4117a-Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri Mamedova Arzu



Yüklə 108,17 Kb.
tarix10.01.2022
ölçüsü108,17 Kb.
#110072

4117a-Mikroprosessorlu idarəetmə sistemləri - Mamedova Arzu
1. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlar hansılardır?

1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından.

2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından.

3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından.

4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından.

A) 1,2,3


B) 1,2,3,4

C) 1,2,4


D) 2,3,4

E) 2,4,5
2. Yarımkeçiricilərdən istifadə olunmağa başlayana qədər 1 dm3-də neçə element yerləşən MS ən kiçik ölçülü hesab olunurdu?

A) 300

B) 200


C) 100

D) 50


E) 150

E) 107
3. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir. Bunlardan hansı doğru deyildir?

1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından.

2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından.

3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından.

4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından.

A) 4

B) 2


C) 3

D) 1


E) 1,2,3,4
4. Mikrosxemlərdən hansı metallarda istifadə olunur?

1.Qələvi metallardan

2.Xassələrinə görə bir-birindən kəskin fərqlənən metallardan

3. Xassələrinə görə oxşar olan metallardan

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1,2


E) 2,3
5. İMS-lərin üzərində yazılmış I element (rəqəm) nəyi göstərir?

A) Qrupunu

B) Təyinatını

C) Yarımqrupunu

D) Ölçüsünü

E) Seriyasını


6. İMS-lərin üzərində yazılmış İMS-lərin üzərində yazılmış IV element (rəqəm) nəyi göstərir?

A) Yarımqrupuna görə seriyasını

B) Təyinat xüsusiyyətinə görə seriyasını

C) Etibarlılığını

D) Elektron qurğusu olduğunu

E) Seriya nömrəsini


7. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupuna aid olduğunu göstərir?

A) 2,4,6,8

B) 1,5,7,8

C) 2,3,4,6,7

D) 1,3,4.5

E) 2,3,4,8


8 .MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun təbəqəli olduğunu göstərir?

A) 3


B) 2

C) 1


D) 4

E) 5
9. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun yarımkeçirici qrupundan olduğunu göstərir?

A) 5

B) 3


C) 4

D) 2


E) 6
10. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun yarımkeçirici qrupundan olduğunu göstərir?

A) 1


B) 2

C) 3


D) 4

E) 6
11. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu göstərir?

A) 2

B) 1


C) 3

D) 5


E) 7
12. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu göstərir?

A) 4


B) 1

C) 3


D) 5

E) 7
13. MS üzərində I element (rəqəm) hansı halda onun hibrid qrupundan olduğunu göstərir?

A) 6

B) 3


C) 5

D) 1


E) 7
14. İnteqral mikrosxemlərin tətbiqindən əvvəl qurğular nəyin üzərində yığılırdı?

A) Çap platalarının

B) Keramikanın

C) Şüşənin

D) Ebonitin

E) Misin
15. Statik siqnaldan nə zaman istifadə olunur?

A) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı

B) Məlumatın uzağa ötürülməsində

C) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı

D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı

E) Doğru cavab yoxdur
16. Dinamik siqnallardan harada istifadə olunur?

A) Məlumatın məkanda ötürülməsi zamanı

B) Məlumatın uzağa ötürülməsində

C) Məlumatın müəyyən müddət ərzində ötürülməsi zamanı

D) Məlumatın aramsız ötürülməsi zamanı

E) Məlumatın tez ötürülməsi zamanı


17. Analoq siqnalı dedikdə nə başa düşülür?

A) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

B) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası

D) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları

E) Doğru cavab yoxdur


18. Diskret siqnallar dedikdə nə başa düşülür?

A) Cərəyanın və gərginliyin zamana görə kəsilən funksiyaları

B) Cərəyanın və gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

C) Gərginliyin diskret, cərəyanın zamanda kəsilməyən funksiyası

D) Cərəyanın diskret,gərginliyin zamanda kəsilməyən funksiyası

E) Doğru cavab yoxdur


19. Siqnalları xarakterizə edən parametrlər hansı əsas qruplara bölünür?

1.Struktur 2.İdentifikasiyaedici 3. Məlumat daşıyan 4.Məlumat mənbəyi

A) 1,2,3

B) 2 və 3

C) 1 və 2

D) 2,3,4

E) 1,3,4
20. Siqnalın sərbəstlik dərəcələrinin sayını hansı parametrlər göstərir?

A) Struktur

B) Məlumat

C) İdentifikasiyaedici

D) Xətti

E) Keçid
21. Əgər məlumat daşıyıcı parametrin mümkün olan qiymətlər çoxluğu sayılandırsa və müəyyən hüduda malikdirsə, siqnal bu parametrə görə necə adlanır?

A) Diskret siqnal

B) Analoq siqnal

C) Sabit analoq siqnal

D) Dəyişən analoq siqnal

E) Sinusoidal siqnal
22. İmpuls və ya ikilik siqnallar hansı siqnallara aiddir?

A) Diskret

B) Dəyişən analoq

C) Sabit analoq

D) Sinusoidal

E) Harmonik


23. Mikroelektronikanın istiqamətləri üç əsas baxımdan səciyyələndirilir.Bunlardan hansı doğru deyildir?

1.Element və sxemlərin hazırlanması baxımından.

2. Element və qurğularda istifadə olunan fiziki hadisələr baxımından.

3. Mikroelektron elementlərin bir-birinə qoşulma üsulları baxımından.

4. Mikroelektron qurğuların təyinatı baxımından.

A) 4


B) 2

C) 3


D) 1

E) 1,2,3,4


24. İMS-lərin əsasını və iş prinsipini bərk maddələrin kontakt hadisəsində harada gedən fiziki-kimyəvi proseslər təşkil edir?

1.Bərk maddələrin həcmlərində

2. Bərk maddələrin toxunan sərhəddində

3.Bərk maddələrin səthlərində

A) 2,3

B) 2


C) 3

D) 1,2


E) 1
24. İMS-lərin üzərində yazılmış II element (2 hərf ) nəyi göstərir?

1.Yarımqrupunu 2. Seriyasını 3. Təyinatını 4.Qrupunu

A) 2,4

B) 1,4


C) 2,3

D) 1,3


E) 3,4
25. Hansı parametrlər faydalı siqnalı digər (lazım olmayan) siqnalların içərisindən seçib ayırır?

A) Məlumat

B) Struktur

C) İdentifikasiyaedici

D) Xətti

E) Keçid
26. Siqnalın orta gücü aşağıdakı parametrlərin hansı ilə müəyyən edilir?

A) Amplitud siqnalı

B) Tezlik siqnalı

C) Fəza spektri

D) Harmonik spektri

E) Doğru cavab yoxdur.
27. Bir polyarlığa malik zamandan asılı olaraq yavaş dəyişən cərəyan və ya gərginlik siqnalı necə adlanır?

A) Dəyişən analoq siqnalı

B) Sabit analoq siqnalı

C) Diskret siqnal

D) Sinusoidal siqnal

E) İmpuls siqnalı


28. Zolaq nəzəriyyəsinə görə bərk cisimlərdə enerjinin mümkün olan göstərilən qiymətləri bir-birindən nə ilə ayrılır?

A) Enerjinin qadağan olunmuş qiymətləri ilə

B) Enerjinin ən kiçik qiymətləri ilə

C) Enerjinin ən böyük qiymətləri ilə

D) Enerjinin diskret qiymətləri ilə

E) Enerjilərin növləri ilə


29. Atomun əsas fiziki, kimyəvi xassələrini hansı elektronlar müəyyən edirlər?

A) Valent elektronları

B) Cütləşməmiş elektronlar

C) Eyni spinə malik elektronlar

D) Spinləri əks olan elektronlar

E) Doğru cavab yoxdur


30. Sredinger tənliyinə görə zərrəcik hansı halda sərbəst olur?

A) U=0


B) U>0

C) U<0


D) U≥E

E) U≤E
31. Dalğa funksiyası üzərinə qoyulmuş şərtlərdən hansı doğru deyildir?

1.Dalğa funksiyası kəsilməz olmalıdır

2.Dalğa funksiyasının törəməsi

3. Dalğa funksiyası birqiymətli olmalıdır

A) Doğru cavab yoxdur

B) 2

C) 3


D) 1,2,3

E) 1
32. Atomun əsas fiziki, kimyəvi xassələrini hansı elektronlar müəyyən edirlər?

A) Valent elektronları

B) Cütləşməmiş elektronlar

C) Eyni spinə malik elektronlar

D) Spinləri əks olan elektronlar

E) Doğru cavab yoxdur
33. Brüllen zonalarının sərhəddində enerji kəsilməzliyinin pozulması nə ilə bağlıdır?

A) Elektrona uyğun dalğaların durğun dalğa olması ilə

B) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun artması ilə

C) Elektrona uyğun dalğaların uzunluğunun azalması ilə

D) Elektronun dalğa uzunluğunun dəyişməsi ilə

E) Doğru cavab yoxdur


34. Yarımkeçirici diodda neçə elektron deçik keçidi mövcuddur?

A) 1


B) 3

C) 2


D) 5

E) 4
35. Yarımkeçirici kristalda elektron-deşik cütünün yaranması prosesi necə adlanır?

A) Generasiya

B) Rekombinasiya

C) İnjeksiya

D) Ekstraksiya

E) Diffuziya
36.Yarımkeçirici kristalda elektron-deşik cütünün yox olması prosesi necə adlanır?

A) Rekombinasiya

B) Generasiya

C) İnjeksiya

D) Ekstraksiya

E) Diffuziya


37. Yarımkeçirici kristalda 1 V/sm sahə gərginliyində yüklü hissəciklərin istiqamətlənmiş sürəti necə adlanır?

A) Yürüklük

B) İstilikkeçirmə

C) Diffuziya

D) Keçiricilik

E) Diffuziya cərəyanı


38. Aşqarsız yarımkeçiricilər haqqında aşağıdakı fikirlərdən hansıları səhvdir?

Elektronların istiqamətlənmiş sürəti: I Temperaturla düz mütənasibdir.

II Temperaturla tərs mütənasibdir. III Orta istilik sürətilə düz mütənasibdir.

A) I və III

B) Yalnız II

C) Yalnız III

D) I və II

E) Yalnız I


39. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir?

A) Hər iki qat üçün eyni olur

B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir

C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir

D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur

E) Doğru cavab yoxdur


40. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir?

A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması

B) Fəza yüklərinin təsiri

C) Keçidin eninin dəyişməsi

D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


41. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


42. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı tərtibdə olar?

A) 0.33 nm

B) 0.23 nm

C) 0.53 nm

D) 0.66 nm

E) 0.63 nm


43. Əgər I Bor orbitindəki elektron (U=150 V) sürətləndirilmiş olarsa onun dalğa uzunluğu hansı tərtibdə olar?

A) 0.1 nm

B) 0.01 nm

C) 0.11 nm

D) 0.011 nm

E) 1 nm
44. Dördvalentli yarımkeçiriciyə üçvalentli aşqar daxil etdikdə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar aşağıdakılardan hansıdır?

