Qr. 2216 Mikroprosessor texnikası mp-lərin rəqəmsal və proqramlanan qurğu olması nə ilə əsaslandırılır?

198. Hansı halda yarımkeçirici diod özünü induktiv element kimi aparır?

1.Dioddan əks cərəyan keçdikdə

2. Dioddan buraxıcı istiqamətdə cərəyan keçdikdə

3.Diod qızdırıldıqda

A) 2

B) 1

C) 1,3

D) 1,2,3

E) Yalnız 1

199. p-n keçiddə p və n hissələrində kontaktyanı oblastlarda hansı hadisənin baş

verməsi induktivliyin yaranmasına səbəb olur?

1.Regenerasiya hadisəsi

2.Rekombinasiya hadisəsi

3. Ekstraksiya hadisəsi

4.İnjeksiya hadisəsi

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 1,2,3,4

200. Aşağıdakı elementlərin hansından mikrosxemlərdə kondensator kimi istifadə

olunur?

A) Yarımkeçirici dioddan

B) Yarımkeçirici tranzistordan

C) Lampalı dioddan

D) Trioddan

E) Rezistordan

201. p-n keçiddə gərginlik buraxıcı istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir?

A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası

B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası

D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

202. p-n keçiddə gərginlik əks istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir?

A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası

B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası

D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

203. Real p-n keçiddə tam müqavimət nədən ibarətdir?

A) Bağlayıcı təbəqənin müqaviməti ilə deşik və ya elektron oblastlarının

müqavimətləri cəmindən

B) Deşik oblastının müqavimətindən

C) Elektron oblastının müqavimətindən

D) Doğru cavab yoxdur

A) Bağlayıcı təbəqənin müqavimətindən
204. Şottki diodun başqa p-n keçidli diodlardan əsas fərqi nə ilə əlaqadardır?

A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur

205. p-n keçidli diodların yüksək tezliklərdə işləmələrinə mane olan əsas səbəb

nədir?

A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur

206. Şottki diodların hazırlanmasında əsas hansı yarımkeçirici maddədən istifadə

olunur?

A) Si

B) Se

C) Ge

D) İn

E) Kd
207. Tunel diodu ilk dəfə hansı ölkədə hazırlanmışdır?

A) Yaponiyada

B) Almaniyada

C) Fransada

A) Çində

E)Rusiyada
208. Aşağıdakı cihazlardan hansının iş prinsipi diodun tutm xassəsinə əsaslanır?

A) Varikap

B) Tunel diodu

A) Şottki diod

D) Vakuum diodu

E) Stabilitron

209. Aşağıdakılardan hansı yalnız sabit cərəyan gərginliyi üçündür?

A) Stabilitron

B) Tunel diodu

C) Varikap

D) Vakuum diodu

E) Şottki diod

210. Aşağıdakı diodlardan hansından dəyişən tutumlu kondensator kimi istifadə

oluna bilər?

A) Varikap

B) Tunel diodu

C) Stabilitron

D) Impuls diodu

E) Şottki diodu

211. p-n keçiddə elektrik deşilməsindən hansı diodda istifadə olunur?

A) Stabilitron

B) Tunel diodu

C) Impuls diodu

D) Varikap

E) Şottki diodu

212. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların nisbətən kiçik

konsentrasiyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir?

A) Selvari

B) Səthi C) Tunel

D) Selvari və Tunel

E) Doğru cavab yoxdur
213. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların yüksək konsentrasiyasında

keçiddə hansı deşilmə baş verir?

A) Tunel

B) Səthi

C) Selvari

D) Selvari və Tunel

E) Doğru cavab yoxdur
214. Yarımkeçirici stabilitronlardan hansı stablizatorlarda istifadə olunur?

1.Parametrik 2.Kompensasiyalı 3.Körpü

A) 1 və 2

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) Yalnız 1

E) 1,2,3
215. Silisiumun hansı parametrini seçməklə lazimi qiymətə malik stabilləşdirici

gərginlik əldə etmək olar?

