4117a-Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri Mamedova Arzu
Yüklə 108,17 Kb.
|
|
4117a-Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri - Mamedova Arzu 1. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır? 1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından. 2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından. 3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından. 4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından. A) 1,2,3
B) 1,2,3,4 C) 1,2,4
D) 2,3,4 E) 2,4,5
A) 300 B) 200
C) 100 D) 50
E) 150 E) 107
1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından. 2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından. 3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından. 4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından. A) 4 B) 2
C) 3 D) 1
E) 1,2,3,4 4. Mikrosxemlərdən hansı metallarda istifadə olunur? 1.Qələvi metallardan 2.Xassələrinə görə bir-birindən kəskin fərqlənən metallardan 3. Xassələrinə görə oxşar olan metallardan A) 2 B) 1
C) 3 D) 1,2
E) 2,3 5. İMS-lərin üzərində yazılmış I element (rəqəm) nəyi göstərir? A) Qrupunu B) Təyinatını C) Yarımqrupunu D) Ölçüsünü E) Seriyasını 6. İMS-lərin üzərində yazılmış İMS-lərin üzərində yazılmış IV element (rəqəm) nəyi göstərir? A) Yarımqrupuna görə seriyasını B) Təyinat xüsusiyyətinə görə seriyasını C) Etibarlılığını D) Elektron qurğusu olduğunu E) Seriya nömrəsini 7. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupuna aid olduğunu göstərir? A) 2,4,6,8 B) 1,5,7,8 C) 2,3,4,6,7 D) 1,3,4.5 E) 2,3,4,8 8 .MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun təbəqəli olduğunu göstərir? A) 3
B) 2 C) 1
D) 4 E) 5
A) 5 B) 3
C) 4 D) 2
E) 6 10. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun yarımkeçirici qrupundan olduğunu göstərir? A) 1
B) 2 C) 3
D) 4 E) 6
A) 2 B) 1
C) 3 D) 5
E) 7 12. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu göstərir? A) 4
B) 1 C) 3
D) 5 E) 7
A) 6 B) 3
C) 5 D) 1
E) 7 14. İnteqral mikrosxemlərin tətbiqindən əvvəl qurğular nəyin üzərində yığılırdı? A) Çap platalarının B) Keramikanın C) Şüşənin D) Ebonitin E) Misin
A) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı B) Məlumatın uzağa ötürülməsində C) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı E) Doğru cavab yoxdur
A) Məlumatın məkanda ötürülməsi zamanı B) Məlumatın uzağa ötürülməsində C) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı E) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı 17. Analoq siqnalı dedikdə nə başa düşülür? A) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası B) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası D) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları E) Doğru cavab yoxdur 18. Diskret siqnallar dedikdə nə başa düşülür? A) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları B) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası D) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası E) Doğru cavab yoxdur 19. Siqnalları xarakterizə edən parametrlər hansı əsas qruplara bölünür? 1.Struktur 2.İdentifikasiyaedici 3. Məlumat daşıyan 4.Məlumat mənbəyi A) 1,2,3 B) 2 və 3 C) 1 və 2 D) 2,3,4 E) 1,3,4
A) Struktur B) Məlumat C) İdentifikasiyaedici D) Xətti E) Keçid
A) Diskret siqnal B) Analoq siqnal C) Sabit analoq siqnal D) Dəyişən analoq siqnal E) Sinusoidal siqnal
A) Diskret B) Dəyişən analoq C) Sabit analoq D) Sinusoidal E) Harmonik 23. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir.Bunlardan hansı doğru deyildir? 1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından. 2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından. 3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından. 4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından. A) 4
B) 2 C) 3
D) 1 E) 1,2,3,4 24. İMS-lərin əsasını və iş prinsipini bərk maddələrin kontakt hadisəsində harada gedən fiziki-kimyəvi proseslər təşkil edir? 1.Bərk maddələrin həcmlərində 2. Bərk maddələrin toxunan sərhəddində 3.Bərk maddələrin səthlərində A) 2,3 B) 2
C) 3 D) 1,2
E) 1 24. İMS-lərin üzərində yazılmış II element (2 hərf ) nəyi göstərir? 1.Yarımqrupunu 2. Seriyasını 3. Təyinatını 4.Qrupunu A) 2,4 B) 1,4
C) 2,3 D) 1,3
E) 3,4 25. Hansı parametrlər faydalı siqnalı digər (lazım olmayan) siqnalların içərisindən seçib ayırır? A) Məlumat B) Struktur C) İdentifikasiyaedici D) Xətti E) Keçid
A) Amplitud siqnalı B) Tezlik siqnalı C) Fəza spektri D) Harmonik spektri E) Doğru cavab yoxdur.
A) Dəyişən analoq siqnalı B) Sabit analoq siqnalı C) Diskret siqnal D) Sinusoidal siqnal E) İmpuls siqnalı 28. Zolaq nəzəriyyəsinə görə bərk cisimlərdə enerjinin mümkün olan göstərilən qiymətləri bir-birindən nə ilə ayrılır? A) Enerjinin qadağan olunmuş qiymətləri ilə B) Enerjinin ən kiçik qiymətləri ilə C) Enerjinin ən böyük qiymətləri ilə D) Enerjinin diskret qiymətləri ilə E) Enerjilərin növləri ilə 29. Atomun əsas fiziki, kimyəvi xassələrini hansı elektronlar müəyyən edirlər? A) Valent elektronları B) Cütləşməmiş elektronlar C) Eyni spinə malik elektronlar D) Spinləri əks olan elektronlar E) Doğru cavab yoxdur 30. Sredinger tənliyinə görə zərrəcik hansı halda sərbəst olur? A) U=0
B) U>0 C) U<0
D) U≥E E) U≤E
1.Dalğa funksiyası kəsilməz olmalıdır 2.Dalğa funksiyasının törəməsi 3. Dalğa funksiyası birqiymətli olmalıdır A) Doğru cavab yoxdur B) 2 C) 3
D) 1,2,3 E) 1
A) Valent elektronları B) Cütləşməmiş elektronlar C) Eyni spinə malik elektronlar D) Spinləri əks olan elektronlar E) Doğru cavab yoxdur
A) Elektrona uyğun dalğaların durğun dalğa olması ilə B) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun artması ilə C) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun azalması ilə D) Elektronun dalğa uzunluğunun dəyişməsi ilə E) Doğru cavab yoxdur 34. Yarımkeçirici diodda neçə elektron deçik keçidi mövcuddur? A) 1
B) 3 C) 2
D) 5 E) 4
A) Generasiya B) Rekombinasiya C) İnjeksiya D) Ekstraksiya E) Diffuziya
A) Rekombinasiya B) Generasiya C) İnjeksiya D) Ekstraksiya E) Diffuziya 37. Yarımkeçirici kristalda 1 V/sm sahə gərginliyində yüklü hissəciklərin istiqamətlənmiş sürəti necə adlanır? A) Yürüklük B) İstilikkeçirmə C) Diffuziya D) Keçiricilik E) Diffuziya cərəyanı 38. Aşqarsız yarımkeçiricilər haqqında aşağıdakı fikirlərdən hansıları səhvdir? Elektronların istiqamətlənmiş sürəti: I Temperaturla düz mütənasibdir. II Temperaturla tərs mütənasibdir. III Orta istilik sürətilə düz mütənasibdir. A) I və III B) Yalnız II C) Yalnız III D) I və II E) Yalnız I 39. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir? A) Hər iki qat üçün eyni olur B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur E) Doğru cavab yoxdur 40. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir? A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması B) Fəza yüklərinin təsiri C) Keçidin eninin dəyişməsi D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası E) Doğru cavab yoxdur 41. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar? A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında E) Doğru cavab yoxdur 42. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı tərtibdə olar? A) 0.33 nm B) 0.23 nm C) 0.53 nm D) 0.66 nm E) 0.63 nm 43. Əgər I Bor orbitindəki elektron (U=150 V) sürətləndirilmiş olarsa onun dalğa uzunluğu hansı tərtibdə olar? A) 0.1 nm B) 0.01 nm C) 0.11 nm D) 0.011 nm E) 1 nm
A) Deşiklər B) Elektronlar C) Protonlar D) Fotonlar E) Elekron və deşiklər
A) Elektronlar B) Deşiklər C) Protonlar D) Fotonlar E) Elekron və deşiklər 46. Aşağıdakılardan hansılarda elektrik keçiriciliyi müşahidə olunur? 1.Metallar 2.Yarımkeçiricilər 3.Nazik təbəqəli dielektrik A) 1,2,3 B) 2,3
C) 1,3 D) 1,2
E) Heç birində 47. Dielektriklər üçün xüsusi keçiricilik: A) σ < 10-14 Om-1·sm-1 B) σ >10-4 Om-1·sm-1 C) σ >10-14 Om-1·sm-1 D) σ >10-1 Om-1·sm-1 E) σ >10-10 Om-1·sm-1 48.Aşağıdakılardan hansılar elektrtron yarımkeçiricilərə aiddir? 1.ZnS
2.Si 3.CdS
4.B A) 1,2,3,4 B) 2,3,4 C) 1,2,3
D) 1,2 E) Heç biri 49. Adi şəraitdə aşağıdakılardan elektrik cərəyanını keçirməyəni göstərin? 1.Metallar 2.Dielektriər 3.Yarımkeçiricilər A) 2,3 B) 1,2
C) 1 D) 3
E) Heç biri keçirmir 50. n-tip yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir? A) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində C) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda E) Doğru cavab yoxdur 51. Məxsusi yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir? A) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində C) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda E) Doğru cavab yoxdur 52. Dayaz enerji səviyyəsi hansıdır? A) Donor və akseptor B) Yalnız akseptor C) Yalnız donor D) Yalnız Fermi E) Doğru cavab yoxdur 53. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyasında aşağıdakılardan hansı səviyyə əsas rol oynayır? 1.Dayaz
2.Dərin 3.Fermi
A) 2 B) 1
C) 3 D) 1,2,3
E) 1 və 3 54. Yarımkeçiricilərdən elektrik cərayanı keçməsinə təsir edən rekombinasiya növləri hansılardır? 1.Birbaşa zolaq-zolaq rekombinasiyası 2.Aşqar mərkəzlərinin rekombinasiyası 3.Səth rekombinasiyası 4.Elektron cütlərinin rekombinasiyası A) 1,2,3
B) 1,3 C) 1,2,3,4 D) 2,3,4 E) 4
A) Konsentrasiya qradienti ilə B) Sürət qradienti ilə C) Tempratur qradienti ilə D) Tezlik qradienti ilə E) Doğru cavab yoxdur
1.Sürət qradienti 2.Potensial qradienti 3. Tempratur qradienti A) 2 B) 1
C) 3 D) 1,2
E) 2,3 57. p-n keçidində injeksiya hadisəsi nə vaxt baş verər? A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks yönələrsə B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönələndə D) p-n keçidini qızdırdıqda E) Doğru cavab yoxdur 58. p-n keçidində ekstraksiya hadisəsi nə zaman baş verə bilər? A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönələndə B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks yönələrsə C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda D) p-n keçidini qızdırdıqda E) Doğru cavab yoxdur 59. p-n keçidini xarici sahəyə qoşduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönəldikdə sərhəd yaxınlığında qeyri-əsas yükdaşıyıcıların (np və pn) konsentrasiyalarının azalması prosesi necə adlanır? A) Ekstraksiya B) Dreyf C) İnjeksiya D) Diffuziya E) Generasiya 60. Aşağıdakı deşilmələrdən hansılar elektrik sahəsinin mövcudluğu ilə əlaqədardır? 1.Tunel 2.Selvari 3.Səthi 4.İstilik deşilməsi A) 1 və 2 B) 1 və 3 C) 2 və 4 D) 2 və 3 E) 3 və 4
A) İstilik B) Selvari C) Tunel
D) Səthi E) Doğru cavab yoxdur 62. Səthi deşilmənin baş vermə ehtimalını necə azaltmaq olar? A) Yüksək dielektrik sabitinə malik örtükdən istifadə etməklə B) Metal örtükdən istifadə etməklə C) Xarici müqaviməti azaltmaqla D) Xarici müqaviməti artırmaqla E) Doğru cavab yoxdur 63. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? A) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir B) Tunel deşilməsi ensiz keçidlərdə baş verir C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir C) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir 64. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? A) Selvari deşilmə enli keçidlərdə baş verir B) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir E) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir 65. Hansı deşilmə növü qazlarda elektrik boşalmasına bənzəyir? A) Tunel