A) Deşiklər

B) Elektronlar

C) Protonlar

D) Fotonlar

E) Elekron və deşiklər
45. Dördvalentli yarımkeçiriciyə beşvalentli aşqar daxil etdikdə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar aşağıdakılardan hansıdır?

A) Elektronlar

B) Deşiklər

C) Protonlar

D) Fotonlar

E) Elekron və deşiklər


46. Aşağıdakılardan hansılarda elektrik keçiriciliyi müşahidə olunur?

1.Metallar

2.Yarımkeçiricilər

3.Nazik təbəqəli dielektrik

A) 1,2,3

B) 2,3


C) 1,3

D) 1,2


E) Heç birində
47. Dielektriklər üçün xüsusi keçiricilik:

A) σ < 10-14 Om-1·sm-1

B) σ >10-4 Om-1·sm-1

C) σ >10-14 Om-1·sm-1

D) σ >10-1 Om-1·sm-1

E) σ >10-10 Om-1·sm-1


48.Aşağıdakılardan hansılar elektrtron yarımkeçiricilərə aiddir?

1.ZnS


2.Si

3.CdS


4.B

A) 1,2,3,4

B) 2,3,4

C) 1,2,3


D) 1,2

E) Heç biri


49. Adi şəraitdə aşağıdakılardan elektrik cərəyanını keçirməyəni göstərin?

1.Metallar

2.Dielektriər

3.Yarımkeçiricilər

A) 2,3

B) 1,2


C) 1

D) 3


E) Heç biri keçirmir
50. n-tip yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir?

A) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində

B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində

C) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində

D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda

E) Doğru cavab yoxdur


51. Məxsusi yarımkeçiricilərdə Fermi səviyyəsi harada yerləşir?

A) Qadağan olunmuş zonanın orta hissəsində

B) Qadağan olunmuş zonanın aşağı hissəsində

C) Qadağan olunmuş zonanın yuxarı hissəsində

D) Qadağan olunmuş zonadan uzaqda

E) Doğru cavab yoxdur


52. Dayaz enerji səviyyəsi hansıdır?

A) Donor və akseptor

B) Yalnız akseptor

C) Yalnız donor

D) Yalnız Fermi

E) Doğru cavab yoxdur


53. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyasında aşağıdakılardan hansı səviyyə əsas rol oynayır?

1.Dayaz


2.Dərin

3.Fermi


A) 2

B) 1


C) 3

D) 1,2,3


E) 1 və 3
54. Yarımkeçiricilərdən elektrik cərayanı keçməsinə təsir edən rekombinasiya növləri hansılardır?

1.Birbaşa zolaq-zolaq rekombinasiyası

2.Aşqar mərkəzlərinin rekombinasiyası

3.Səth rekombinasiyası

4.Elektron cütlərinin rekombinasiyası

A) 1,2,3


B) 1,3

C) 1,2,3,4

D) 2,3,4

E) 4
55. Diffuziya cərəyanı təyin olunur

A) Konsentrasiya qradienti ilə

B) Sürət qradienti ilə

C) Tempratur qradienti ilə

D) Tezlik qradienti ilə

E) Doğru cavab yoxdur
56. Dreyt cərəyanının yaranması üçün tələb olunur

1.Sürət qradienti

2.Potensial qradienti

3. Tempratur qradienti

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1,2


E) 2,3
57. p-n keçidində injeksiya hadisəsi nə vaxt baş verər?

A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks yönələrsə

B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda

C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönələndə

D) p-n keçidini qızdırdıqda

E) Doğru cavab yoxdur


58. p-n keçidində ekstraksiya hadisəsi nə zaman baş verə bilər?

A) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönələndə

B) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulduqda və xarici sahə daxili sahəyə əks yönələrsə

C) Xarici gərginlik mənbəyinə qoşulmadıqda

D) p-n keçidini qızdırdıqda

E) Doğru cavab yoxdur


59. p-n keçidini xarici sahəyə qoşduqda və xarici sahə daxili sahə ilə eyni istiqamətdə yönəldikdə sərhəd yaxınlığında qeyri-əsas yükdaşıyıcıların (np və pn) konsentrasiyalarının azalması prosesi necə adlanır?

A) Ekstraksiya

B) Dreyf

C) İnjeksiya

D) Diffuziya

E) Generasiya


60. Aşağıdakı deşilmələrdən hansılar elektrik sahəsinin mövcudluğu ilə əlaqədardır?

1.Tunel 2.Selvari 3.Səthi 4.İstilik deşilməsi

A) 1 və 2

B) 1 və 3

C) 2 və 4

D) 2 və 3

E) 3 və 4
61. Aşağıdakı deşilmələrdən hansı p-n keçiddə səpələnən gücün artması ilə əlaqədardır?

A) İstilik

B) Selvari

C) Tunel


D) Səthi

E) Doğru cavab yoxdur


62. Səthi deşilmənin baş vermə ehtimalını necə azaltmaq olar?

A) Yüksək dielektrik sabitinə malik örtükdən istifadə etməklə

B) Metal örtükdən istifadə etməklə

C) Xarici müqaviməti azaltmaqla

D) Xarici müqaviməti artırmaqla

E) Doğru cavab yoxdur


63. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur?

A) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir

B) Tunel deşilməsi ensiz keçidlərdə baş verir

C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir

D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir

C) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir


64. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur?

A) Selvari deşilmə enli keçidlərdə baş verir

B) Selvari deşilmə ensiz keçidlərdə baş verir

C) Tunel deşilməsi enli keçidlərdə baş verir

D) Selvari deşilmə enli və ensiz keçidlərdə baş verir

E) Tunel keçidi enli və ensiz keçidlərdə baş verir


65. Hansı deşilmə növü qazlarda elektrik boşalmasına bənzəyir?

A) Tunel


B) Selvari

C) İstilik

D) Səthi

E) Doğru cavab yoxdur


66. Səthi deşiləmədə əsas amillər hansıdır? 1.Dielektrik örtüklər 2.Səthi yüklər

3.Tətbiq olunan gərginliyin tezliyi

A) Yalnız 1

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) 1və 2


E) 1,2,3
67. p-n keçidin deşilməsi hansı halda baş verə bilər? 1.Əks qoşulmada 2.Düz qoşulmada 3.Birtərəfli qoşulmada

A) 1


B) 2

C) 3


D) 1 və 2

E) 1,2,3
68. Sahə gərginliyinin kiçik qiymətlərində neytral atomların sürətli yükdaşıyıcılar vasitəsilə zərbə ilə ionlaşması nəticəsində p-n keçidinin deşilməsi necə adlanır?

A) Selvari

B) Tunel


C) İstilik

D) Səthi


E) Həcmi
69. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur? 1.Deşilmə gərginliyi bazanın xüsusi müqavimətinə mütənasibdir. 2.Deşilmə gərginliyi keçiriciliyin növündən asılıdır 3.Deşilmə gərginliyi xarici müqavimətdən asılıdır

A) 1,2


B) 1,3

C) 2,3


D) 1,2,3

E) Doğru cavab yoxdur


70. Hansı temperaturda metallarda Fermi səviyyəsindən yuxarıda yerləşən enerji səviyyələri boş olur?

A) -273 °C

B) 0 °C

C) 273 °C

D) 100 °C

E) 373 °C


71. Metal səthinə mənsub potensial çəpərin hündürlüyü dəyişir :

1. Xarici gərginliyin qiyməti dəyişdikdə .

2. Xarici gərginliyin istiqaməti dəyişdikdə .

3. Xaricə çıxış işi dəyişdikdə

A) 1,2

B) 2


C) 3

D) 1


E) 1,2,3
72. Yarımkeçiricinin qadağan zonasında zolaq nəzəriyyəsinə görə müxtəlif mənşəli səth enerji səviyyələri olur.Aşağıdakılardan hansılar doğrudur?

1.Tamın enerji səviyyələri

2.Aşqarların yaratdığı enerji səviyyələri

3.Səthdəki defektlərin yaratdığı enerji səviyyələri

A) 1,2,3

B) 2


C) 3

D) 1,2


E) 1
73. Hansı halda kontakt sərhəddində böyük müqavimətə malik təbəqə yaranır?

A) Metalla-kiçik çıxış işinə malik donor yarımkeçirici kontaktında

B) Metal-metal kontaktında

C) Metalla-dielektrik kontaktında

D) Yarımkeçirici-dielektrik kontaktında

E) Metalla kiçik çıxış işinə malik akseptor yarımkeçirici kontaktında


74. Metal-yarımkeçirici kontaktında sərhəddə yaranan böyük müqavimətə malik təbəqə necə adlanır?

A) Düzləndirici təbəqə

B) Laylı təbəqə

C) Metal təbəqəsi

D) Yarımkeçirici təbəqə

E) Aşqar təbəqə


75. Metal-yarımkeçirici kontaktı almaq üçün hansı üsuldan istifadə olunur?

A) Buxarlandırma

B) Diffuziya

C) Lehimlər

D) Elektroliz

E) Doğru cavab yoxdur


76. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır?

1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan

2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında

3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri fərqindən

A) 1,2,3

B) 2


C) 3

D) 1,2


E) 1,3
77. Metal-yarımkeçirici kontaktında elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuz etmə dərinliyi aşağıdakılardan hansılardan asılıdır?

1. Yarımkeçiricinin dielektrik nüffuzluğundan

2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasında

3. Yarımkeçirici və metalın çıxış işləri cəmindən

A) 1,2

B) 2,3


C) 1,3

D) 3


E) 1,2,3
78. Metal-yarımkeçirici kontaktında yarımkeçiricinin səthindəki elektrik yüklərinin

miqdarı aşağıdakılardan hansılardan asılıdır?

1. Xarici potensiallar ferqindən

2. Sərbəst daşıyıcıların konsentrasiyasından

3. Elektrik sahəsinin yarımkeçiriciyə nüfuzetmə dərinliyindən

A) 2,3


B) 2

C) 3


D) 1,2

E) 1
79. Metal p-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən böyük olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı işarəli yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır?

A) Müsbət yüklü və antiqapayıcı

B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı

C) Müsbət yüklü və qapayıcı

D) Mənfi yüklü və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır
80. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən böyük olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı işarəli yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır?

A) Müsbət yüklü və qapayıcı

B) Mənfi yüklü və antiqapayıcı

C) Müsbət yüklü və antiqapayıcı

D) Mənfi yüklü və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


81. Metal n-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır?

A) Mənfi və antiqapayıcı

B) Mənfi və qapayıcı

C) Müsbət və antiqapayıcı

D) Müsbət və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


82. Metal p-tip yarımkeçirici kontaktında metalın çıxış işi yarımkeçiricinin çıxış işindən kiçik olduqda yarımkeçiricinin səthində hansı yüklü təbəqə yaranır və o necə adlanır?