A)Xüsusi müqavimətini

B) Stabilləşmə gərginliyini

C) Stabilləşmə cərəyanını

D) Müqavimətini

E) Gərginliyini,müqavimətini

216. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar neçə cür olur?

A) 2

B) 3

C) 4

D) 6

E) 5
217. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar hansılardır?

A)Nöqtəvi,müstəvi

B) Dayaq

C) Dayaq,müstəvi

D) Müstəvi,dayaq

E) İmpuls,nöqtəvi
218. P-n tipli yarımkeçiricilər toxundurulduqda xüsusi mexanizmi yaranır ki,həmin

mexanizm diodların harada içlədilməsini müəyyən edir?

A) Hansı sahədə

B) Keçiddə

C) Stabilləşmədə

D) Keçiddə,stabilləşmədə

E) Elektrik deşilməsində

219. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası aşağıdakı cihazların hansında əsas rol

oynayır?

A) Sahə tranzistoru

B) Vakuum diodu

C) Triod

D) Bipolyar tranzistor

E) Varikap

220. Bipolyar tranzistorda hansı cərəyana idarəedici cərəyan deyilir?

A) Emitter cərəyanına

B) Baza cərəyanına

C) Kollektor cərəyanına

D) Düz cərəyana

E) Əks cərəyana

221. Bipolyar tranzistorda gücləndiriləcək siqnal hara qoşulur?

A) Emitter dövrəsinə

B) Kollektor dövrəsinə

C) Baza dövrəsinə

D) Kollektor və bazaya

E) Cərəyan güclənmir

222. Bipolyar tranzistorlar sxemə əsasən neçə üsulla qoşulur?

A) 3

B) 2

C) 1

D) 4

E) 5
223. Aşağıdakı rejimlərdən hansı bipolyar tranzistorun əsas iş rejimi hesab olunur?

A) Aktiv rejim

B) Kəsmə rejimi

C) Doyma rejimi

D) İnvers rejimi

E) Bütün rejimlər
224. Bipolyar tranzistor nə ilə idarə olunur?

A) Cərəyanla

B) Gərginliklə

C) Tutumla

D) İnduktivliklə

E) Doğru cavab yoxdur

225. Aşağıdakılardan hansı doğrudur?

Bipolyar tranzistorlar alınır:

1.Əritmə üsulu ilə 2.Diffuziya üsulu ilə

3.Çökdürmə üsulu ilə

A) 1 və 2

B) 2 və 3

C) 1 və 3

D) 1,2,3

E) Doğru cavab yoxdur

226. p-n-p tipli bipolyar tranzistorun aktiv rejimində xarici gərginlik mənbələri

emitter və kollektor keçidlərinə necə qoşulur?

A) Emitter keçidinə düz,kollektor keçidinə tərs qoşulur

B) Emitter keçidinə tərs, kollektor keçidinə isə düz qoşulur

C) Hər ikisinə düz qoşulur

D) Hər ikisinə tərs qoşulur

E) Doğru cavab yoxdur

227. Emitter keçidinin işi necə qiymətləndirilir?

A) İnjeksiya əmsalı ilə

B) Ekstraksiya əmsalı ilə

C) Gərginliyin qiyməti ilə

D) Cərəyanın qiyməti ilə

E) Diffuziya əmsalı ilə

228. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının

emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir?

A) Deşiklərin bazadan keçmə əmsalını

B) İnjeksiya əmsalını

C) Güc əmsalını

D) Ekstraksiya əmsalını

E) Cərəyana görə ötürmə əmsalını

229. Aşağıdakılardan hansı doğrudur?

A) Emitter cərəyanı idarə edən, kollektor cərəyanı idarə olunandır.

B) Emitter cərəyanı idarə olunan, kollektor cərəyanı idarə edəndir.

C) Emitter cərəyanı idarə olunan, baza cərəyanı idarə edəndir.

D) Kollektor cərəyanı idarə edən , baza cərəyanı idarə olunandır.

E) Dogru cavab yoxdur

230. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur?

