Qr. 4115 Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır?
Yüklə 0,67 Mb.
|
|
qr.4115 Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri 1. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır? 1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından. 2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından. 3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından. 4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından. A)1,2,3
B)1,2,3,4 C)1,2,4
D)2,3,4 E)2,4,5
yerləşən MS ən kiçik ölçülü hesab olunurdu? A) 300
B) 200 C) 100
D)50 E)150
E) 107 3. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir.Bunlardan hansı doğru deyildir? 1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından. 2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından. 3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından. 4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından. A) 4
B)2 C)3
D) 1 E)1,2,3,4 4. Mikrosxemlərdən hansı metallarda istifadə olunur? 1.Qələvi metallardan 2.Xassələrinə görə bir-birindən kəskin fərqlənən metallardan 3. Xassələrinə görə oxşar olan metallardan A) 2 B) 1
C) 3 D) 1,2
E) 2,3 5. İMS-lərin üzərində yazılmış I element (rəqəm) nəyi göstərir? A) Qrupunu B) Təyinatını C) Yarımqrupunu D) Ölçüsünü E) Seriyasını 6. İMS-lərin üzərində yazılmış İMS-lərin üzərində yazılmış IV element (rəqəm) nəyi göstərir? A) Yarımqrupuna görə seriyasını B) Təyinat xüsusiyyətinə görə seriyasını C) Etibarlılığını D) Elektron qurğusu olduğunu E) Seriya nömrəsini 7. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupuna aid olduğunu göstərir? A) 2,4,6,8 B) 1,5,7,8 C) 2,3,4,6,7 D) 1,3,4.5 E) 2,3,4,8 8 .MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun təbəqəli olduğunu göstərir? A) 3
B) 2 C) 1
D) 4 E) 5
olduğunu göstərir? A) 5
B) 3 C) 4
D) 2 E) 6
olduğunu göstərir? A)1
B) 2 C) 3
D) 4 E) 6
göstərir? A) 2
B) 1 C) 3
D) 5 E) 7
göstərir? A) 4
B) 1 C) 3
D) 5 E) 7
göstərir? A) 6
B)3 C) 5
D) 1 E) 7
A) Çap platalarının B) Keramikanın C) Şüşənin D) Ebonitin E) Misin
A) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı B) Məlumatın uzağa ötürülməsində C) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı E) Doğru cavab yoxdur 16. Dinamik siqnallardan harada istifadə olunur? A) Məlumatın məkanda ötürülməsi zamanı B) Məlumatın uzağa ötürülməsində C) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı E) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı 17. Analoq siqnalı dedikdə nə başa düşülür? A) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası B) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası D) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları E) Doğru cavab yoxdur 18. Diskret siqnallar dedikdə nə başa düşülür? A) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları B) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası D) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası E) Doğru cavab yoxdur 19. Siqnalları xarakterizə edən parametrlər hansı əsas qruplara bölünür? 1.Struktur 2.İdentifikasiyaedici 3. Məlumat daşıyan 4.Məlumat mənbəyi A) 1,2,3 B) 2 və 3 C) 1 və 2 D) 2,3,4 E) 1,3,4
A) Struktur B) Məlumat C) İdentifikasiyaedici D) Xətti E) Keçid
sayılandırsa və müəyyən hüduda malikdirsə, siqnal bu parametrə görə necə adlanır? A) Diskret siqnal B) Analoq siqnal C) Sabit analoq siqnal D) Dəyişən analoq siqnal E) Sinusoidal siqnal 22. İmpuls və ya ikilik siqnallar hansı siqnallara aiddir? A) Diskret B) Dəyişən analoq C) Sabit analoq D) Sinusoidal E) Harmonik 23. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir.Bunlardan hansı doğru deyildir? 1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından. 2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından. 3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından. 4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından. A) 4