B) Selvari C) İstilik D) Səthi E) Doğru cavab yoxdur 66. Səthi deşiləmədə əsas amillər hansıdır? 1.Dielektrik örtüklər 2.Səthi yüklər 3.Tətbiq olunan gərginliyin tezliyi A) Yalnız 1 B) Yalnız 2 C) Yalnız 3 D) 1və 2
E) 1,2,3 67. p-n keçidin deşilməsi hansı halda baş verə bilər? 1.Əks qoşulmada 2.Düz qoşulmada 3.Birtərəfli qoşulmada A) 1
B) 2 C) 3
D) 1 və 2 E) 1,2,3
A) Selvari B) Tunel
C) İstilik D) Səthi
E) Həcmi 69. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? 1.Deşilmə gərginliyi bazanın xüsusi müqavimətinə mütənasibdir. 2.Deşilmə gərginliyi keçiriciliyin növündən asılıdır 3.Deşilmə gərginliyi xarici müqavimətdən asılıdır A) 1,2
B) 1,3 C) 2,3
D) 1,2,3 E) Doğru cavab yoxdur 70. Hansı temperaturda metallarda Fermi səviyyəsindən yuxarıda yerləşən enerji səviyyələri boş olur? A) -273 °C B) 0 °C C) 273 °C D) 100 °C E) 373 °C 71. Metal səthinə mənsub potensial çəpərin hündürlüyü dəyişir : 1. Xarici gərginliyin qiyməti dəyişdikdə . 2. Xarici gərginliyin istiqaməti dəyişdikdə . 3. Xaricə çıxış işi dəyişdikdə A) 1,2 B) 2
C) 3 D) 1
E) 1,2,3 72. Yarımkeçiricinin qadağan zonasında zolaq nəzəriyyəsinə görə müxtəlif mənşəli səth enerji səviyyələri olur.Aşağıdakılardan hansılar doğrudur? 1.Tamın enerji səviyyələri 2.Aşqarların yaratdığı enerji səviyyələri 3.Səthdəki defektlərin yaratdığı enerji səviyyələri A) 1,2,3 B) 2
C) 3 D) 1,2
E) 1 73. Hansı halda kontakt sərhəddində böyük müqavimətə malik təbəqə yaranır? A) Metalla-kiçik çıxış işinə malik donor yarımkeçirici kontaktında B) Metal-metal kontaktında C) Metalla-dielektrik kontaktında D) Yarımkeçirici-dielektrik kontaktında E) Metalla kiçik çıxış işinə malik akseptor yarımkeçirici kontaktında 74. Metal-yarımkeçirici kontaktında sərhəddə yaranan böyük müqavimətə malik təbəqə necə adlanır? A) Düzləndirici təbəqə B) Laylı təbəqə C) Metal təbəqəsi D) Yarımkeçirici təbəqə E) Aşqar təbəqə 75. Metal-yarımkeçirici kontaktı almaq üçün hansı üsuldan istifadə olunur? A) Buxarlandırma B) Diffuziya C) Lehimlər D) Elektroliz E) Doğru cavab yoxdur 76. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır? 1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan 2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında 3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri fərqindən A) 1,2,3 B) 2
C) 3 D) 1,2
E) 1,3 77. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır? 1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan 2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında 3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri cəmindən A) 1,2 B) 2,3
C) 1,3 D) 3
E) 1,2,3 78. Metal-yarımkeçirici kontaktında yarımkeçiricinin səthindəki elektrik yüklərinin miqdarı aşağıdakılardan hansılardan asılıdır? 1. Xarici potensiallar ferqindən 2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasından 3. Elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuzetmə dərinliyindən A) 2,3
B) 2 C) 3
D) 1,2 E) 1
A) Müsbət yüklü və antiqapayıcı B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı C) Müsbət yüklü və qapayıcı D) Mənfi yüklü və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır
A) Müsbət yüklü və qapayıcı B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı C) Müsbət yüklü və antiqapayıcı D) Mənfi yüklü və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 81. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır? A) Mənfi və antiqapayıcı B) Mənfi və qapayıcı C) Müsbət və antiqapayıcı D) Müsbət və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 82. Metal p-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır? A) Mənfi və qapayıcı B) Mənfi və antiqapayıcı C) Müsbət və antiqapayıcı D) Müsbət və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 83. Metal-yarımkeçirici kontaktında kontakt strukturu əsasən aşağıdakılardan hansı ilə təyin olunur? 1.Fermi səviyyələrinin qarşılıqlı yerləşməsi ilə 2.Kontakt tutumu ilə 3.Diffuziya tutumu ilə A) 1 B) 2
C) 1 və 3 D) 2 və 3 E) 1,2,3
1. Elektronlar metaldan yarımkeçiriciye keçir 2.Elektronlar metaldan yarımkeçiriciye keçmir 3.Yarımkeçiricinin səthə yaxın qatında əlavə elektronlar yaranır 4.Yarımkeçiricidə rekombinasiya surətlənir A) 1,3,4 B) 2,3,4 C) 2,3
D) 2,4 E) Doğru cavab yoxdur 85. Kontakt hadisəsində metalla yarımkeçirici arasındakı elektron mübadiləsini nə ilə xarakterizə edirlər? A) Çıxış işlərinin fərqi B) Fermi səviyyələrinin fərqi C) Diffuziya əmsalları fərqi D) Konsentrasiya qradiyentləri fərqi E) Doğru cavab yoxdur 86. Metalla yarımkeçiricinin kontakt qatındakı potensial çəpəri necə adlanır? A) Şottki səddi B) Fermi səddi C) Donor səddi D) Akseptor səddi E) Doğru cavab yoxdur 87. Heterokeçid hansı keçidə deyilir? A) Qadağan olunmuş zonalarının eni müxtəlif olan iki yarımkeçiricinin təmasına B) Qadağan olunmuş zonalarının eni eyni olan iki yarımkeçiricinin təmasına C) Yarımkeçirici-dielektrik təmasına D) Dielektrik- metal təmasına E) Doğru cavab yoxdur 88.Qeyri-düzləndirici omik təmaslar (kontaktlar) nece alınır? A) Metal-yarımkeçirici B) Metal-metal C) Yarımkeçirici-yarımkeçirici D) Metal-dielektrik E) Yarımkeçirici-dielektrik 89. Şottki diodlar hansı kontaktlardan (təmaslardan) alınır? A) Metal-yarımkeçirici C) Metal-metal C) Yarımkeçirici-yarımkeçirici D) Metal-dielektrik E) Yarımkeçirici-dielektrik 90. Omik təmaslardan (kontaktlardan) əsasən harada istifadə olunur? A) Yarımkeçirici qata çıxış məftili qoşulanda B) İnduktivlik almaq üçün C) Tutum almaq üçün D) Düzləndirmə almaq üçün E) Doğru cavab yoxdur 91. n-tip yarımkeçiricidən elektronun tam çıxış işi hansı halda azalır? 1.Donor aşqarın miqdarı artdıqda. 2.Akserptor aşqarın miqdarı azaldıqda. 3.Donor aşqarın miqdarı azaldıqda. 4. Akserptor aşqarın miqdarı artdıqda A) 1,2
B) 2,3 C) 1,4
D) 2,3 E) Doğru cavab yoxdur 92. Şokli nəzəriyyəsinə görə p-n keçid modelinin tərkibinə aşağıdakılardan hansılar daxildir? 1.Elektronlar 2.Deşiklər 3.Aşqar mərkəzlər A) 1,2,3 B) 2
C) 1,3 D) 2,3
E) 1 93. Real p-n keçidin VAX-ının düzgün ifadəsi hansıdır? (İD və UD-düz keçidin cərəyan və gərginliyidir) A) İ=İ0(exp((UD-İDr1) ) -1 B) İ=İ0exp(UD-İDr1) C) İ=İ0(exp(UD-İDr1) -1) D) İ=İ0(exp(İDr1-UD) -1) E) ) İ=İ0(exp(İDr1-UD) +1) 94. Nazik diod nəyə deyilir?(L-yükdaşıyıcının yolu) A) n və ya p təbəqələrindən birinin qalınlığı d≤L B) n və ya p təbəqələrindən birinin d qalınlığı d< C) n və ya p təbəqələrindən birinin qalınlığı d>>L D) n və p təbəqənin hər ikisinin qalınlığı d>L
E) n və p təbəqənin hər ikisinin qalınlığı d< 1.Eyni bir kristalın bir hissəsi aşqarlandıqda 2.İki müxtəlif kristala eyni aşqar daxil etdikdə
3.Eyni bir kristala iki müxtəlif aşqar daxil etdikdə A) 1
B) 1və 2
D) 2
A) Sərbəst yükdaşıyıcıları olmayan həcmi yüklər oblastı B) Bağlayıcı təbəqə
C) Düz keçid D) Tərs keçid
E) Kristal təbəqədəki defektlər 1.Xarici gərginlik buraxıcı istiqamətdə yönəldikdə 2. Xarici gərginlik buraxıcı istiqamətin əksinə yönəldikdə
3. Xarici gərginlik sıfır olduqda A) 1
B) 2
D) 1,2
E) 2,3 98. Hansı halda yarımkeçirici diod özünü induktiv element kimi aparır? 1. Dioddan əks cərəyan keçdikdə 2. Dioddan buraxıcı istiqamətdə cərəyan keçdikdə 3.Diod qızdırıldıqda A) 2 B) 1
C) 1,3 D) 1,2,3
E) Yalnız 1 99. p-n keçiddə p və n hissələrində kontaktyanı oblastlarda hansı hadisənin baş verməsi induktivliyin yaranmasına səbəb olur? 1.Regenerasiya hadisəsi 2.Rekombinasiya hadisəsi 3. Ekstraksiya hadisəsi 4.İnjeksiya hadisəsi A) 2
B) 1 C) 3
D) 4 E) 1,2,3,4 100. Aşağıdakı elementlərin hansından mikrosxemlərdə kondensator kimi istifadə olunur?
A) Yarımkeçirici dioddan B) Yarımkeçirici tranzistordan C) Lampalı dioddan D) Trioddan E) Rezistordan
A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası 102. p-n keçiddə gərginlik əks istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir? A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası 103. Real p-n keçiddə tam müqavimət nədən ibarətdir? A) Bağlayıcı təbəqənin müqaviməti ilə deşik və ya elektron oblastlarının müqavimətləri cəmindən B) Deşik oblastının müqavimətindən C) Elektron oblastının müqavimətindən D) Doğru cavab yoxdur A) Bağlayıcı təbəqənin müqavimətindən 104. Şottki diodun başqa p-n keçidli diodlardan əsas fərqi nə ilə əlaqadardır? A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası E) Doğru cavab yoxdur 105. p-n keçidli diodların yüksək tezliklərdə işləmələrinə mane olan əsas səbəb nədir? A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası E) Doğru cavab yoxdur 106. Şottki diodların hazırlanmasında əsas hansı yarımkeçirici maddədən istifadə olunur?
A) Si B) Se
C) Ge D) İn
E) Kd 107. Tunel diodu ilk dəfə hansı ölkədə hazırlanmışdır? A) Yaponiyada B) Almaniyada C) Fransada A) Çində E) Rusiyada 108. Aşağıdakı cihazlardan hansının iş prinsipi diodun tutm xassəsinə əsaslanır? A) Varikap B) Tunel diodu A) Şottki diod D) Vakuum diodu E) Stabilitron 109. Aşağıdakılardan hansı yalnız sabit cərəyan gərginliyi üçündür? A) Stabilitron B) Tunel diodu C) Varikap D) Vakuum diodu E) Şottki diod 110. Aşağıdakı diodlardan hansından dəyişən tutumlu kondensator kimi istifadə oluna bilər? A) Varikap B) Tunel diodu C) Stabilitron D) Impuls diodu E) Şottki diodu 111. p-n keçiddə elektrik deşilməsindən hansı diodda istifadə olunur? A) Stabilitron B) Tunel diodu C) Impuls diodu D) Varikap E) Şottki diodu 112. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların nisbətən kiçik konsentrasiyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir? A) Selvari B) Səthi C) Tunel
D) Selvari və Tunel E) Doğru cavab yoxdur 113. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların yüksək konsentrasiyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir? A) Tunel
B) Səthi C) Selvari D) Selvari və Tunel E) Doğru cavab yoxdur 114. Yarımkeçirici stabilitronlardan hansı stablizatorlarda istifadə olunur? 1.Parametrik 2.Kompensasiyalı 3.Körpü A) 1 və 2 B) Yalnız 2 C) Yalnız 3 D) Yalnız 1 E) 1,2,3
A) Xüsusi müqavimətini B) Stabilləşmə gərginliyini C) Stabilləşmə cərəyanını D) Müqavimətini E) Gərginliyini,müqavimətini 116. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar neçə cür olur? A) 2
B) 3 C) 4
D) 6 E) 5
A) Nöqtəvi,müstəvi B) Dayaq
C) Dayaq,müstəvi D) Müstəvi,dayaq E) İmpuls,nöqtəvi
A) Hansı sahədə B) Keçiddə C) Stabilləşmədə D) Keçiddə,stabilləşmədə E) Elektrik deşilməsində 119. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası aşağıdakı cihazların hansında əsas rol oynayır? A) Sahə tranzistoru B) Vakuum diodu C) Triod