A) Giriş elektrodunun dövrəsinə

B) Çıxış elektrodunun dövrəsinə

C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) Xarici dövrəyə

E) Dogru cavab yoxdur

231. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur?

A) Çıxış elektrodunun dövrəsinə

B) Giriş elektrodunun dövrəsinə

C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) Xarici dövrəyə

E) Dogru cavab yoxdur

232. Bipolyar tranzistorda ümumi baza ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni

təmin edir?

1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 2 və 3

B) 1 və 3

C) 1 və 2

D) Yalnız 1

E) 1,2,3
233. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı

mənbəyi hara qoşulur?

A) Baza dövrəsinə

B) Kollektor-emitter aralığına

C) Kollektor dövrəsinə

D) Emitter dövrəsinə

E) Doğru cavab yoxdur

234. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni

təmin edir?

1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 1,2,3

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) Yalnız 2 və 3

E) Yalnız 1
235. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərgnliyə və gücə görə gücləndirməni təmin

edən element aşağıdakılardan hansıdır?

A) Yük müqaviməti

B) Giriş müqaviməti

C) Çıxış müqaviməti

D) Kondensator

E) Doğru cavab yoxdur

236. Ümumi kollektor ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi bipolyar

tranzistorun hansı dövrəsinə qoşulur?

A) Emitter-kollektor dövrəsinə

B) Emitter-baza aralığına

C) Kollektor-baza aralığına

D) Kollektor dövrəsinə

E) Doğru cavab yoxdur

237. Sahə tranzistorunda kanalın müqavimətini necə dəyişirlər?

A) Cərəyan kanalının qalınlığını dəyişməklə

B) Cərəyan şiddətini dəyişməklə

C)) Aşqar daxil etməklə

D) p-n keçidin sayını artırmaqla

E) Doğru cavab yoxdur

238. p-n keçidli unipolyar tranzistorları neçə cür olur?

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 5
239. Sahə tranzistorunda neçə elektrod olur?

A)3

B) 2

C) 1

D) 4

E) 5
240. Unipolyar tranzistorlar nə ilə idarə olunur?

A) Elektrik sahəsi ilə

B) Gərginliklə

C) Cərəyanla

D) Kənar qüvvələrlə

E) Doğru cavab yoxdur

241. Aşağıdakılardan hansı unipolyar tranzistorlara aiddir?

1.p-n keçidli 2. Qurama kanallı 3.induksiya edilmiş kanallı

A) 1,2,3

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) 1 və 2

E)Yalnız 1
242. Sahə tranzistorunda kanalın keçiriciliyinə hansı kəmiyyət təsir etmir ?

1.İdarəedici elektroda verilən gərginlik

2.Mənbə və mənsəb arasındakı gərginlik

3.Temperatur

A) Doğru cavab yoxdur

B) 2

C) 3

D) 1,2,3

E) 1
243 Sahə tranzistorunda temperatur artdıqca hansı parametrlərin dəyişməsi düzgün

göstərilmiçdir?

1.Təmas potensial fərqi azalır.

2.Təmas potensial fərqi artır

3.Kanalın eni azalır

4.Kanalın eni artır

A) 1 və 4

B) 1və 3

C) 2 və 3

D) 2 və 4

E) Doğru cavab yoxdur

244. Sahə tranzistorları dövrəyə neçə sxem üzrə qoşula bilər?

A) 3

B) 2

C) 1

D) 4

E) 6
245. Ümumi idarəetmə elektrodlu sahə tranzistoru üçün hansı gücləndirmə

xarakterikdir?

A) Yalnız güc

B) Yalnız cərəyan

C) Cərəyan və gərginlik

D) Cərəyan və güc

E) Doğru cavab yoxdur

246. Sahə tranzistoru ilə bipolyar tranzistoru fərqləndirən cəhətlər hansılardır?

1.Sahə tranzistorunda giriş gərginliyi bipolyar tranzistora nisbətən çox böyükdür?

