Fişa de documentare 2.1. Diode
Dacă într-un acelaşi cristal se creează prin impurificare, de-o parte şi de alta a unei suprafeţe de separaţie, două regiuni de tip opus una p şi cealaltă n, se spune că am realizat o joncţiune pn.
O diodă semiconductoare este formată dintr-o joncţiune pn, la extremităţile căreia sunt fixate conductoare de legătură, prin intermediul contactelor ohmice.
Terminalul ataşat regiunii p se numeşte anod, iar cel ataşat regiunii n se numeşte catod.
A
K ( C)
Fig.2.1.1.
Tipuri
După utilizarea lor în practică, diodele semiconductoare pot fi:
-
redresoare
-
stabilizatoare
-
cu contact punctiform
-
varicap
-
tunel
1. Diode redresoare
Folosesc proprietatea joncţiunii pn care permite trecerea unui curent electric semnificativ, numai atunci când sunt polarizate direct ( potenţialul anodului este mai mare decât potenţialul catodului, cel puţin cu valoarea potenţialului de barieră ); la polarizare inversă ele se “blochează”.
Această operaţie prin care se transformă un semnal alternativ într-un semnal continuu, poartă numele de redresare.
Parametri
- tensiune continuă directă – UF
- tensiune inversă de vârf repetitivă– URRM
- curent direct continuu – IF
- curent mediu redresat – I0
- curent direct de vârf repetitiv – IFRM
- tensiune de deschidere, de prag: - 0,2 V ÷ 0,4 V – pentru diodele cu Ge
- 0,4 V ÷ 0,7 V – pentru diodele cu Si
2. Diode stabilizatoare ( diode Zener )
Lucrează în regim de străpungere controlată, în care atât curentul cât şi puterea disipată sunt menţinute de circuitul exterior la valori acceptabile, pe care dioda le poate suporta în regim permanent fără să se distrugă. Aceste diode se bazează pe proprietatea joncţiunii pn de a avea în regim de străpungere o tensiune la borne practic constantă, într-un domeniu larg de variaţie a curentului invers.
Parametri
- tensiunea de stabilizare – UZ
- curentul invers maxim – IZ
3. Diode cu contact punctiform
Sunt diode utilizate în domeniul frecvenţelor înalte şi foarte înalte, domeniu în care dioda cu joncţiuni nu poate fi folosită. Ele sunt folosite ca detectoare şi schimbătoare de frecvenţă, iar în regimul de impulsuri ca diode de comutaţie.
Parametri
- tensiune continuă inversă – URM
- curent continuu direct – IF
- tensiune continuă directă – UF
- curent mediu redresat – I0
4. Diode varicap ( varactoare)
Sunt diode cu joncţiuni ce funcţionează în regim de polarizare inversă până la valoarea de străpungere. Utilizează proprietatea joncţiunii pn de a se comporta ca o capacitate dependentă de tensiunea continuă de polarizare inversă.
Parametri
- tensiune inversă de vârf – UR
- curentul continuu invers – IR
5. Diode tunel
Sunt diode cu joncţiuni dar cu o lăţime a zonei de trecere mult mai mică, a căror funcţionare se bazează pe “efectul tunel”. Datorită acestui efect, electronii pot învinge bariera de potenţial, reprezentată de regiunea de trecere, chiar în absenţa unei energii corespunzătoare. Apare astfel un curent prin diodă, numit curent tunel, important atât la polarizare inversă cât şi la valori mici ale polarităţii directe.
Simboluri
Tab. 2.1.1
Tipuri de diode
|
Simbol standardizat
|
Simbol nestandardizat
|
Diode redresoare
|
|
|
Diode stabilizatoare
|
|
|
Diode varicap
|
|
|
Diode cu contact punctiform
|
|
|
Diode tunel
|
|
|
Marcare
1. Pentru marcarea diodelor se practică desenarea unei benzi colorate pe corpul diodei, în apropierea unui terminal, ce indică catodul acesteia. Nu există norme internaţionale care să reglementeze codificarea dispozitivelor semiconductoare, aceasta revenind firmelor producătoare care utilizează coduri specifice lor.
2. Diodele cu contact punctiform sunt marcate prin aplicarea unor inele colorate pe corpul componentei. Citirea începe cu inelul cel mai apropiat de terminal.
Verificarea funcţionării diodelor
Funcţionalitatea diodelor sau a joncţiunilor pn se verifică cu ohmmetrul, prin măsurarea rezistenţelor în sensul conducţiei şi blocării.
1.La diodele cu terminalele marcate, se determină:
Rd – rezistenţa directă - în sensul direct de conducţie, conectând anodul la borna (+) a ohmmetrului.
