O‘zbekiston respublikasi axborot va kommunikatsion texnologiyalarini

O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT VA KOMMUNIKATSION TEXNOLOGIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUXAMMAD AL-XORAZIMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

Elektronika va radiotexnika kafedrasi

“Elektronika va sxemalar 2” fanidan


1- MUSTAQIL ISH

Mavzu: «UMUMIY EMITTER SXEMASI BO‘YICHA YIG‘ILGAN BIPOLYAR TRANZISTORLI KUCHAYTIRGICH KASKADINI HISOBLASH»

Bajardi: CAE006 gurux talabasi

Toshpolatov Shexroz

Toshkent 2022

Ishning maqsadi: umumiy emitter sxemasi bo‘yicha yig‘ilgan BC549BP bipolyar tranzistorining kuchaytirgich kaskadlarini texnik parametrlarini hisoblash va o‘lchash bo‘yicha amaliy ko‘nikmalarni mustahkamlash.

Variantlar va dastlabki maʼlumotlar:

Variantlar	Tranzistor turi	Baza sokin ^toki^Ibp^,mkA	Manba kuchlanishi ^Ek^, V	Kollektor ^qarshiligi Rk^,Om	Kuchaytirgichning quyi chegaraviy ^chastotasi^fN^,^Gs
57	BC549BP	75	20	600	200

BC549BP

1. 
   BC549BP tranzistorining parametrlarini hisoblash
   

1. 
   UE sxemasi asosida BC549BP tranzistorining kirish va chiqish statik xarakteristikalarining grafigini tuzish.
   

UE sxemasiga asosida BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari yaʼni U_ke = 0 Vva U_ke = 10 V bo‘lganida I_b = f(U_be) bog‘liqlik oilasi grafigini tuzish.
Tranzistorning parametrlarini aniqlash uchun sxema yig‘iladi. 1- rasm

1- rasm. Tranzistorning kirish xarakteristikalari oilasini aniqlash

Aniqlangan I_B va U_BE qiymatlarini 1- jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi grafigini tuzamiz.

BC549BP tranzistorning UE sxemasiga mos ravishda U_ke = 0 V va U_ke

= 10 V bo‘lganda I_b = f(U_be) kirish xarakteristikalari oilasi

1-jadval

^UKE^=0V		^UKE^=10V
^IB^,^mkA	^UBE^,^mV		^IB^,^mkA	^UBE^,^mV
25	605		25	696
50	626		50	720
75	638		75	735
100	647		100	747
125	654		125	757
150	659		150	766
175	664		175	774
200	668		200	781
250	675		250	793
300	680		300	804
350	684		350	813
400	688		400	823

Berilgan qiymatlar asosida I_b = f(U_be) kirish xarakteristikalari oilasi grafigini chizamiz(2-rasm)

(2- rasm). BC549BP tranzistorining I_b = f(U_be) kirish xarakteristikalari oilasi grafigi

UE sxemasiga asosan BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari, yaʼni I_b = const bo‘lganida I_k = f(U_ke) bog‘liqlik oilasi grafigini tuzish.

Tranzistor parametrlarini aniqlash uchun 2 sxema yig‘iladi (3- rasm)
3- rasm. Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasini aniqlash

Baza tokining I_b = 25 mkA; I_b = 50 mkA; I_b = 75 mkA; I_b = 100 mkA; I_b = 125 mkA; I_b = 150 mkA qiymatlarida tranzistorning kollektor toki I_k va kollektor va emitter orasidagi kuchlanish U_ke olingan qiymatlarini 2- jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi I_b = const bo‘lganda I_k = f(U_ke) grafigi tuziladi.

BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari oilasi I_k = f(U_ke)
2-jadval

^UKE	^IB^=25 mkA bo‘lganda ^IK	^IB^=50mkA bo‘lganda ^IK	^IB^=75 mkA bo‘lganda ^IK	^IB^=100mkA bo‘lganda ^IK	^IB^=125 mkA bo‘lganda ^IK	^IB^=150mkA bo‘lganda ^IK
0	0,29799	0,74952	1,24598	1,7585	2,27378	2,7842
0,5	7,317	14,441	21,092	27,324	33,198	38,766
1,0	7,363	14,536	21,232	27,506	33,419	39,025
2,0	7,46	14,729	21,513	27,869	33,861	39,541
3,0	7,556	14,92	21,793	28,233	34,304	40,058
4,0	7,653	15,112	22,074	28,597	34,746	40,574
5,0	7,751	15,305	22,354	28,961	35,189	41,091
6,0	7,846	15,496	22,634	29,325	35,632	41,608
7,0	7,945	15,688	22,915	29,687	36,072	42,125
8,0	8,041	15,88	23,197	30,052	36,516	42,641
9,0	8,139	16,071	23,476	30,417	36,955	43,157
10	8,237	16,264	23,759	30,781	37,399	43,675
15	8,721	17,222	25,16	32,598	39,611	46,256
20	9,207	18,186	26,56	34,415	41,823	48,839

Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi I_k = f(U_ke) grafigini tuzamiz (4-rasm).

4-rasm. BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi

I_k = f(U_ke) grafigi

2. 
   BC549BP tranzistorining umumiy emitter sxemasi uchun olingan voltamper xarakteristikasidan grafik usulda h– parametrini aniqlash.
   

BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi I_b = f(U_be) dan, h_11e ni aniqlaymiz. Tranzistorning statik rejimini aniqlovchi U_ke=10 V ga mos keluvchi berilgan baza sokin toki I_bp=50 mkA qiymati yordamida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz.

^h11e
 ^ΔUbe , U

кэ
ΔI_b
 const.

mV.
“A” nuqtaning koordinatalri: I_bp=50 mkA, U_bep=720

“A” ishchi nuqta yaqinida bir xil masofada ikkita yordamchi nuqtalar

aniqlab olamiz va oraliq baza toki ΔI_b va oraliq kuchlanish ΔU_beqiymatini aniqlab, quyidagi ifoda yordamida differensial qarshilikni topamiz::

5. 
   rasmdan I_b1=25 mkA, I_b2=75 mkA, U_be1=696 mV, U_be2=735mV qiymatlarni olamiz. U holda h_11equyidagicha aniqlaniladi:
   

5- rasm.h_11e parametrini grafik usulda aniqlash

BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi

I_b = f(U_be) dan, h_12e ni aniqlaymiz. Buning uchun U_ke=0V xolatida olngan xarakteristikani kesishuvchi “A” nuqtadan gorizantal chiziq o‘tkazib

olamiz. BC549BP tranzistorining emitter va kollektor orasida kuchlanish orttirmasi quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:

ΔU_ke= U_ke2 – U_ke1=10V – 0V=10V

ΔU_ke qiymatiga asosan tranzistorning emitter va bazasi orasidagi kuchlanishi orttirmasini aniqlaymiz:

ΔU_be= U_bep4 – U_be3=720mV – 626mV=94mV

5. 
   rasm.h_12e parametrni grafik usulda aniqlash
   

h_12e parametrini quyidagi ifoda yordamida aniqliymiz:

BC549BP tranzsitorining chiqish xarakteristikalari oilasi I_k = f(U_ke)(I_b = const) dan h_21e parametrini aniqlaymiz. I_bp = 50 mkA uchun VAX ni chiqish shaxobchasi bilan yuklamanng chiziqli kesishmasi (YE_k = 5V, R_k = 300 Om) sifatida tarnzistorning chiqish xarakteristikasida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz
I_k toki o‘qi bo‘yicha E_k/ R_k = 16 mA qiymatini ajratib olamiz. U_ke kuchlanishi o‘qi bo‘yicha E_k = 5V qiymatini ajratib olamiz.

5. 
   rasm.h_21e parametrini garfik usulda aniqlash
   

“A” ishchi nuqtasi uchun quyidagi koordinatalarni olamiz: I_kp =16 mA, U_ke=1V. I_b1 = 25 mkA va I_b3 = 75 mkA bo‘lganidagi VAX ni shaxobchalari bilan kesishguniga qadar ishchi nuqtadan to‘g‘ri vertkal chiziq o‘tkazamiz.

Berilgan I_bpbaza toki qiymatiga yaqin qiymatda oligan ΔI_b baza toki orttirmasini quyidagi ifoda yordamida aniqliymiz:

ΔI_b = I_b3 – I_b1=75 mkA – 25 mkA=50mkA

Quyidagi ifoda yordamida aniqlanadigan kollektor tokining orttirmasi, ΔI_b baza toki orttirmasiga mos keladi:

ΔI_k = I_k2 – I_k1=20,4 mA – 14,4 mA = 6 mA

h_21e parametri quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:

^h21e
_ I_k
I_b
 6mA
50mkA