A) Mənfi və qapayıcı

B) Mənfi və antiqapayıcı

C) Müsbət və antiqapayıcı

D) Müsbət və qapayıcı

E) Təbəqə yaranmır


83. Metal-yarımkeçirici kontaktında kontakt strukturu əsasən aşağıdakılardan hansı ilə təyin olunur?

1.Fermi səviyyələrinin qarşılıqlı yerləşməsi ilə

2.Kontakt tutumu ilə

3.Diffuziya tutumu ilə

A) 1

B) 2


C) 1 və 3

D) 2 və 3

E) 1,2,3
84. Metalla p-tip yarımkeçiricinin kontaktı zamanı onlar arasında electron mübadiləsi nece gedir?

1. Elektronlar metaldan yarımkeçiriciye keçir

2.Elektronlar metaldan yarımkeçiriciye keçmir

3.Yarımkeçiricinin səthə yaxın qatında əlavə elektronlar yaranır

4.Yarımkeçiricidə rekombinasiya surətlənir

A) 1,3,4

B) 2,3,4

C) 2,3


D) 2,4

E) Doğru cavab yoxdur


85. Kontakt hadisəsində metalla yarımkeçirici arasındakı elektron mübadiləsini nə ilə xarakterizə edirlər?

A) Çıxış işlərinin fərqi

B) Fermi səviyyələrinin fərqi

C) Diffuziya əmsalları fərqi

D) Konsentrasiya qradiyentləri fərqi

E) Doğru cavab yoxdur


86. Metalla yarımkeçiricinin kontakt qatındakı potensial çəpəri necə adlanır?

A) Şottki səddi

B) Fermi səddi

C) Donor səddi

D) Akseptor səddi

E) Doğru cavab yoxdur


87. Heterokeçid hansı keçidə deyilir?

A) Qadağan olunmuş zonalarının eni müxtəlif olan iki yarımkeçiricinin təmasına

B) Qadağan olunmuş zonalarının eni eyni olan iki yarımkeçiricinin təmasına

C) Yarımkeçirici-dielektrik təmasına

D) Dielektrik- metal təmasına

E) Doğru cavab yoxdur


88.Qeyri-düzləndirici omik təmaslar (kontaktlar) nece alınır?

A) Metal-yarımkeçirici

B) Metal-metal

C) Yarımkeçirici-yarımkeçirici

D) Metal-dielektrik

E) Yarımkeçirici-dielektrik


89. Şottki diodlar hansı kontaktlardan (təmaslardan) alınır?

A) Metal-yarımkeçirici

C) Metal-metal

C) Yarımkeçirici-yarımkeçirici

D) Metal-dielektrik

E) Yarımkeçirici-dielektrik


90. Omik təmaslardan (kontaktlardan) əsasən harada istifadə olunur?

A) Yarımkeçirici qata çıxış məftili qoşulanda

B) İnduktivlik almaq üçün

C) Tutum almaq üçün

D) Düzləndirmə almaq üçün

E) Doğru cavab yoxdur


91. n-tip yarımkeçiricidən elektronun tam çıxış işi hansı halda azalır? 1.Donor aşqarın miqdarı artdıqda. 2.Akserptor aşqarın miqdarı azaldıqda. 3.Donor aşqarın miqdarı azaldıqda. 4. Akserptor aşqarın miqdarı artdıqda

A) 1,2


B) 2,3

C) 1,4


D) 2,3

E) Doğru cavab yoxdur


92. Şokli nəzəriyyəsinə görə p-n keçid modelinin tərkibinə aşağıdakılardan hansılar daxildir?

1.Elektronlar

2.Deşiklər

3.Aşqar mərkəzlər

A) 1,2,3

B) 2


C) 1,3

D) 2,3


E) 1
93. Real p-n keçidin VAX-ının düzgün ifadəsi hansıdır? (İD və UD-düz keçidin cərəyan və gərginliyidir)

A) İ=İ0(exp((UD-İDr1) ) -1

B) İ=İ0exp(UD-İDr1)

C) İ=İ0(exp(UD-İDr1) -1)

D) İ=İ0(exp(İDr1-UD) -1)

E) ) İ=İ0(exp(İDr1-UD) +1)


94. Nazik diod nəyə deyilir?(L-yükdaşıyıcının yolu)

A) n və ya p təbəqələrindən birinin qalınlığı d≤L

B) n və ya p təbəqələrindən birinin d qalınlığı d<

C) n və ya p təbəqələrindən birinin qalınlığı d>>L

D) n və p təbəqənin hər ikisinin qalınlığı d>L

E) n və p təbəqənin hər ikisinin qalınlığı d<
95. Hansı p-n keçidlər homokeçidlər adlanır?

1.Eyni bir kristalın bir hissəsi aşqarlandıqda

2.İki müxtəlif kristala eyni aşqar daxil etdikdə

3.Eyni bir kristala iki müxtəlif aşqar daxil etdikdə

A) 1

B) 1və 2


C) 1 və 3

D) 2


E) 3
96. p-n keçidin elektrik tutumunda lövhələrarası dielektrik rolunu nə oynayır?

A) Sərbəst yükdaşıyıcıları olmayan həcmi yüklər oblastı

B) Bağlayıcı təbəqə

C) Düz keçid

D) Tərs keçid

E) Kristal təbəqədəki defektlər


97. p-n keçiddə hansı halda elektrik tutumu artır?

1.Xarici gərginlik buraxıcı istiqamətdə yönəldikdə

2. Xarici gərginlik buraxıcı istiqamətin əksinə yönəldikdə

3. Xarici gərginlik sıfır olduqda

A) 1

B) 2


C) 3

D) 1,2


E) 2,3
98. Hansı halda yarımkeçirici diod özünü induktiv element kimi aparır?

1. Dioddan əks cərəyan keçdikdə

2. Dioddan buraxıcı istiqamətdə cərəyan keçdikdə

3.Diod qızdırıldıqda

A) 2

B) 1


C) 1,3

D) 1,2,3


E) Yalnız 1
99. p-n keçiddə p və n hissələrində kontaktyanı oblastlarda hansı hadisənin baş verməsi induktivliyin yaranmasına səbəb olur?

1.Regenerasiya hadisəsi

2.Rekombinasiya hadisəsi

3. Ekstraksiya hadisəsi

4.İnjeksiya hadisəsi

A) 2


B) 1

C) 3


D) 4

E) 1,2,3,4


100. Aşağıdakı elementlərin hansından mikrosxemlərdə kondensator kimi istifadə

olunur?


A) Yarımkeçirici dioddan

B) Yarımkeçirici tranzistordan

C) Lampalı dioddan

D) Trioddan

E) Rezistordan
101. p-n keçiddə gərginlik buraxıcı istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir?

A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası

B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası

D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası


102. p-n keçiddə gərginlik əks istiqamətdə yönəldikdə hansı hadisə baş verir?

A) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası

B) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

C) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların ekstraksiyası

D) Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası

E) Əsas yükdaşıyıcıların regenerasiyası


103. Real p-n keçiddə tam müqavimət nədən ibarətdir?

A) Bağlayıcı təbəqənin müqaviməti ilə deşik və ya elektron oblastlarının müqavimətləri cəmindən

B) Deşik oblastının müqavimətindən

C) Elektron oblastının müqavimətindən

D) Doğru cavab yoxdur

A) Bağlayıcı təbəqənin müqavimətindən


104. Şottki diodun başqa p-n keçidli diodlardan əsas fərqi nə ilə əlaqadardır?

A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


105. p-n keçidli diodların yüksək tezliklərdə işləmələrinə mane olan əsas səbəb nədir?

A) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

B) Əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası və ekstraksiyası

C) Qeyri əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

D) Əsas yükdaşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


106. Şottki diodların hazırlanmasında əsas hansı yarımkeçirici maddədən istifadə

olunur?


A) Si

B) Se


C) Ge

D) İn


E) Kd
107. Tunel diodu ilk dəfə hansı ölkədə hazırlanmışdır?

A) Yaponiyada

B) Almaniyada

C) Fransada

A) Çində

E) Rusiyada


108. Aşağıdakı cihazlardan hansının iş prinsipi diodun tutm xassəsinə əsaslanır?

A) Varikap

B) Tunel diodu

A) Şottki diod

D) Vakuum diodu

E) Stabilitron


109. Aşağıdakılardan hansı yalnız sabit cərəyan gərginliyi üçündür?

A) Stabilitron

B) Tunel diodu

C) Varikap

D) Vakuum diodu

E) Şottki diod


110. Aşağıdakı diodlardan hansından dəyişən tutumlu kondensator kimi istifadə oluna bilər?

A) Varikap

B) Tunel diodu

C) Stabilitron

D) Impuls diodu

E) Şottki diodu


111. p-n keçiddə elektrik deşilməsindən hansı diodda istifadə olunur?

A) Stabilitron

B) Tunel diodu

C) Impuls diodu

D) Varikap

E) Şottki diodu


112. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların nisbətən kiçik konsentrasiyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir?

A) Selvari

B) Səthi

C) Tunel


D) Selvari və Tunel

E) Doğru cavab yoxdur


113. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların yüksək konsentrasiyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir?

A) Tunel


B) Səthi

C) Selvari

D) Selvari və Tunel

E) Doğru cavab yoxdur


114. Yarımkeçirici stabilitronlardan hansı stablizatorlarda istifadə olunur?

1.Parametrik 2.Kompensasiyalı 3.Körpü

A) 1 və 2

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) Yalnız 1

E) 1,2,3
115. Silisiumun hansı parametrini seçməklə lazimi qiymətə malik stabilləşdirici gərginlik əldə etmək olar?

A) Xüsusi müqavimətini

B) Stabilləşmə gərginliyini

C) Stabilləşmə cərəyanını

D) Müqavimətini

E) Gərginliyini,müqavimətini


116. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar neçə cür olur?

A) 2


B) 3

C) 4


D) 6

E) 5
117. Toxunma sərhədlərinin sahəsindən asılı olaraq diodlar hansılardır?

A) Nöqtəvi,müstəvi

B) Dayaq


C) Dayaq,müstəvi

D) Müstəvi,dayaq

E) İmpuls,nöqtəvi
118. P-n tipli yarımkeçiricilər toxundurulduqda xüsusi mexanizmi yaranır ki,həmin mexanizm diodların harada içlədilməsini müəyyən edir?

A) Hansı sahədə

B) Keçiddə

C) Stabilləşmədə

D) Keçiddə,stabilləşmədə

E) Elektrik deşilməsində


119. Qeyri əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası aşağıdakı cihazların hansında əsas rol oynayır?

A) Sahə tranzistoru

B) Vakuum diodu

C) Triod


D) Bipolyar tranzistor

E) Varikap


120. Bipolyar tranzistorda hansı cərəyana idarəedici cərəyan deyilir?

A) Emitter cərəyanına

B) Baza cərəyanına

C) Kollektor cərəyanına

D) Düz cərəyana

E) Əks cərəyana


121. Bipolyar tranzistorda gücləndiriləcək siqnal hara qoşulur?

A) Emitter dövrəsinə

B) Kollektor dövrəsinə

C) Baza dövrəsinə

D) Kollektor və bazaya

E) Cərəyan güclənmir


122. Bipolyar tranzistorlar sxemə əsasən neçə üsulla qoşulur?

A) 3


B) 2

C) 1


D) 4

E) 5
123. Aşağıdakı rejimlərdən hansı bipolyar tranzistorun əsas iş rejimi hesab olunur?