D) Bipolyar tranzistor E) Varikap 120. Bipolyar tranzistorda hansı cərəyana idarəedici cərəyan deyilir? A) Emitter cərəyanına B) Baza cərəyanına C) Kollektor cərəyanına D) Düz cərəyana E) Əks cərəyana 121. Bipolyar tranzistorda gücləndiriləcək siqnal hara qoşulur? A) Emitter dövrəsinə B) Kollektor dövrəsinə C) Baza dövrəsinə D) Kollektor və bazaya E) Cərəyan güclənmir 122. Bipolyar tranzistorlar sxemə əsasən neçə üsulla qoşulur? A) 3
B) 2 C) 1
D) 4 E) 5
A) Aktiv rejim B) Kəsmə rejimi C) Doyma rejimi D) İnvers rejimi E) Bütün rejimlər
A) Cərəyanla B) Gərginliklə C) Tutumla D) İnduktivliklə E) Doğru cavab yoxdur 125. Aşağıdakılardan hansı doğrudur? Bipolyar tranzistorlar alınır: 1.Əritmə üsulu ilə 2.Diffuziya üsulu ilə 3.Çökdürmə üsulu ilə A) 1 və 2 B) 2 və 3 C) 1 və 3 D) 1,2,3
E) Doğru cavab yoxdur 126. p-n-p tipli bipolyar tranzistorun aktiv rejimində xarici gərginlik mənbələri emitter və kollektor keçidlərinə necə qoşulur? A) Emitter keçidinə düz,kollektor keçidinə tərs qoşulur B) Emitter keçidinə tərs, kollektor keçidinə isə düz qoşulur C) Hər ikisinə düz qoşulur D) Hər ikisinə tərs qoşulur E) Doğru cavab yoxdur 127. Emitter keçidinin işi necə qiymətləndirilir? A) İnjeksiya əmsalı ilə B) Ekstraksiya əmsalı ilə C) Gərginliyin qiyməti ilə D) Cərəyanın qiyməti ilə E) Diffuziya əmsalı ilə 128. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir? A) Deşiklərin bazadan keçmə əmsalını B) İnjeksiya əmsalını C) Güc əmsalını D) Ekstraksiya əmsalını E) Cərəyana görə ötürmə əmsalını 129. Aşağıdakılardan hansı doğrudur? A) Emitter cərəyanı idarə edən, kollektor cərəyanı idarə olunandır. B) Emitter cərəyanı idarə olunan, kollektor cərəyanı idarə edəndir. C) Emitter cərəyanı idarə olunan, baza cərəyanı idarə edəndir. D) Kollektor cərəyanı idarə edən , baza cərəyanı idarə olunandır. E) Dogru cavab yoxdur 130. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur? A) Giriş elektrodunun dövrəsinə B) Çıxış elektrodunun dövrəsinə C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə D) Xarici dövrəyə E) Dogru cavab yoxdur 131. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur? A) Çıxış elektrodunun dövrəsinə B) Giriş elektrodunun dövrəsinə C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə D) Xarici dövrəyə E) Dogru cavab yoxdur 132. Bipolyar tranzistorda ümumi baza ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir? 1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə A) 2 və 3 B) 1 və 3 C) 1 və 2 D) Yalnız 1 E) 1,2,3
A) Baza dövrəsinə B) Kollektor-emitter aralığına C) Kollektor dövrəsinə D) Emitter dövrəsinə E) Doğru cavab yoxdur 134. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir? 1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə A) 1,2,3
B) Yalnız 2 C) Yalnız 3 D) Yalnız 2 və 3 E) Yalnız 1 135. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərgnliyə və gücə görə gücləndirməni təmin edən element aşağıdakılardan hansıdır? A) Yük müqaviməti B) Giriş müqaviməti C) Çıxış müqaviməti D) Kondensator E) Doğru cavab yoxdur 136. Ümumi kollektor ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi bipolyar tranzistorun hansı dövrəsinə qoşulur? A) Emitter-kollektor dövrəsinə B) Emitter-baza aralığına C) Kollektor-baza aralığına D) Kollektor dövrəsinə E) Doğru cavab yoxdur 137. Sahə tranzistorunda kanalın müqavimətini necə dəyişirlər? A) Cərəyan kanalının qalınlığını dəyişməklə B) Cərəyan şiddətini dəyişməklə C) Aşqar daxil etməklə D) p-n keçidin sayını artırmaqla E) Doğru cavab yoxdur 138. p-n keçidli unipolyar tranzistorları neçə cür olur? A) 2
B) 1 C) 3
D) 4 E) 5
A) 3 B) 2
C) 1 D) 4
E) 5 140. Unipolyar tranzistorlar nə ilə idarə olunur? A) Elektrik sahəsi ilə B) Gərginliklə C) Cərəyanla D) Kənar qüvvələrlə E) Doğru cavab yoxdur 141. Aşağıdakılardan hansı unipolyar tranzistorlara aiddir? 1.p-n keçidli 2. Qurama kanallı 3.induksiya edilmiş kanallı A) 1,2,3
B) Yalnız 2 C) Yalnız 3 D) 1 və 2 E) Yalnız 1 142. Sahə tranzistorunda kanalın keçiriciliyinə hansı kəmiyyət təsir etmir ? 1.İdarəedici elektroda verilən gərginlik 2.Mənbə və mənsəb arasındakı gərginlik 3.Temperatur A) Doğru cavab yoxdur B) 2
C) 3 D) 1,2,3 E) 1
1.Təmas potensial fərqi azalır. 2.Təmas potensial fərqi artır 3.Kanalın eni azalır 4.Kanalın eni artır A) 1 və 4 B) 1və 3 C) 2 və 3 D) 2 və 4 E) Doğru cavab yoxdur 144. Sahə tranzistorları dövrəyə neçə sxem üzrə qoşula bilər? A) 3
B) 2 C) 1
D) 4 E) 6
A) Yalnız güc B) Yalnız cərəyan C) Cərəyan və gərginlik D) Cərəyan və güc E) Doğru cavab yoxdur
1.Sahə tranzistorunda giriş gərginliyi bipolyar tranzistora nisbətən çox böyükdür? 2.Sahə tranzistorunda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası baş vermir 3.İşçi cərəyanı yaradan yükdaşıyıcılara görə A) 1,2,3 B) 1 və 3 A) 1 və 2 D) 2 və 3 E) Doğru cavab yoxdur
A) Yarımkeçiricinin səthyanı qatı B) Yarımkeçiricinin orta təbəqəsi C) Dielektrik qatı D) Metal qatı E) Doğru cavab yoxdur 148. MDY- tranzistorlarda neçə elektrod olur? A) 4
B) 3 C) 2
D) 5 E) 6
A) Mənbəyə B) Mənsəbə C) İdarəedici elektroda D) Dielektrik təbəqəyə E) Doğru cavab yoxdur
A) İMS
B) Diod C) Tranzistor D) Generator E) Sahə tranzistoru 151. Aşağıdakılardan hansılar mikrosxemin elementi deyil? A) icra mexanizmi B) tranzistor C) diod
D) kondensator E) müqavimət 152.Kiçik ölçülü induktiv sarğaclar A) 1,3
B) 2,3 C) 3,4
D) 1,2 E) 1,2,3,4 153. Element və komponentlərin sayının çıxışların həcmi nəzərə alınmadan mikrosxemin həcminə nisbəti necə adlanır? A) Qablaşdırma sıxlığı B) Cəmləşdirmə sıxlığı C) Toplanma sıxlığı D) İnteqrasiya sıxlığı E) Doğru cavab yoxdur 154. İMS-in ümumi dielektrik və ya yarımkeçirici altlığı üzərində və ya həcmində yerləşdirilmiş element və komponentlərin məcmuyu necə adlanır? A) MS-in daxili qurğusu B) MS-in xarici qurğusu C) MS-in birləşmə qurğusu D) MS-in kənar qurğusu E) Doğru cavab yoxdur 155. BİS tərkibində nə qədər element və ya sadə komponent daxil olan MS-lərə deyilir? A) 1000-dən çox B) 100-dən çox C) 50.000-dən çox D) 100.000-dən çox E) 1000.000-dən çox 156. Funksional tətbiqlərinə görə İMS-lər neçə qrupa bölünürlər? A) 2
B) 3 C) 4
D) 5 E) 6
A) Rəqəmsal İMS B) Analoq İMS C) Vakuum diodu D) Stalitron E) Varikap
A) 2
B) 1 C) 3
D) 4 E) 5
A) 3 B) 2
C) 4 D) 5
E) 6 160. Monolit (yarımkeçirici) İMS-in hazırlanmasında aşağıdakı elementlərdən hansıları istifadə olunur? 1.Si 2. Ge 3.Ga As A) 1,2,3 B) 2
C) 3 D) 1,2
E) 1 161. Hibrid İMS-lərdə passiv elementlər necə olurlar? A) Qalıntəbəqəli B) Naziktəbəqəli C) Nöqtəşəkilli D) Ellipisşəkilli E) Doğru cavab yoxdur 162. Fotoliqrafiya nəyə əsaslanır? A) İşığın həssas fotorezist polimer materiallardan istifadə olunmasına B) İşığa həssas fotorezist qeyri-üzvi materiallardan istifadə olunmasına C) Ultrabənövşəyi şüalardan istifadə olunmasına D) Dalğa uzunluğu 1nm olan rentgen şüalarına E) Elektron seli ilə şüalanmaya 163. Yüksək temperaturlarda müəyyən tip yarımkeçirici təbəqənin başqa tip yarımkeçiricinin səthində yerləşdirilməsi prosesi necə adlanır? A) Epitaksiya B) İon aşqarlanması C) Tozlanma D) Diffuziya E) Aşılanma 164. Yarımkeçiricinin müəyyən hissəsində p-n keçidin yaradılmasında hansı üsuldan istifadə olunur? A) Diffuziya B) Oksidləşmə C) Fotolitoqrafiya D) Epitaksiya E) Aşılanma 165. Yarımkeçirici lövhənin başqa maddənin sürətləndirilmiş ionları vasitəsilə şüalandırılması hansı prosesdir? A) İon aşqarlanması B) Tozlanma C) Epitaksiya D) Diffuziya E) Aşılanma 166. Aşağıdakılardan hansı variantda qalın təbəqəli İMS-in aktiv elemenyi göstərilmişdir? A) Anaoloq diodu B) İnduktiv müqavimət C) Kondensator D) Rezistor E) Yarımkeçirici diod 167. Analoq İMS-lər hansı xassələrinə görə qruplaşır? 1. Məlumat 2. Gücləndirmə 3.Giriş və çıxışların sayı 4. Hazırlandığı madddələr A) 1,2
B) 2,3 C) 3,4
D) 1,3 E) 2,4
A) Diffuziya B) Oksidləşmə C) Fotolitoqrafiya D) Epitaksiya E) Aşılanma
1. Tranzistorlar 2. Amorf maddələrdən hazırlanmış nazik təbəqəli element 3. Kondensatorlar 4. İnduktiv elementlər A) 3,4
B) 2,3 C) 1,2
D) 1,3 E) 2,4
A) Metal-dielektrik-metal B) Metal-metal oksidi C) Metal-dielektrik D) Metal-metal E) Dielektrik-metal-dielektrik
A) Vakuum diodu B) Triod C) Yarımkeçirici diod D) Polyar tranzistor E) Doğru cavab yoxdur 172. Nə üçün analoq diodu yüksək temperaturlarda işləyə bilir? A) Qadağan olunmuş zolağın eni böyük olan yarımkeçiricilərdən hazırlandığı üçün B) Dielektrik təbəqəyə malik olduğu üçün C) Elektronlar metaldan dielektrikə injeksiyalandığı üçün D) Cərəyan keçirmə mexanizmi həmi yüklərlə məhdudlaşan cərəyanla əlaqədar olduğu üçün E) Düzləndirmə əmsalı böyük olduğu üçün 173. İn-CdS-Te aşağıdakılardan hansına aiddir? A) Analoq dioduna B) Yarımkeçirici dioda C) Vakuum dioduna D) Bipolyar tranzistora E) Doğru cavab yoxdur 174. Aşağıdakılardan hansından yaddaş elementi kimi istifadə olunur? 1.p-n-p tip bipolyar tranzistordan 2. n-p-n tip tranzistordan 3.MOY-sahə tranzistorundan 4.MNOY- nazik təbəqəli tranzistordan A) 4
B) 2 C) 3
D) 1 E) 1,2,3,4 175. MNOY-tipli yaddaş elementində məlumatın saxlanılması üçün nə tələb olunur? A) Əlavə gərginlik mənbəyi B) Əlavə tutum elementi C) Əlavə induktiv element D) Əlavə rezistor E) Əlavə örtük təbəqəsi 176. MNOY-tipli yaddaş elementində məlumatın saxlanma müddəti hansı halda azalır? A) Ətraf mühitin temperaturu artdıqda B) Ətraf mühitin temperaturu azaldıqda C) Əlavə örtük təbəqəsi olmadıqda D) Əlavə müqavimətə ardıcıl qoşulduqda E) Doğru cavab yoxdur 177. Hansi mikrosxemlerde rezistor əvəzinə tranzistorlardan istifadə olunur? A) Rəqəmsal mikrosxemlərdə B) Analoq mikrosxemlərdə C) Həm analoq,həm də rəqəmsal MS-lərdə D) Analoq-rəqəmsal mikrosxemlərdə E) Doğru cavab yoxdur 178. Doğru cavabı seçin? Adətən diffuziya rezistoru A) n-tip yarımkeçiriciyə akseptor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır B) n-tip yarımkeçiriciyə donor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır C) p-tip yarımkeçiriciyə akseptor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır D) p-tip yarımkeçiriciyə donor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır E) Düzgün cavab yoxdur 179. Nazik təbəqəli rezistorların hazırlanmasında ən çox istifadə olunan material hansıdır? A) Nixrom (NiCr) ; B) Silisium C) Mis
D) Dəmir E) Qızıl
A) MDY-trnzistorda B) Qoşulma çıxışında C) Xaricdə D) Qoşulma girişində E) Doğru cavab yoxdur
1.Onların tutumları çox kiçikdir 2.Tutumları temperaturdan asılıdır 3.Deşilmə gərginliyinin qiyməti çox kiçikdir 4.Monolit blokda yaradılması A) 1,2,3
B) 1,2 C) 2,3
D) 3,4 E) 1,4
A) Yarımkeçiricidən B) Metal oksidindən C) Dielektrikdən D) Qələvi metaldan E) Doğru cavab yoxdur
A) Müstəvi diod B) Analoq diodu C) Vakuum diodu D) Tyunnel diodu E) Doğru cavab yoxdur 184. Elektron açar sxemlərindən harada istifadə olunur? 1.İdarəedici siqnalın təsirilə müxtəlif elektik dovrələrini açıb bağlamaq üçün 2.İmpuls siqnalları ötürmek üçün 3.Analoq siqnalları ötürmek üçün A) 1,2,3 B) 2
C) 3 D) 2,3
E) 1 185. Elektron açarlar nece qoşulur? 1.Ardıcıl 2.Paralel 3.Paralel-ardıcıl A) 1,2,3
B) 2 C) 3
D) 2,3 E) 1
