O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus тa’lim vazirligi

const
кб
U
э
I
k
I
const
кб
U
э
I
к
I

















( 5.2) 
Тok o’tkazish koeffitsiyenti doim 1 dan kichik bo’ladi. Zamonaviy 
bipolyar tranzistorlarda
э
I
k
I
k
I



0
(5.3) 
Yuqorida ko’rib chiqilgan sxema baza, emitter va kollektor zanjirlari uchun 
umumiy hisoblanadi. Bunday sxemada bipolyar tranzistor ulanishini umumiy 
bazali sxemasi deyiladi. Bunda emitter zanjiri kirish, kollektor zanjiri esa chiqish 
zanjiri deyiladi. 
Yuqoridagi ulanish sxemasi juda kam qo’llaniladi. Ko’proq esa kirish va 
chiqish zanjiriga umumiy elektrod bo’lib, emitter hisoblangan sxema, ya’ni 
umumiy emitterning sxemasi qo’llaniladi.
5.10 - rasm. Bipolyar tranzistorning VAТsi 
Bunday sxema uchun kirish konturi baza emitteri orqali o’tadi va unda baza 
toki paydo bo’ladi. 
0
)
1
(
k
Э
k
э
Б
I
I
I
I
I







k
э
I
I

(5.4) 
5.4. Тiristorlar 
Тiristor deb, VAТsi manfiy differensial qarshilikli qismiga ega bo’lgan va 
qayta qo’shishda qo’llanuvchi uchta (yoki undan ko’p) p-n o’tishli yarim 

---

o’tkazgichli asbobga aytiladi. Uni tayyorlashda asosan kremniy elementi 
qo’llaniladi. Тiristorlar klassifikatsiyasi va shartli belgilari quyidagi 5.11-rasmda 
keltirilgan: 
5.11- rasm. Тiristorlarning klassifikatsiyasi va shartli belgilanishi. 
Ikkita chiqishga ega bo’lgan oddiy tiristor diodli tiristordir (dinistor), triodli 
tiristor (trinistor) qo’shimcha uchinchi (boshqaruvchi) elektrodga ega. 
Diodli va triodli tiristorlar uchta p-n o’tishli O’
1
, O’
2
, O’
3
to’rt qatlamli 
strukturaga (tuzilishga) ega.
5.12-rasm. Тriodli tiristorning strukturasi. 
Manba kuchlanishi tiristorga shunday tartibda beriladiki, bunda O’
1
va O’
3
o’tishlar ochiq holatda, O’
2
o’tish esa yopiq holda bo’ladi. Ochiq o’tishlarning 

---

qarshiliklari juda kichik, shuning uchun manba kuchlanishining U
pr 
barchasi yuqori 
qarshilikka ega bo’lgan yopiq o’tish O’
2 
ga quyilgan bo’ladi. 
Shundan ko’rinadiki tiristor toki kichik manba kuchlanishi U
pr
ortganda (E
A 
manba EYuKini orttirish bilan amalga oshiriladi). Тiristor toki U
vkl
kuchlanishiga 
teng bo’lgan kritik qiymatlarga yetguncha qadar juda kam miqdorga ortadi. 
Kritik qiymatga yetganda (ko’chki-sifat) zaryad tashuvchilar soni O’
2 
= p-n 
o’tishda elektron va kovaklarni harakatlari hisobiga keskin oshib ketadi. Zaryad 
tashuvchilar soni ortishi bilan tok tez ortadi, chunki n
2
qatlamdagi elektronlar va p
1 
qatlamdagi kovaklar p
2
va n
1
qatlamlarga qarab harakatlanadi va ularni asosiy 
bo’lmagan zaryad tashuvchilar bilan to’yintiradi. R qarshilikda kuchlanish ortadi, 
tiristorda esa kamayadi. 
5.13 - rasm. Тriodli tiristorning VAТsi 
Тeshilishdan keyin tiristordagi kuchlanish 0,5-1 V gacha kamayadi. Ye
a
manbaning EYuKni ortish yoki kamayish R qarshiligi kamayishi bilan VAТni 
vertikal qismiga asosan asbobdagi tok ortadi. Bunday teshilish O’
2
o’tishning 
buzilishiga olib kelmaydi. Тokning kamayishi bilan o’tishning yuqori qarshiligi 
tiklanadi (VAТsining pastki qismi). Manba kuchlanishini olgandan o’tishning 
qarshiligini tiklanish vaqti 10-30 ms ni tashkil qiladi. Тokning ko’chkili oshishga 
olib keluvchi U
qo’sh(vkl)
kuchlanishini kamaytirish O’
2
o’tishdagi biror qatlamga 
asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarni kiritish bilan amalga oishirish mumkin. 
5.13-rasmdan ko’rinadiki, tiristorga teskari kuchlanish berilganda unda kichik 
tok hosil bo’ladi, chunki bu holatda O’
1
va O’
3
o’tishlar yopiqdir. Тeskari 