A) Aktiv rejim

B) Kəsmə rejimi

C) Doyma rejimi

D) İnvers rejimi

E) Bütün rejimlər
124. Bipolyar tranzistor nə ilə idarə olunur?

A) Cərəyanla

B) Gərginliklə

C) Tutumla

D) İnduktivliklə

E) Doğru cavab yoxdur


125. Aşağıdakılardan hansı doğrudur?

Bipolyar tranzistorlar alınır:

1.Əritmə üsulu ilə 2.Diffuziya üsulu ilə

3.Çökdürmə üsulu ilə

A) 1 və 2

B) 2 və 3

C) 1 və 3

D) 1,2,3


E) Doğru cavab yoxdur
126. p-n-p tipli bipolyar tranzistorun aktiv rejimində xarici gərginlik mənbələri emitter və kollektor keçidlərinə necə qoşulur?

A) Emitter keçidinə düz,kollektor keçidinə tərs qoşulur

B) Emitter keçidinə tərs, kollektor keçidinə isə düz qoşulur

C) Hər ikisinə düz qoşulur

D) Hər ikisinə tərs qoşulur

E) Doğru cavab yoxdur


127. Emitter keçidinin işi necə qiymətləndirilir?

A) İnjeksiya əmsalı ilə

B) Ekstraksiya əmsalı ilə

C) Gərginliyin qiyməti ilə

D) Cərəyanın qiyməti ilə

E) Diffuziya əmsalı ilə


128. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir?

A) Deşiklərin bazadan keçmə əmsalını

B) İnjeksiya əmsalını

C) Güc əmsalını

D) Ekstraksiya əmsalını

E) Cərəyana görə ötürmə əmsalını


129. Aşağıdakılardan hansı doğrudur?

A) Emitter cərəyanı idarə edən, kollektor cərəyanı idarə olunandır.

B) Emitter cərəyanı idarə olunan, kollektor cərəyanı idarə edəndir.

C) Emitter cərəyanı idarə olunan, baza cərəyanı idarə edəndir.

D) Kollektor cərəyanı idarə edən , baza cərəyanı idarə olunandır.

E) Dogru cavab yoxdur


130. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur?

A) Giriş elektrodunun dövrəsinə

B) Çıxış elektrodunun dövrəsinə

C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) Xarici dövrəyə

E) Dogru cavab yoxdur


131. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur?

A) Çıxış elektrodunun dövrəsinə

B) Giriş elektrodunun dövrəsinə

C) Həm giriş, həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) Xarici dövrəyə

E) Dogru cavab yoxdur


132. Bipolyar tranzistorda ümumi baza ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir?

1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 2 və 3

B) 1 və 3

C) 1 və 2

D) Yalnız 1

E) 1,2,3
133. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi hara qoşulur?

A) Baza dövrəsinə

B) Kollektor-emitter aralığına

C) Kollektor dövrəsinə

D) Emitter dövrəsinə

E) Doğru cavab yoxdur


134. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir? 1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 1,2,3


B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) Yalnız 2 və 3

E) Yalnız 1


135. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərgnliyə və gücə görə gücləndirməni təmin edən element aşağıdakılardan hansıdır?

A) Yük müqaviməti

B) Giriş müqaviməti

C) Çıxış müqaviməti

D) Kondensator

E) Doğru cavab yoxdur


136. Ümumi kollektor ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi bipolyar tranzistorun hansı dövrəsinə qoşulur?

A) Emitter-kollektor dövrəsinə

B) Emitter-baza aralığına

C) Kollektor-baza aralığına

D) Kollektor dövrəsinə

E) Doğru cavab yoxdur


137. Sahə tranzistorunda kanalın müqavimətini necə dəyişirlər?

A) Cərəyan kanalının qalınlığını dəyişməklə

B) Cərəyan şiddətini dəyişməklə

C) Aşqar daxil etməklə

D) p-n keçidin sayını artırmaqla

E) Doğru cavab yoxdur


138. p-n keçidli unipolyar tranzistorları neçə cür olur?

A) 2


B) 1

C) 3


D) 4

E) 5
139. Sahə tranzistorunda neçə elektrod olur?

A) 3

B) 2


C) 1

D) 4


E) 5
140. Unipolyar tranzistorlar nə ilə idarə olunur?

A) Elektrik sahəsi ilə

B) Gərginliklə

C) Cərəyanla

D) Kənar qüvvələrlə

E) Doğru cavab yoxdur


141. Aşağıdakılardan hansı unipolyar tranzistorlara aiddir? 1.p-n keçidli 2. Qurama kanallı 3.induksiya edilmiş kanallı

A) 1,2,3


B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) 1 və 2

E) Yalnız 1


142. Sahə tranzistorunda kanalın keçiriciliyinə hansı kəmiyyət təsir etmir ?

1.İdarəedici elektroda verilən gərginlik

2.Mənbə və mənsəb arasındakı gərginlik

3.Temperatur

A) Doğru cavab yoxdur

B) 2


C) 3

D) 1,2,3

E) 1
143 Sahə tranzistorunda temperatur artdıqca hansı parametrlərin dəyişməsi düzgün göstərilmiçdir?

1.Təmas potensial fərqi azalır.

2.Təmas potensial fərqi artır

3.Kanalın eni azalır

4.Kanalın eni artır

A) 1 və 4

B) 1və 3

C) 2 və 3

D) 2 və 4

E) Doğru cavab yoxdur


144. Sahə tranzistorları dövrəyə neçə sxem üzrə qoşula bilər?

A) 3


B) 2

C) 1


D) 4

E) 6
145. Ümumi idarəetmə elektrodlu sahə tranzistoru üçün hansı gücləndirmə xarakterikdir?

A) Yalnız güc

B) Yalnız cərəyan

C) Cərəyan və gərginlik

D) Cərəyan və güc

E) Doğru cavab yoxdur
146. Sahə tranzistoru ilə bipolyar tranzistoru fərqləndirən cəhətlər hansılardır?

1.Sahə tranzistorunda giriş gərginliyi bipolyar tranzistora nisbətən çox böyükdür?

2.Sahə tranzistorunda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların injeksiyası baş vermir

3.İşçi cərəyanı yaradan yükdaşıyıcılara görə

A) 1,2,3

B) 1 və 3

A) 1 və 2

D) 2 və 3

E) Doğru cavab yoxdur
147. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır?

A) Yarımkeçiricinin səthyanı qatı

B) Yarımkeçiricinin orta təbəqəsi

C) Dielektrik qatı

D) Metal qatı

E) Doğru cavab yoxdur


148. MDY- tranzistorlarda neçə elektrod olur?

A) 4


B) 3

C) 2


D) 5

E) 6
149. MDY-tranzistorda altılığın çıxışı hara qoşula bilər?

A) Mənbəyə

B) Mənsəbə

C) İdarəedici elektroda

D) Dielektrik təbəqəyə

E) Doğru cavab yoxdur
150.Müəyyən bir funksiyanı yerinə yetirən və elektik cəhətdən birləşdirilmiş,yüksək sıxlıqla qablaşdırılmış elementlərdən (və ya element və komponentlərdən) ibarət olan vahid tam sistem necə adlanır?

A) İMS


B) Diod

C) Tranzistor

D) Generator

E) Sahə tranzistoru


151. Aşağıdakılardan hansılar mikrosxemin elementi deyil?

A) icra mexanizmi

B) tranzistor

C) diod


D) kondensator

E) müqavimət


152.Kiçik ölçülü induktiv sarğaclar

A) 1,3


B) 2,3

C) 3,4


D) 1,2

E) 1,2,3,4


153. Element və komponentlərin sayının çıxışların həcmi nəzərə alınmadan mikrosxemin həcminə nisbəti necə adlanır?

A) Qablaşdırma sıxlığı

B) Cəmləşdirmə sıxlığı

C) Toplanma sıxlığı

D) İnteqrasiya sıxlığı

E) Doğru cavab yoxdur


154. İMS-in ümumi dielektrik və ya yarımkeçirici altlığı üzərində və ya həcmində yerləşdirilmiş element və komponentlərin məcmuyu necə adlanır?

A) MS-in daxili qurğusu

B) MS-in xarici qurğusu

C) MS-in birləşmə qurğusu

D) MS-in kənar qurğusu

E) Doğru cavab yoxdur


155. BİS tərkibində nə qədər element və ya sadə komponent daxil olan MS-lərə deyilir?

A) 1000-dən çox

B) 100-dən çox

C) 50.000-dən çox

D) 100.000-dən çox

E) 1000.000-dən çox


156. Funksional tətbiqlərinə görə İMS-lər neçə qrupa bölünürlər?

A) 2


B) 3

C) 4


D) 5

E) 6
157. Giriş və çıxış siqnalları diskret funksiya qanunu ilə dəyişən mikrosxem necə adlanır?

A) Rəqəmsal İMS

B) Analoq İMS

C) Vakuum diodu

D) Stalitron

E) Varikap
158. Rəqəmsal İMS-lərin giriş və çıxış siqnalları necə qiymət ala bilər?

A) 2


B) 1

C) 3


D) 4

E) 5
159. Konstruktiv texnoloji növlərinə görə İMS-lər neçə növə ayrılır?

A) 3

B) 2


C) 4

D) 5


E) 6
160. Monolit (yarımkeçirici) İMS-in hazırlanmasında aşağıdakı elementlərdən hansıları istifadə olunur?

1.Si 2. Ge 3.Ga As

A) 1,2,3

B) 2


C) 3

D) 1,2


E) 1
161. Hibrid İMS-lərdə passiv elementlər necə olurlar?

A) Qalıntəbəqəli

B) Naziktəbəqəli

C) Nöqtəşəkilli

D) Ellipisşəkilli

E) Doğru cavab yoxdur


162. Fotoliqrafiya nəyə əsaslanır?

A) İşığın həssas fotorezist polimer materiallardan istifadə olunmasına

B) İşığa həssas fotorezist qeyri-üzvi materiallardan istifadə olunmasına

C) Ultrabənövşəyi şüalardan istifadə olunmasına

D) Dalğa uzunluğu 1nm olan rentgen şüalarına

E) Elektron seli ilə şüalanmaya


163. Yüksək temperaturlarda müəyyən tip yarımkeçirici təbəqənin başqa tip yarımkeçiricinin səthində yerləşdirilməsi prosesi necə adlanır?

