Mikroprotsessorlar va mikroehm asoslari


Integral sxem adagi xotira elem enti



Yüklə 9,57 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə163/222
tarix13.12.2023
ölçüsü9,57 Mb.
#140443
1   ...   159   160   161   162   163   164   165   166   ...   222
Oljayev.

6.2.2. Integral sxem adagi xotira elem enti.
Yarim o ’tkazgichli xotira qurilmalarni tuzishda alohida xotira elementlaridan 
emas, balki integral mikrosxem alardan tuzilgan xotira elementlaridan foydalaniladi.
Xotira mikrosxemasi (X M ) m a ’lum bir tarzda xotira niatritsasiga biriashtirilgan 
boshqaruvchi elektron sxemalariga ega b o ’ lgan xotira elementlaridan tashkil topgan 
konstruktiv birlikdir. Elektron sxemalar odatda, xotira elementlari bilan bitta 
kristallda joylashtiriig an b o ’lib, deshifratsiyalaydigan sxemalariga. adres va xona 
zanjirlariga yozish, saqlash va o ’qish rejimlarini boshqaruvchi mantiqiy sxemalariga 
ega. Misol tariqasida. quyidagi IMS ni keltirish mumkin. Bipolyar tranzistorlar 
asosida qurilgan XQ lardan biri K155RU1. Bu IMS ning shartli belgilanishi 
quyidagicha:
6.3-rasm. К 155RUI xotira elementini shartli grajik ко 'rinishi
K155RU1
Murojaat vaqti <60 ns, 
hajmi (16x1) bit
K.I55RU5 Mur oja at vaqti <60 ns, 
hajmi (256x1) bit
217


-U n i p o l y a r tranzistorlar asosida qurilgan statik X Q -K R 1 8 8 R U 2 (256x1) bit, 
m uroja at vaqti <500 ns:
- U n i p o l y a r operativ XQ-K.R565RU1 (4096x1) bit, murojaat vaqti<480 ns, 
regcneratsiya vaqti 
< 2
ms.
6.3. K S73R F4 qayta program m alash tirilad igan d oim iy xotira qurilm asi.
K 573R F 4 PPZU doimiy xotira qurulm asinin g sig’imini (xajmini) k o ’paytirish 
uchun ishiatiladi. Mikro sx em a metalli keramik korp usga ega b o ’iib, L1PZ/MOP 
texnologiyasi asosida yaratilgan. K 573RF4 xotira m ikrosxem asidagi buyruqlar ultra 
fiolet 
nurlar 
yord am id a 
uchiriladi 
va 
elektr 
signali 
y ordam ida 
qayta 
program malashtiriladi. Bu turdagi xotiraga yozilgan m a ’lumotlar energ iyag a b o g ’lik 
b o ’lmagan 
xolda 
uzoq 
vaqt 
saqlanadi. 
M ikrosxemani 
25 
m arota ba qayta 
program malashtirish. 
mumkun. 
Ishchi 
rejimda 
mikrosxem ani 
kuchlanish 
manbasin ing kattaligi 5V, program malash rejimida kuchlanish manbasi 25V ni 
tashkil etadi. Xotira xajmi 2Kbaytni tashkil etadi. K 573RF4 (P P Z U ) doim iy xotira 
mikrosxem asinin g shartli grafik belgilanishi 6.4 -r asmda keltirilgan. Mikrosxemani 
oy oqla rin ing vazifalari 
6
.
1
-jadvalda keltirilgan.
10
Л
F.PROM
D
9
и
1
1
1 1
8
2
2
3
12
13
6
4
4
15
S
16
__ ^
6
6
17
__ 2_
7
7
18
8
X
IQ
~~24~
9
21
10
23
1 1
12
20
O i
U c c
26
22
W H
G N D
14
__ ! _
l ;PR
2 8 ^
6.-1-rasm. K573RF4 seriyadagi mikrosxemani shartli grafik belgilanishi.
6
.
1
-jadval.
O y o q ;
Belizi
T u r i
Vazifasi.
1 0 - 3 , 2 5 , 2 4 , 2 1 , 2 3 , 2
A 0 - A 1 2
K i r i s h
Adreslar kanali.
9 - 1 , 1 3 - 1 7
D 0 - D 7
Ki i ACh i q i s h
Qiy m atla r kanali.
2 0
S E
K i r i s h
M ikrosxem ani tanlash.
2 2
W E
K i r i s h
M a ’lumot yozish rejimiga o ’tish.
2 8
Ucc
_
Iste’mol kuchlanishi..
14
G N D
-
U mumiy.
218



Yüklə 9,57 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   159   160   161   162   163   164   165   166   ...   222




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin