Qr. 4115 Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır?

mübadiləsi nece gedir??

1. Elektronlar metaldan yarımkeçiriciye keçir

2.Elektronlar metaldan yarımkeçiriciye keçmir

3.Yarımkeçiricinin səthə yaxın qatında əlavə elektronlar yaranır

4.Yarımkeçiricidə rekombinasiya surətlənir

A) 1,3,4

B) 2,3,4

C) 2,3

D) 2,4

E) Doğru cavab yoxdur

85. Kontakt hadisəsində metalla yarımkeçirici arasındakı elektron mübadiləsini nə

ilə xarakterizə edirlər?

A) Çıxış işlərinin fərqi

B) Fermi səviyyələrinin fərqi

C) Diffuziya əmsalları fərqi

D) Konsentrasiya qradiyentləri fərqi

E) Doğru cavab yoxdur

86. Metalla yarımkeçiricinin kontakt qatındakı potensial çəpəri necə adlanır?

A) Şottki səddi

B) Fermi səddi

C) Donor səddi

D) Akseptor səddi

E) Doğru cavab yoxdur

87. Heterokeçid hansı keçidə deyilir?

A) Qadağan olunmuş zonalarının eni müxtəlif olan iki yarımkeçiricinin təmasına

B) Qadağan olunmuş zonalarının eni eyni olan iki yarımkeçiricinin təmasına

C) Yarımkeçirici-dielektrik təmasına

D) Dielektrik- metal təmasına

E) Doğru cavab yoxdur

88.Qeyri-düzləndirici omik təmaslar (kontaktlar) nece alınır?

A) Metal-yarımkeçirici

B) Metal-metal

C) Yarımkeçirici-yarımkeçirici

D) Metal-dielektrik

E) Yarımkeçirici-dielektrik

89. Şottki diodlar hansı kontaktlardan (təmaslardan) alınır?

A)Metal-yarımkeçirici

C) Metal-metal

C) Yarımkeçirici-yarımkeçirici

D) Metal-dielektrik

E) Yarımkeçirici-dielektrik

90. Omik təmaslardan (kontaktlardan) əsasən harada istifadə olunur?

A) Yarımkeçirici qata çıxış məftili qoşulanda

B) İnduktivlik almaq üçün

C) Tutum almaq üçün

D) Düzləndirmə almaq üçün

E) Doğru cavab yoxdur

91. n-tip yarımkeçiricidən elektronun tam çıxış işi hansı halda azalır? 1.Donor

aşqarın miqdarı artdıqda. 2.Akserptor aşqarın miqdarı azaldıqda. 3.Donor aşqarın

miqdarı azaldıqda. 4. Akserptor aşqarın miqdarı artdıqda

A) 1,2

B) 2,3

C) 1,4

D) 2,3

E) Doğru cavab yoxdur

92. Şokli nəzəriyyəsinə görə p-n keçid modelinin tərkibinə aşağıdakılardan

hansılar daxildir?

1.Elektronlar

2.Deşiklər

3.Aşqar mərkəzlər

A) 1,2,3

B) 2

C) 1,3

D) 2,3

E) 1
93. Real p-n keçidin VAX-ının düzgün ifadəsi hansıdır?(İD və UD-düz keçidin

cərəyan və gərginliyidir)

A)İ=İ0(exp((UD-İDr1) )-1

B) İ=İ0exp(UD-İDr1)

C) İ=İ0(exp(UD-İDr1)-1)

D) İ=İ0(exp(İDr1-UD)-1)

E) ) İ=İ0(exp(İDr1-UD)+1)

94. Nazik diod nəyə deyilir?(L-yükdaşıyıcının yolu)

A) n və ya p təbəqələrindən birinin qalınlığı d≤L

B) n və ya p təbəqələrindən birinin d qalınlığı d<

C) n və ya p təbəqələrindən birinin qalınlığı d>>L

D) n və p təbəqənin hər ikisinin qalınlığı d>L

E) n və p təbəqənin hər ikisinin qalınlığı d<
95. Hansı p-n keçidlər homokeçidlər adlanır?

1.Eyni bir kristalın bir hissəsi aşqarlandıqda

2.İki müxtəlif kristala eyni aşqar daxil etdikdə

3.Eyni bir kristala iki müxtəlif aşqar daxil etdikdə

A) 1

B) 1və 2

C) 1 və 3

D) 2

E) 3
96. p-n keçidin elektrik tutumunda lövhələrarası dielektrik rolunu nə oynayır?

A) Sərbəst yükdaşıyıcıları olmayan həcmi yüklər oblastı

B) Bağlayıcı təbəqə

C) Düz keçid

D) Tərs keçid

E) Kristal təbəqədəki defektlər
97. p-n keçiddə hansı halda elektrik tutumu artır?

1.Xarici gərginlik buraxıcı istiqamətdə yönəldikdə

2. Xarici gərginlik buraxıcı istiqamətin əksinə yönəldikdə

3. Xarici gərginlik sıfır olduqda

A) 1

B) 2

C) 3

D) 1,2

E) 2,3
98. Hansı halda yarımkeçirici diod özünü induktiv element kimi aparır?

1.Dioddan əks cərəyan keçdikdə

2. Dioddan buraxıcı istiqamətdə cərəyan keçdikdə

3.Diod qızdırıldıqda

A) 2

B) 1

C) 1,3

D) 1,2,3

E) Yalnız 1

99. p-n keçiddə p və n hissələrində kontaktyanı oblastlarda hansı hadisənin baş

verməsi induktivliyin yaranmasına səbəb olur?

1.Regenerasiya hadisəsi

2.Rekombinasiya hadisəsi

3. Ekstraksiya hadisəsi

4.İnjeksiya hadisəsi

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 1,2,3,4

100. Aşağıdakı elementlərin hansından mikrosxemlərdə kondensator kimi istifadə

olunur?

A) Yarımkeçirici dioddan

B) Yarımkeçirici tranzistordan

C) Lampalı dioddan

D) Trioddan

E) Rezistordan

101. p-n keçiddə gərginlik buraxıcı istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir?

A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası

B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası

D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

102. p-n keçiddə gərginlik əks istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir?

A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası

B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası

D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

103. Real p-n keçiddə tam müqavimət nədən ibarətdir?

A) Bağlayıcı təbəqənin müqaviməti ilə deşik və ya elektron oblastlarının

müqavimətləri cəmindən

B) Deşik oblastının müqavimətindən

C) Elektron oblastının müqavimətindən

D) Doğru cavab yoxdur

A) Bağlayıcı təbəqənin müqavimətindən
104. Şottki diodun başqa p-n keçidli diodlardan əsas fərqi nə ilə əlaqadardır?

A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur

105. p-n keçidli diodların yüksək tezliklərdə işləmələrinə mane olan əsas səbəb

nədir?

A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur

106. Şottki diodların hazırlanmasında əsas hansı yarımkeçirici maddədən istifadə

olunur?

A) Si

B) Se

C) Ge

D) İn

E) Kd
107. Tunel diodu ilk dəfə hansı ölkədə hazırlanmışdır?

A) Yaponiyada

B) Almaniyada

C) Fransada

A) Çində

E)Rusiyada
108. Aşağıdakı cihazlardan hansının iş prinsipi diodun tutm xassəsinə əsaslanır?

A) Varikap

B) Tunel diodu

A) Şottki diod

D) Vakuum diodu

E) Stabilitron

109. Aşağıdakılardan hansı yalnız sabit cərəyan gərginliyi üçündür?

A) Stabilitron

B) Tunel diodu

C) Varikap

D) Vakuum diodu

E) Şottki diod

110. Aşağıdakı diodlardan hansından dəyişən tutumlu kondensator kimi istifadə

oluna bilər?

A) Varikap

B) Tunel diodu

C) Stabilitron

D) Impuls diodu

E) Şottki diodu

111. p-n keçiddə elektrik deşilməsindən hansı diodda istifadə olunur?

A) Stabilitron

B) Tunel diodu

C) Impuls diodu

D) Varikap

E) Şottki diodu

112. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların nisbətən kiçik

konsentrasiyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir?