2.Sahə tranzistorunda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası baş vermir

3.İşçi cərəyanı yaradan yükdaşıyıcılara görə

A) 1,2,3

B) 1 və 3

A) 1 və 2

D) 2 və 3

E) Doğru cavab yoxdur

247. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır?

A) Yarımkeçiricinin səthyanı qatı

B) Yarımkeçiricinin orta təbəqəsi

C) Dielektrik qatı

D) Metal qatı

E) Doğru cavab yoxdur

248. MDY- tranzistorlarda neçə elektrod olur?

A) 4

B) 3

C) 2

D) 5

E) 6
249. MDY-tranzistorda altılığın çıxışı hara qoşula bilər?

A) Mənbəyə

B) Mənsəbə

C) İdarəedici elektroda

D) Dielektrik təbəqəyə

E) Doğru cavab yoxdur
250.Müəyyən bir funksiyanı yerinə yetirən və elektik cəhətdən

birləşdirilmiş,yüksək sıxlıqla qablaşdırılmış elementlərdən (və ya element və

komponentlərdən) ibarət olan vahid tam sistem necə adlanır?

A) İMS

B) Diod

C) Tranzistor

D) Generator

E) Sahə tranzistoru

251. Aşağıdakılardan hansılar mikrosxemin elementi deyil?

A) icra mexanizmi

B) tranzistor

C) diod

D) kondensator

E) müqavimət

252.Kiçik ölçülü induktiv sarğaclar

A) 1,3

B) 2,3

C) 3,4

D) 1,2

E) 1,2,3,4

253. Element və komponentlərin sayının çıxışların həcmi nəzərə alınmadan

mikrosxemin həcminə nisbəti necə adlanır?

A) Qablaşdırma sıxlığı

B) Cəmləşdirmə sıxlığı

C) Toplanma sıxlığı

D) İnteqrasiya sıxlığı

E) Doğru cavab yoxdur
254. İMS-in ümumi dielektrik və ya yarımkeçirici altlığı üzərində və ya həcmində

yerləşdirilmiş element və komponentlərin məcmuyu necə adlanır?

A) MS-in daxili qurğusu

B) MS-in xarici qurğusu

C) MS-in birləşmə qurğusu

D) MS-in kənar qurğusu

E) Doğru cavab yoxdur

255. BİS tərkibində nə qədər element və ya sadə komponent daxil olan MS-lərə

deyilir?

A) 1000-dən çox

B) 100-dən çox

C) 50.000-dən çox

D) 100.000-dən çox

E) 1000.000-dən çox

256. Funksional tətbiqlərinə görə İMS-lər neçə qrupa bölünürlər?

A) 2

B) 3

C) 4

D) 5

E) 6
257. Giriş və çıxış siqnalları diskret funksiya qanunu ilə dəyişən mikrosxem necə

adlanır?

A) Rəqəmsal İMS

B) Analoq İMS

C) Vakuum diodu

D) Stalitron

E) Varikap

258. Rəqəmsal İMS-lərin giriş və çıxış siqnalları necə qiymət ala bilər?

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 5
259. Konstruktiv texnoloji növlərinə görə İMS-lər neçə növə ayrılır?

A) 3

B) 2

C) 4

D) 5

E) 6
260. Monolit (yarımkeçirici) İMS-in hazırlanmasında aşağıdakı elementlərdən

hansıları istifadə olunur?

1.Si

2. Ge

3.Ga As

A) 1,2,3

B) 2

C) 3

D) 1,2

E) 1
261. Hibrid İMS-lərdə passiv elementlər necə olurlar?

A) Qalıntəbəqəli

B) Naziktəbəqəli

C) Nöqtəşəkilli

D) Ellipisşəkilli

E) Doğru cavab yoxdur
262.. Fotoliqrafiya nəyə əsaslanır?

A) İşığın həssas fotorezist polimer materiallardan istifadə olunmasına

B) İşığa həssas fotorezist qeyri-üzvi materiallardan istifadə olunmasına

C) Ultrabənövşəyi şüalardan istifadə olunmasına

D) Dalğa uzunluğu 1nm olan rentgen şüalarına

E) Elektron seli ilə şüalanmaya

263. Yüksək temperaturlarda müəyyən tip yarımkeçirici təbəqənin başqa tip

yarımkeçiricinin səthində yerləşdirilməsi prosesi necə adlanır?

