Seminar jumislari

6--seminar jumisi.
Yarım ótkizgishlerdiń parametrlerin ólshew usılları. Yarım ótkizgish materiallardı alıw usılları Bor ha’m fosfor penen legirlengen kremniydin’ ha’reketshen’ligin esaplaw usillari Yarimo’tkizgishler qa’siyetlerin basqariwdin’ diffuziyaliq usillari

Ha’zirgi waqi’tta a’spablar ha’m mikrosxemalar avtoeptaksiya joli’ menen ali’ng’an kremniy qatlamlari’ bazasi’nda yamasa sapfir betine oti’rg’i’zi’lg’an epitaksial kremniy qatlamlar tiykari’nda islenedi.

Epitaksiya protsessinde jetilistirilgen p-n-strukturalar payda etiwge boladi’.
Sanaatta qollani’latug’i’n usi’llar ishinde tiykari’nan xloridli ha’m silanli’ metodlar qollani’ladi’.
Xloridli metodta ali’natug’i’n kremniydin’ BIS ti o’ndiriw ushi’n mikroelektronikada ken’nen qollani’ladi’.
Usi’l tiykari’nda vodorod ja’rdem kremniydin’ tetraxloridin tiklew protsessinde (SiCl₄) ali’nadi’. Protsess gorizontal yamasa vertikal reaktorlarda ag’atug’i’n sistemalarda jwrgiziledi (1-swwret).
Puwli’ gazli’ aralaspa tetraxloridli kremniy bar puwlandi’rg’i’sh arqali’ payda etip ol belgili temperaturada uslani’ladi’ ha’m sol temperaturada aralaspa sostavi’nda (SiCl₄) puwi’ni’n’ basi’mi’n ta’minlep turadi’.
Bul waqi’tta to’mendegi reaktsiya ketedi.

oni’ real ta’rizde birqansha etapta ko’rsetiwge boladi’.

1.kvarts reaktori’ 2.podlojka uslag’i’sh 3.podlojka

Arali’q produktlar (payda bolatug’i’nli’g’i’) IK-spektroskopiya na’tiyjesinde tekserilip ani’qlang’an.

Dwzilgen ten’lemeler sistemasi’n sheshekende kremniydin’ shi’g’i’si’ 2-swwrettegi grafik boyi’nsha ani’qlanadi’. 2-swwret. Kremniy shi’g’i’si’ni’n’ temperaturag’a baylani’sli’g’i’. Kremniy maksimal shi’g’i’si’ grafikten ko’rinip turi’pti’. 1463⁰ K. Temperaturada kwtiledi bul qatnasi’nday boli’p kremniy derlik ali’nbaydi’, egerde bul

. Bul usi’lda qosi’msha kiritiw ushi’n V-V1 (V-Cl4) ha’m RCl3 qollani’li’p, bunda s1ykes bolr ha’m fosfor kiritiledi. Silanli’ usi’l. Bul usi’l tiykari’nda monosilan pirolizi qollani’li’p oni’n’ ja’rdemi menen bir tekli qarsi’li’g’i’ wlken kremniy qatlami’ ali’nadi’ ha’m ha’zirgi waqi’tta kremniy epitaksiyasi’

ushi’n ken’nen qollani’ladi’. Bul waqi’tta monosilanni’n’ pirolizi to’mendegi reaktsiya tiykari’nda ketedi.

Ha’m sali’sti’rmali’ to’mengi temperaturada jwredi. ~1000⁰S. Sonli’qtanda taza kremniy ali’nadi’. Sebebi, temperaturani’ 1100⁰ S dan 1000⁰S shegi temperaturani’ to’menletsek, bor ha’m fosfor kremniydegi diffuziya koeffitsienti 10 m1rte azayadi’.
Silan- twrge ie bolmag’an gaz, hawa menen kontaktke kelgende jana baslaydi’. Gomogenli twrdegi silanni’n’ tarali’wi’ ~400⁰S baslanadi’, oni’n’ aktivatsiya energiyasi’ 2068 kDj/mol.