A) Selvari

B) Səthi C) Tunel

D) Selvari və Tunel

E) Doğru cavab yoxdur
113. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların yüksək konsentrasiyasında

keçiddə hansı deşilmə baş verir?

A) Tunel

B) Səthi

C) Selvari

D) Selvari və Tunel

E) Doğru cavab yoxdur
114. Yarımkeçirici stabilitronlardan hansı stablizatorlarda istifadə olunur?

1.Parametrik 2.Kompensasiyalı 3.Körpü

A) 1 və 2

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) Yalnız 1

E) 1,2,3
115. Silisiumun hansı parametrini seçməklə lazimi qiymətə malik stabilləşdirici

gərginlik əldə etmək olar?

A)Xüsusi müqavimətini

B) Stabilləşmə gərginliyini

C) Stabilləşmə cərəyanını

D) Müqavimətini

E) Gərginliyini,müqavimətini

116. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar neçə cür olur?

A) 2

B) 3

C) 4

D) 6

E) 5
117. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar hansılardır?

A)Nöqtəvi,müstəvi

B) Dayaq

C) Dayaq,müstəvi

D) Müstəvi,dayaq

E) İmpuls,nöqtəvi
118. P-n tipli yarımkeçiricilər toxundurulduqda xüsusi mexanizmi yaranır ki,həmin

mexanizm diodların harada içlədilməsini müəyyən edir?

A) Hansı sahədə

B) Keçiddə

C) Stabilləşmədə

D) Keçiddə,stabilləşmədə

E) Elektrik deşilməsində

119. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası aşağıdakı cihazların hansında əsas rol

oynayır?

A) Sahə tranzistoru

B) Vakuum diodu

C) Triod

D) Bipolyar tranzistor

E) Varikap

120. Bipolyar tranzistorda hansı cərəyana idarəedici cərəyan deyilir?

A) Emitter cərəyanına

B) Baza cərəyanına

C) Kollektor cərəyanına

D) Düz cərəyana

E) Əks cərəyana

121. Bipolyar tranzistorda gücləndiriləcək siqnal hara qoşulur?

A) Emitter dövrəsinə

B) Kollektor dövrəsinə

C) Baza dövrəsinə

D) Kollektor və bazaya

E) Cərəyan güclənmir

122. Bipolyar tranzistorlar sxemə əsasən neçə üsulla qoşulur?

A) 3

B) 2

C) 1

D) 4

E) 5
123. Aşağıdakı rejimlərdən hansı bipolyar tranzistorun əsas iş rejimi hesab olunur?

A) Aktiv rejim

B) Kəsmə rejimi

C) Doyma rejimi

D) İnvers rejimi

E) Bütün rejimlər
124. Bipolyar tranzistor nə ilə idarə olunur?

A) Cərəyanla

B) Gərginliklə

C) Tutumla

D) İnduktivliklə

E) Doğru cavab yoxdur

125. Aşağıdakılardan hansı doğrudur?

Bipolyar tranzistorlar alınır:

1.Əritmə üsulu ilə 2.Diffuziya üsulu ilə

3.Çökdürmə üsulu ilə

A) 1 və 2

B) 2 və 3

C) 1 və 3

D) 1,2,3

E) Doğru cavab yoxdur

126. p-n-p tipli bipolyar tranzistorun aktiv rejimində xarici gərginlik mənbələri

emitter və kollektor keçidlərinə necə qoşulur?

A) Emitter keçidinə düz,kollektor keçidinə tərs qoşulur

B) Emitter keçidinə tərs, kollektor keçidinə isə düz qoşulur

C) Hər ikisinə düz qoşulur

D) Hər ikisinə tərs qoşulur

E) Doğru cavab yoxdur

127. Emitter keçidinin işi necə qiymətləndirilir?

A) İnjeksiya əmsalı ilə

B) Ekstraksiya əmsalı ilə

C) Gərginliyin qiyməti ilə

D) Cərəyanın qiyməti ilə

E) Diffuziya əmsalı ilə

128. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının

emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir?