A) Elektron açar B) Düzləndirici C) Gücləndirici D) Kod çeviricisi E) Doğru cavab yoxdur
A) İdarəedici və idarə olunan dövrələri bir-birindən ayıra bilməməsi B) Yarımkeçirici materialı C) Sadəliyi D) Diodun bağlanma müddəti E) Doğru cavab yoxdur 188. Diod açarlar dövrəyə qoşulmasından asılı olaraq neçə cür olur? A) 2
B) 1 C) 3
D) 4 E) 5
1.Müsbət gərginlik verdikdə 2.Mənfi gərginlik verdikdə 3.Giriş gərginliyi sıfır olduqda A) 1
B) 2 C) 3
D) 1 və 2 E) 2və 3
A) 1800 B) 900
C) 1350 D) 450
E) 2700 191. Sıfır səviyyəli gərginliklə qoşulan paralel diod açarı hansı halda açılır? 1. Müsbət gərginlik verdikdə 2. Mənfi gərginlik verdikdə 3. Giriş gərginliyi sıfır olduqda A) 1 B) 2
C) 3 D) 1və 2 E) 2 və 3
1. Müsbət gərginlik verdikdə 2. Mənfi gərginlik verdikdə 3. Giriş gərginliyi sıfır olduqda A) 2 B) 1
C) 3 D) 1və 2 E) 2 və 3
1.Yükdaşıyıcıların injeksiyasından 2. Yükdaşıyıcıların rekombinasiyasından 3. Yükdaşıyıcıların ekstraksiya A) 2 B) 1
C) 3 D) 1 və 2 E) 1 və 3
1.Giriş gərginliyinin mənfi qiymətində 2. Giriş gərginliyinin müsbət qiymətində 3. Giriş gərginliyinin sıfır qiymətində A) 2 B) 1
C) 3 D) 1 və 3 E) 2 və 3
A) 2
B) 1 C) 3
D) 1 və 3 E) 2 və 3 196. Aşağıdakı parametrlərdən hansılar analoq açarları xarakterizə edirlər? 1. Mənbə gərginliyi 2. Sərf edilən güc 3. Temperaturlar diapazonu A) 1,2,3 B) Yalnız 2 C) Yalnız 3 D) 1 və 2 E) Yalnız 1
A) Analoq IMS B) Dinistor C) Varikap D) Düzləndirici E) Rəqəmsal İMS 198. Analoq İMS-lər neçə qrupa bölünür? A) 2
B) 3 C) 4
D) 5 E) 6
Ι.1 girişli və 1 çıxışlı ΙΙ.2 girişli və 1 çıxışlı ΙV. 1 girişli və 2 çıxışlı A) Ι, ΙΙ, ΙΙΙ B) Yalnız ΙΙ C) Yalnız Ι D) ΙΙ və ΙV E) ΙΙΙ və ΙV 200. Aşağıdakılardan hansılar əməliyyat gücləndiricilərinin xarakteristikalarıdır? Ι Amplidut-tezlik xarakteristikası ΙΙ Giriş xarakteristikası ΙΙΙ Çıxış xarakteristikası ΙVRezistiv-induktiv xarakteristikası A) Ι,ΙΙ və ΙΙΙ B) Yalnız Ι və ΙΙΙ C) Yalnız ΙΙΙ və ΙV D) Yalnız Ι və ΙΙ E) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ və ΙV 201. Hansı gücləndiricilərdə reaktiv elementdən istifadə olunmur? A) Əməliyyat gücləndiricilərdə B) Gərginlik gücləndiricilərdə C) Güc gücləndiricilərdə D) Dəyişən cərəyan gücləndiricilərdə E) Doğru cavab yoxdur 202. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin hər iki girişinə eyni qiymətli və eyni işarəli gərginlik verilərsə,bu gərginlik necə adlanır? A) Sinfaz siqnal B) Diferensial siqnal C) Simmetrik siqnal D) İnteqral siqnal E) Asimmetrik siqnal 203. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin girişlərinə qiymət və işarələri müxtəlif olan gərginliklər verilərsə,bu gərginlik necə adlanır? A) Diferensial siqnal B) Sinfaz siqnal C) Simmetrik siqnal D) İnteqral siqnal E) Asimmetrik siqnal 204. Əməliyyat gücləndiriciləri hansı halda inversləyici olurlar? A) Giriş və çıxış gərginlikləri əks işarəli olduqda B) Çıxış gərginliyi giriş gərginliyindən böyük olduqda C) Giriş gərginliyi çıxış gərginliyindən böyük olduqda D) Girişə mənfi gərginlik verildikdə E) Çıxışda mənfi gərginlik alındıqda 205. Dinamik rejimdə qoşulmuş tranzistor Ι Gərginlik dəyişir ΙΙ Cərəyan dəyişir ΙΙΙ Gərginlik sabit qalır,cərəyan dəyişir ΙV Cərəyan sabit qalır,gərginlik dəyişir A) ΙΙΙ
B) Yalnız Ι C) Yalnız ΙΙ D) Ι və ΙΙ E) ΙV
A) Əks əlaqə rejimi B) İnvers rejim C) Statik rejim D) Aktiv rejim E) Normal rejim
Ι Gərginliyin gücləndirmə əmsalı ΙΙ Güc gücləndirmə əmsalı ΙΙΙ Giriş və çıxış müqavimətləri ΙV Transformasiya əmsalı A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ B) Ι və ΙΙ C) Yalnız ΙΙ D) ΙΙ,ΙΙΙ,ΙV E) Yalnız ΙΙΙ 208. Müasir gücləndirici qurğuların əsasını aşağıdakı qurğulardan hansılar təşkil edir? 1. Bipolyar tranzistorlar 2. Sahə təsirli trnzistorlar 3. İMS-lər A) 1,2,3 B) 2
C) 1 və 2 D) 1 və 3 E) 1
A) 2
B) 3 C) 4
D) 5 E) 6
A) Qeyri xətti rejimli gücləndirici B) Xətti rejimli gücləndirici C) Ani qiymət gücləndiricisi D) Ani cərəyan gücləndirici E) Doğru cavab yoxdur
A) 3
B) 2 C) 4
D) 5 E) 6
A) Rəqəmsal İMS B) Analoq İMS C) Stablitron D) Triod
E) Vakuum diodu 213. Potensial üsulunda diodun keçirici vəziyyəti aşağıdakılardan hansına uyğundur? A) Məntiqi 0 –a B) Məntiqi 1-ə C) Məntiqi 0 və 1-ə D) Diodun deşilməsinə E) Doğru cavab yoxdur 214. Aşağıdakılardan hansının yaddaş elementi var? A) Triqqer B) Sahə tranzistor C) Varikap D) Tristor E) Bipolyar tranzistor 215. İnformasiya yazılışına görə triqqerlər neçə növə ayrılır? A) 2
B) 1 C) 3
D) 4 E) 5
A) 2 B) 1
C) 3 D) 4
E) 5 217. Asinxrom triqqerlər sinxrom triqqerlərdən aşağıdakılardan hansılarla fərqlənir? Ι İnformasiyanın kəsilməz olaraq yazılması ilə ΙΙ C-girişinə görə ΙΙΙ Triqqerdən birbaşa çıxışa görə A) ΙΙ,ΙΙΙ B) Ι və ΙΙΙ C) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ D) ) Ι,ΙΙ, E) ΙΙΙ
A) 5
B) 3 C) 2
D) 4 E) 8
Ι Ona 2 ədəd T- triqqer daxildir. ΙΙ Ona 2 ədəd “və” məntiq elementi daxildir. ΙΙΙ Sinxron və asinxron ola bilər. ΙV Onun bir takt girişi vardır. A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ,ΙV B) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ C) ΙΙ,ΙΙΙ,ΙV D) Ι,ΙΙ
E) Ι,ΙΙΙ,ΙV 220. İkili kodlaşmış informasiyanı saxlayan və onun üzərində müxtəlif əməliyyatları yerinə yetirən rəqəmsal avtomat qurğu necə adlanır? A) Registr B) JK-triqqer C) RS-triqqer D) T-triqqer E) Tristor 221. Registrlər aşağıdakılardan hansı funksiyanı yerinə yetirir? Ι İkili kodun düz,əks və tərsinə çevrilməsi ΙΙ Sözün (rəqəmin) sağavə ya sola sürüşdürülməsi ΙΙΙ Ardıcıl kodun paralel və tərsinə çevrilməsi A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ B) ΙΙ,ΙΙΙ C) Ι,ΙΙΙ D) Ι,ΙΙ
E) Yalnız ΙΙΙ 222. Aşağıdakı fikirlərdən hansılar doğrudur? Ι Məntiq elementləri inversləyici ola bilər. ΙΙ Məntiq elementləri qeyri-inversləyici ola bilər. ΙΙΙ Təsdiqedici və inkaredici məntiqlər mövcuddur. A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ B) Yalnız ΙΙ C) ΙΙ və ΙΙΙ D) Ι və ΙΙΙ E) Yalnız Ι
A) İnversiya B) Konyuksiya C) Dizyunksiya D) Kommutasiya E) Regenerasiya 224. Hansı məntiqi əməliyyat iki və daha çox mülahizəni “Və” bağlayıcısı ilə oxşar olaraq yeni mürəkkəb mülahizədə birləşdirir? A) Konyuksiya B) İnversiya C) Dizyunksiya D) Kommutasiya E) Regenerasiya 225. < Ι Ayırma
ΙΙ Fərq ΙΙΙ Birləşdirmə ΙV Vurma A) Ι,ΙΙ
B) ΙΙ,ΙΙΙ C) ΙΙΙ,ΙV D) Ι,ΙΙΙ E) ΙΙ,ΙV
A) Dizyunksiya B) Konyuksiya C) İnversiya D) Kommutasiya E) Regenerasiya
A) Çoxluqların kəsişməsinə B) Çoxluqların birləşməsinə C) Alt çoxluğa D) Çoxluqların bölünməsinə E) Doğru cavab yoxdur 228. Çoxluq nəzəriyyəsində “dıryunksiya” nəyə uyğun gəlir? A) Çoxluqların birləşməsinə B) Çoxluqların kəsişməsinə C) Alt çoxluğa D) Çoxluqların bölünməsinə E) Doğru cavab yoxdur 229. Baza məntiq elementləri hansı tranzistorlar əsasında yaradılır? Ι Bipolyar ΙΙ Sahə ΙΙΙ Metal-dielektrik A) Ι və ΙΙ B) Yalnız ΙΙ C) Yalnız ΙΙΙ D) Yalnız Ι E) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ
Ι Məntiq səviyyələri potensialla verilir ΙΙ Potensial kodlaşdırma tranzistorlu açarla idarə olunur ΙΙΙ Elementlərarası əlaqə qalvanikdir A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ B) Yalnız ΙΙ C) Yalnız ΙΙΙ D) Ι,ΙΙ
E) Yalnız Ι 231`. Aşağıdakı məntiq sxemlərindən hansının enerji sərfiyyatı və sürəti daha böyükdür? A) EƏM
B) KMDYM C) TTM
D) DİM E) İİM
A) MDYM B) RKƏ
C) EƏM D) DTM
E) MDYTM 233. Aşağıdakılardan hansılar bütün məntiq elementlərinin əsas parametrlər sisteminə daxildir? A) Siqnal yayılmasının gecikməsi B) Siqnalın sinxronluğu C) Siqnalın asinxronluğu D) Çıxış müqaviməti E) Siqnalın statik təzyiqi 234. Məntiq elementlərinin çıxışa görə yüklənmə qabiliyyəti aşağıdakılardan hansı ilə xarakterizə olunur? A) Çıxışa qoşulan məntiq elementlərinin sayı B) Giriş müqaviməti C) Çıxış müqaviməti D) Girişə qoşulan məntiq elementlərinin sayı E) Doğru cavab yoxdur 235. Məntiq elementində sərf olunan güc nədən asılıdır? A) Onun məntiq halından B) Onun potensialından C) Ətraf əngəllərdən D) Çıxış müqavimətindən E) Doğru cavab yoxdur 236. Sərbəst seçimli yaddaşa malik BİS-lərin (böyük inteqral sxemlər) əsas hissəsini nə təşkil edir? A) Cəmləyici B) Analoq diodu C) Şifrator D) Komporator E) Doğru cavab yoxdur 237. Böyük inteqral sxemlərin informasiya tutumu nə ilə müəyyən olunur? A) Yaddaş elementləri matrisi B) İnformasiyanın növü C) İnformasiyanın periodu D) Yaddaş elementlərinin növü E) Doğru cavab yoxdur 238. Operetiv yaddaş qurğusu mikrosxemlərinin hansı növündə informasiya struktur elementi tərəfindən şərtlənmiş məhdud müddətdə qalır (Mənbə qoşulu olduqda)? Ι Dinamik ΙΙ Statik ΙΙΙ İnduktiv A) ΙΙΙ B) ΙΙ
C) Ι,ΙΙ D) Ι
E) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ 239. Statik tipli operativ yaddaş qurğusu mikrosxemlərində mənbə qoşulu olmadıqda informasiya nə qədər müddətdə qala bilər? A) Qalmaz B) Bir dəqiqə qalar C) Müəyyən müddətdə D) Uzun müddətdə E) İstənilən müddətdə 240. Statik tipli operativ yaddaş qurğusu mikrosxemlərində mənbə qoşulu olduqda informasiya nə qədər müddətdə qala bilər? A) İstənilən müddətdə B) Müəyyən şərtlənmiş məhdud müddətdə C) Qısa müddətdə D) Bir neçə dəqiqə E) Doğru cavab yoxdur 241. Böyük inteqral sxemlərin informasiya tutumu nə ilə müəyyən olunur? A) Yaddaş elementləri matrisi B) İnformasiyanın növü C) İnformasiyanın periodu D) Yaddaş elementlərinin növü E) Doğru cavab yoxdur 242. MDY-tranzistorundan hazırlanmış dinamik tipli yaddaş elementlərində informasiya harada saxlanılır? A) Kondensatorlarda B) İnduktiv elementlərdə C) Rezistiv elementlərdə D) Tranzistorun bazasında E) Tranzistorun emitterində 243. MDY-tranzistorundan tipli yaddaş elementlərinin əsasını təşkil edəın bistabil yuvalar ən çox aşağıdakılardan hansından hazırlanır? A) Simmetrik triggerlərdən B) Kondensatorlarda C) Şifratorlardan D) Sarğaclardan E) Komporatordan 244. Birtranzistorlu yaddaş qurğusu ʻʻYazmaʼʼ rejimində olduğu müddətdə qalvanik elementdə hansı proses gedir? A) Regenerasiya B) Rekombinasiya C) İnjeksiya D) Generasiya E) Doğru cavab yoxdur 245. Birtranzistorlu yaddaş elementininʻʻSaymaʼʼrejimində sütun şinləri hara qoşulur? A) Sayma gücləndiricisinin girişlərinə B) Sayma gücləndiricisinin çıxışlarına C) Dövrədən açılır D) Ardıcıl olmaqla bir-birinə E) Doğru cavab yoxdur 246. Birtranzistorlu yaddaş elementininʻʻSaymaʼʼrejimində tranzistor halda açılır? A) X şininə seçmə implusu daxil olduqda B) Y şininə seçmə implusu daxil olduqda C) X və Y şinlərinin hər ikisinə seçmə implusu daxil olduqda D) Y şininə istənilən impuls daxil olduqda E) Doğru cavab yoxdur 247. Birtranzistorlu yaddaş elementinin ʻʻSaymaʼʼ gücləndiricisi necə adlanır? A) Diferensial B) İnteqral C) Adi