A) Epitaksiya

B) İon aşqarlanması

C) Tozlanma

D) Diffuziya

E) Aşılanma


164. Yarımkeçiricinin müəyyən hissəsində p-n keçidin yaradılmasında hansı üsuldan istifadə olunur?

A) Diffuziya

B) Oksidləşmə

C) Fotolitoqrafiya

D) Epitaksiya

E) Aşılanma


165. Yarımkeçirici lövhənin başqa maddənin sürətləndirilmiş ionları vasitəsilə şüalandırılması hansı prosesdir?

A) İon aşqarlanması

B) Tozlanma

C) Epitaksiya

D) Diffuziya

E) Aşılanma


166. Aşağıdakılardan hansı variantda qalın təbəqəli İMS-in aktiv elemenyi göstərilmişdir?

A) Anaoloq diodu

B) İnduktiv müqavimət

C) Kondensator

D) Rezistor

E) Yarımkeçirici diod


167. Analoq İMS-lər hansı xassələrinə görə qruplaşır?

1. Məlumat

2. Gücləndirmə

3.Giriş və çıxışların sayı

4. Hazırlandığı madddələr

A) 1,2


B) 2,3

C) 3,4


D) 1,3

E) 2,4
168. Yarımkeçiricinin müəyyən hissəsində p-n keçidin yaradılmasında hansı üsuldan istifadə olunur?

A) Diffuziya

B) Oksidləşmə

C) Fotolitoqrafiya

D) Epitaksiya

E) Aşılanma
169. Aşağıdakılardan hansılar İMS-lərin aktiv elementlərinə aiddirlər?

1. Tranzistorlar

2. Amorf maddələrdən hazırlanmış nazik təbəqəli element

3. Kondensatorlar

4. İnduktiv elementlər

A) 3,4


B) 2,3

C) 1,2


D) 1,3

E) 2,4
170. Aşağıdakı sistemlərdən hansı analoq diodu ola bilər?

A) Metal-dielektrik-metal

B) Metal-metal oksidi

C) Metal-dielektrik

D) Metal-metal

E) Dielektrik-metal-dielektrik
171. Analoq diodunda cərəyankeçmə mexanizmi aşağıdakılardan hansına oxşardır?

A) Vakuum diodu

B) Triod

C) Yarımkeçirici diod

D) Polyar tranzistor

E) Doğru cavab yoxdur


172. Nə üçün analoq diodu yüksək temperaturlarda işləyə bilir?

A) Qadağan olunmuş zolağın eni böyük olan yarımkeçiricilərdən hazırlandığı üçün

B) Dielektrik təbəqəyə malik olduğu üçün

C) Elektronlar metaldan dielektrikə injeksiyalandığı üçün

D) Cərəyan keçirmə mexanizmi həmi yüklərlə məhdudlaşan cərəyanla əlaqədar olduğu üçün

E) Düzləndirmə əmsalı böyük olduğu üçün


173. İn-CdS-Te aşağıdakılardan hansına aiddir?

A) Analoq dioduna

B) Yarımkeçirici dioda

C) Vakuum dioduna

D) Bipolyar tranzistora

E) Doğru cavab yoxdur


174. Aşağıdakılardan hansından yaddaş elementi kimi istifadə olunur?

1.p-n-p tip bipolyar tranzistordan

2. n-p-n tip tranzistordan

3.MOY-sahə tranzistorundan

4.MNOY- nazik təbəqəli tranzistordan

A) 4


B) 2

C) 3


D) 1

E) 1,2,3,4


175. MNOY-tipli yaddaş elementində məlumatın saxlanılması üçün nə tələb olunur?

A) Əlavə gərginlik mənbəyi

B) Əlavə tutum elementi

C) Əlavə induktiv element

D) Əlavə rezistor

E) Əlavə örtük təbəqəsi


176. MNOY-tipli yaddaş elementində məlumatın saxlanma müddəti hansı halda azalır?

A) Ətraf mühitin temperaturu artdıqda

B) Ətraf mühitin temperaturu azaldıqda

C) Əlavə örtük təbəqəsi olmadıqda

D) Əlavə müqavimətə ardıcıl qoşulduqda

E) Doğru cavab yoxdur


177. Hansi mikrosxemlerde rezistor əvəzinə tranzistorlardan istifadə olunur?

A) Rəqəmsal mikrosxemlərdə

B) Analoq mikrosxemlərdə

C) Həm analoq,həm də rəqəmsal MS-lərdə

D) Analoq-rəqəmsal mikrosxemlərdə

E) Doğru cavab yoxdur


178. Doğru cavabı seçin? Adətən diffuziya rezistoru

A) n-tip yarımkeçiriciyə akseptor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır

B) n-tip yarımkeçiriciyə donor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır

C) p-tip yarımkeçiriciyə akseptor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır

D) p-tip yarımkeçiriciyə donor səviyyə yaradan aşqarı diffuziya etməklə hazırlanır

E) Düzgün cavab yoxdur


179. Nazik təbəqəli rezistorların hazırlanmasında ən çox istifadə olunan material hansıdır?

A) Nixrom (NiCr) ;

B) Silisium

C) Mis


D) Dəmir

E) Qızıl
180. Dinamik tipli yaddaş elementlərində kondensatorlar harada yerləşir?

A) MDY-trnzistorda

B) Qoşulma çıxışında

C) Xaricdə

D) Qoşulma girişində

E) Doğru cavab yoxdur
181. Diffuziya kondensatorların çatışmamazlığı aşağıdakılardan hansıdır?

1.Onların tutumları çox kiçikdir

2.Tutumları temperaturdan asılıdır

3.Deşilmə gərginliyinin qiyməti çox kiçikdir

4.Monolit blokda yaradılması

A) 1,2,3


B) 1,2

C) 2,3


D) 3,4

E) 1,4
182. MOY tipli kondensatorlarda köynəklər arasındakı lay hansı materialdan hazırlanır?

A) Yarımkeçiricidən

B) Metal oksidindən

C) Dielektrikdən

D) Qələvi metaldan

E) Doğru cavab yoxdur
183. İnduktiv xassələrə malik olan yarımkeçirici elementlərdən ən sadəsi hansıdır?

A) Müstəvi diod

B) Analoq diodu

C) Vakuum diodu

D) Tyunnel diodu

E) Doğru cavab yoxdur


184. Elektron açar sxemlərindən harada istifadə olunur?

1.İdarəedici siqnalın təsirilə müxtəlif elektik dovrələrini açıb bağlamaq üçün

2.İmpuls siqnalları ötürmek üçün

3.Analoq siqnalları ötürmek üçün

A) 1,2,3

B) 2


C) 3

D) 2,3


E) 1
185. Elektron açarlar nece qoşulur? 1.Ardıcıl 2.Paralel 3.Paralel-ardıcıl

A) 1,2,3


B) 2

C) 3


D) 2,3

E) 1
186. İdarəedici siqnalın təsiri öz elektrik müqavimətini çox kiçik qiymətdən çox böyük qiymətə qədər artıra bilən cihaz necə adlanır?

A) Elektron açar

B) Düzləndirici

C) Gücləndirici

D) Kod çeviricisi

E) Doğru cavab yoxdur
187. Diod açarların çatışmayan cəhəti nədir?

A) İdarəedici və idarə olunan dövrələri bir-birindən ayıra bilməməsi

B) Yarımkeçirici materialı

C) Sadəliyi

D) Diodun bağlanma müddəti

E) Doğru cavab yoxdur


188. Diod açarlar dövrəyə qoşulmasından asılı olaraq neçə cür olur?

A) 2


B) 1

C) 3


D) 4

E) 5
189. Sıfır səviyyəli giriş gərginliyi ilə qoşulan ardıcıl diod açarı hansı halda açılır?

1.Müsbət gərginlik verdikdə

2.Mənfi gərginlik verdikdə

3.Giriş gərginliyi sıfır olduqda

A) 1


B) 2

C) 3


D) 1 və 2

E) 2və 3
190. Diodun qoşulma polyarlığı dəyişərkən ötürmə xarakteristikasının qrafiki koordinat başlanğıcı ətrafında neçə dərəcə çevrilməlidir?

A) 1800

B) 900


C) 1350

D) 450


E) 2700
191. Sıfır səviyyəli gərginliklə qoşulan paralel diod açarı hansı halda açılır?

1. Müsbət gərginlik verdikdə

2. Mənfi gərginlik verdikdə

3. Giriş gərginliyi sıfır olduqda

A) 1

B) 2


C) 3

D) 1və 2

E) 2 və 3
192. Sıfır səviyyəli gərginliklə qoşulan paralel diod açarı hansı halda bağlanır?

1. Müsbət gərginlik verdikdə

2. Mənfi gərginlik verdikdə

3. Giriş gərginliyi sıfır olduqda

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1və 2

E) 2 və 3
193. Diod açarlarda diodun bağlanma müddəti nədən asılıdır?

1.Yükdaşıyıcıların injeksiyasından

2. Yükdaşıyıcıların rekombinasiyasından

3. Yükdaşıyıcıların ekstraksiya

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1 və 2

E) 1 və 3
194. Tranzistorlu açar sxemində hansı halda tranzistor ( p-n-p tipli ) bağlı olur?

1.Giriş gərginliyinin mənfi qiymətində

2. Giriş gərginliyinin müsbət qiymətində

3. Giriş gərginliyinin sıfır qiymətində

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1 və 3

E) 2 və 3
195. Tranzistorlu açar sxemində giriş gərginliyinin hansı qiymətində tranzistor (p- n-p tipli) açıq olur? 1.Müsbət 2.Mənfi 3 Sıfır

A) 2


B) 1

C) 3


D) 1 və 3

E) 2 və 3


196. Aşağıdakı parametrlərdən hansılar analoq açarları xarakterizə edirlər?

1. Mənbə gərginliyi 2. Sərf edilən güc 3. Temperaturlar diapazonu

A) 1,2,3

B) Yalnız 2

C) Yalnız 3

D) 1 və 2

E) Yalnız 1
197. Aramsız funksiya qanunu ilə dəyişən elektrik siqnallarının emalı və çevrilməsi funksiyasını yerinə yetirməklə,giriş və çıxış siqnalları arasında mütənasib asılılığı təmin edən elektron qurğu necə adlanır?

A) Analoq IMS

B) Dinistor

C) Varikap

D) Düzləndirici

E) Rəqəmsal İMS


198. Analoq İMS-lər neçə qrupa bölünür?

A) 2


B) 3

C) 4


D) 5

E) 6
199. Doğru olanı hansıdır?İnteqral gücləndiricilər:

Ι.1 girişli və 1 çıxışlı

ΙΙ.2 girişli və 1 çıxışlı

ΙV. 1 girişli və 2 çıxışlı

A) Ι, ΙΙ, ΙΙΙ

B) Yalnız ΙΙ

C) Yalnız Ι

D) ΙΙ və ΙV

E) ΙΙΙ və ΙV


200. Aşağıdakılardan hansılar əməliyyat gücləndiricilərinin xarakteristikalarıdır?

Ι Amplidut-tezlik xarakteristikası

ΙΙ Giriş xarakteristikası

ΙΙΙ Çıxış xarakteristikası

ΙVRezistiv-induktiv xarakteristikası

A) Ι,ΙΙ və ΙΙΙ

B) Yalnız Ι və ΙΙΙ

C) Yalnız ΙΙΙ və ΙV

D) Yalnız Ι və ΙΙ

E) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ və ΙV


201. Hansı gücləndiricilərdə reaktiv elementdən istifadə olunmur?

A) Əməliyyat gücləndiricilərdə

B) Gərginlik gücləndiricilərdə

C) Güc gücləndiricilərdə

D) Dəyişən cərəyan gücləndiricilərdə

E) Doğru cavab yoxdur


202. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin hər iki girişinə eyni qiymətli və eyni işarəli gərginlik verilərsə,bu gərginlik necə adlanır?