Ri – rezistenţa inversă - în sens invers de blocare, conectând catodul la borna (+) a ohmmetrului.
Dacă dioda este în stare de funcţionare atunci Rd este mic (0) iar Ri este mare (∞).
2.La diodele cu terminalele nemarcate se determină rezistenţele în ambele sensuri şi se identifică terminalele:
- când rezistenţa este mică (Rd) atunci A (anodul) este cel legat la borna (+) a ohmmetrului;
- când rezistenţa este mare (Ri) atunci A (anodul) este cel legat la borna (–) a ohmmetrului;
Defectele diodelor:
1. Diodele sunt în scurtcircuit când ambele rezistenţe sunt mici.
2. Diodele sunt întrerupte când ambele rezistenţe sunt mari.
Activitatea de învăţare 2.1.1. Identificarea tipurilor de diode
Competenţa: Identifică circuitele cu componente electronice analogice
Obiectivul/obiective vizate:
- Să identifice tipurile de diode din schemele electronice.
- Să precizeze parametrii caracteristici fiecărui tip de componentă discretă, pe baza datelor de catalog
50 min
Tipul activităţii: Rezumare
Sugestii: Activitatea se poate realiza individual sau pe grupe de câte 3 - 4 elevi
Conţinut: Tipuri de diode
Obiectiv: La sfârşitul acestei activităţi vei putea să determini performanţele şi particularităţile constructive, de polarizare şi utilizare pentru diverse tipuri de diode.
Enunţ:
Folosind surse diverse (fişa de documentare 2.1., Internet, reviste de specialitate, caiet de notiţe, catalog de componente electronice etc), obţineţi informaţii despre diodele: redresoare, stabilizatoare, varicap, cu contact punctiform, tunel. Alegeţi câte un exemplu din fiecare tip de diodă şi prezentaţi rezultatul sub formă de tabel, după modelul următor:
Tip diodă
|
Simbol
|
Polarizare
|
Parametri
|
Utilizări
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Evaluare: Pentru fiecare tip de diodă prezentată corect, se acordă câte 4 puncte.
Activitatea de învăţare 2.1.2. Determinarea stării de funcţionare a diodelor
Competenţa: Analizează funcţionarea montajelor cu circuite electronice
Obiectivul/obiective vizate:
Să măsoare rezistenţele la polarizare directă şi la polarizare inversă, determinând starea de funcţionare a diodelor
50 min
Tipul activităţii: Exerciţiu practic
Sugestii: Activitatea se poate realiza pe grupe de câte 3 - 4 elevi
Conţinut: Determinarea stării de funcţionare a diodelor
Obiectiv:
La sfârşitul acestei activităţi vei şti să apreciezi starea de funcţionare a diodelor, măsurând rezistenţele la polarizare directă şi inversă cu ajutorul aparatului de măsură.
Enunţ:
Pentru fiecare din diodele date: redresoare, stabilizatoare, cu contact punctiform, măsuraţi rezistenţa în polarizare directă şi rezistenţa în polarizare inversă şi treceţi rezultatele obţinute în tabelul de forma:
Tipul diodei
|
Cod
|
Rd (Ω)
|
Ri (Ω)
|
Starea de funcţionare
|
Redresoare
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Stabilizatoare
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Cu contact punctiform
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Alte sugestii şi recomandări :
-
Pentru determinarea stării de funcţionare a diodelor se studiază fişa de documentare 2.1.;
-
Se recomandă cel puţin două diode diferite din fiecare tip ;
Materiale necesare:
-
Multimetre digitale sau multimetre analogice,
-
tipuri de diode: redresoare (1N4001...), stabilizatoare ( PL5V6Z....), cu contact punctiform (1N4148...).
Evaluare:
Pentru fiecare măsurătoare corectă se acordă câte 1punct. Pentru identificarea corectă a stării de funcţionare a fiecărei diode se acordă câte 2 puncte.
Tema 2. Componente active de circuit
Fişa de documentare 2.2. Tranzistoare
Tranzistoarele reprezintă dispozitive semiconductoare capabile să îndeplinească condiţiile necesare amplificării în condiţii de polarizare optimă.
Tipuri
În funcţie de modul de funcţionare, se pot împărţii în două mari categorii:
-
Tranzistoare bipolare – la care curentul principal este format din ambele feluri de purtători de sarcină electrică specifice semiconductorilor
-
Tranzistoare unipolare – la care curentul principal este format dintr-un singur fel de purtători de sarcină
1. ) Tranzistoare bipolare
Sunt formate dintr-un monocristal de germaniu sau siliciu, în care se realizează prin impurificare, trei regiuni alternativ dopate, despărţite prin două suprafeţe de separaţie. Regiunile de la extremităţi au acelaşi tip de conductibilitate şi se numesc emitor respectiv colector. Regiunea centrală are o conductibilitate opusă faţă de extremităţi şi se numeşte bază.