A) Deşiklərin bazadan keçmə əmsalını

B) İnjeksiya əmsalını

C) Güc əmsalını

D) Ekstraksiya əmsalını

E) Cərəyana görə ötürmə əmsalını

129. Aşağıdakılardan hansı doğrudur?

A) Emitter cərəyanı idarə edən, kollektor cərəyanı idarə olunandır.

B) Emitter cərəyanı idarə olunan, kollektor cərəyanı idarə edəndir.

C) Emitter cərəyanı idarə olunan, baza cərəyanı idarə edəndir.

D) Kollektor cərəyanı idarə edən , baza cərəyanı idarə olunandır.

E) Dogru cavab yoxdur

130. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur?

A) Giriş elektrodunun dövrəsinə

B) Çıxış elektrodunun dövrəsinə

C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) Xarici dövrəyə

E) Dogru cavab yoxdur

131. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur?

A) Çıxış elektrodunun dövrəsinə

B) Giriş elektrodunun dövrəsinə

C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) Xarici dövrəyə

E) Dogru cavab yoxdur

132. Bipolyar tranzistorda ümumi baza ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni

təmin edir?

1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 2 və 3

B) 1 və 3

C) 1 və 2

D) Yalnız 1

E) 1,2,3
133. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı

mənbəyi hara qoşulur?

A) Baza dövrəsinə

B) Kollektor-emitter aralığına

C) Kollektor dövrəsinə

D) Emitter dövrəsinə

E) Doğru cavab yoxdur

134. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni

təmin edir?

1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 1,2,3

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) Yalnız 2 və 3

E) Yalnız 1
135. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərgnliyə və gücə görə gücləndirməni təmin

edən element aşağıdakılardan hansıdır?

A) Yük müqaviməti

B) Giriş müqaviməti

C) Çıxış müqaviməti

D) Kondensator

E) Doğru cavab yoxdur

136. Ümumi kollektor ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi bipolyar

tranzistorun hansı dövrəsinə qoşulur?

A) Emitter-kollektor dövrəsinə

B) Emitter-baza aralığına

C) Kollektor-baza aralığına

D) Kollektor dövrəsinə

E) Doğru cavab yoxdur

137. Sahə tranzistorunda kanalın müqavimətini necə dəyişirlər?

A) Cərəyan kanalının qalınlığını dəyişməklə

B) Cərəyan şiddətini dəyişməklə

C)) Aşqar daxil etməklə

D) p-n keçidin sayını artırmaqla

E) Doğru cavab yoxdur

138. p-n keçidli unipolyar tranzistorları neçə cür olur?

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 5
139. Sahə tranzistorunda neçə elektrod olur?

A)3

B) 2

C) 1

D) 4

E) 5
140. Unipolyar tranzistorlar nə ilə idarə olunur?

A) Elektrik sahəsi ilə

B) Gərginliklə

C) Cərəyanla

D) Kənar qüvvələrlə

E) Doğru cavab yoxdur

141. Aşağıdakılardan hansı unipolyar tranzistorlara aiddir?

1.p-n keçidli 2. Qurama kanallı 3.induksiya edilmiş kanallı

A) 1,2,3

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) 1 və 2

E)Yalnız 1
142. Sahə tranzistorunda kanalın keçiriciliyinə hansı kəmiyyət təsir etmir ?

1.İdarəedici elektroda verilən gərginlik

2.Mənbə və mənsəb arasındakı gərginlik

3.Temperatur

A) Doğru cavab yoxdur

B) 2

C) 3

D) 1,2,3

E) 1
143 Sahə tranzistorunda temperatur artdıqca hansı parametrlərin dəyişməsi düzgün

göstərilmiçdir?

1.Təmas potensial fərqi azalır.

2.Təmas potensial fərqi artır

3.Kanalın eni azalır

4.Kanalın eni artır

A) 1 və 4

B) 1və 3

C) 2 və 3

D) 2 və 4

E) Doğru cavab yoxdur

144. Sahə tranzistorları dövrəyə neçə sxem üzrə qoşula bilər?

A) 3

B) 2

C) 1

D) 4

E) 6
145. Ümumi idarəetmə elektrodlu sahə tranzistoru üçün hansı gücləndirmə

xarakterikdir?

