Versuchsziele

Tajriba qurilmasi va tajribani o’tkazish tartibi.

• 
  Т₁ tranzistorning U_BE kuchlanishini o’lchash uchun miltimetrdan foydalaning.
  
• 
  R₃ o’zgaruvchan qarshilikni shunday o’zgartirinki Т₁ ochiq va U_BE kuchlnishi 0.55 V ga teng bo’lsin.
  
• 
  Т₂ tranzistorning U_BE kuchlanishini o’lchash uchun miltimetrdan foydalaning.
  
• 
  R₇ o’zgaruvchan qarshilikni shunday o’zgartirinki Т₂ ochiq va U_BE2 kuchlnishi 0.55V ga teng bo’lsin.
  
• 
  

1. 
   Sinusoidal signal hosil qilish
   

• 
  Teskari bog’lanish zanjirini Vin ko’prigiga ulang.
  
• 
  Ossilograf yordamida A nuqtada U_A chiqish kuchlanishini kuzating.
  
• 
  Kerak bo’lsa chiqishda sinusoidal signal olish uchun ishchi nuqtani R₃ va R₇ rezistorlarni o’zgartirib toping.
  
• 
  f tebranish chastotasini aniqlang.
  

2. 
   Faza siljishini aniqlash.
   

• 
  A va B nuqtalarda ossilograf bilan signal shakli va Ua amplitudasini aniqlang (А nuqta Т₂ tranzistor kollektori, teskari bog’lanish signali, B nuqta Т₁ tranzistor kollektori, kirish signali).
  

3. 
   RC ning turli qiymatlarda tebranish chastotasini o’lchash.
   

• 
  R rezistor qarshiligi va C kondensator sig’imi qiymatini jadvalda keltirilganlar bo’yicha o’rnating va tebranish chastotasini aniqlang.
  
• 
  Zarurat bo’lsa chiqishda sinusoidal signal olish uchun ishchi nuqtani R₃ va R₇ rezistorlarni o’zgartirib toping.
  

O’lchash namunalari va natijalari