D) İkitaktlı E) Reaktiv 248. Bipolyar tranzistorlar əsasında yaradılan statik tipli yaddaş elementinin əsasını nə təşkil edir? A) Bir tranzistor B) Ardıcıl qoşulmuş iki tranzistor C) Paralel qoşulmuş iki tranzistor D) İki tranzistordan ibarət simmetrik triggerlər E) İki tranzistordan ibarət əməliyyat gücləndiricisi 249. Hal-hazırda müasir maşınlarda hansı yaddaş qurğularından istifadə olunur? A) Əməli,daimi,aralıq B) Əməli,pozulan C) Daimi,pozulan D) Daimi,aralıq E) Əməli,aralıq 250. Hesab və məntiq əməliyyatlarını yerinə yetirərkən elektron sxemlərinə hansı qurğular deyilir? A) Hesab məntiq qurğuları B) Analoq qurğuları C) Rəqəm qurğuları D) Kod çəviriciləri E) Yaddaş qurğuları 251. Əməli yaddaş ilə daimi yaddaş qurğusuna birlikdə maşının hansı yaddaş qurğusuna deyilir? A) daxili yaddaş B) aralıq yaddaş C) əməli yaddaş D) təkrar yaddaş E) əməli, təkrar 252.Aralıq yaddaş qurğusu maşının hansı yaddaş qurğusuna deyilir? A) xarici yaddaş B) daxili yaddaş C) əməli yaddaş D) təkrar yaddaş E) növbəti yaddaş 253. Takt dedikdə hansı zaman müddəti başa düşülür? A) maşında əməliyyatın başlayıb bitməsi üçün tələb olunan vaxtdır B) xananın tapılmasına sərf olunan zamandır C) yaddaşa yazilan vaxtdır D) aralıq yaddaşa yazılan zamandır E) əməli yaddaşa yazilan zamandır 254. Maşının daxili yaddaş qurğusu dedikdə hansı qurğu başa düşülür? A) əməli yaddaşsu ilə daimi yaddaşa birlikdə B) aralıq yaddaş qurgusu C) daimi yaddaşqurğusu D) aralıq və daimi yaddaş qurğusuna E) əməli vəaralıq yaddaşqurğusuna 255. Xarici yaddaş qurğusu dedikdə hansı qurğular başa düşülür? A) aralıq yaddaşa B) daimi yaddaş C) əməli yaddaş D) hesab məntiq qurğusu E) daimi-əməli yaddaş 256. Yaddaş qurğularından informasiyanı qoruyub saxlamaq üçün hansı qurğularda istifadə olunur? A) EHM-lərdə B) diodlarda C) tranzistorlarda D) buxar maşınında E) buxar turbinində 257. Verilmiş strukturlarda informasiyanın mümkün olan miqdarı modelin nəyi ilə müəyyən olunur? A) tutumu B) sürəti C) tezliyi D) fazası E) period 258.Statik, dinamik, daimi, müvəqqəti yaddaş hansı qurğuların növləridir? A) yaddaş B) ötürmə C) çevirmə D) aralıq E) ötürmə, aralıq 259. Ümumi emitterli sxemdə giriş siqnalı çıxış siqnalından necə fərqlənir? A) Heç fərqlənmir B) İnvers olmasına görə fərqlənir C) Zəif fərqlənir D) 300 – ilə fərqlənir E) 450 – ilə fərqlənir 260. Hansı sxem giriş siqnalını çevirmir? A) Ümumi emitterli B) Ümumi bazalı C) Süzgəc sxemləri D) Ümumi kollektorlu E) Kaskad birləşməli 261. Hansı sxem emitter təkrarlayıcısı sayılır? A) Süzgəc sxemləri B) Ümumi emitterli C) Ümumi bazalı D) Düzləndirici körpü sxemləri E) Ümumi kollektorlu sxemlər 262.Məntiq sxeminin girişinə müqavimət qoşularsa, belə sxem necə adlandırılır? A) Süzgəc sxemləri B) Düzləndirici sxem C) Rezistor-tranzistor məntiq sxemi D) Diod-tranzistor məntiq sxemi E) Tutum-tranzistor sxemi 263. ADD əmri nəyi göstərir? A) İki rəqəmin vurulmasını B) İki rəqəmin toplanmasını C) Rəqəmlərin bölünməsini D) Kökalma əməliyyatını E) Orta qiymətin tapılmasını 264.Aşağıdakı qurğulardan hansı mikro-EHM-lərin tərkibinə daxildir? A) Seçmə qurğusu B) Ölçmə qurğusu C) Düzləndirici qurğu D) Tezlik qurğusu E) Çıxarılma qurğusu 265. Yaddaş qurğuları hansı qruplara bölünür? A) Statik,dinamik,daimi,müvəqqəti B) Statik və daimi C) Müvəqqəti və pozulmayan D) Daimi və pozulun E) Statik və müvəqqəti 266. Yaddaş qurğuları hansı parametrlərlə xarakterizə olunur? A) Yaddaşın tutumu və yaddaşın işləmə sürəti B) Yaddaşın tutumu C) Yaddaşın işləmə təcili D) Yaddaşın pozulması E) Yaddaşın qoşulması 267. Yaddaş qurğularından informasiyanı qoruyub saxlamaq üçün hansı qurğularda istifadə olunur? A) EHM-lərdə B) diodlarda C) tranzistorlarda D) buxar maşınında E) buxar turbinində 268. Yaddaşın tutumu və yaddaşın işləmə sürəti yaddaş qurğularının nəyini xarakterizə edir? A) parametrini B) xarakteristikasını C) ölçüsünü D) ölçüsünü, sahəsini E) sahəsini 269. Yaddaşların tutumları ilə sürətləri sürətləri arasında nəcə asılılıq vardır? A) tərs mütənasiblik B) düz asılılıq C) radikal asılılıq D) kvadratik E) xətti asılılıq 270. Mikro-EHM-lərdəki idarəetmə və nəzarət xətlərinin funksiyası nədir? A) Onlar vasitəsilə mikroprosessor bütün hərəkətləri idarə edir B) Digər qurğuları qida mənbəyi ilə birləşdirir C) Taktlı impuls generatoru ilə əlaqə yaradır D) Ünvan şini ilə əlaqə yaradır E) Verilənlər şini ilə əlaqə yaradır 271. Prosessor mübadilə tsiklini başa çatdırmaq üçün hansı siqnalı almalıdır? A) RPLY mübadilə siqnalını B) Əməliyyatların başa çatdırılması siqnalını C) Yüksək tezlikli siqnalı D) Hesab əməliyyatları aparmaq siqnalını E) Qida gərginliyinin kəsilməsi siqnalını 272. Məntiq elementinə uyğun doğruluq cədvəli verilmişdir. Bu hansı məntiq elementinə uyğundur? A) və ya
B) deyil C) hə
D) və E) bəlkə
A) məntiq elementi B) komparator C) invertor D) fotoelement E) interqrator
1. Tranzistor-tranzistor məntiq elementləri 2. Şotki diodlu tranzistor-tranzistor məntiq elementləri 3. Emitter əlaqəli məntiq elementləri A) 1, 2 və 3 B) yalnız 1 C) yalnız 2 D) yalnız 3 E) doğru fikir yoxdur
1. Dəyişən cərəyanı sabit cərəyana çevirir 2. Sabit cərəyanı dəyişən cərəyana çevirir 3. Bir tezlikli dəyişən cərəyanı digər tezlikli dəyişən cərəyana çevirir A) yalnız 2 B) yalnız 2 C) yalnız 3 D) yalnız 2 və 3 E) yalnız 1 və 3
A) İnformasiyanı emal etmək B) Texnoloji əməliyyatlar yerinə yetirmək C) Elektron sxemlərini işə salmaq D) Köməkçi qovşaqları qidalandırmaq E) Cərəyanı tənzimləmək 277. Sıfır və vahid siqnalları hansı sxemlərdə yaranır? A) Məntiq sxemlərində B) Analoq sxemlərində C) Düzləndirmə sxemlərində D) Triqqer sxemlərində E) Gərginlik gücləndiricisi sxemlərində 278. Tranzistor-tranzistor məntiq sxemlərini ən azı neçə tranzistorla yaratmaq olar? A) İki
B) Bir C) Üç
D) Dörd E) Beş
A) 0 (sıfır) B) y
C) x D) z
E) α 280. Onaltılıq hesablama sistemində «D» hərfi hansı rəqəmin simvoludur? A) 13
B) 12 C) 10
D) 11 E) 14
A) 010 B) 001
C) 011 D) 1001 E) 1010
A) 1010
B) 101 C) 110
D) 1110 E) 1101 278. Hesablama sistemində 13 rəqəminə hansı rəqəm simvolu uyğundur? A) 1101 B) 1100 C) 1011 D) 1010 E) 1110
A) yüksək gərginlik B) yüksək cərəyan C) yüksək müqavimət D) alçaq gərginlik E) kiçik cərəyan
A) alçaq gərginlik B) yüksək cərəyan C) yüksək gərginlik D) yüksək müqavimət E) kiçik cərəyan 281. Müsbət məntiqdə “və ya” əməliyyatı mənfi məntiqdə hansı əməliyyata uyğundur? A) və
B) hə C) yox
D) bəlkə E) heç biri 282. müasir inteqral sxemlərdə göstərilən elektrik dövrəsi hansı məntiq elementinə uyğundur? A) yox
B) və ya C) və
D) implikasiya E) ekvivalentlik 283. sxeminin hansı girişinə (C1, C2, C3) informasiya (siqnal) daxil olduqda, çıxışda (P) çıxış siqnalı peyda olar? A) A, B, C, D birlikdə B) yalnız C2 C) yalnız C3 D) eyni zamanda C1, C2, C3 E) yalnız C1 284. Yaddaş elementlərinə daxildir? A) trigger B) və ya C) yox
D) implikasiya E) ekvivalentlik 285. Elektrik sxemi hansı məntiq elementinə uyğundur? A) yox
B) və C) və ya D) implikasiya E) ekvivalentlik 286. “Deyil” məntiq elementi neçə giriş (C) və neçə çıxışa (P) malikdir? A) 1(C) və 1(P) B) 2(C) və 2(P) C) 2(C) və 1(P) D) 1(C) və 2(P) E) 3(C) və 1(P) 287. Mikroprosessorun idarəedici informasiyasını nə təşkil edir? A) Proqram B) Yaddaşdakı sözlər C) Taktlı impulslar D) Əmrlər E) Rəqəm simvolları 288. Aşağıdakı hansı qurğu mikroprosessora daxildir? A) Hesablama məntiq qurğusu B) Çap platası yaradan qurğu C) Diffuziya qurğusu D) Nazik təbəqə yaradan qurğu E) Mikrosxemlərin mexaniki sınaq qurğusu 289. Mikroprosessorla əlaqələr hansı quruluşla yerinə yetirilir? A) Şin quruluşu ilə B) Təbəqəli quruluşla C) Kristallik quruluşla D) Diod quruluşları ilə E) Tranzistor quruluşu ilə 290. Mikroprosessor sisteminin bütün qurğuları nə ilə əlaqələndirilir? A) Ümumi sistem şini ilə B) Qalvanik əlaqə ilə C) Bir istiqamətli əlaqə xətti ilə D) Kimyəvi əlaqə ilə E. Analoq siqnalları ilə
A) Sabit ± 5V və ± 12V B) Dəyişən 360 Voltla C) Dəyişən 127 Voltla D) Sabit 220 Voltla E) Dəyişən 1 Voltla 292. Aşağıdakı mübadilələrdən hansı mikroprosessora xas deyil? A) Qarşılıqlı təsirlə baş verən mübadilə B) İnformasiyanın proqram mübdiləsi C) Fasilələrdən istifadə etməklə mübadilə D) Arasıkəsilmə ilə olan mübadilə E) Yaddaşa bilavasitə daxil olmaqla mübadilə 293. Mikroprosessor sisteminə mikrokontroller əsasən nə üçün daxil edilir? A) Yaddaşa balavasitə daxil olmaq üçün B) Şin əlaqəsi yaratmaq üçün C) Mikroprosessorun iş recimini tənzimləmək üçün D. Hesablama sistemini dəyişmək üçün E) Mikroprosessoru qidalandırmaq üçün 294. Aşağıdakı adlardan hansı mikroprosessorun arxitekturasına aiddir? A) Priston və Fon-Neyman B) Taktlı impuls C) Aşağı siqnal səviyyəsi D) Yüksək siqnal səviyyəsi E) Çox pilləli 295. İnformasiya mübadiləsi tsikli deyildikdə nə başa düşülür? A) Bir əməliyyatın yerinə yetirilməsində yaranan zaman intervalı B) Taktlı impuls generatorunun tezliyi C) Ünvana müraciət etmək müddəti D) Sistemə qida gərginliyi verilən an E) Kodlaşdırmaya sərf edilən müddət 296. Mikroprosessorda əsasən hansı yaddaş qurğuları olur? A) Operativ və daimi yaddaş qurğuları B) Xəyali yaddaş qurğuları C) Diskə yazılmış yaddaş D) Disketdə olan yaddaş E) Multipleksor yaddaşı 297. Mikroprosessorda yaddaş qurğusu informasiyanı nə etməlidir? A) Yazmalı və oxumalıdır B) Dekodlaşdırmalıdır C) Mini-EHM-ə ötürməlidir D) İnformasiyanı çevirməlidir E) Kodlaşdırmalıdır 298. Yaddaşa bilavasitə daxil olmaq üçün mikroprosessor sisteminə nə daxil edilir? A) Mikrokontroller B) Əlavə qida mənbəyi C) Yaddaş yuvaları D) Çıxış kaskadları E) Registrlər 299. Aşağıdakı qurğulardan hansı daha çox informasiyanı saxlaya bilir? A) Kompyuterlər B) Mikrokontrollerlər A) Kontrollerlər D) İnformasiyanı nümayiş etdirən qurğu E) Qida gərginliyi qurğusu 300. Mikroprosesordan alınmış siqnalı xarici qurğuların qəbul edə biləcəyi siqnala və əksinə çevirmək üçün qoşma vasitə necə adlanır? A) interfeys B) interfaks C) interport D) çevirici E) düzləndirici 301. Mikroelekronika elmi nəyi öyrənir? A) inteqral mikrosxemlərin yaradılması və inkişafı, tətbiq sahələrini öyrədən elmdir B) elektrik intiqalı ilə bağlı C) inteqral elektrovakuum cihazların yaradılması ilə bağlı D) inteqral elektroenergetik cihazların yaradılması ilə bağlı E) heç biri 302. Bir neçə qarşılıqlı əlaqəli-tranzistor, diod,kondensator, rezistor və s. elementlərin vahid texnoloji lövhədə hazırlanan element necə adlanır A) inteqral mikrosxem B) inteqral diod C) inteqral tranzistor D) inteqral tristor E) prosessor 303. Mikroelektronika sərbəst bir elm kimi meydana çıxmamışdan qabaq necə adlanırdı A) diskret sxemlər B) analoq sxemlər C) kəsilməz sxem D) invertor (invers elementi) sistemlər E) heç biri 304. İnteqral sxemin əsasını nə təşkil edir A) planar texnologiya və qrup metodu B) epitaksial qrup C) diffuzion texnologiya D) monotexnologiya E) bipolyar texnologiya 305. İnteqrasiya ideyası A) ayrı-ayrı tranzistorlarla yanaşı,funksional blok qurmaq üçün bütün komponentlər yığımı B) bir tranzistor və bir neçə diod yığımı C) bir neçə tranzistorlar yığımı D) rezistorlar yığımı E) kondensatorlar yığımı 306. Elementlərin birləşdirilməsi üçün əsas şərt A) elektrodların bütün çıxışlarının bir müstəvidə olması B) elektrodların çıxışlarının perpendikulyar müstəvidə yerləşməsi C) elektrodların üfüqi və şaquli birləşməsi D) elektrodların podlojkadan kənarda birləşməsi E) B,C