B)2 C)3
D) 1 E)1,2,3,4 24. İMS-lərin əsasını və iş prinsipini bərk maddələrin kontakt hadisəsində harada gedən fiziki-kimyəvi proseslər təşkil edir? 1.Bərk maddələrin həcmlərində 2. Bərk maddələrin toxunan sərhəddində 3.Bərk maddələrin səthlərində A) 2,3 B)2
C)3 D) 1,2
E) 1 24. İMS-lərin üzərində yazılmış II element (2 hərf ) nəyi göstərir? 1. Yarımqrupunu 2. Seriyasını 3. Təyinatını 4.Qrupunu A) 2,4
B)1,4 C)2,3
D) 1,3 E)3,4
A) Məlumat B) Struktur C) İdentifikasiyaedici D)Xətti
E)Keçid 26. Siqnalın orta gücü aşağıdakı parametrlərin hansı ilə müəyyən edilir? A)Amplitud siqnalı B)Tezlik siqnalı C)Fəza spektri D)Harmonik spektri E)Doğru cavab yoxdur. 27. Bir polyarlığa malik zamandan asılı olaraq yavaş dəyişən cərəyan və ya gərginlik siqnalı necə adlanır? A) Dəyişən analoq siqnalı B) Sabit analoq siqnalı C)Diskret siqnal D)Sinusoidal siqnal E)İmpuls siqnalı 28. Zolaq nəzəriyyəsinə görə bərk cisimlərdə enerjinin mümkün olan göstərilən qiymətləri bir-birindən nə ilə ayrılır? A) Enerjinin qadağan olunmuş qiymətləri ilə B) Enerjinin ən kiçik qiymətləri ilə C) Enerjinin ən böyük qiymətləri ilə D) Enerjinin diskret qiymətləri ilə E) Enerjilərin növləri ilə 29. Atomun əsas fiziki, kimyəvi xassələrini hansı elektronlar müəyyən edirlər? A) Valent elektronları B) Cütləşməmiş elektronlar C) Eyni spinə malik elektronlar D) Spinləri əks olan elektronlar E) Doğru cavab yoxdur 30. Sredinger tənliyinə görə zərrəcik hansı halda sərbəst olur? A) U=0
B) U>0 C) U<0
D) U≥E E) U≤E
1.Dalğa funksiyası kəsilməz olmalıdır 2.Dalğa funksiyasının törəməsi 3. Dalğa funksiyası birqiymətli olmalıdır A) Doğru cavab yoxdur B)2 C)3
D)1,2,3 E) 1
A) 2 B) 1
C) 3 D)4
E) Doğru cavab yoxdur 33. Brüllen zonalarının sərhəddində enerji kəsilməzliyinin pozulması nə ilə bağlıdır? A) Elektrona uyğun dalğaların durğun dalğa olması ilə B) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun artması ilə C) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun azalması ilə D) Elektronun dalğa uzunluğunun dəyişməsi ilə E) Doğru cavab yoxdur 34. Yarımkeçirici diodda neçə elektron deçik keçidi mövcuddur? A)1
B)3 C)2
D)5 E)4
A) Generasiya B) Rekombinasiya C) İnjeksiya D) Ekstraksiya E) Diffuziya
A) Rekombinasiya B) Generasiya C) İnjeksiya D) Ekstraksiya E) Diffuziya 37. Yarımkeçirici kristalda 1 V/sm sahə gərginliyində yüklü hissəciklərin istiqamətlənmiş sürəti necə adlanır? A) Yürüklük B) İstilikkeçirmə C) Diffuziya D) Keçiricilik E) Diffuziya cərəyanı 38. Aşqarsız yarımkeçiricilər haqqında aşağıdakı fikirlərdən hansıları səhvdir? Elektronların istiqamətlənmiş sürəti: I Temperaturla düz mütənasibdir. II Temperaturla tərs mütənasibdir.III Orta istilik sürətilə düz mütənasibdir. A) I və III B) Yalnız II C) Yalnız III D) I və II E) Yalnız I 39. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir? A) Hər iki qat üçün eyni olur B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur E) Doğru cavab yoxdur 40. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir? A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması B) Fəza yüklərinin təsiri C) Keçidin eninin dəyişməsi D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası E) Doğru cavab yoxdur 41. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar? A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında E) Doğru cavab yoxdur 42. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı tərtibdə olar? A) 0.33 nm B) 0.23 nm C) 0.53 nm D) 0.66 nm E) 0.63 nm 43. Əgər I Bor orbitindəki elektron (U=150 V) sürətləndirilmiş olarsa onun dalğa uzunluğu hansı tərtibdə olar? A) 0.1 nm B) 0.01 nm C) 0.11 nm D) 0.011 nm E) 1 nm
A) Deşiklər B) Elektronlar C) Protonlar D)Fotonlar E)Elekron və deşiklər