3-swwret. Silan protsessi waqti’nda kremniy qatlami’ tezliginin’ temperaturag’a g’a’rezliligi. Kremniy avtoepitaksiyasi’n geterogenli reaktsiya waqti’nda 500^0 S temperaturada a’melge asi’radi’. 520-3300^0 S

temperatura diapazoni’nda qatlamni’n’ o’siw tezligi temperaturag’a baylani’sli’ eksponentsial twrde o’sedi ha’m aktivatsiya energiyasi’ 320 kDj/mol. 3300-3720⁰S temperatura arali’g’i’nda o’siw tezligi o’zgermeydi. 3300⁰S temperaturadan joqarg’i’ temperaturada monosilan basi’mi’na qaray oti’ri’p to’mendegishe ani’qlanadi’. Paskal ushi’n Ha’m

Barli’q basi’mlar ushi’n 3300⁰ S temperaturadan to’men temperaturada

Bunda K₁, K₂,K₃ koeffitsientler o’lshem birlikleri tezliktin’ o’lshem birligine ten’. P-SiH₃ partsial basi’w, v-empirikali’q koeffitsient, Pa^-1 silantli’ protsess waqti’nda qatlamg’a qosi’mta kiritiw gaz aralaspasi’ ag’i’si’na Ph₃,B₂H₂ lerdin’ argong’a yamasa vodorodqa aralasti’ri’lg’an aralaspa qosi’ladi’.
Iodidli protsess. Bul protsess awi’zi’ bekitilgen ampulada jwrgizilgen, ampula ishinde podlojka, istoshnik (kremniy poshkristali’) ha’m transporter-kristall twrindegi iod. Iod puwlari’ kremniy menen birigip ushi’wshi’ birikpe payda etedi, al oni’n’ o’zi kremniydi istoshnikten podlojkag’a jetkizedi.
Ximiyali’q protsessler ha’rakteri iod puwlari’ basi’mi’na g’a’rezli. Joqarg’i’ basi’mda (3,2 30³ Pa) ha’m podlojka temperaturasi’nda 570⁰C ha’m istoshnik temperaturasi’nda 3300⁰ S to’mendegi protsess boladi’.

To’mengi basi’mda (iodti’n’) (~100 Pa) podlojkani’ 3270⁰ S qi’zdi’rg’anda, al istoshnik temperaturasi’ 3300⁰ S temperaturada reaktsiya to’mendegishe ketedi.

ha’m (10) muwapi’q



Protsess waqti’nda iod rasxodlanbaydi’, podlojkada (11) muwapi’q basi’m qaytadan istoshnikke kiredi.
Selektivli epitaksiya. Bunday epitaksiya a’dette IMS lerdi o’ndiriw ushi’n kerek boladi’. Bul protsess lokalli’q jerde boladi’. YAg’ni’y yari’mo’tkizgishliktin’ belgili bir lokalli’q oblasti’ ashi’q qaldi’ri’li’p al qalg’an jerlerdi oksidler menen yamasa metall lokallar menen bekitilgen boladi’. Na’tiyjede tek kerekli jerge epitaksiya isleniledi. Usi’ni’ a’dette selektivli epitaksya dep ataymi’z. Maskirovka (jabi’lg’an) qabat selektivli epitaksiya waqti’nda to’mendegi talaplardi’ qanaatlandi’ri’w kerek.
1. Maska menen podlojka o’z-ara ta’sirge kemeyiwi tiyis.
2. Maskirovkalawshi’ qa’sieti epitaksial qatlam o’sip bolg’ansha saqlani’wi’ kerek.
3. Maskag’a polikristalli’q kremniydin’ oti’ri’wi’ bolmawi’ kerek.
Bunday sha’rtlerge juwap beretug’i’n maskalarg’a SiO₂ 8a’m Si₃N₄ jasali’ng’an maskalar jatadi’.
Yarımo’tkizgishli krisstallarda tiykarınan elektr o’tkiziwinin’ eki mexanizmi bar.
1. Diffuziya.
2. Dreyf.

+ 1-с67рет PP>>ПП n база P + Эмиттер