Beshinchi bosqichni protsessorlarda yarimo'tkazgichlar deb atash mumkin... Yoki kremniy davrining pasayishi. Yarimo'tkazgich elementlarining o'lchamlari va tezligi hal qiluvchi rol o'ynay boshlagan protsessorlarni ishlab chiqish va ishlab chiqarish kabi zamonaviy elektronikaning ilg'or sohalarida kremniydan foydalanish texnologiyalarining rivojlanishi deyarli jismoniy chegarasiga yetdi. So'nggi yillarda integral mikrosxemalar ish faoliyatini yaxshilashga operatsion takt chastotasini oshirish va tranzistorlar sonini ko'paytirish orqali erishildi.
Transistorlarning almashinish tezligining oshishi bilan ularning issiqlik chiqishi eksponent ravishda oshadi. Bu 2005 yilda 3 gigagertsli mintaqada protsessorlarning maksimal soat chastotasini to'xtatdi va shundan beri faqat "ko'p yadroli" ortib bormoqda, bu aslida vaqtni belgilaydi.
Kichik yutuqlar - bu yarimo'tkazgich elementlarini jismoniy o'lchamlarini kamaytirish orqali bir chipda miqdoriy integratsiyalashdan mahrum bo'lish - yanada nozik texnologik jarayonga o'tish. 2009-11 yillar holatiga ko'ra, tranzistorning kanal uzunligi atigi 20 nm bo'lgan hammasi bo'lib 32 nm texnologiya ishlatilgan. Yupqaroq 16 nm jarayonga o'tish faqat 2014 yilda boshlangan.
Transistorlar tezligi pasayganda ortadi, lekin protsessor yadrosining takt chastotasini oshirish mumkin emas, chunki u texnologik jarayonning 90 nm gacha edi. Bu faqat kremniy texnologiyalarining rivojlanishidagi boshi berk ko'chadan dalolat beradi, garchi ular kamida yana bir asr davomida qo'llaniladi, agar, albatta, ushbu quyosh tizimidagi tsivilizatsiyaning ettinchi tsikli qayta tiklanmasa.
Grafen ishlanmalari keyingi o'n yil ichida ommaga e'lon qilinishi kerak, ayniqsa, bu borada ba'zi rus institutlari oldingi tsikldagi ma'lumotlarning shifrlanishi tufayli rivojlangan, ularning nomlarini hozircha ko'rsata olmayman.
Grafen faqat 2004 yilda qayta kashf etilgan yarimo'tkazgich materialdir. Bir nechta laboratoriyalar allaqachon uchta barqaror holatda ishlay oladigan grafen asosidagi tranzistorni sintez qilishgan. Kremniydagi shunga o'xshash yechim uchta alohida yarimo'tkazgichli tranzistorlarni talab qiladi. Bu yaqin kelajakda kamroq tranzistorlardan eskirgan kremniy hamkasblari bilan bir xil funktsiyalarni bajaradigan integral mikrosxemalar yaratish imkonini beradi.
Elektron qurilmalar 1958-yilda mikroelektron integral ko‘rinishda— IM Slar ko‘rinishida yaratilgandan boshlab m ikroelektronika davri boshlandi. Bunda “ m ikro” qo‘shim chasi tranzistorlar o ‘lcham lari sezilarli darajada kichiklashganini anglatar edi. Aslida esa, IM Slar m ik ro o la m o b y e k tla ri — a to m va m o le k u la la rg a n isb a ta n “m akroasbob”ligicha qolaverdi. M ikrosxem alarni ikkita afzalligi: narxi arzonligi va yuqori www.ziyouz.com kutubxonasi tezkorlikka egaligi bor edi. Ikkala afzallik ham m iniatyurizatsiya (o‘lchamlami kichiklashtirish) natijasi edi. Mikroelektronikaning keyingi rivoji tranzistorlar o ‘lchamlarini uzluksiz kichiklashuvi bilan bog‘liq. 1999-yildan boshlab fazoviy koordinatalarning biri b o ‘ylab tranzistorning o ‘lchami bir necha o ‘n nmga (1 nm =10-9 m) kamaydi, ya’ni mikroelektronika o ‘rniga nanoelektronika keldi. T a’riflarning bittasiga muvofiq nanoelektronika o ‘lchamlari 0,1-H 00 nm gacha bo‘lgan yarim o‘tkazgich tuzilmalar elektronikasidir. M ikro— va nanoelektronika asboblarida axborot signallar va energiyani o‘zgartirish jarayonlari elektronlar harakati hisobiga yoki ularning bevosita qatnashishi hisobiga amalga oshadi. M a’lum ki, elektronlar va boshqa mikrozarrachalar harakati nazariyasi bo‘lib kvant mexanikasi xizmat qiladi. Kvant mexanikasi qonunlariga muvofiq e le k tro n z a rra c h a b o 'la tu r ib , t o ‘lq in g a o ‘x sh a y d i. L e k in m ikroelektronika asboblarda elektronning to ‘lqin tabiatidan kelib chiqadigan kvant effektlar shunchalik kichik-ki, elektronning harakati klassik mexanika qonunlari chegarasida ifodalanadi. Elektronlarning to ‘lqin tabiatidan kelib chiquvchi fizik hodisalar o ‘zlarini nanoelektronika asboblarida to ‘liq namoyon etadi. Bunday hodisalarga o ‘lchamli kvantlash, elektron to ‘lqinlar interferensiyasi, potensial to ‘siqlar (baryerlar) orqali tunnellashuv kiradi. Kvant mexanikasiga muvofiq $ tezlik bilan harakatlanayotgan m massali zarrachalar bilan de Broyl to4qinlari tarqalishi bog‘liq. De Broyl to ‘lqinlarining uzunligi quyidagi formula yordamida topiladi:
Foydalanilgan adabiyotlar.
1.YA Shpak "AVR va Pic mikroişlemcileri uchun C tilida dasturlash" (2006)
2.VY Xart "Microcontrollers AVR. Boshlovchilar uchun Workshop "(2007)
3.Enrike Ramos Melgar, Ciriaco Kastro Diez «Arduino va Kinect Loyihalar»
4. https://www.arduino.cc/
5. http: //developer.alexanderklimov.ru/arduino/arduino-minimum.php
6. http: //ezrf.ru/produktsiya/zazemlenie/udelnoe-soprotivlenie-grunta
7.http://dxdy.ru/topic61098.html
8. http://ftemk.mpei.ac.ru/bgd/_private/Soprotivl_rastek.htm
Dostları ilə paylaş: |