A) Yalnız güc

B) Yalnız cərəyan

C) Cərəyan və gərginlik

D) Cərəyan və güc

E) Doğru cavab yoxdur

146. Sahə tranzistoru ilə bipolyar tranzistoru fərqləndirən cəhətlər hansılardır?

1.Sahə tranzistorunda giriş gərginliyi bipolyar tranzistora nisbətən çox böyükdür?

2.Sahə tranzistorunda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası baş vermir

3.İşçi cərəyanı yaradan yükdaşıyıcılara görə

A) 1,2,3

B) 1 və 3

A) 1 və 2

D) 2 və 3

E) Doğru cavab yoxdur

147. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır?

A) Yarımkeçiricinin səthyanı qatı

B) Yarımkeçiricinin orta təbəqəsi

C) Dielektrik qatı

D) Metal qatı

E) Doğru cavab yoxdur

148. MDY- tranzistorlarda neçə elektrod olur?

A) 4

B) 3

C) 2

D) 5

E) 6
149. MDY-tranzistorda altılığın çıxışı hara qoşula bilər?

A) Mənbəyə

B) Mənsəbə

C) İdarəedici elektroda

D) Dielektrik təbəqəyə

E) Doğru cavab yoxdur
150.Müəyyən bir funksiyanı yerinə yetirən və elektik cəhətdən

birləşdirilmiş,yüksək sıxlıqla qablaşdırılmış elementlərdən (və ya element və

komponentlərdən) ibarət olan vahid tam sistem necə adlanır?

A) İMS

B) Diod

C) Tranzistor

D) Generator

E) Sahə tranzistoru

151. Aşağıdakılardan hansılar mikrosxemin elementi deyil?

A) icra mexanizmi

B) tranzistor

C) diod

D) kondensator

E) müqavimət

152.Kiçik ölçülü induktiv sarğaclar

A) 1,3

B) 2,3

C) 3,4

D) 1,2

E) 1,2,3,4

153. Element və komponentlərin sayının çıxışların həcmi nəzərə alınmadan

mikrosxemin həcminə nisbəti necə adlanır?

A) Qablaşdırma sıxlığı

B) Cəmləşdirmə sıxlığı

C) Toplanma sıxlığı

D) İnteqrasiya sıxlığı

E) Doğru cavab yoxdur
154. İMS-in ümumi dielektrik və ya yarımkeçirici altlığı üzərində və ya həcmində

yerləşdirilmiş element və komponentlərin məcmuyu necə adlanır?

A) MS-in daxili qurğusu

B) MS-in xarici qurğusu

C) MS-in birləşmə qurğusu

D) MS-in kənar qurğusu

E) Doğru cavab yoxdur

155. BİS tərkibində nə qədər element və ya sadə komponent daxil olan MS-lərə

deyilir?

A) 1000-dən çox

B) 100-dən çox

C) 50.000-dən çox

D) 100.000-dən çox

E) 1000.000-dən çox

156. Funksional tətbiqlərinə görə İMS-lər neçə qrupa bölünürlər?

A) 2

B) 3

C) 4

D) 5

E) 6
157. Giriş və çıxış siqnalları diskret funksiya qanunu ilə dəyişən mikrosxem necə

adlanır?

A) Rəqəmsal İMS

B) Analoq İMS

C) Vakuum diodu

D) Stalitron

E) Varikap

158. Rəqəmsal İMS-lərin giriş və çıxış siqnalları necə qiymət ala bilər?

A) 2

B) 1

C) 3

D) 4

E) 5
159. Konstruktiv texnoloji növlərinə görə İMS-lər neçə növə ayrılır?

A) 3

B) 2

C) 4

D) 5

E) 6

160. Monolit (yarımkeçirici) İMS-in hazırlanmasında aşağıdakı elementlərdən

hansıları istifadə olunur?

1.Si

2. Ge

3.Ga As

A) 1,2,3

B) 2

C) 3

D) 1,2

E) 1
161. Hibrid İMS-lərdə passiv elementlər necə olurlar?