A) planar texnologiya B) qrup texnologiya C) izodrom texnologiya D) monoton texnologiya E) heç biri
A) cihazın kütləsi,qabariti azalır,etibarlılıq artır B) cihazın etibarlılığı azalır C) cihazın kütləsi artır D) cihazın qabariti artır E) heç biri 309. Mikrosxemin inteqrasiya dərəcəsi A) K=lgN
B) K=lgN+1 C) K=Alg .. D) K=A.lgN E) k=AlgeNt 310. Birinci dərəcə inteqrasiyada K A) K=1
B) K=1,5 C) K=2
D) K=5 E) K=3
A) K=2 B) K=1
C) K=1,5 D) K=5
E) K=3 312. Üçüncü dərəcə inteqrasiyada K A) k≥3
B) K=1,5 C) K=2
D) K=5 E) K=3
A) MDP texnologiyada 1000 və daha çox elementdən hazırlanan mikrosxem B) vahid texnologiyada 200 və daha çox elementdən hazırlanmış mikrosxem C) bipolyar texnologiya ilə hazırlanmış 100 elementi olan mikrosxem D) inteqrasiya dərəcəsi K=1 olan mikrosxem E) heç biri
A) 10 000-dən çox B) 5 000-dən çox C) 200 - 300 D) 8 000-dən çox E) 100 - 1 000 315. Optimal sxemlərin yaradılması və tədqiqatı A) mikrosxemotexnika B) makrosxemotexnika C) elektrotexnika D) elektroradiotexnika E) radiotexnika 316. Mikrosxemlərin izahı və analizində neçə sxemotexnik qaydadan istifadə edilir A) 2
B) 5 C) 3
D) 4 E) B, C (3 - 5) 317. Funksioanal təyinatına görə mikrosxemlər A) analoq və rəqəm qurğularına B) rezistorlara C) diodlara D) tranzistorlara E) termistorlara 318. Analoq mikrosxemlərdə siqnalların dəyişməsi A) fasiləsiz funksiya kimi B) diskret funksiya C) siqnal dəyişmir D) onun gərginliyi rəqəm kimi dəyişir E) onun güclənmə əmsalı ikilik kodla dəyişir 319. Rəqəm tip mikrosxemdə siqnalların dəyişməsi A) diskret funksiya qanunu üzrə B) fasiləsiz funksiya qanunu üzrə C) analoq funksiya kimi D) ikilik kodla E) heç biri 320. Mikrosxemlərin tranzistorları hansı materialdan hazırlanır A) silisium B) mis C) qızıl
D) indium E) platin 321. Baza dövrəsində elektronların hərəkətinin çox yüksək sürəti nəyə səbəb olur A) cəld işləmə qabiliyyəti artır B) cərəyan şiddətinin azalmasına C) gərginliyin artmasına D) p-n keçidinin keçiriciliyinin azalmasına E) heç biri 322. Baza dövrəsində elektronların hərəkət sürəti yüksək olduğu halda nə baş verir A) yüksək tezlik diapazonu B) aşağı tezlik diapazonu C) p-n keçidinin eni artır D) p-n keçidinin boryer potensialı azalır E) heç biri 323. İlkin mikrosxemlərdə hansı tranzistorlardan istifadə edilmişdir A) epitaksial-planar tranzistorlar B) planar-diffuzion tranzistorlar C) MDP tranzistorlar D) MDY tranzistorlar E) bipolyar tranzistorlar 324. Tranzistorların qurulduğu podlojkanın xüsusi müqaviməti A) 5...10 om cm B) 0-2 om cm C) 7...15 om cm D) 2...4 om cm E) 0...1 om cm 325. Parazit tranzistorun əsas tranzistorla əlaqəsi A) emitteri-əsas tranzistorun bazasını,podlojkası kollektoru təşkil edir B) emitteri-əsas tranzistorun kollektorunu C) bazası-əsas tranzistorun emitterini D) B,C E) heç biri 326. Baza dövrəsində elektronların hərəkətinin çox yüksək sürəti nəyə səbəb olur A) cəld işləmə qabiliyyəti artır B) cərəyan şiddətinin azalmasına C) gərginliyin artmasına D) p-n keçidinin keçiriciliyinin azalmasına E) heç biri 327. İlkin mikrosxemlərdə hansı tranzistorlardan istifadə edilmişdir A) epitaksial-planar tranzistorlar B) planar-diffuzion tranzistorlar C) MDP tranzistorlar D) MDY tranzistorlar E) bipolyar tranzistorlar 328. Sızma cərəyanının (.) -artması nəyə səbəb olur A) əsas tranzistorun baza cərəyanın azalmasına B) əsas tranzistorun baza cərəyanın artmasına C) əsas tranzistora təsir etmir D) parazit tranzistorun gücü artır E) parazit tranzistor qisa qapanır 329. Çoxemitterli tranzistorlar nədir A) P-tipli baza oblastında 4....8 emitter oblastı B) P-tipli kollektor oblastında 2 emitter oblastı C) n-tipli bazada 4....8 baza oblastı yaradılır D) n-tipli bazada 4....8 kollektor oblastı E) heç biri 330. Elementlərin birləşdirilməsi üçün əsas şərt A) elektrodların bütün çıxışlarının bir müstəvidə olması B) elektrodların çıxışlarının perpendikulyar müstəvidə yerləşməsi C) elektrodların üfüqi və şaquli birləşməsi D) elektrodların podlojkadan kənarda birləşməsi E) B,C
A) planar texnologiya B) qrup texnologiya C) izodrom texnologiya D) monoton texnologiya E) heç biri
A) diod
B) tranzistor C) diod-tranzistor D) tranzistor-tranzistor E) heç biri 333. Çoxemitterli tranzistorların əsas xüsusiyyəti A) kollektor keçidinin düz istiqamətdə qoşulması B) kollektor keçidinin əks istiqamətdə qoşulması C) emitterin düz istiqamətdə qoşulması D) baza keçidinin əks istiqamətdə qoşulması E) heç biri 334. Şotki diodunun mərkəzi oblastı hansı materialdan hazırlanır A) dioksid-silisium B) hidrogen peroksid C) silisium D) indium-peroksid E) hidrogen-dioksid 335. Şotki diodu hansı texnologiya ilə hazırlanır A) izoplanar B) epitaksial C) planar D) planar-epitaksial E) heç biri 336. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir A) planar texnologiya B) qrup texnologiya C) izodrom texnologiya D) monoton texnologiya E) heç biri 337. Şotki diodlarının düz istiqamətdə cərəyanı hansı yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır A) əsas yük daşıyıcıları B) qeyri-əsas yük daşıyıcıları C) əsas yüklərin injeksiyası D) qeyri-əsas daşıyıcıların toplanması E) heç biri 338. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir A) planar texnologiya B) qrup texnologiya C) izodrom texnologiya D) monoton texnologiya E) heç biri 339. Şotki diodsuz tranzistor açar sxemlərində tsor azaltmaq üçün A) əlavə yük daçıyıcıların yaşama müddəti azalır B) əsas yük daşıyıcıların diffuziyası gücləndirilir C) tranzisrtor diodla şuntlanır D) tranzistor kondensatorla qısa qapanır E) heç biri 340. Verilmiş strukturlarda informasiyanın mümkün olan miqdarı modelin nəyi ilə müəyyən olunur? A) tutumu B) sürəti C) tezliyi D) fazası E) period 341.Statik, dinamik, daimi, müvəqqəti yaddaş hansı qurğuların növləridir? A) yaddaş B) ötürmə C) çevirmə D) aralıq E) ötürmə, aralıq 342. Şotki diodsuz açar sxemində tsor azaldıqdan sonra nə baş verir A) cərəyana görə ötürmə əmsalı 2...3 dəfə azalır B) cəld işləmə 5...10 dəfə artır C) cəld işləmə artmır D) baza cərəyanı artır E) emitter keçidi qisa qapanır 343. Şotki diodlu açar sxemlərinin cəld işləmə qabiliyyəti necə dəyişir A) 2...5 dəfə artır B) 1...2 dəfə artır C) artmır D) 10...20 dəfə artır E) heç biri 344. Şotki diodlu tranzistorların çatışmayan cəhəti A) yüksək keyfiyyətli düzləndirici metal-yarımkeçirici keçidin hazırlanması B) yüksək keyfiyyətli planar texnologiya C) güclənmə əmsalının məhdudiyyəti D) elektronların sürətinin kiçik olması E) elektronların sürətinin sonsuz böyük olması 345. Şotki diodlu tranzistorlar TTM sxemlərində hansı rejimdə işləməsi məqsədə uyğun sayılır A) doymuş B) aktiv C) bağlı
D) reaktiv E) heç biri 346. ÇKT cərəyana və gərginliyə görə güclənmə əmsalının qiyməti nədən asılıdır A) emitter,kollektorun effektiv sahəsindən asılıdır B) emitterin həndəsi ölçüsündən C) kollektorun həndəsi ölçüsündən D) emitter,kollektorun həndəsi ölçüsündən E) qida mənbəyinin gərginliyindən 347. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə B) konstruktiv ölçüsündə C) güclənmə əmsalı D) tezlik qabiliyyəti E) cəldişləmə qabiliyyəti 348. Çoxkollektorlu tranzistorların cərəyana görə ötürmə əmsalı A) 0,8÷0,9 B) 0,2÷0,9 C) 10÷60
D) 0,5÷0,9 E) heç biri 349. ÇKT gərginliyinə görə güclənmə əmsalı A) 4÷10
B) 0÷2 C) 2÷4
D) 0,8÷0,9 E) heç biri 350. Verilmiş strukturlarda informasiyanın mümkün olan miqdarı modelin nəyi ilə müəyyən olunur? A) tutumu B) sürəti C) tezliyi D) fazası E) period 351. Statik, dinamik, daimi, müvəqqəti yaddaş hansı qurğuların növləridir? A) yaddaş B) ötürmə C) çevirmə D) aralıq E) ötürmə, aralıq 352. ÇKT cərəyana və gərginliyə görə güclənmə əmsalının qiyməti nədən asılıdır A) emitter,kollektorun effektiv sahəsindən asılıdır B) emitterin həndəsi ölçüsündən C) kollektorun həndəsi ölçüsündən D) emitter,kollektorun həndəsi ölçüsündən E) qida mənbəyinin gərginliyindən 353. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə B) konstruktiv ölçüsündə C) güclənmə əmsalı D) tezlik qabiliyyəti E) cəldişləmə qabiliyyəti 354. İzolyasiyaedici yuvada yerləşən iki p-n keçidlərdən birinə nə deyilir A) inteqral diod B) inteqral tranzistor C) inteqral kondensator D) inteqral rezistor E) diod-tranzistor 355. İnteqral diodun İəks cərəyanı necə adlanır A) termogenerasiya cərəyanı B) termoinjeksion cərəyan C) termocərəyan D) termodiffuzion cərəyan E) heç biri 356. ÇKT əks cərəyanın bərpa müddəti A) diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçmə müddəti B) diodun bağlı qalma müddəti C) diodun açıq qalma müddəti D) diodun bağlı vəziyyətdən açıq vəziyyətdə qalma müddəti E) heç biri 357. İnteqral p-n-p tranzistorlar n-p-n tranzistorlardan hansı göstəricisinə görə geri qalır A) güclənmə əmsalı B) qida mənbəyinin gərginliyinə C) h-parametr D) giriş tutumu E) çıxış müqavimətinin sonsuz qiymətinə görə 358. İnteqral p-n-p tranzistorun son kənar tezliyi A) 20-40 MHS B) 10 HS-40 HS C) 20 kHS-40kHS D) 40 kHS-80 kHS E) heç biri 359. İnteqral p-n-p tranzistorun dreyfə malik olmamasının səbəbi A) bazasının bircinsli epitaksial n-təbəqədən olması B) bazasının bir-neçə n-təbəqədən olması C) emitterin epitaksial n-təbəqədən olması D) kollektorun monotaksial n-təbəqədən olması E) heç biri 360. Məntiqi elementin girişlərinin sayının artması nəyi azaldır A) cəld işləməni B) yük qabiliyyətini C) cərəyanı D) gərginliyi E) qida mənbəyinin gərginliyi 361. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə B) konstruktiv ölçüsündə C) güclənmə əmsalı D) tezlik qabiliyyəti E) cəldişləmə qabiliyyəti 362. İnteqral p-n-p tranzistorun dreyfə malik olmamasının səbəbi A) bazasının bircinsli epitaksial n-təbəqədən olması B) bazasının bir-neçə n-təbəqədən olması C) emitterin epitaksial n-təbəqədən olması D) kollektorun monotaksial n-təbəqədən olması E) heç biri 363. RS triggerin xarakteristik tənliyi A) Qn+1=s+RQn B) Qn=s+RQn C) Qn+1= D) Qn+1= E) heç biri 364. RS triggerdə giriş siqnalı S=R=1 olarsa A) trigger qeyri-müəyyən vəziyyət alır B) triggerin invers çıxışında 1 alınır C) triggerin cəld işləmə qabiliyyəti artır D) Q=1, E) Q=0, 365. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir? A) Hər iki qat üçün eyni olur B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur E) Doğru cavab yoxdur 366. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir? A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması B) Fəza yüklərinin təsiri C) Keçidin eninin dəyişməsi D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası E) Doğru cavab yoxdur 367. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar? A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında E) Doğru cavab yoxdur 368. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı tərtibdə olar? A) 0.33 nm B) 0.23 nm C) 0.53 nm D) 0.66 nm E) 0.63 nm 369. JK trigger giriş siqnallarının J=K=1 kombinasiyası buraxıla biləndirmi? A) buraxıla biləndir B) tezlik diapozonu hədsiz qalır C) mümkün deyil D) aşağı tezliklərdə mümkündür E) yüksək tezliklərdə işləyə bilər 370. Əgər germaniuma ( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar? A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında E) Doğru cavab yoxdur 371. Optiki və elektriki prosesslərə əsaslanan elektronikanın bir bölməsi A) optolelektronika B) mikroelektronika C) akustikorelektronika D) elektronika E) heç biri 372. Optoelektron cihazların işləmə prinsipi nəyə əsaslanır A) ultrabənövşəyi spektrə B) gecikən şüalara C) akustik siqnallara D) aşağı tezliklərə E) heç biri 373. Foto qəbuledici nə üçündür A) görünən və infraqırmızı diapazonda təsvirin video siqnala çevrilməsi B) görünməyən şüaları video siqnala çevrilməsi C) elektron keçiriciliyinin yüksəldilməsi D) təsvirləri ikilik koda çevrilməsi E) A,B,C
