Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika

N
q
kT
x
E
e
nat
nat
1


, 
(3) 
bu yerda 
0
e
x
x
 
.
Maskur maydoning kuchlanganlik vektori emitter o‘tishga yo‘nalgan bo‘ladi 
va maydon emitter o‘tish tomonidan, bazadan emmiterga injeksiyalangan noasosiy 
zaryad tashuvchilar (kovak) uchun sekinlashtiruvchi bo‘ladi. Asosiy zaryad 
tashuvchilar kovak bo‘lgan baza sohasida ichki statik maydon kuchlanganligi 
 
 
 
dx
x
dN
x
N
q
kT
x
E
b
nat
nat
1


, 
(4) 
bu yerda 
e
k
x
x
x
 
.
E
b
(x) funktsiya ishorasi o‘zgaruvchi bo‘ladi. 
 
nat
dN
x
dx
hosila 
e
k
x
x

o‘zning 
ishorasini o‘zgartirganligi uchun elektr maydon kuchlanganligi vektor ikkita o‘zaro 
qarama qarshi yo‘nalish bilan tavfsiflanadi. 

---

49 
e
t
x
x
x
 
sohasida u emitter o‘tishdan yo‘nalgan bo‘ladi. 
t
e
x
x

 
kattalik 
bazaga injeksiyalangan noasosiy zaryad tashuvchilarni ichki statik maydon 
sekinlashtirishi yuz beradigan baza sohasining qismidir. 
k
t
x
x

qismda maydon 
tezlashtiruvchi bo‘ladi Tranzistorning planar-epitaksial strukturasida ichki statik 
maydon nafaqat zaryad tashuvchilarning ko‘chish xarakterini (mexanizimi) 
aniqlaydi, balki uning asosiy parametrlarga miqdori ta‘sir qiladi. Ta‘kidlash 
kerakki 
p-n
-o‘tish bilan izolyatsiya qilgan planar – epitaksial tranzistorlar to‘rt 
qatlamli 
n
+
-
p
-
n
-
p
struktura bo‘lib, bog’langan tranzistorlar sifatida qarash mumkin. 
Asosiy 
n
+
-
p
-
n
va parazit 
p
-
n
-
p.
Biroq real strukturalarda kollektor qatlami orqali 
taglikka tokni uzatish koeffsenti judda kichikdir (
0.01


). Shuning uchun planar-
epitaksial tranzistorni kollektoriga izolyatsiyalovchi 
p-n
o‘tshning o‘rtalashtrilgan 
parazit sig’im 
C
p 
ulangan 
n
+
-
p
-
n
transistor sifatida qarash mumkin. Mazkur 
modelga deliktrik bilan izolyatsiyalangan tranzistor mos keladi. Tranzistor statik 
va o‘tish rejimida ishlashini tavsiflovchi asosiy parametrlar tranzistorni to‘g’ri va 
invers rejimda tokni kuchaytrish koeffitsiyenti (
B
va 
B
I
), shuningdek kirish va 
chiqish tavsiflarning parametrlari. 
B
kattalik asosan emitter o‘tishining injeksiya 
koeffitsiyenti bilan aniqlanadi. U emitter o‘tishdagi rekombinatsion toklarni 
hisobga olmagan holda injeksiyaning katta toklarida quyidagiga teng: 


n
p
p
n
n
e
n
I
I
I
I
I
I
I
/
1
1






, 
(5) 
bu yerda 
I
n 
– bazaga elektronlarning injeksiya toki; 
I
p
– bazadan emitterga 
kovaklarning injeksiya toki; 
I
e
emitterning to‘liq toki. 
I
n 
va 
I
p
toklar va mos ravishda 

koeffitsiyent 
E
e
(
x
) va 
E
b
(
x
) qiymatlarni hisobga olgan holda tranzistorning baza 
va emittуr struktura sohalari uchun uzluksiz tenglamasini yechish bilan aniqlanadi. 
Planar-epitaksial tranzistorlar kichik (0,3 dan katta emas) invers kuchaytrish 
koeffitsiyentiga 
B
I
egadir. Bu holatda kollektor o‘tish yaqinida kollektordagi 
kirishmalar konsenratsiyasi o‘tishining boshqa tomondagi bazadagi kirishmalar 
konsenratsiyasidan kam bo‘lishi bilan tushuntiriladi. Mos holda kollektor 
o‘tishning injeksiya koeffitsiyenti past bo‘ladi. Bu esa 
B
I
ning kichik qiymatga ega 
bo‘lishiga olib keladi. To‘yinish rejimda tranzistorning eng muhim statik tavsifi – 

---

50 
kirish (baza) va chiqish tavsirdir. Tranzistor to‘yinish kuchlanish 
U
kt
, 
B
I
oshishi va 
r
k
kamayishi bilan kamayadi. Planar tranzistorlar o‘ziga xos tomoni tranzistor 
sirtida bitta tekislikda asosiy sohalariga kontaktni joylashishdir. Bu esa kollektor 
sohani 
r
k
qarshligini sezrali darjada taqsimlanishiga olib keladi. 
r
k
ni 
kamaytirishning samarali usuli kollektorda berkitilgan 
n
+
qatlamni yaratish va 
emitterni shaklantrish jarayonida kollektor kontakti ostida donorni kiritishdir. U
kt
kuchlanishini ma‘lum bir kamaytirilishi kollektorning ikkita chiqishi ishlatilganda 
erishilishi mumkin. Ulardan biri yuklamaga ulansa, boshqasi chiqishdir. 
Shunday qilib, to‘yinish rejimda tranzistor qoldiq kuchlanish kattaligi 
U
kt
uchta parametrga bog’liq bo‘ladi: 
B
, 
B
I
va 
r
k
. Ular esa o‘z navbatida struktura 
parametrlari va tranzistorlarning ishlash rejimi bilan aniqlanadi Tranzistorning 
chastotaviy xossasi asosan baza orqali noasosiy zaryad tashuvchilarning o‘tish 
vaqti
 

o‘t
va emitter 
C
e
va kollektor 
C
k
o‘tishlarning sig‘imlari bilan aniqlanadi. 
Baza orqali zaryad tashuvchilarning o‘tish vaqti kollektor o‘tishda, 
injeksiyalangan elektronlarning zaryadi 
Q
jamlanish vaqti sifatida aniqlanadi: 
 
dx
x
n
I
q
I
Q
b
W
t
o



0
t
t
‘

, 
(6) 
bu yerda 
n
(
x
) bazaga injeksiyalangan elektronlarning taqsimoti; 
w
b
–baza kengligi. 
Kollektor va emitter o‘tish sig’imi, o‘tish yuzasi va hajmiy zaryad sohasi 
kengligi bilan aniqlanadi. U kirishmalar konsentratsiyasi gradienti va o‘tishga 
qo‘yilgan kuchlanish bilan aniqlanadi.
 


 
3
/
1
nat
k
kk
2
0
K
K
12











K
x
x
dx
x
dN
U
q
S
C


, 
(7) 
 


 
3
/
1
nat
k
ke
2
0
E
E
12











E
x
x
dx
x
dN
U
q
S
C


. 
(8)