Pentru a mări şi mai mult performanţele acestui sistem, am putea construi un circuit de filtrare capabil să permită trecerea frecvenţelor ce se află între joase şi înalte spre difuzorul de medii, astfel încât să nu existe putere disipată (de frecvenţă înaltă sau joasă) pe un difuzor ce reproduce acest tip de sunete ineficient.
Prin aplicarea unei energii exterioare un număr de electroni din banda de valenţă (BV) pot fi smulşi devenind electroni liberi. Sub acţiunea unui câmp electric exterior care îi dirijează ei formează curentul electric, trecând în banda de conducţie (BC). Dacă energia exterioară aplicată unui semiconductor este mai mică decât pragul necesar trecerii în BC, electronii de valenţă trec în aşa numita bandă interzisă (BI) după care ei revin înapoi în BV.
Prin aplicarea unei energii exterioare un număr de electroni din banda de valenţă (BV) pot fi smulşi devenind electroni liberi. Sub acţiunea unui câmp electric exterior care îi dirijează ei formează curentul electric, trecând în banda de conducţie (BC). Dacă energia exterioară aplicată unui semiconductor este mai mică decât pragul necesar trecerii în BC, electronii de valenţă trec în aşa numita bandă interzisă (BI) după care ei revin înapoi în BV.
Semiconductoarele sunt materiale care stau la baza realizării componentelor active (ex: diode, tranzistoare, etc.). La acestea, spre deosebire de conductoare şi izolatoare, conductibilitatea depinde foarte mult de temperatură, iluminare sau de impurificarea cu materiale sau cu atomi străini.
Semiconductoarele sunt materiale care stau la baza realizării componentelor active (ex: diode, tranzistoare, etc.). La acestea, spre deosebire de conductoare şi izolatoare, conductibilitatea depinde foarte mult de temperatură, iluminare sau de impurificarea cu materiale sau cu atomi străini.
Materialele semiconductoare uzuale sunt germaniu şi siliciu, ambele făcând parte din grupa a VI-a, având deci 4 electroni de valenţă pe ultima orbită.
Semiconductorul pur, la rece, se comportă ca un izolator. Electronii de valenţă fiind bine fixaţi asigurând legăturile dintre atomi. Ca urmare nu există purtători de sarcină (electroni sau goluri) liberi.
Semiconductorul de tip N constă dintr-un semiconductor pur în a cărui reţea cristalină s-au introdus atomi cu 5 electroni de valenţă din grupa a V-a (ex: Arseniu As). Patru legături de valenţă ai arseniului asigură legăturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea rămânând slab legat de atomul său devine disponibil (liber) şi chiar la temperaturi obişnuite poate căpăta o mişcare liberă. Aceşti atomi capabili să producă electroni liberi se numesc donori.
Semiconductorul de tip N constă dintr-un semiconductor pur în a cărui reţea cristalină s-au introdus atomi cu 5 electroni de valenţă din grupa a V-a (ex: Arseniu As). Patru legături de valenţă ai arseniului asigură legăturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea rămânând slab legat de atomul său devine disponibil (liber) şi chiar la temperaturi obişnuite poate căpăta o mişcare liberă. Aceşti atomi capabili să producă electroni liberi se numesc donori.
Semiconductorul de tip N constă dintr-un semiconductor pur în a cărui reţea cristalină s-au introdus atomi cu 5 electroni de valenţă din grupa a V-a (ex: Arseniu As). Patru legături de valenţă ai arseniului asigură legăturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea rămânând slab legat de atomul său devine disponibil (liber) şi chiar la temperaturi obişnuite poate căpăta o mişcare liberă. Aceşti atomi capabili să producă electroni liberi se numesc donori.
Semiconductorul de tip N constă dintr-un semiconductor pur în a cărui reţea cristalină s-au introdus atomi cu 5 electroni de valenţă din grupa a V-a (ex: Arseniu As). Patru legături de valenţă ai arseniului asigură legăturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea rămânând slab legat de atomul său devine disponibil (liber) şi chiar la temperaturi obişnuite poate căpăta o mişcare liberă. Aceşti atomi capabili să producă electroni liberi se numesc donori.
Concluzionând, semiconductorul de tip N conţine sarcini negative în exces (electroni), iar semiconductorul de tip P sarcini pozitive în exces (goluri) care se pot deplasa prin reţeaua cristalină a semiconductorului sub influenţa unor cauze energetice aplicate din exterior (căldură, lumină, forţă electromotoare, etc).
Concluzionând, semiconductorul de tip N conţine sarcini negative în exces (electroni), iar semiconductorul de tip P sarcini pozitive în exces (goluri) care se pot deplasa prin reţeaua cristalină a semiconductorului sub influenţa unor cauze energetice aplicate din exterior (căldură, lumină, forţă electromotoare, etc).
Dotarea semiconductoarelor pure se poate face prin diverse procedee tehnologice ca: alierea, difuzia, implantarea ionică etc.
Dacă într-un cristal semiconductor se creează prin dotare (impurificare) două zone vecine, una de tip P şi alta de tip N se spune că s-a obţinut o joncţiune P-N.
Joncţiunea p-n are proprietăţi speciale şi stă la baza majorităţii dispozitivelor semiconductoare şi implicit a electronicii moderne.
Această joncţiune nu se poate obţine printr-o simplă alipire a două regiuni impurificate de tip P şi respectiv N, deoarece metodele tehnologice actuale de alipire fac ca distanţa dintre cele două regiuni să fie foarte mare (distanţa interatomică la Si şi Ge are ordinul de mărime 10-10 m). În aceste condiţii fenomenele de trecere dintr-o zonă în alta a purtătorilor de sarcină ar fi împiedicat, cele două regiuni rămânând astfel izolate.