A) günəş batareyası B) qalvanik batareya C) alternativ enerji D) biokimyəvi batareya E) B,C
A) atmosferin çirklənməsi və nəmlik vericilərində B) atmosfer təzyiqin ölçülməsi C) hiqroskopik nəmlik vericiləri D) atmosfer qatının hündürlüyünün ölçülməsində E) heç biri 376. p-n keçidli yarımkeçirici şüa buraxan və qəbul edən cihaz A) optocüt B) foto müqavimət C) foto diod D) foto tranzistor E) foto rezistor 377. Optoelektron mikrosxem nəyə deyilir A) siqnalın çevrilməsi,alınması və ötürülməsinini yerinə yetirən bir neçə optocütə B) siqnalın çevrilməsini yerinə yetirən n-p-n tranzistorlara C) siqnalın ötürülməsində istifadə edilən n-p-n tranzistorlara D) siqnalın səs dalğalarına çevirən bir neçə optocütə E) heç biri 378. Optiki siqnalların elektriki siqnallara çevrilməsində faydalı iş əmsalı A) 10....20% B) 10....50% C) 50%-70% D) 70....80% E) 80-95% 379. Volokon-optik ötürmə sistemləri (ВОСП) nə üçündür A) optiki siqnalları məsafəyə ötürmə B) elektrik siqnalları uzaq məsafəyə ötürülməsi ЕSОП C) maqnik induksiya hadisəsini yaratmaq D) optik-mexaniki siqnalları məsafəyə vermək E) heç biri 380. Optik siqnalın hansı parametrləri ötürülən informasiyaya görə dəyişir A) amplituda,tezlik B) elektrik gücü C) effektiv gücü D) diskret siqnalı E) siqnalın görünməz diapazonda cərəyanı 381. Yüksək gərginlikdə informasiya mübadiləsi üçün ifrat qısa xəttin uzunluğu A) 1m-ə qədər B) 5m-ə qədər c) 1÷3metr D) 3÷10metr E) məhdudiyyət qoyulmur 382. Maqistral və ya kontinental optik əlaqə xəttinin uzunluğu A) 0,3÷10km B) 0,6÷8km C) 12÷100km D) 15÷100km E) 100÷1000km 383. 1....100m optik əlaqə xətti nəyə aiddir A) obyekt daxili və qısa bortlu B) obyekt xarici C) yüksək cəld işləyən obyektlərə D) ATC-daxili kommunikasiya E) maqistral kommunikasiya 384. Modulyator,açar sxemləri optoelektron cihazlarında nə rolunu yerinə yetirir A) şüalanmanı idarəedir B) şüa enerjisi hasil edir C) şüa enerjisini optiki siqnala çevirir D) optiki siqnalları qəbul edir E) heç biri 385. Lazer və işıq diodlarının optoelektron cihazda rolu A) işıq verir B) işığı qəbul edir C) işığı modulyasiya edir D) işığı demodulyasiya edir E) heç biri 386. Şüa mənbəyi hansı materiallardan hazırlanır A) arsenid-qallium B) silisium C) silisium-dioksid D) indium E) indium-arsenid 387. Fotoqəbuledicinin hazırlandığı material A) silisium B) indium C) arsenid qallium D) indium arsenid E) heç biri 388. ВОСП-də kvars hansı elementdə istifadə edilir A) optiki mühit B) şüalanmanı idarə edən açar C) şüalanmanı idarə edən modulyator D) işıq diodları E) polimer kley 389. İcra edilən əmrin ünvan hissəsinin qəbulu və yadda saxlanması A) ünvan bufer reqistri B) verilənlərin bufer reqistri C) akkumulyator D) idarə qurğusu E) giriş qurğusu 390. Verilənlərin bufer reqistri nə üçündür A) yaddaşdan seçilmiş sözün xaricinə verilmədən əvvəl müqaviməti yadda saxlamaq B) yaddaşdakı sözü çıxış portuna ötürmək C) icra ediləcək əmrin qəbulu D) çıxış şininə əmrə uyğun baytların verilməsi E) çıxış şininə əmrə uyğun baytların verilməsi E) heç biri
A) operandları yadda saxlamaq B) aralıq nəticəni yadda saxlamaq C) yekun nəticəni yadda saxlamaq D) daxili reqistrləri idarə edir E) heç biri 392. Operandlar və hesab məntiq əməliyyatların aralıq nəticəsini yadda saxlayan qurğu A) akkumulyator B) bufer reqistri C) ümumi təyinatlı reqistr D) idarə qurğusu E) heç biri 393. Ümumi təyinatlı reqistrdə rəqəmlər necə dəyişir A) 4÷64
B) 2÷8 C) 8÷32
D) 10÷256 E) 4÷512
A) ümumi təyinatlı reqistr B) hesab-məntiq qurğusu C) bufer reqistr qurğusu D) xarici reqistr qurğusu E) heç biri
A) idarə-qurğusu B) POH C) akkumulyator D) operand E) reqistr 396. Müəyyən əmrlər sisteminə və birqiymətli uzunluqlu sözə malik olan mikroprosessora A) birkristallı B) iki kristallı C) universal D) çoxkristallı E) C,D
A) çox kristallı mikroprosessor B) bir kristallı mikroprosessor C) fiksasiyalı mikroprosessor D) dörd kristallı mikroprosessor E) B,C
A) Hər iki qat üçün eyni olur B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur E) Doğru cavab yoxdur 399. Z=2a+b+c ifadəsində operandları göstərməli A) 2,a,b,c B) (2a+b) C) b+c
D) c E) a
A) reqistr B) deşifrator C) şifrator D) invertor E) inteqrator
A) toplayıcı B) vuran C) çıxan
D) xaric edilən E) bölmə əməliyyatı 402. W=2k - 1 ifadəsində operandları göstərməli A) 2,K,1
B) 2 C) K
D) 1 E) heç biri 403. Rüqistrdə hər bir trigger nəyi yadda saxlayır A) 10
B) 1011 C) 101
D) 1 E) 0
A) CPU B) RAM
C) CPQ D) ROM
E) UPC 405. İxtiyari daxil olma qurğusu və ya operativ yaddaş A) RAM
B) CPQ C) ROM
D) PORT E) heç biri 406. Oxuma və ya sabit yaddaş qurğusu A) ROM
B) CPU C) Port 1 D) DDC E) heç biri 407. Paralel naqillər yığımı olmaqla,rəqəm siqnallarının ötürülməsi üçün nə nəzərdə tutulur A) şin
B) trigger C) prosessor D) reqistr E) məntiq elementi 408. Zamanın hər bir anında şindən A) bir ikilik rəqəm ötürülür B) iki ikilik rəqəm ötürülür C) bayt ötürülür D) n-sayda ikilik rəqəm ötürülür E) heç biri 409. Mikroprosessorun verilənlər şini A) DATA bus B) ADDR bus C) ConTROL bus D) Reset bus E) CPU bus 410. Mikroprosessorun ünvan şini A) ADDR bus B) ConTROL bus C) DATA bus D) ADR bus E) TROL bus 411. Sadə mikroprosessorlarda verilənlər şininin tərtibi A) 8
B) 16 C) 32
D) 64 E) 128
A) 8 B) 4
C) 2 D) 16
E) 3 413. 64 tərtibli verilənlər şini bir dəfəyə neçə bayt ötürür A) 8
B) 4 C) 2
D) 16 E) 3
A) 16 B) 8
C) 24 D) 32
E) 64 415. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir? A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması B) Fəza yüklərinin təsiri C) Keçidin eninin dəyişməsi D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası E) Doğru cavab yoxdur 416. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar? A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında E) Doğru cavab yoxdur 417. 1 meqabayt neçə kilobaytdır A) 1024 kbayt B) 1024 tbayt C) 1024 mbayt D) 512 bayt E) heç biri 418. İntel 8086 (İBMPC-XTFK) mikroprosessorunun ünvan şininin tərtibi A) 20
B) 16 C) 32
D) 64 E) 128
A) Mikroprosessorun icra etdiyi hər bir əməliyyatın rəqəmlə kodlaşdırılması B) mikroprosessorun əməliyyatlar ardıcıllığı C) prosessorun ünvan kodu D) prosessorun verilənlər kodu E) heç biri
A) proqram B) rəqəmlərin kodlaşdırılması C) alternativ addım D) arxitektura E) heç biri 421. Əmrlərin sayı artdığı halda əmrlərin kodlaşdırılması üçün A) iki və daha artıq bayt B) bir bayt C) bir kbayt D) iki kbayt E) heç biri 422. Sadə prosessorda bütün əmrlərin kodlaşdırılması üçün...kifayət edir A) bir bayt B) iki bayt C) üç bayt D) bir kbayt E) üç və daha artıq 423. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar? A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında E) Doğru cavab yoxdur 424. Verilənlərin yerdəyişmə (hərəkət) əmri A) bir yuvadan informasiyanın digərinə köçürülməsi B) yuvadan-yuvaya verilənləri hərəkət etdirir C) əmrlərin toplanması D) əmrlərin çevrilməsi E) budaqlanmanı yerinə yetirir 425. Məntiqi çevrilmə,toplama,çıxma əməliyyatını aparan əmrlər necə adlanır A) verilənlərin çevrilmə əmrləri B) verilənlərin hərəkət əmrləri C) informasiyanın bir yuvadan digərinə köçürülməsi D) informasiyanın daxili reqistrə köçürülməsi E) heç biri 426. Hər hansı şəraitə uyğun olaraq müxtəlif ardıcıllıqla təsirləri yerinə yetirən proqram A) idarəetmənin ötürülmə əmrləri B) informasiyanın idarəedilməsi C) idarəetmənin daxili reqistrdən xaricə ötürülməsi D) idarəetmənin çevrilmə əmrləri E) məntiqi çevrilmə 427. Proqramın yerinə yetirilmə ardıcıllığına fasilə vermək və digərinə keçid əmri A) şərti və şərtsiz keçid əmrləri B) məntiqi əməliyyatların aparılma əmri C) məsələ həllində şərti çevrilmə əmri D) idarə şinini prosessora qoşulma E) heç biri 428. Proqram uyğun əmr aldıqdan sonra baş verən əmrə A) şərtsiz keçid əmri B) şərti keçid əmri C) məntiqi keçid əmri D) şərti köçürülmə əmr E) şərtsiz çevrilmə əmri 429. İcra edilən əmrin ünvan hissəsinin qəbulu və yadda saxlanması A) ünvan bufer reqistri B) verilənlərin bufer reqisrtri C) akkumulyator D) idarə qurğusu E) giriş qurğusu 430. Verilənlərin bufer reqistri nə üçündür A) yaddaşdan seçilmiş sözün,verilənlərin xaricinə şinə verilməzdən əvvəl müvəqqəti yadda saxlamq B) yaddaşdakı sözü çıxış portuna ötürmək C) icra ediləcək əmrin qəbulu D) çıxış şininə əmrə uyğun baytların verilməsi E) heç biri 431. İnteqral n-p-n tranzistorun p-n-p tranzistordan tezlik diapazonundan böyük olmasının səbəbi A) deşiklərin hərəkət sürətinin elektronların sürətindən kiçik olması B) deşiklərin hərəkət sürətinin maksimal sürəti C) elektronların deşiklərlə rekombinasiyası D) deşiklərin tormozlanması E) heç biri 432. Aşağıdakı sxem təsviri hansı yarımkeçirici elementə aiddir A) sahə tranzistoru B) bipolyar tranzistor C) diod
D) tristor E) MDY-tipli tranzistor 433. Aşağıdakı sxem hansı məntiqi əməli həyata keçirir A) və ya
B) və C) yox
D) və-yox E) vəya-yox 434. Aşağıdakı sxem təsviri hansı yarımkeçirici elementə aiddir A) bipolyar n-p-n tipli tranzistor B) sahə tranzistoru C) bipolyar p-n-p tipli tranzistor D) diod E) stabilləşdirmə 435. Aşağıdakı sxem təsviri hansı məntiqi funksiyaya aiddir A) və
B) və ya yox C) yox
D) və yox E) və ya
A) və ya B) və ya-yox C) yox D) və
E) və-yox 437. Ardıcıl registr necə adlanır A) sürüşdürmə registri B) köməkçi registr C) idarəedici registr D) əsas registr E) sinxron registr 438. İnteqral mikrosxemlərin tətbiqindən əvvəl qurğular nəyin üzərində yığılırdı A) çap platalarının B) şüşənin C) keramikanın D) ebonitin E) misin
A) sabit analoq siqnalı B) dəyişən analoq siqnalı C) diskret siqnal D) sinusidal siqnal E) impuls siqnalı
A) fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması B) fəza yüklərinin təsiri C) keçidin eninin dəyişməsi D) yükdaşıyıcıların rekombinasiyyası E) heç biri 441. Aşağıdakı cihazlardan hansının iş prinsipi diodun xassəsinə əsaslanır A) varikap B) şotki diodu C) tunel diodu D) vakuum diodu E) stabilitron 442. Varikapın tutumu hansı halda azalır A) əks gərginlik artdıqda B) əks gərginlik azaldıqda C) düz cərəyan artdıqda d ) düz cərəyan azaldıqda E) heç biri 443. Aşağıdakılardan hansı yalnız sabit cərəyan gərginliyi üçündür A) stabilitron B) şotki diod C) tunel diod D) vakuum diod E) varikap 444. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur diodlar: 1.Elektrik siqnallarını düzləndirir 2.Siqnalları detektə edir 3.Siqnalın tezliyini çoxaldır A) 1,2,3 B) yalnız 1 C) yalnız 2 D) yalnız 3 E) heç biri
A) varikap B) tunel diodu C) stabilitron D) impuls diodu E) şotki diodu 446. düzləndirici diodlar hansı tezlik diapozonunda dəyişən cərəyanı sabit cərəyana çevirir A) 50hs-100khs B) 10hs-20hs C) 10-20
D) 5-10 E) 10hs-5hs 447. p-n keçiddə elektrik deşilməsindən hansı diodda istifadə olunur A) stabilitron B) tunel diodu C) impuls diodu D) varikap E) şotki diodu 448. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların nisbətən kiçik konsentrasiyyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir A) selvari B) səthi C) tunel
D) selvari və tunel E) heç biri 449. Aşağıdakılardan hansı stabilitronu xarakterizə edən parametrlərə aid deyildir 1. maksimal güc 3. stabilləşmə gərginliyi 2. diferensial güc 4. impuls gərginliyi A) 4
B) 1 C) 2
D) 3 E) heç biri 450. Yarımkeçirici stabilitronlardan hansı stabilizatorlarda istifadə olunur 1.Parametrik 2. Kompensasiyalı 3.Körpü A) 1və 2 B) 1
C) 2 D) 3
E) heç biri 451. Varikapda bazaya injeksiya etmiş yükün dəyişməsinin gərginliyin dəyişməsinə nisbəti necə adlanır A) diffuziya tutumu B) sədd tutumu C) daxili tutum D) xarici tutum E) çəpər tutumu 452. p-n-p tipli bipolyar tranzistorda deşiklərin hərəkəti ilə yaranan cərəyanın (Jep) emitter cərəyanına ( Jep) nisbəti nəyi xarakterizə edir A) injeksiya əmsalını B) güc əmsalını C) ekstraksiya əmsalını D) volt E) heç biri 453. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının (Jkp) emitter cərəyanına (JE) nisbəti nəyi xarakterizə edir? A) cərəyana görə ötürmə əmsalını B) güc əmaslını C) injeksiya əmsalını D) keçən cərəyan E) heç biri 454. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir A) deşiklərin bazadan keçmə əmsalını B) ekstraksiya əmsalını C) cərəyana görə D) güc əmsalını E) heç biri 455. Əks istiqamətdə qoşulmuş kollektor keçidində cərəyanının idarə olunmayan toplananı yaranır. Bu cərəyan necə adlanır və nə ilə əlaqədardır A) əks cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların dreyfi ilə əlaqədardır B) düz cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların dreyfi iləəlaqədardır C) düz cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların diffuziyası ilə əlaqədardır D) əks cərəyan idarə edən,baza cərəyanı idarə olunandır E) heç biri 456. Aşağıdakılardan hansı doğrudur A) Emitter cərəyanı idarə edən,kollektor cərəyanı idarə olunandır B) emitter cərəyanı idarə olunan,kollektor cərəyanı idarə edəndir C) emitter cərəyanından keçir D) emitter cərəyanından keçmir E) heç biri 457. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur A) giriş elektrodunun dövrəsinə B) çıxış elektrodunun dövrəsinə C) həm giriş,həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə D) xarici dövrəyə E) heç biri 458. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur A) çıxış elektrodunun dövrəsinə B) giriş elektrodunun dövrəsinə C) həm giriş,həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə D) xarici dövrəyə E) heç biri 459. Bipolyar tranzistorda ümumi baza ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir 1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə A) 2 və 3 B) 1 və 2 C) 1 və 3 D) yalnız 1 E) 1,2,3
A) baza dövrəsinə B) kollektor-emitter aralığına C) kollektor dövrəsinə D) emitter dövrəsinə E) heç biri 461. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir? 1. cərəyana görə 2. gərginliyə görə 3. gücə görə A) 1,2,3
B) 1 C) 2
D) 3 E) heç biri 462. Bipolyar tranzistorun hansı sxemi üzrə qoşulmasına emitter təkrarlayıcısı deyilir 1.ümumi baza 2.ümumi emitter 3.ümumi kollektor A) 3 B) 1
C) 2 D) 1, 3
E) 2, 3 463. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərginliyə və gücə görə gücləndirməni təmin edən element aşağıdakılardan hansıdır A) yük müqaviməti B) kondensator C) giriş müqaviməti D) çıxış müqaviməti E) heç biri 464. Bipolyar tranzistorda ümumi kollektor ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir. 1. cərəyana görə 2. gərginliyə görə 3. gücə görə A) 1
B) 2 C) 3
D) 1, 3 E) 1, 2, 3 465. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı səhvdir A) dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur B) izolə olunmuş elektroda malikdir C) sahə tranzistoruna aiddir D) n və p tipli induksiya edilmiş kanaldır E) heç biri 466. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı doğrudur 1.izolə olmuş idarəedici elektroda malikdir 2.dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur 3.n və ptipli induksiya edilmiş kanaldır A) 1 B) 3
C) 2 D) 1, 3
E) 2, 3 467. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır A) yarımkeçiricinin səth yanı qatı B) yarımkeçiricinin orta təbəqəsi C) dielektrik qatı D) metal qatı E) heç biri 168. MDY-tranzistorlarda neçə elektrod olur A) 2
B) 3 C) 4
D) 5 E) 6
A) mənbəyə B) mənsəbə C) idarəedici elektroda D) dielektrik təbəqəyə E) heç biri
A) vakuum diodu B) triod C) yarım keçirici diod D) polyar tranzistor E) heç biri 471. Aşağıdakı diodlardan hansının düzləndirmə əmsalı ən böyük olar 1. vakuum diodu 2. analoq diodu 3. yarımkeçirici diod A) 2 B) 1
C) 3 D) 1, 2
E) heç biri 472. Nə üçün analoq diodu yüksək temperaturlarda işləyə bilir A) qadağan olunmuş zolağın eni böyük olan yarımkeçiricilərdən haırlandığı üçün B) dielektrik təbəqəyə malik olduğu üçün C) elektronlar metaldan dielektrikə injeksiyalandığı üçün D) cərəyan keçirmə mexanizmi həmi yüklərlə məhdudlaşan cərəyanla əlaqədar olduğu üçün E) düzləndirmə əmsalı böyük olduğu üçün 473. Diffuziya rezistorunda diffuziya olunan təbəqənin müqaviməti aşağıdakılardan hansından asılıdır 1. aşqarın konsentrasiyyasının profilindən 2. diffuziya dərinliyindən 3. diffuziya oblastının uzunluğundan 4. diffuziya oblastının enindən 5. diffuziya olunan maddənin fermi səviyyəsindən A) 1,2,3,4 B) 2,3
C) 3,4 D) 4,5
E) heç biri 474. Diffuziya rezistorunda diffuziya olunan təbəqənin müqaviməti aşağıdakılardan hansından asılı deyil 1.aşqarın konsentrasiyasının profilindən 2.diffuziya dərinliyindən 3.diffuziya oblastının uzunluğundan 4.diffuziya oblasstının enindən 5.diffuziya olunan maddənin fermi səviyyəsindən A) 1 B) 2
C) 3 D) 4
E) 5 475. Nazik təbəqəli rezistorlardan xüsusi müqavimətin temperaturdan asılılıq qrafikində neçə oblast vardır A) 3
B) 1 C) 2
D) 5 E) 6
A) nixrom (NiCr) B) silisium C) mis D) dəmir
E) qızıl 477. diffuziya kondensatorların çatışmamazlığı aşağıdakılardan hansıdır 1. onların tutumları çox kiçikdir 2. tutumları temperaturdan asılıdır 3. deşilmə gərginliyinin qiyməti çox kiçikdir 4. monolit blokda yaradılması A) 1,2,3
B) 1,2 C) 2,3
D) 3,4 E) 1,4
A) metal oksiddən B) yarımkeçiricidən C) dielektrikdən D) qələvi metaldan E) heç biri
1.onlar qütblü deyildir 2.elektrik tutumu gərginlikdən asılı deyildir 3.parazit tutum keçid tutumundan kiçikdir 4.köynəkləri al-dan hazırlanır A) 1, 2, 3 B) 1, 3 C) 1, 4
D) 1, 2 E) 2, 3
1. onlar qütblü deyildir 2. elektrik tutumu gərginlikdən asılı deyildir 3. parazirt tutum keçid tutumundan kiçikdir 4. köynəkləri al-dan hazırlanır A) 4 B) 1
C) 2 D) 1, 3
E) 3, 4 481. İnduktiv xassələrə malik olan yarımkeçirici elementlərdən ən sadəsi hansıdır? A) müstəvi diod B) tunnel diod C) analoq diodu D) vakuum diodu E) heç biri 482. İdarəedici siqnalın təsiri öz elektrik müqavimətini çox kiçik qiymətdən çox böyük qiymətə qədər artıra bilən cihaz necə adlanır? A) elektron açar B) gücləndirici C) düzləndirici D) kod çeviricisi E) heç biri 483. Sıfır səviyyəli giriş gərginliyi ilə qoşulan ardıcıl diod açarı hansı halda açılır 1. müsbət gərginlik verdikdə 2. mənfi gərginlik verdikdə 3. giriş gərginliyi sıfır olduqda A) 1
B) 2 C) 3
D) 1, 2 E) 2, 3
1. müsbət gərginlik verdikdə 2. mənfi gərginlik verdikdə 3. giriş gərginliyi sıfır olduqda A) 1 B) 2
C) 3 D) 1, 2
E) 2, 3 485. Diod açarlarda diodun bağlanma müddəti nədən asılıdır 1. yükdaşıyıcıların injeksiyasından 2. yükdaşıyıcıların rekombinasiyyasından 3. yükdaşıyıcıların ekstraksiya A) 2
B) 1 C) 3
D) 1,2 E) 2,3
1.giriş gərginliyinin mənfi qiymətində 2.giriş gərginliyinin müsbət qiymətində 3.giriş gərginliyinin sıfır qiymətində A) 2 B) 1
C) 3 D) 1,3
E) 2,3 487. Tranzistorlu açar sxemində giriş gərginliyinin hansı qiymətində tranzistor (p-n-p tipli) açıq olur. 1. müsbət 2. mənfi 3. sıfır A) 2
B) 1 C) 3
D) 1, 3 E) 2, 3
1. mənbə gərginliyi 2. sərf edilən güc 3. temperaturlar diapozonu A) 1, 2, 3 B) 1 C) 2
D) 3 E) heç biri 489. İnteqral açıb-bağlama sxemlərində ən çox aşağıdakı açar sxemlərindən hansından istifadə olunur. 1. diod 2. bipolyar tranzistorlu 3. sahə tranzistorlu A) 3
B) 1 C) 2
D) 1,3 E) 2,3
A) 2 paralel dioddan B) 2 ardıcıl dioddan C) 1 dioddan D) 3 paralel dioddan E) heç biri
1. amplitud-tezlik xarakteristikası 2. giriş xarakteristikası 3. çıxış xarakteristikası 4. rezistiv-induktiv xarakteristikası A) 1, 2, 3 B) 1, 3 C) 3, 4
D) 1, 2 E) 1, 2, 3, 4 492. Hansı gücləndiricilərdə reaktiv elementdən istifadə olunmur A) əməliyyat gücləndiricilərdə B) dəyişən cərəyan gücləndiricilərdə C) gərginlik gücləndiricilərdə D) güc gücləndiricilərdə E) heç biri 493. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin hər iki girişinə eyni qiymətli və eyni işarəli gərginlik verilərsə,bu gərginlik necə adlanır? A) sinfaz siqnal B) diferensial siqnal C) inteqral siqnal D) assimmetrik siqnal E) heç biri 494. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin girişlərinə qiymət və işarələri müxtəlif olan gərginliklər verilərsə,bu gərginlik necə adlanır A) diferensial siqnal B) sinfaz siqnal C) simmetrik siqnal D) inteqral siqnal E) assimmetrik siqnal 495. Dinamik rejimdə qoşulmuş tranzistor 1. gərginlik dəyişir 2. cərəyan dəyişir 3. gərginlik sabit qalır,cərəyan dəyişir 4. cərəyan sabit qalır,gərginlik dəyişir A) 3
B) 1 C) 2
D) 1, 2 E) 4
A) əks əlaqə rejimi B) invers rejim C) statik rejim D) aktiv rejim E) normal rejim
A) çıxışda "0"ın sürüşməsi gərginliyi B) çıxış gərginliyinin dayanıqlı vəziyyət alması müddəti C) giriş və çıxış müqavimətləro D) güc gücləndirmə əmsalı E) girişdə "0"ın sürüşməsi gərginliyi 498. Müasir gücləndirici qurğuların əsasını aşağıdakı qurğulardan hansılar təşkil edir 1.bipolyar tranzistorlar 2.sahə təsirli tranzistorlar 3.İMS-lər A) 1, 2, 3 B) 1
C) 2 D) 1,3
E) 3 499. Diskret funksiya qanunu ilə elektrik siqnallarını çevirən və emal edən elektron qurğu adlanır? A) rəqəmsal İMS B) analoq İMS C) stabilitron D) triod E) vakuum diod 500. İkilik dəyişənləri elektron qurğulara hansı elektrik siqnalları ilə ötürülür? 1. potensialla 2. impulsla 3. induksiya ilə A) 1, 2 B) 1
C) 2 D) 3
E) 1, 2, 3 Yüklə 108,17 Kb. Dostları ilə paylaş:
|