi Ik = f(Uke) grafigini tuzamiz (4-rasm).
4-rasm. BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi
Ik = f(Uke) grafigi
BC549BP tranzistorining umumiy emitter sxemasi uchun olingan voltamper xarakteristikasidan grafik usulda h– parametrini aniqlash.
BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi Ib = f(Ube) dan, h11e ni aniqlaymiz. Tranzistorning statik rejimini aniqlovchi Uke=10 V ga mos keluvchi berilgan baza sokin toki Ibp=50 mkA qiymati yordamida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz.
h11e
ΔUbe , U
кэ
ΔIb
const.
mV.
“A” nuqtaning koordinatalri: Ibp=50 mkA, Ubep=720
“A” ishchi nuqta yaqinida bir xil masofada ikkita yordamchi nuqtalar
aniqlab olamiz va oraliq baza toki ΔIb va oraliq kuchlanish ΔUbeqiymatini aniqlab, quyidagi ifoda yordamida differensial qarshilikni topamiz::
rasmdan Ib1=25 mkA, Ib2=75 mkA, Ube1=696 mV, Ube2=735mV qiymatlarni olamiz. U holda h11equyidagicha aniqlaniladi:
5- rasm.h 11e parametrini grafik usulda aniqlash
BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi
I b = f(U be) dan, h 12e ni aniqlaymiz. Buning uchun U ke=0V xolatida olngan xarakteristikani kesishuvchi “A” nuqtadan gorizantal chiziq o‘tkazib
olamiz. BC549BP tranzistorining emitter va kollektor orasida kuchlanish orttirmasi quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:
ΔUke= Uke2 – Uke1=10V – 0V=10V
ΔUke qiymatiga asosan tranzistorning emitter va bazasi orasidagi kuchlanishi orttirmasini aniqlaymiz:
ΔUbe= Ubep4 – Ube3=720mV – 626mV=94mV
rasm.h12e parametrni grafik usulda aniqlash
h12e parametrini quyidagi ifoda yordamida aniqliymiz:
BC549BP tranzsitorining chiqish xarakteristikalari oilasi Ik = f(Uke)(Ib = const) dan h21e parametrini aniqlaymiz. Ibp = 50 mkA uchun VAX ni chiqish shaxobchasi bilan yuklamanng chiziqli kesishmasi (YEk = 5V, Rk = 300 Om) sifatida tarnzistorning chiqish xarakteristikasida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz
Ik toki o‘qi bo‘yicha Ek/ Rk = 16 mA qiymatini ajratib olamiz. Uke kuchlanishi o‘qi bo‘yicha Ek = 5V qiymatini ajratib olamiz.
rasm.h21e parametrini garfik usulda aniqlash
“A” ishchi nuqtasi uchun quyidagi koordinatalarni olamiz: Ikp =16 mA, Uke=1V. Ib1 = 25 mkA va Ib3 = 75 mkA bo‘lganidagi VAX ni shaxobchalari bilan kesishguniga qadar ishchi nuqtadan to‘g‘ri vertkal chiziq o‘tkazamiz.
Berilgan Ibpbaza toki qiymatiga yaqin qiymatda oligan ΔIb baza toki orttirmasini quyidagi ifoda yordamida aniqliymiz:
ΔIb = Ib3 – Ib1=75 mkA – 25 mkA=50mkA
Quyidagi ifoda yordamida aniqlanadigan kollektor tokining orttirmasi, ΔIb baza toki orttirmasiga mos keladi:
ΔIk = Ik2 – Ik1=20,4 mA – 14,4 mA = 6 mA
h21e parametri quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:
h21e
Ik
Ib
6mA
50mkA
Dostları ilə paylaş: |