În funcţie de doparea regiunilor ce formează tranzistorul, se cunosc:
-
Tranzistoare pnp - emitorul şi colectorul de tip p
- baza de tip n
-
Tranzistoare npn - emitorul şi colectorul de tip n
- baza de tip p
Simboluri
Tranzistor npn Tranzistor pnp
Fig. 2.2.1.
Marcare
Există trei modalităţi de marcare a tranzistorilor:
a). folosind două litere şi trei cifre – se aplică tranzistoarelor din domeniu audio - video
-
Prima literă se referă la materialul din care este confecţionat tranzistorul şi poate fi : A – pentru germaniu, sau B – pentru siliciu
-
A doua literă reprezintă domeniul de utilizare: C – tranzistor de putere mică de joasă frecvenţă; D - tranzistor de putere mare de joasă frecvenţă; F – tranzistor de putere mică de înaltă frevenţă
-
Cifrele identifică un tip particular de tranzistor, fără a avea însă o logică universal valabilă în alegerea lor
b). marcarea care începe cu 2N – este formată din : cifră, literă, patru cifre
-
2 – simbol pentru tranzistor
-
N – simbol pentru siliciu
c). cod format din trei litere şi două cifre – nu există o regulă generală de identificare a literelor. Se aplică tranzistoarelor utilizate în aplicaţii speciale.
Parametri
Cei mai importanţi parametri ai unui tranzistor, a căror depăşire poate duce la distrugerea acestuia, sunt:
-
temperatura joncţiunii - TF
-
puterea totală disipată - PD
-
curentul de colector - IC
-
factor de amplificare în curent - hFE
-
tensiunea de saturaţie colector – emitor - UCEsat
-
frecvenţa de tăiere - fT
2. ) Tranzistoare unipolare ( cu efect de câmp)
Funcţionarea lor se bazează pe variaţia rezistenţei unui strat de material semiconductor, prin care curentul este obligat să circule, cu ajutorul unui câmp electric produs de semnalul de comandă. Variaţia rezistenţei determină variaţia curentului care trece prin tranzistor.
Tipuri
Există trei tipuri de tranzistoare cu efect de câmp ( TEC ):
-
tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune - TEC – J
-
tranzistoare cu efect de câmp cu structură de metal–oxid –semiconductor – MOS
-
tranzistoare cu pături subţiri
a) Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune - TEC – J
Tranzistorul TEC –J, este format dintr-un bloc semiconductor de tip p sau n, la extremităţile căruia se depun două contacte ohmice numite sursă ( S ), respectiv drenă ( D). În zona centrală dintre sursă şi drenă se formează prin impurificare o regiune de tip opus blocului semiconductor, numită poartă ( P), sau grilă ( G ) iar de cealaltă parte a blocului semiconductor, se creează o zonă de acelaşi tip cu poarta, numită bază. Canalul conductor este conectat între drenă şi sursă.
Simbol
Fig. 2.2.2.
b) Tranzistoare cu efect de câmp tip MOS
La aceste tranzistoare, canalul conductor se află la suprafaţa semiconductorului de bază iar câmpul electric exterior se aplică pe o armătură metalică care este izolată de suprafaţă. Datorită succesiunii straturilor de metal, oxid de siliciu, semiconductor care formează poarta , tranzistorul se numeşte MOS.
Simbol
cu canal de tip p Fig.2.2.3. cu canal de tip n
Parametri
Caracteristic pentru TEC – uri,considerând aici şi TEC-J şi TEC-MOS sunt mărimile:
-
tensiunea de poartă - Ep – tensiunea dintre poartă şi sursă
-
curentul de drenă - ID
-
impedanţa de intrare
Asemănări între TEC-J şi TEC-MOS:
-
ambele sunt comandate în tensiune
-
curentul de intrare mic ( 10-9 ÷ 10-12 A laTEC –J şi 10-12 A la TEC - MOS)
-
impedanţa de intrare foarte mare ( 1012 ÷ 1018 Ω la MOS )
-
frecvenţe de lucru foarte mari ( 107 ÷ 108 Hz )
Defecte specifice tranzistoarelor
Cele mai frecvente defecte care pot apare atât la circuitul de polarizare cât şi la tranzistorul propriu – zis, sunt: întreruperea joncţiunilor, curenţi reziduali prea mari, întreruperea circuitului exterior, scurtcircuite pe traseul imprimat.