A) Elektronlar B) Deşiklər C) Protonlar D) Fotonlar E) Elekron və deşiklər 46. Aşağıdakılardan hansılarda elektrik keçiriciliyi müşahidə olunur? 1.Metallar 2.Yarımkeçiricilər 3.Nazik təbəqəli dielektrik A) 1,2,3 B) 2,3
C) 1,3 D) 1,2
E) Heç birində 47. Dielektriklər üçün xüsusi keçiricilik: A) σ < 10-14 Om-1·sm-1 B) σ >10-4 Om-1·sm-1 C) σ >10-14 Om-1·sm-1 D) σ >10-1 Om-1·sm-1 E) σ >10-10 Om-1·sm-1 48.Aşağıdakılardan hansılar elektrtron yarımkeçiricilərə aiddir? 1.ZnS 2.Si 3.CdS 4.B A) 1,2,3,4 B) 2,3,4 C) 1,2,3
D) 1,2 E) Heç biri 49. Adi şəraitdə aşağıdakılardan elektrik cərəyanını keçirməyəni göstərin? 1.Metallar 2.Dielektriər 3.Yarımkeçiricilər A) 2,3
B) 1,2 C) 1
D) 3 E) Heç biri keçirmir 50. n-tip yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir? A) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində C) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda E) Doğru cavab yoxdur 51. Məxsusi yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir? A) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində C) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda E) Doğru cavab yoxdur 52. Dayaz enerji səviyyəsi hansıdır? A) Donor və akseptor B) Yalnız akseptor C) Yalnız donor D) Yalnız Fermi E) Doğru cavab yoxdur 53. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyasında aşağıdakılardan hansı səviyyə əsas rol oynayır? 1.Dayaz 2.Dərin 3.Fermi A) 2
B) 1 C) 3
D) 1,2,3 E) 1 və 3 54. Yarımkeçiricilərdən elektrik cərayanı keçməsinə təsir edən rekombinasiya növləri hansılardır? 1.Birbaşa zolaq-zolaq rekombinasiyası 2.Aşqar mərkəzlərinin rekombinasiyası 3.Səth rekombinasiyası 4.Elektron cütlərinin rekombinasiyası A) 1,2,3
B) 1,3 C) 1,2,3,4 D) 2,3,4 E) 4
A) Konsentrasiya qradienti ilə B) Sürət qradienti ilə C) Tempratur qradienti ilə D)Tezlik qradienti ilə E) Doğru cavab yoxdur
A) 2
B) 1 C) 3
D) 1,2 E) 2,3
A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks yönələrsə B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönələndə D) p-n keçidini qızdırdıqda E) Doğru cavab yoxdur
A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönələndə B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks yönələrsə C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda D) p-n keçidini qızdırdıqda E) Doğru cavab yoxdur 59. p-n keçidini xarici sahəyə qoşduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönəldikdə sərhəd yaxınlığında qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ( np və pn ) konsentrasiyalarının azalması prosesi necə adlanır? A) Ekstraksiya B) Dreyf C) İnjeksiya D) Diffuziya E) Generasiya 60. Aşağıdakı deşilmələrdən hansılar elektrik sahəsinin mövcudluğu ilə əlaqədardır? 1.Tunel 2.Selvari 3.Səthi 4.İstilik deşilməsi A) 1 və 2 B) 1 və 3 C) 2 və 4 D) 2 və 3 E) 3 və 4
A) İstilik B) Selvari C) Tunel
D) Səthi E) Doğru cavab yoxdur 62. Səthi deşilmənin baş vermə ehtimalını necə azaltmaq olar? A) Yüksək dielektrik sabitinə malik örtükdən istifadə etməklə B) Metal örtükdən istifadə etməklə C) Xarici müqaviməti azaltmaqla D) Xarici müqaviməti artırmaqla E) Doğru cavab yoxdur 63. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? A) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir B) Tunel deşilməsi ensiz keçidlərdə baş verir C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir C) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir 64. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? A) Selvari deşilmə enli keçidlərdə baş verir B) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir E) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir 65. Hansı deşilmə növü qazlarda elektrik boşalmasına bənzəyir? A) Tunel
B) Selvari C) İstilik D) Səthi E) Doğru cavab yoxdur 66. Səthi deşiləmədə əsas amillər hansıdır? 1.Dielektrik örtüklər 2.Səthi yüklər 3.Tətbiq olunan gərginliyin tezliyi A) Yalnız 1 B) Yalnız 2 C) Yalnız 3 D) 1və 2