A) Sinfaz siqnal

B) Diferensial siqnal

C) Simmetrik siqnal

D) İnteqral siqnal

E) Asimmetrik siqnal


203. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin girişlərinə qiymət və işarələri müxtəlif olan gərginliklər verilərsə,bu gərginlik necə adlanır?

A) Diferensial siqnal

B) Sinfaz siqnal

C) Simmetrik siqnal

D) İnteqral siqnal

E) Asimmetrik siqnal


204. Əməliyyat gücləndiriciləri hansı halda inversləyici olurlar?

A) Giriş və çıxış gərginlikləri əks işarəli olduqda

B) Çıxış gərginliyi giriş gərginliyindən böyük olduqda

C) Giriş gərginliyi çıxış gərginliyindən böyük olduqda

D) Girişə mənfi gərginlik verildikdə

E) Çıxışda mənfi gərginlik alındıqda


205. Dinamik rejimdə qoşulmuş tranzistor

Ι Gərginlik dəyişir

ΙΙ Cərəyan dəyişir

ΙΙΙ Gərginlik sabit qalır,cərəyan dəyişir

ΙV Cərəyan sabit qalır,gərginlik dəyişir

A) ΙΙΙ


B) Yalnız Ι

C) Yalnız ΙΙ

D) Ι və ΙΙ

E) ΙV
206. Əməliyyat gücləndiricinin çıxış siqnalının bir qisminin onun girişinə ötürülməsi rejimi necə adlanır?

A) Əks əlaqə rejimi

B) İnvers rejim

C) Statik rejim

D) Aktiv rejim

E) Normal rejim
207. Gücləndiricilərin əsas parametrləri aşağıdakılardan hansılardır?

Ι Gərginliyin gücləndirmə əmsalı

ΙΙ Güc gücləndirmə əmsalı

ΙΙΙ Giriş və çıxış müqavimətləri

ΙV Transformasiya əmsalı

A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ

B) Ι və ΙΙ

C) Yalnız ΙΙ

D) ΙΙ,ΙΙΙ,ΙV

E) Yalnız ΙΙΙ


208. Müasir gücləndirici qurğuların əsasını aşağıdakı qurğulardan hansılar təşkil edir?

1. Bipolyar tranzistorlar 2. Sahə təsirli trnzistorlar 3. İMS-lər

A) 1,2,3

B) 2


C) 1 və 2

D) 1 və 3

E) 1
209. İş rejiminə görə gücləndiricilər neçə sinfə bölünür?

A) 2


B) 3

C) 4


D) 5

E) 6
210. Girişə verilən sinusoidal siqnalı impuls siqnalına çeviren gücləndirici necə adlanır?

A) Qeyri xətti rejimli gücləndirici

B) Xətti rejimli gücləndirici

C) Ani qiymət gücləndiricisi

D) Ani cərəyan gücləndirici

E) Doğru cavab yoxdur
211. Təyinatına görə gücləndiricilər neçə cür olur?

A) 3


B) 2

C) 4


D) 5

E) 6
212. Diskret funksiya qanunu ilə elektrik siqnallarını çevirən və emal edən electron qruğu adlanır?

A) Rəqəmsal İMS

B) Analoq İMS

C) Stablitron

D) Triod


E) Vakuum diodu
213. Potensial üsulunda diodun keçirici vəziyyəti aşağıdakılardan hansına uyğundur?

A) Məntiqi 0 –a

B) Məntiqi 1-ə

C) Məntiqi 0 və 1-ə

D) Diodun deşilməsinə

E) Doğru cavab yoxdur


214. Aşağıdakılardan hansının yaddaş elementi var?

A) Triqqer

B) Sahə tranzistor

C) Varikap

D) Tristor

E) Bipolyar tranzistor


215. İnformasiya yazılışına görə triqqerlər neçə növə ayrılır?

A) 2


B) 1

C) 3


D) 4

E) 5
216. Triqqerlərdə sinxromlaşmanın neçə növü vardır?

A) 2

B) 1


C) 3

D) 4


E) 5
217. Asinxrom triqqerlər sinxrom triqqerlərdən aşağıdakılardan hansılarla fərqlənir?

Ι İnformasiyanın kəsilməz olaraq yazılması ilə

ΙΙ C-girişinə görə

ΙΙΙ Triqqerdən birbaşa çıxışa görə

A) ΙΙ,ΙΙΙ

B) Ι və ΙΙΙ

C) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ

D) ) Ι,ΙΙ,

E) ΙΙΙ
218. Birpilləli triqqerlər təyinatlarına görə neçə cür olurlar?

A) 5


B) 3

C) 2


D) 4

E) 8
219. JK-triqqeri üçün hansı fikirlər doğrudur?

Ι Ona 2 ədəd T- triqqer daxildir.

ΙΙ Ona 2 ədəd “və” məntiq elementi daxildir.

ΙΙΙ Sinxron və asinxron ola bilər.

ΙV Onun bir takt girişi vardır.

A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ,ΙV

B) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ

C) ΙΙ,ΙΙΙ,ΙV

D) Ι,ΙΙ


E) Ι,ΙΙΙ,ΙV
220. İkili kodlaşmış informasiyanı saxlayan və onun üzərində müxtəlif əməliyyatları yerinə yetirən rəqəmsal avtomat qurğu necə adlanır?

A) Registr

B) JK-triqqer

C) RS-triqqer

D) T-triqqer

E) Tristor


221. Registrlər aşağıdakılardan hansı funksiyanı yerinə yetirir?

Ι İkili kodun düz,əks və tərsinə çevrilməsi

ΙΙ Sözün (rəqəmin) sağavə ya sola sürüşdürülməsi

ΙΙΙ Ardıcıl kodun paralel və tərsinə çevrilməsi

A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ

B) ΙΙ,ΙΙΙ

C) Ι,ΙΙΙ

D) Ι,ΙΙ


E) Yalnız ΙΙΙ
222. Aşağıdakı fikirlərdən hansılar doğrudur?

Ι Məntiq elementləri inversləyici ola bilər.

ΙΙ Məntiq elementləri qeyri-inversləyici ola bilər.

ΙΙΙ Təsdiqedici və inkaredici məntiqlər mövcuddur.

A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ

B) Yalnız ΙΙ

C) ΙΙ və ΙΙΙ

D) Ι və ΙΙΙ

E) Yalnız Ι
223. Hansı məntiqi əməliyyat nəticəsində verilmiş mülahizədən alınan `yeni mülahizə ilkin mülahizənin inkarıdır?

A) İnversiya

B) Konyuksiya

C) Dizyunksiya

D) Kommutasiya

E) Regenerasiya


224. Hansı məntiqi əməliyyat iki və daha çox mülahizəni “Və” bağlayıcısı ilə oxşar olaraq yeni mürəkkəb mülahizədə birləşdirir?

A) Konyuksiya

B) İnversiya

C) Dizyunksiya

D) Kommutasiya

E) Regenerasiya


225. <> -latınca mənası nədir?

Ι Ayırma


ΙΙ Fərq

ΙΙΙ Birləşdirmə

ΙV Vurma

A) Ι,ΙΙ


B) ΙΙ,ΙΙΙ

C) ΙΙΙ,ΙV

D) Ι,ΙΙΙ

E) ΙΙ,ΙV
226. Hansı məntiq əməliyyatı iki və daha çox mülahizəni daha mürəkkəb mülahizə ilə əvəz edə bilir?

A) Dizyunksiya

B) Konyuksiya

C) İnversiya

D) Kommutasiya

E) Regenerasiya
227. Çoxluq nəzəriyyəsində “konyuksiya” nəyə uyğun gəlir?

A) Çoxluqların kəsişməsinə

B) Çoxluqların birləşməsinə

C) Alt çoxluğa

D) Çoxluqların bölünməsinə

E) Doğru cavab yoxdur


228. Çoxluq nəzəriyyəsində “dıryunksiya” nəyə uyğun gəlir?

A) Çoxluqların birləşməsinə

B) Çoxluqların kəsişməsinə

C) Alt çoxluğa

D) Çoxluqların bölünməsinə

E) Doğru cavab yoxdur


229. Baza məntiq elementləri hansı tranzistorlar əsasında yaradılır?

Ι Bipolyar

ΙΙ Sahə

ΙΙΙ Metal-dielektrik

A) Ι və ΙΙ

B) Yalnız ΙΙ

C) Yalnız ΙΙΙ

D) Yalnız Ι

E) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ
230. Aşağıdakılardan hansılar potensial kodlaşdırmanın xüsusiyyətlərinə aiddir?

Ι Məntiq səviyyələri potensialla verilir

ΙΙ Potensial kodlaşdırma tranzistorlu açarla idarə olunur

ΙΙΙ Elementlərarası əlaqə qalvanikdir

A) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ

B) Yalnız ΙΙ

C) Yalnız ΙΙΙ

D) Ι,ΙΙ


E) Yalnız Ι
231`. Aşağıdakı məntiq sxemlərindən hansının enerji sərfiyyatı və sürəti daha böyükdür?

A) EƏM


B) KMDYM

C) TTM


D) DİM

E) İİM
232. Rəqəmsal texnikada ən çox hansı məntiq sxemindən istifadə olunur?

A) MDYM

B) RKƏ


C) EƏM

D) DTM


E) MDYTM
233. Aşağıdakılardan hansılar bütün məntiq elementlərinin əsas parametrlər sisteminə daxildir?

A) Siqnal yayılmasının gecikməsi

B) Siqnalın sinxronluğu

C) Siqnalın asinxronluğu

D) Çıxış müqaviməti

E) Siqnalın statik təzyiqi


234. Məntiq elementlərinin çıxışa görə yüklənmə qabiliyyəti aşağıdakılardan hansı ilə xarakterizə olunur?

A) Çıxışa qoşulan məntiq elementlərinin sayı

B) Giriş müqaviməti

C) Çıxış müqaviməti

D) Girişə qoşulan məntiq elementlərinin sayı

E) Doğru cavab yoxdur


235. Məntiq elementində sərf olunan güc nədən asılıdır?

A) Onun məntiq halından

B) Onun potensialından

C) Ətraf əngəllərdən

D) Çıxış müqavimətindən

E) Doğru cavab yoxdur


236. Sərbəst seçimli yaddaşa malik BİS-lərin (böyük inteqral sxemlər) əsas hissəsini nə təşkil edir?

A) Cəmləyici

B) Analoq diodu

C) Şifrator

D) Komporator

E) Doğru cavab yoxdur


237. Böyük inteqral sxemlərin informasiya tutumu nə ilə müəyyən olunur?

A) Yaddaş elementləri matrisi

B) İnformasiyanın növü

C) İnformasiyanın periodu

D) Yaddaş elementlərinin növü

E) Doğru cavab yoxdur


238. Operetiv yaddaş qurğusu mikrosxemlərinin hansı növündə informasiya struktur elementi tərəfindən şərtlənmiş məhdud müddətdə qalır (Mənbə qoşulu olduqda)?