Defecte
|
Manifestarea lor în circuit
|
Întreruperea conexiunii bază-emitor
|
Curent nul prin colector
Tensiune pe colector mare, tensiune pe emitor nulă
|
Baza întreruptă în interiorul tranzistorului
|
Tensiune pe colector mare, tensiune pe emitor nulă
|
Colector întrerupt în interiorul tranzistorului
|
Tensiune mare în colector,
0,5V...0,7V tensiunea bazei
|
Emitor întrerupt în interiorul tranzistorului
|
Tensiune mare în colector, tensiune nulă în emitor
|
Scurtcircuit în interiorul tranzistorului între emitor şi colector
|
Tensiunile pe emitor şi colector au aceeaşi valoare
|
Întreruperea circuitului bazei
|
Tensiune pe colector mare, între bază şi emitor lipsă tensiune
|
Întreruperea circuitului emitorului
|
Tensiunea pe emitor aproape egală cu tensiunea de bază, tensiune mare pe colector
|
Întreruperea circuitului colectorului
|
Tensiuni foarte mici pe colector, bază şi emitor
|
Curenţi reziduali prea mari (nA la Si)
|
|
Tranzistor defect
|
Factorul de amplificare mai mic decât cel dat în catalog
|
Activitatea de învăţare 2.2.1. Identificarea tipurilor de tranzistoare
Competenţa: Identifică circuitele cu componente electronice analogice
Obiectivul/obiective vizate:
Să identifice terminalele şi tipul de tranzistor
50 min
Tipul activităţii: Exerciţiu practic
Sugestii: activitatea se poate realiza pe grupe de câte 3 - 4 elevi
Conţinut: Tranzistor bipolar
Obiectiv: La sfârşitul acestei activităţi vei putea identifica terminalele şi tipul de tranzistor, cu ajutorul aparatului de măsură.
Enunţ:
Identifică terminalele şi tipul tranzistoarelor date
Materiale necesare:
tipuri de tranzistoare TA, TB... ( BC 177, BC 171, BD 135, BD 137,...), multimetru numeric sau analogic, conectori
Mod de lucru:
- Se măsoară rezistenţa RT1,T3 dintre terminalul T1şi T3, în ambele sensuri. Se repetă măsurarea între terminalele: T1- T2 şi T2 –T3 rezultatele trecându-se în tabelul:2.2.1.1
Tabelul 2.2.1.1
T
|
R T1, T3
|
R T2 , T3
|
R T1, T2
|
Tipul tranzistorului
|
Terminal
|
|
|
|
|
|
|
TA
|
|
|
|
|
|
|
|
T1=
T2=
T3=
|
TB
|
|
|
|
|
|
|
|
T1=
T2=
T3=
|
- Se compară valorile măsurate cu valorile din tabelul 2.2.1.2 şi se identifică terminalele şi tipul tranzistorului
- Pentru identificarea emitorului şi colectorului se compară rezistenţa joncţiunilor bază – emitor, respectiv bază – colector ( RBE > RBC)
- Dacă valorile măsurate diferă de cele din tabelul 2.2.1.2,tranzistorul este defect.
Tabelul 2.2.1.2
R T1, T3
|
R T2, T3
|
R T1,T2
|
Tipul tranzistorului
|
Terminal
|
|
|
|
|
|
|
mică
|
∞
|
mică
|
∞
|
∞
|
∞
|
npn
|
T1=
T2=
T3=
|
∞
|
mică
|
∞
|
mică
|
∞
|
∞
|
pnp
|
T1=
T2=
T3=
|
Evaluare:
- Pentru fiecare identificare corectă ( terminal, tip), se acordă câte 2 puncte
- Pentru fiecare măsurare corectă se acordă câte 1 punct.
Activitatea de învăţare 2.2.2. Utilizarea catalogului de tranzistoare
Competenţa: Verificarea funcţionării circuitelor cu componente discrete, a circuitelor integrate analogice
Obiectivul/obiective vizate:
Să precizeze parametrii diferitelor tipuri de tranzistoare pe baza datelor din cataloagele de componente
50 min
Tipul activităţii: Studiu de caz
Sugestii:
Activitatea se poate realiza individual sau pe grupe de 2 - 3 elevi
Conţinut: Utilizarea datelor din cataloagele de tranzistoare
Obiectiv: La sfârşitul acestei activităţi vei putea identifica parametrii diferitelor tipuri de tranzistoare, folosind datele din catalogul de tranzistoare.
Enunţ:
Redactează o foaie simplificată de catalog pentru un tranzistor bipolar, la alegere, folosind catalogul de tranzistoare. Se vor urmări valorile limită absolute precum şi caracteristicile statice şi dinamice ale tranzistorului respectiv.
Evaluare:
Punctajul se acordă în funcţie de exactitatea informaţiilor obţinute.
Dostları ilə paylaş: |