A) Epitaksiya

B) İon aşqarlanması

C) Tozlanma

D) Diffuziya

E) Aşılanma

264. Yarımkeçiricinin müəyyən hissəsində p-n keçidin yaradılmasında hansı

üsuldan istifadə olunur?

A) Diffuziya

B) Oksidləşmə

C) Fotolitoqrafiya

D) Epitaksiya

E) Aşılanma

265. Yarımkeçirici lövhənin başqa maddənin sürətləndirilmiş ionları vasitəsilə

şüalandırılması hansı prosesdir?

A) İon aşqarlanması

B) Tozlanma

C) Epitaksiya

D) Diffuziya

E) Aşılanma

266. Aşağıdakılardan hansı variantda qalın təbəqəli İMS-in aktiv elemenyi

göstərilmişdir?

A) Anaoloq diodu

B) İnduktiv müqavimət

C) Kondensator

D) Rezistor

E) Yarımkeçirici diod

267. Analoq İMS-lər hansı xassələrinə görə qruplaşır?

1. Məlumat

2. Gücləndirmə

3.Giriş və çıxışların sayı

4. Hazırlandığı madddələr

A) 1,2

B) 2,3

C) 3,4

D) 1,3

E) 2,4
268. İMS-lərin üzərində yazılmış II element (2 hərf ) nəyi göstərir? 1.

Yarımqrupunu 2. Seriyasını 3. Təyinatını 4.Qrupunu

A) 2,4

B)1,4

C)2,3

D) 1,3

E)3,4
269. Aşağıdakılardan hansılar İMS-lərin aktiv elementlərinə aiddirlər?

1. Tranzistorlar

2. Amorf maddələrdən hazırlanmış nazik təbəqəli element

3. Kondensatorlar

4. İnduktiv elementlər

A) 3,4

B) 2,3

C) 1,2

D) 1,3

E) 2,4
270. Aşağıdakı sistemlərdən hansı analoq diodu ola bilər?

A) Metal-dielektrik-metal

B) Metal-metal oksidi

C) Metal-dielektrik

D) Metal-metal

E) Dielektrik-metal-dielektrik
271. Analoq diodunda cərəyankeçmə mexanizmi aşağıdakılardan hansına oxşardır?

A) Vakuum diodu

B) Triod

C) Yarımkeçirici diod

D) Polyar tranzistor

E) Doğru cavab yoxdur

272. Nə üçün analoq diodu yüksək temperaturlarda işləyə bilir?

A) Qadağan olunmuş zolağın eni böyük olan yarımkeçiricilərdən hazırlandığı

üçün

B) Dielektrik təbəqəyə malik olduğu üçün

C) Elektronlar metaldan dielektrikə injeksiyalandığı üçün

D) Cərəyan keçirmə mexanizmi həmi yüklərlə məhdudlaşan cərəyanla əlaqədar

olduğu üçün

E) Düzləndirmə əmsalı böyük olduğu üçün

273. İn-CdS-Te aşağıdakılardan hansına aiddir?

A) Analoq dioduna

B) Yarımkeçirici dioda

C) Vakuum dioduna

D) Bipolyar tranzistora

E) Doğru cavab yoxdur

274. Aşağıdakılardan hansından yaddaş elementi kimi istifadə olunur?

1.p-n-p tip bipolyar tranzistordan

2. n-p-n tip tranzistordan

3.MOY-sahə tranzistorundan

4.MNOY- nazik təbəqəli tranzistordan

A) 4

B) 2

C) 3

D) 1

E) 1,2,3,4

275. MNOY-tipli yaddaş elementində məlumatın saxlanılması üçün nə tələb

olunur?

A) Əlavə gərginlik mənbəyi

B) Əlavə tutum elementi

C) Əlavə induktiv element

D) Əlavə rezistor

E) Əlavə örtük təbəqəsi

276. MNOY-tipli yaddaş elementində məlumatın saxlanma müddəti hansı halda

azalır?