A) Qalıntəbəqəli

B) Naziktəbəqəli

C) Nöqtəşəkilli

D) Ellipisşəkilli

E) Doğru cavab yoxdur
162.. Fotoliqrafiya nəyə əsaslanır?

A) İşığın həssas fotorezist polimer materiallardan istifadə olunmasına

B) İşığa həssas fotorezist qeyri-üzvi materiallardan istifadə olunmasına

C) Ultrabənövşəyi şüalardan istifadə olunmasına

D) Dalğa uzunluğu 1nm olan rentgen şüalarına

E) Elektron seli ilə şüalanmaya

163. Yüksək temperaturlarda müəyyən tip yarımkeçirici təbəqənin başqa tip

yarımkeçiricinin səthində yerləşdirilməsi prosesi necə adlanır?

A) Epitaksiya

B) İon aşqarlanması

C) Tozlanma

D) Diffuziya

E) Aşılanma

164. Yarımkeçiricinin müəyyən hissəsində p-n keçidin yaradılmasında hansı

üsuldan istifadə olunur?

A) Diffuziya

B) Oksidləşmə

C) Fotolitoqrafiya

D) Epitaksiya

E) Aşılanma

165. Yarımkeçirici lövhənin başqa maddənin sürətləndirilmiş ionları vasitəsilə

şüalandırılması hansı prosesdir?

A) İon aşqarlanması

B) Tozlanma

C) Epitaksiya

D) Diffuziya

E) Aşılanma

166. Aşağıdakılardan hansı variantda qalın təbəqəli İMS-in aktiv elemenyi

göstərilmişdir?

A) Anaoloq diodu

B) İnduktiv müqavimət

C) Kondensator

D) Rezistor

E) Yarımkeçirici diod

167. Analoq İMS-lər hansı xassələrinə görə qruplaşır?

1. Məlumat

2. Gücləndirmə

3.Giriş və çıxışların sayı

4. Hazırlandığı madddələr

A) 1,2

B) 2,3

C) 3,4

D) 1,3

E) 2,4
168.

169. Aşağıdakılardan hansılar İMS-lərin aktiv elementlərinə aiddirlər?

1. Tranzistorlar

2. Amorf maddələrdən hazırlanmış nazik təbəqəli element

3. Kondensatorlar

4. İnduktiv elementlər

A) 3,4

B) 2,3

C) 1,2

D) 1,3

E) 2,4
170. Aşağıdakı sistemlərdən hansı analoq diodu ola bilər?

A) Metal-dielektrik-metal

B) Metal-metal oksidi

C) Metal-dielektrik

D) Metal-metal

E) Dielektrik-metal-dielektrik
171. Analoq diodunda cərəyankeçmə mexanizmi aşağıdakılardan hansına oxşardır?

A) Vakuum diodu

B) Triod

C) Yarımkeçirici diod

D) Polyar tranzistor

E) Doğru cavab yoxdur

172. Nə üçün analoq diodu yüksək temperaturlarda işləyə bilir?

A) Qadağan olunmuş zolağın eni böyük olan yarımkeçiricilərdən hazırlandığı

üçün

B) Dielektrik təbəqəyə malik olduğu üçün

C) Elektronlar metaldan dielektrikə injeksiyalandığı üçün

D) Cərəyan keçirmə mexanizmi həmi yüklərlə məhdudlaşan cərəyanla əlaqədar

olduğu üçün

E) Düzləndirmə əmsalı böyük olduğu üçün

173. İn-CdS-Te aşağıdakılardan hansına aiddir?

A) Analoq dioduna

B) Yarımkeçirici dioda

C) Vakuum dioduna

D) Bipolyar tranzistora

E) Doğru cavab yoxdur

174. Aşağıdakılardan hansından yaddaş elementi kimi istifadə olunur?

1.p-n-p tip bipolyar tranzistordan

2. n-p-n tip tranzistordan

3.MOY-sahə tranzistorundan

4.MNOY- nazik təbəqəli tranzistordan

A) 4

B) 2

C) 3

D) 1

E) 1,2,3,4