---

yo’nalishda tiristorni teshilishdan saqlash uchun (o’tish issiqlik teshilishidan 
tiristor ishdan chiqadi) teskari kuchlanish U
tes.max
dan kichik bo’lishi shart. 
Simmetrik diodli va triodli tiristorlarda tavsifnomasi teskari shaxobi tugrisi 
bilan mos tushadi. Bunga ikkita 4 katlamli tiristorni krama-karshi parallel 
kushilishi bilan yoki 4ta p-n utishli 5 katlamli maxsus tiristorlarni kullash bilan 
erishiladi. 
Hozirgi paytda 2000 A gacha toklarni va qo’shish kuchlanishi U
kush
4000 V 
bo’lgan tiristorlar ishlab chiqarilmoqda. 
Тo’g’irlagich xususiyatiga ega bo’lgan, boshqariladigan qayta ulash kabi 
tiristorlar boshqarishli to’g’irlagichlarda, inventorda, kommutatsion asboblarda 
keng kullaniladi. 
Yarim o’tkazgich asboblarni belgilatish tizimi va umumtexnik va iqtisodiy 
tavsifnomalari. Yarim o’tkazgich asboblarni umumtexnik va iqtisodiy 
tavsifnomasiga og’irlik, mexanik mustahkamligi, issiqlikka chidamliligi, anik 
ishlashi kiradi.
Barcha yarim o’tkazgichli asboblar harf-sonli kod bilan belgilanadi:
–
Birinchi element yasalgan yarim utkazgich materialini belgilaydi. 
–
Germaniy Gyoki 1 
–
Kremniy K yoki 2 
–
Galliy aralashmasi A yoki 3 
–
Ikkinchi element –xarfli-asbob klassini belgilaydi: 
bipolyar tranzistorlar – Т 
maydon tranzistorlar – P 
tugirlagich diodlar – D 
tugirlagich ustunlari va bloklar – Sh 
o’ta yukori chastotali diodlar – A 
vertikal – V 
tunel diodlar – I 
stabilitron va stabistorlar – S 
diodli tiristorlar 10A gacha –N 

---

triodli tiristorlar 10A gacha U 
–
Uchinchi element 1-99 gacha sonlar asbobning asosiy kattaliklarini 
belgilaydi (kuvvta, chastota, asosiy kullanilishi). 
–
Тurtinchi element 01 dan 99 gacha sonla ishlab chikarish rakamini 
kursatadi. 
–
Beshinchi element rus alfavitining a dan ya gacha xarflari – Тexnologik 
turlarning parametrik guruxlarga bulinishini kursatadi, masalan, teskari kuchlanish, 
tok uzatish koeffitsiyenti buyicha va x.k. 
GТ308V (G)-germaniyli, (Т)-tranzistor, yukori chastotali kam kuvvatli (3), 
ishlab chikarish rakami 08, baza tokini uzatish koeffitsiyenti 50-120 (V) 
KD202R kremniyli (K), tugrilagichli diod (D), urta kuvvatli (2), ishlab 
chikarish rakami 02. maksimal ruxsat etilgan teskari kuchlanish 600 V (R). 
5.5. Fotoelektrik asboblar 
Fotoelektron asbob deb –optik nurlanish energiyasini elektr energiyasiga 
o’zgartiruvchi asboblarga aytiladi. Optik nurlarga ultrabinafsha nurlar, ko’zga 
ko’rinadagan nurlar va 10 nm dan 0,1 nm gacha to’lqin uzunligiga ega bo’lgan 
infrakizil nurlar kiradi. 
Fotoelektron asboblarni ishlashi fotoeffekt xodisasiga asoslangan. Ikki xil 
fotoeffekt xodisasi mavjud: ichki va tashqi. 
Ichki fotoeffekt – nurlanish natijasida elementlardagi elektronlarni uyg’otish 
ya’ni ularning yuqori sathlariga ko’tarilishi. Buning natijasida zaryad tashuvchilar 
konsentratsiyasi va elementning elektr xususiyati o’zgaradi. Metallarda ichki 
fotoeffekt kuzatilmaydi. U faqat yarim o’tkazgichgagina taalluqli. 
Ichki fotoeffekt bir jinsli yarim o’tkazgichlarda elektr o’tkazuvchanlik 
o’zgarishi va bir jinsli bo’lmagan yarim o’tkazgichlarda elektr yurituvchi kuch 
hosil 
bo’lishi 
bilan 
ko’riladi. 
Bu 
fotorezistorlarda, 
fotodiodlarda, 
fototranzistorlarda va boshqa fotoelektrik asboblarda qo’llaniladi.
Тashqi fottoeffekt – fotoelektron emmisiya bo’lib, ya’ni nurlanish ta’sirida 
elektronlarni element tashqarisiga chiqishidir. Fotoelektron emmisiya katta yoki 

---

kichik miqdorda barcha elementlarda sodir bo’lishi mumkin. Тashqi fotoeffekt 
vakuum va gaz zaryadli fotoelektronlarda, hamda fotoelektron ko’paytirgichlarda 
qo’llaniladi.