Ι Dinamik

ΙΙ Statik

ΙΙΙ İnduktiv

A) ΙΙΙ

B) ΙΙ


C) Ι,ΙΙ

D) Ι


E) Ι,ΙΙ,ΙΙΙ
239. Statik tipli operativ yaddaş qurğusu mikrosxemlərində mənbə qoşulu olmadıqda informasiya nə qədər müddətdə qala bilər?

A) Qalmaz

B) Bir dəqiqə qalar

C) Müəyyən müddətdə

D) Uzun müddətdə

E) İstənilən müddətdə


240. Statik tipli operativ yaddaş qurğusu mikrosxemlərində mənbə qoşulu olduqda informasiya nə qədər müddətdə qala bilər?

A) İstənilən müddətdə

B) Müəyyən şərtlənmiş məhdud müddətdə

C) Qısa müddətdə

D) Bir neçə dəqiqə

E) Doğru cavab yoxdur


241. Böyük inteqral sxemlərin informasiya tutumu nə ilə müəyyən olunur?

A) Yaddaş elementləri matrisi

B) İnformasiyanın növü

C) İnformasiyanın periodu

D) Yaddaş elementlərinin növü

E) Doğru cavab yoxdur


242. MDY-tranzistorundan hazırlanmış dinamik tipli yaddaş elementlərində informasiya harada saxlanılır?

A) Kondensatorlarda

B) İnduktiv elementlərdə

C) Rezistiv elementlərdə

D) Tranzistorun bazasında

E) Tranzistorun emitterində


243. MDY-tranzistorundan tipli yaddaş elementlərinin əsasını təşkil edəın bistabil yuvalar ən çox aşağıdakılardan hansından hazırlanır?

A) Simmetrik triggerlərdən

B) Kondensatorlarda

C) Şifratorlardan

D) Sarğaclardan

E) Komporatordan


244. Birtranzistorlu yaddaş qurğusu ʻʻYazmaʼʼ rejimində olduğu müddətdə qalvanik elementdə hansı proses gedir?

A) Regenerasiya

B) Rekombinasiya

C) İnjeksiya

D) Generasiya

E) Doğru cavab yoxdur


245. Birtranzistorlu yaddaş elementininʻʻSaymaʼʼrejimində sütun şinləri hara qoşulur?

A) Sayma gücləndiricisinin girişlərinə

B) Sayma gücləndiricisinin çıxışlarına

C) Dövrədən açılır

D) Ardıcıl olmaqla bir-birinə

E) Doğru cavab yoxdur


246. Birtranzistorlu yaddaş elementininʻʻSaymaʼʼrejimində tranzistor halda açılır?

A) X şininə seçmə implusu daxil olduqda

B) Y şininə seçmə implusu daxil olduqda

C) X və Y şinlərinin hər ikisinə seçmə implusu daxil olduqda

D) Y şininə istənilən impuls daxil olduqda

E) Doğru cavab yoxdur


247. Birtranzistorlu yaddaş elementinin ʻʻSaymaʼʼ gücləndiricisi necə adlanır?

A) Diferensial

B) İnteqral

C) Adi


D) İkitaktlı

E) Reaktiv


248. Bipolyar tranzistorlar əsasında yaradılan statik tipli yaddaş elementinin əsasını nə təşkil edir?

A) Bir tranzistor

B) Ardıcıl qoşulmuş iki tranzistor

C) Paralel qoşulmuş iki tranzistor

D) İki tranzistordan ibarət simmetrik triggerlər

E) İki tranzistordan ibarət əməliyyat gücləndiricisi


249. Hal-hazırda müasir maşınlarda hansı yaddaş qurğularından istifadə olunur?

A) Əməli,daimi,aralıq

B) Əməli,pozulan

C) Daimi,pozulan

D) Daimi,aralıq

E) Əməli,aralıq


250. Hesab və məntiq əməliyyatlarını yerinə yetirərkən elektron sxemlərinə hansı qurğular deyilir?

A) Hesab məntiq qurğuları

B) Analoq qurğuları

C) Rəqəm qurğuları

D) Kod çəviriciləri

E) Yaddaş qurğuları


251. Əməli yaddaş ilə daimi yaddaş qurğusuna birlikdə maşının hansı yaddaş qurğusuna deyilir?

A) daxili yaddaş

B) aralıq yaddaş

C) əməli yaddaş

D) təkrar yaddaş

E) əməli, təkrar


252.Aralıq yaddaş qurğusu maşının hansı yaddaş qurğusuna deyilir?

A) xarici yaddaş

B) daxili yaddaş

C) əməli yaddaş

D) təkrar yaddaş

E) növbəti yaddaş


253. Takt dedikdə hansı zaman müddəti başa düşülür?

A) maşında əməliyyatın başlayıb bitməsi üçün tələb olunan vaxtdır

B) xananın tapılmasına sərf olunan zamandır

C) yaddaşa yazilan vaxtdır

D) aralıq yaddaşa yazılan zamandır

E) əməli yaddaşa yazilan zamandır


254. Maşının daxili yaddaş qurğusu dedikdə hansı qurğu başa düşülür?

A) əməli yaddaşsu ilə daimi yaddaşa birlikdə

B) aralıq yaddaş qurgusu

C) daimi yaddaşqurğusu

D) aralıq və daimi yaddaş qurğusuna

E) əməli vəaralıq yaddaşqurğusuna


255. Xarici yaddaş qurğusu dedikdə hansı qurğular başa düşülür?

A) aralıq yaddaşa

B) daimi yaddaş

C) əməli yaddaş

D) hesab məntiq qurğusu

E) daimi-əməli yaddaş


256. Yaddaş qurğularından informasiyanı qoruyub saxlamaq üçün hansı qurğularda istifadə olunur?

A) EHM-lərdə

B) diodlarda

C) tranzistorlarda

D) buxar maşınında

E) buxar turbinində


257. Verilmiş strukturlarda informasiyanın mümkün olan miqdarı modelin nəyi ilə müəyyən olunur?

A) tutumu

B) sürəti

C) tezliyi

D) fazası

E) period


258.Statik, dinamik, daimi, müvəqqəti yaddaş hansı qurğuların növləridir?

A) yaddaş

B) ötürmə

C) çevirmə

D) aralıq

E) ötürmə, aralıq


259. Ümumi emitterli sxemdə giriş siqnalı çıxış siqnalından necə fərqlənir?

A) Heç fərqlənmir

B) İnvers olmasına görə fərqlənir

C) Zəif fərqlənir

D) 300 – ilə fərqlənir

E) 450 – ilə fərqlənir


260. Hansı sxem giriş siqnalını çevirmir?

A) Ümumi emitterli

B) Ümumi bazalı

C) Süzgəc sxemləri

D) Ümumi kollektorlu

E) Kaskad birləşməli


261. Hansı sxem emitter təkrarlayıcısı sayılır?

A) Süzgəc sxemləri

B) Ümumi emitterli

C) Ümumi bazalı

D) Düzləndirici körpü sxemləri

E) Ümumi kollektorlu sxemlər


262.Məntiq sxeminin girişinə müqavimət qoşularsa, belə sxem necə adlandırılır?

A) Süzgəc sxemləri

B) Düzləndirici sxem

C) Rezistor-tranzistor məntiq sxemi

D) Diod-tranzistor məntiq sxemi

E) Tutum-tranzistor sxemi


263. ADD əmri nəyi göstərir?

A) İki rəqəmin vurulmasını

B) İki rəqəmin toplanmasını

C) Rəqəmlərin bölünməsini

D) Kökalma əməliyyatını

E) Orta qiymətin tapılmasını


264.Aşağıdakı qurğulardan hansı mikro-EHM-lərin tərkibinə daxildir?

A) Seçmə qurğusu

B) Ölçmə qurğusu

C) Düzləndirici qurğu

D) Tezlik qurğusu

E) Çıxarılma qurğusu


265. Yaddaş qurğuları hansı qruplara bölünür?

A) Statik,dinamik,daimi,müvəqqəti

B) Statik və daimi

C) Müvəqqəti və pozulmayan

D) Daimi və pozulun

E) Statik və müvəqqəti


266. Yaddaş qurğuları hansı parametrlərlə xarakterizə olunur?

A) Yaddaşın tutumu və yaddaşın işləmə sürəti

B) Yaddaşın tutumu

C) Yaddaşın işləmə təcili

D) Yaddaşın pozulması

E) Yaddaşın qoşulması


267. Yaddaş qurğularından informasiyanı qoruyub saxlamaq üçün hansı qurğularda istifadə olunur?

A) EHM-lərdə

B) diodlarda

C) tranzistorlarda

D) buxar maşınında

E) buxar turbinində


268. Yaddaşın tutumu və yaddaşın işləmə sürəti yaddaş qurğularının nəyini xarakterizə edir?

A) parametrini

B) xarakteristikasını

C) ölçüsünü

D) ölçüsünü, sahəsini

E) sahəsini


269. Yaddaşların tutumları ilə sürətləri sürətləri arasında nəcə asılılıq vardır?

A) tərs mütənasiblik

B) düz asılılıq

C) radikal asılılıq

D) kvadratik

E) xətti asılılıq


270. Mikro-EHM-lərdəki idarəetmə və nəzarət xətlərinin funksiyası nədir?

A) Onlar vasitəsilə mikroprosessor bütün hərəkətləri idarə edir

B) Digər qurğuları qida mənbəyi ilə birləşdirir

C) Taktlı impuls generatoru ilə əlaqə yaradır

D) Ünvan şini ilə əlaqə yaradır

E) Verilənlər şini ilə əlaqə yaradır


271. Prosessor mübadilə tsiklini başa çatdırmaq üçün hansı siqnalı almalıdır?

A) RPLY mübadilə siqnalını

B) Əməliyyatların başa çatdırılması siqnalını

C) Yüksək tezlikli siqnalı

D) Hesab əməliyyatları aparmaq siqnalını

E) Qida gərginliyinin kəsilməsi siqnalını


272. Məntiq elementinə uyğun doğruluq cədvəli verilmişdir. Bu hansı məntiq elementinə uyğundur?

A) və ya


B) deyil

C) hə


D) və

E) bəlkə
273. İnteqral mikrosxemlərdə ikili ədədi siqnallarla ən sadə əməliyyatları yerinə yetirən elementlər necə adlanır?