A) Ətraf mühitin temperaturu artdıqda

B) Ətraf mühitin temperaturu azaldıqda

C) Əlavə örtük təbəqəsi olmadıqda

D) Əlavə müqavimətə ardıcıl qoşulduqda

E) Doğru cavab yoxdur

277. Hansi mikrosxemlerde rezistor əvəzinə tranzistorlardan istifadə olunur?

A) Rəqəmsal mikrosxemlərdə

B) Analoq mikrosxemlərdə

C) Həm analoq,həm də rəqəmsal MS-lərdə

D) Analoq-rəqəmsal mikrosxemlərdə

E) Doğru cavab yoxdur

178. Doğru cavabı seçin? Adətən diffuziya rezistoru

A) n-tip yarımkeçiriciyə akseptor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə

hazırlanır

B) n-tip yarımkeçiriciyə donor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır

C) p-tip yarımkeçiriciyə akseptor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə

hazırlanır

D) p-tip yarımkeçiriciyə donor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır

E) Düzgün cavab yoxdur

279. Nazik təbəqəli rezistorların hazırlanmasında ən çox istifadə olunan material

hansıdır?

A) Nixrom (NiCr);

B) Silisium

C) Mis

D) Dəmir

E) Qızıl
280. Dinamik tipli yaddaş elementlərində kondensatorlar harada yerləşir?

A) MDY-trnzistorda

B) Qoşulma çıxışında

C) Xaricdə

D) Qoşulma girişində

E) Doğru cavab yoxdur
281. Diffuziya kondensatorların çatışmamazlığı aşağıdakılardan hansıdır?

1.Onların tutumları çox kiçikdir

2.Tutumları temperaturdan asılıdır

3.Deşilmə gərginliyinin qiyməti çox kiçikdir

4.Monolit blokda yaradılması

A) 1,2,3

B) 1,2

C) 2,3

D) 3,4

E) 1,4
282. MOY tipli kondensatorlarda köynəklər arasındakı lay hansı materialdan

hazırlanır?

A) Yarımkeçiricidən

B)) Metal oksidindən

C) Dielektrikdən

D) Qələvi metaldan

E) Doğru cavab yoxdur

283. İnduktiv xassələrə malik olan yarımkeçirici elementlərdən ən sadəsi hansıdır?

A) Müstəvi diod

B) Analoq diodu

C) Vakuum diodu

D) Tyunnel diodu

E) Doğru cavab yoxdur

284. Elektron açar sxemlərindən harada istifadə olunur?

1.İdarəedici siqnalın təsirilə müxtəlif elektik dovrələrini açıb bağlamaq üçün

2.İmpuls siqnalları ötürmek üçün

3.Analoq siqnalları ötürmek üçün

A) 1,2,3

B) 2

C) 3

D) 2,3

E) 1
285. Elektron açarlar nece qoşulur?

1.Ardıcıl 2.Paralel 3.Paralel-ardıcıl

A) 1,2,3

B) 2

C) 3

D) 2,3

E) 1
286. İdarəedici siqnalın təsiri öz elektrik müqavimətini çox kiçik qiymətdən çox

böyük qiymətə qədər artıra bilən cihaz necə adlanır?

A) Elektron açar

B) Düzləndirici

C) Gücləndirici

D) Kod çeviricisi

E) Doğru cavab yoxdur

287. Diod açarların çatışmayan cəhəti nədir?

A) İdarəedici və idarə olunan dövrələri bir-birindən ayıra bilməməsi

B) Yarımkeçirici materialı

C) Sadəliyi

D) Diodun bağlanma müddəti

E) Doğru cavab yoxdur

288. Diod açarlar dövrəyə qoşulmasından asılı olaraq neçə cür olur?

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 5
289. Sıfır səviyyəli giriş gərginliyi ilə qoşulan ardıcıl diod açarı hansı halda açılır?

1.Müsbət gərginlik verdikdə