Journées Nationales du gdr nanoélectronique

Mercredi 29 Janvier – Salle 207

8h30-10h Substrats non conventionnels et hétéro-épitaxie

8h30-9h	Czochralski growth of SiGe bulk single-crystals (invité) N. Abrosimov, Institut fürKristallzüchtung, Berlin (Allemagne)
9h-9h15	Croissance de Ge sur 4H-SiC(0001) K. Aït-Mansour et al., LPSE Mulhouse, Fac des Sciences Tétouan Maroc, CEA Grenoble
9h45-10h	Low-thermal budget surface preparation of Si and SiGe prior to epitaxy A. Abbadie et al., Picogiga, CEA/LETI, STMicroelectronics, CEA/DRFMC

Pause

10h15 – 12h15 Hétérostructures

10h15-10h45	Strained Si devices : materials end devices (invité) S. Christiansen, Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik Weinberg (Allemagne)
10h45-11h	Surface morphology of SiGe relaxed alloys (x = 0.2 to 0.5) A. Abbadie et al., Picogiga, CEA/LETI, STMicroelectronics
12h-12h15	Croissance de GaN sur substrat silicium : Structures HEMT AlGaN/GaN et Nanostructures F. Semond et al., CRHEA Sophia-Antipolis

Pause de midi : repas libre

14h15-16h – Session posters

16h-18h – Transport électronique

16h-16h30	Monte-Carlo simulation of electron mobility in strained Si/SiGe-OI inversion layers (invité) F. Gamiz, Université de Grenade (Espagne)
16h30-16h45	Modélisation du transport en gaz 2D dans des hétérostructures IV-IV par simulation Monte Carlo F. Monsef et al., IEF Orsay
17h45-18h	Simulation en deux dimensions du transport quantique dans les structures Silicium ultra-courtes N. Ben Abdallah et al., MIP Toulouse, IMEP Grenoble, LPM Lyon

18h – Fin de la journée