E) 1,2,3 67. p-n keçidin deşilməsi hansı halda baş verə bilər? 1.Əks qoşulmada 2.Düz qoşulmada 3.Birtərəfli qoşulmada A) 1
B) 2 C) 3
D)1 və 2 E)1,2,3
vasitəsilə zərbə ilə ionlaşması nəticəsində p-n keçidinin deşilməsi necə adlanır? A) Selvari B) Tunel C) İstilik D) Səthi E) Həcmi
müqavimətinə mütənasibdir. 2.Deşilmə gərginliyi keçiriciliyin növündən asılıdır 3.Deşilmə gərginliyi xarici müqavimətdən asılıdır A) 1,2
B) 1,3 C) 2,3
D) 1,2,3 E) Doğru cavab yoxdur 70. Hansı temperaturda metallarda Fermi səviyyəsindən yuxarıda yerləşən enerji səviyyələri boş olur? A) -273 °C B) 0 °C C) 273 °C D) 100 °C E) 373 °C 71. Metal səthinə mənsub potensial çəpərin hündürlüyü dəyişir : 1.Xarici gərginliyin qiyməti dəyişdikdə . 2. Xarici gərginliyin istiqaməti dəyişdikdə . 3.Xaricə çıxış işi dəyişdikdə A) 1,2
B) 2 C) 3
D) 1 E) 1,2,3
səth enerji səviyyələri olur.Aşağıdakılardan hansılar doğrudur? 1.Tamın enerji səviyyələri 2.Aşqarların yaratdığı enerji səviyyələri 3.Səthdəki defektlərin yaratdığı enerji səviyyələri A) 1,2,3
B) 2 C) 3
D) 1,2 E) 1
A) Metalla-kiçik çıxış işinə malik donor yarımkeçirici kontaktında B) Metal-metal kontaktında C) Metalla-dielektrik kontaktında D) Yarımkeçirici-dielektrik kontaktında E) Metalla kiçik çıxış işinə malik akseptor yarımkeçirici kontaktında
A) Düzləndirici təbəqə B) Laylı təbəqə C) Metal təbəqəsi D) Yarımkeçirici təbəqə E) Aşqar təbəqə 75. Metal-yarımkeçirici kontaktı almaq üçün hansı üsuldan istifadə olunur? A) Buxarlandırma B) Diffuziya C) Lehimlər D) Elektroliz E) Doğru cavab yoxdur 76. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır? 1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan 2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında 3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri fərqindən A) 1,2,3
B) 2 C) 3
D) 1,2 E) 1,3
dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır? 1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan 2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında 3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri cəmindən A) 1,2
B) 2,3 C) 1,3
D) 3 E) 1,2,3
miqdarı aşağıdakılardan hansılardan asılıdır? 1. Xarici potensiallar ferqindən 2.Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasından 3.Elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuzetmə dərinliyindən A) 2,3
B) 2 C) 3
D) 1,2 E) 1
işindən böyük olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı işarəli yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır? A) Müsbət yüklü və antiqapayıcı B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı C) Müsbət yüklü və qapayıcı D) Mənfi yüklü və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 80. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən böyük olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı işarəli yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır? A) Müsbət yüklü və qapayıcı B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı C) Müsbət yüklü və antiqapayıcı D) Mənfi yüklü və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 81. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır? A) Mənfi və antiqapayıcı B) Mənfi və qapayıcı C) Müsbət və antiqapayıcı D) Müsbət və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 82. Metal p-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır? A) Mənfi və qapayıcı B) Mənfi və antiqapayıcı C) Müsbət və antiqapayıcı D) Müsbət və qapayıcı E) Təbəqə yaranmır 83. Metal-yarımkeçirici kontaktında kontakt strukturu əsasən aşağıdakılardan hansı ilə təyin olunur? 1.Fermi səviyyələrinin qarşılıqlı yerləşməsi ilə 2.Kontakt tutumu ilə 3.Diffuziya tutumu ilə A) 1
B) 2 C) 1 və 3 D) 2 və 3 E) 1,2,3
Yüklə 0,67 Mb. Dostları ilə paylaş:
|