A) məntiq elementi

B) komparator

C) invertor

D) fotoelement

E) interqrator
274. Hansı mülahizə doğrudur? Hazırda bipolyar tranzistorlu məntiq elementlərindən ən çox istifadə olunanı bunlardır:

1. Tranzistor-tranzistor məntiq elementləri

2. Şotki diodlu tranzistor-tranzistor məntiq elementləri

3. Emitter əlaqəli məntiq elementləri

A) 1, 2 və 3

B) yalnız 1

C) yalnız 2

D) yalnız 3

E) doğru fikir yoxdur
275. Düzgün mülahizə hansıdır? İnvertor:

1. Dəyişən cərəyanı sabit cərəyana çevirir

2. Sabit cərəyanı dəyişən cərəyana çevirir

3. Bir tezlikli dəyişən cərəyanı digər tezlikli dəyişən cərəyana çevirir

A) yalnız 2

B) yalnız 2

C) yalnız 3

D) yalnız 2 və 3

E) yalnız 1 və 3
276. Mikroprosessorun funksiyası nədən ibarətdir?

A) İnformasiyanı emal etmək

B) Texnoloji əməliyyatlar yerinə yetirmək

C) Elektron sxemlərini işə salmaq

D) Köməkçi qovşaqları qidalandırmaq

E) Cərəyanı tənzimləmək


277. Sıfır və vahid siqnalları hansı sxemlərdə yaranır?

A) Məntiq sxemlərində

B) Analoq sxemlərində

C) Düzləndirmə sxemlərində

D) Triqqer sxemlərində

E) Gərginlik gücləndiricisi sxemlərində


278. Tranzistor-tranzistor məntiq sxemlərini ən azı neçə tranzistorla yaratmaq olar?

A) İki


B) Bir

C) Üç


D) Dörd

E) Beş
279. Aşağıdakı simvollardan hansı ikilik kodlaşdırma simvoludur?

A) 0 (sıfır)

B) y


C) x

D) z


E) α
280. Onaltılıq hesablama sistemində «D» hərfi hansı rəqəmin simvoludur?

A) 13


B) 12

C) 10


D) 11

E) 14
281. Hesablama sistemlərində 2 rəqəminə hansı simvol uyğundur?

A) 010

B) 001


C) 011

D) 1001

E) 1010
282. Hesablama sistemində 10 rəqəminə hansı rəqəm simvolu uyğundur?

A) 1010


B) 101

C) 110


D) 1110

E) 1101


278. Hesablama sistemində 13 rəqəminə hansı rəqəm simvolu uyğundur?

A) 1101

B) 1100

C) 1011

D) 1010

E) 1110
279.Müsbət məntiqdə “1” məntiq səviyyəsi aşağıdakılardan hansına uyğundur?

A) yüksək gərginlik

B) yüksək cərəyan

C) yüksək müqavimət

D) alçaq gərginlik

E) kiçik cərəyan
280. Müsbət məntiqdə “0” məntiq səviyyəsi aşağıdakılardan hansına uyğundur?

A) alçaq gərginlik

B) yüksək cərəyan

C) yüksək gərginlik

D) yüksək müqavimət

E) kiçik cərəyan


281. Müsbət məntiqdə “və ya” əməliyyatı mənfi məntiqdə hansı əməliyyata uyğundur?

A) və


B) hə

C) yox


D) bəlkə

E) heç biri


282. müasir inteqral sxemlərdə göstərilən elektrik dövrəsi hansı məntiq elementinə uyğundur?

A) yox


B) və ya

C) və


D) implikasiya

E) ekvivalentlik


283. sxeminin hansı girişinə (C1, C2, C3) informasiya (siqnal) daxil olduqda, çıxışda (P) çıxış siqnalı peyda olar?

A) A, B, C, D birlikdə

B) yalnız C2

C) yalnız C3

D) eyni zamanda C1, C2, C3

E) yalnız C1


284. Yaddaş elementlərinə daxildir?

A) trigger

B) və ya

C) yox


D) implikasiya

E) ekvivalentlik


285. Elektrik sxemi hansı məntiq elementinə uyğundur?

A) yox


B) və

C) və ya

D) implikasiya

E) ekvivalentlik


286. “Deyil” məntiq elementi neçə giriş (C) və neçə çıxışa (P) malikdir?

A) 1(C) və 1(P)

B) 2(C) və 2(P)

C) 2(C) və 1(P)

D) 1(C) və 2(P)

E) 3(C) və 1(P)


287. Mikroprosessorun idarəedici informasiyasını nə təşkil edir?

A) Proqram

B) Yaddaşdakı sözlər

C) Taktlı impulslar

D) Əmrlər

E) Rəqəm simvolları


288. Aşağıdakı hansı qurğu mikroprosessora daxildir?

A) Hesablama məntiq qurğusu

B) Çap platası yaradan qurğu

C) Diffuziya qurğusu

D) Nazik təbəqə yaradan qurğu

E) Mikrosxemlərin mexaniki sınaq qurğusu


289. Mikroprosessorla əlaqələr hansı quruluşla yerinə yetirilir?

A) Şin quruluşu ilə

B) Təbəqəli quruluşla

C) Kristallik quruluşla

D) Diod quruluşları ilə

E) Tranzistor quruluşu ilə


290. Mikroprosessor sisteminin bütün qurğuları nə ilə əlaqələndirilir?

A) Ümumi sistem şini ilə

B) Qalvanik əlaqə ilə

C) Bir istiqamətli əlaqə xətti ilə

D) Kimyəvi əlaqə ilə E. Analoq siqnalları ilə
291. Mikroprosessor sisteminin qurğuları əsasən hansı gərginliklə qidalanırlar?

A) Sabit ± 5V və ± 12V

B) Dəyişən 360 Voltla

C) Dəyişən 127 Voltla

D) Sabit 220 Voltla

E) Dəyişən 1 Voltla


292. Aşağıdakı mübadilələrdən hansı mikroprosessora xas deyil?

A) Qarşılıqlı təsirlə baş verən mübadilə

B) İnformasiyanın proqram mübdiləsi

C) Fasilələrdən istifadə etməklə mübadilə

D) Arasıkəsilmə ilə olan mübadilə

E) Yaddaşa bilavasitə daxil olmaqla mübadilə


293. Mikroprosessor sisteminə mikrokontroller əsasən nə üçün daxil edilir?

A) Yaddaşa balavasitə daxil olmaq üçün

B) Şin əlaqəsi yaratmaq üçün

C) Mikroprosessorun iş recimini tənzimləmək üçün

D. Hesablama sistemini dəyişmək üçün

E) Mikroprosessoru qidalandırmaq üçün


294. Aşağıdakı adlardan hansı mikroprosessorun arxitekturasına aiddir?

A) Priston və Fon-Neyman

B) Taktlı impuls

C) Aşağı siqnal səviyyəsi

D) Yüksək siqnal səviyyəsi

E) Çox pilləli


295. İnformasiya mübadiləsi tsikli deyildikdə nə başa düşülür?

A) Bir əməliyyatın yerinə yetirilməsində yaranan zaman intervalı

B) Taktlı impuls generatorunun tezliyi

C) Ünvana müraciət etmək müddəti

D) Sistemə qida gərginliyi verilən an

E) Kodlaşdırmaya sərf edilən müddət


296. Mikroprosessorda əsasən hansı yaddaş qurğuları olur?

A) Operativ və daimi yaddaş qurğuları

B) Xəyali yaddaş qurğuları

C) Diskə yazılmış yaddaş

D) Disketdə olan yaddaş

E) Multipleksor yaddaşı


297. Mikroprosessorda yaddaş qurğusu informasiyanı nə etməlidir?

A) Yazmalı və oxumalıdır

B) Dekodlaşdırmalıdır

C) Mini-EHM-ə ötürməlidir

D) İnformasiyanı çevirməlidir

E) Kodlaşdırmalıdır


298. Yaddaşa bilavasitə daxil olmaq üçün mikroprosessor sisteminə nə daxil edilir?

A) Mikrokontroller

B) Əlavə qida mənbəyi

C) Yaddaş yuvaları

D) Çıxış kaskadları

E) Registrlər


299. Aşağıdakı qurğulardan hansı daha çox informasiyanı saxlaya bilir?

A) Kompyuterlər

B) Mikrokontrollerlər

A) Kontrollerlər

D) İnformasiyanı nümayiş etdirən qurğu

E) Qida gərginliyi qurğusu


300. Mikroprosesordan alınmış siqnalı xarici qurğuların qəbul edə biləcəyi siqnala və əksinə çevirmək üçün qoşma vasitə necə adlanır?

A) interfeys

B) interfaks

C) interport

D) çevirici

E) düzləndirici


301. Mikroelekronika elmi nəyi öyrənir?

A) inteqral mikrosxemlərin yaradılması və inkişafı, tətbiq sahələrini öyrədən elmdir

B) elektrik intiqalı ilə bağlı

C) inteqral elektrovakuum cihazların yaradılması ilə bağlı

D) inteqral elektroenergetik cihazların yaradılması ilə bağlı

E) heç biri


302. Bir neçə qarşılıqlı əlaqəli-tranzistor, diod,kondensator, rezistor və s. elementlərin vahid texnoloji lövhədə hazırlanan element necə adlanır

A) inteqral mikrosxem

B) inteqral diod

C) inteqral tranzistor

D) inteqral tristor

E) prosessor


303. Mikroelektronika sərbəst bir elm kimi meydana çıxmamışdan qabaq necə adlanırdı

A) diskret sxemlər

B) analoq sxemlər

C) kəsilməz sxem

D) invertor (invers elementi) sistemlər

E) heç biri


304. İnteqral sxemin əsasını nə təşkil edir

A) planar texnologiya və qrup metodu

B) epitaksial qrup

C) diffuzion texnologiya

D) monotexnologiya

E) bipolyar texnologiya


305. İnteqrasiya ideyası

A) ayrı-ayrı tranzistorlarla yanaşı,funksional blok qurmaq üçün bütün komponentlər yığımı

B) bir tranzistor və bir neçə diod yığımı

C) bir neçə tranzistorlar yığımı

D) rezistorlar yığımı

E) kondensatorlar yığımı


306. Elementlərin birləşdirilməsi üçün əsas şərt

A) elektrodların bütün çıxışlarının bir müstəvidə olması

B) elektrodların çıxışlarının perpendikulyar müstəvidə yerləşməsi

C) elektrodların üfüqi və şaquli birləşməsi

D) elektrodların podlojkadan kənarda birləşməsi

E) B,C
307. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir

A) planar texnologiya

B) qrup texnologiya

C) izodrom texnologiya

D) monoton texnologiya

E) heç biri
308. Elektron cihazların hazırlanmasında çoxlu sayda payka (qaynaq) birləşmələrin azalması nəyə səbəb olur

A) cihazın kütləsi,qabariti azalır,etibarlılıq artır

B) cihazın etibarlılığı azalır

C) cihazın kütləsi artır

D) cihazın qabariti artır

E) heç biri


309. Mikrosxemin inteqrasiya dərəcəsi

A) K=lgN


B) K=lgN+1

C) K=Alg ..

D) K=A.lgN

E) k=AlgeNt


310. Birinci dərəcə inteqrasiyada K

A) K=1


B) K=1,5

C) K=2


D) K=5

E) K=3
311. İkinci dərəcə inteqrasiyada K

A) K=2

B) K=1


C) K=1,5

D) K=5


E) K=3
312. Üçüncü dərəcə inteqrasiyada K

A) k≥3


B) K=1,5

C) K=2


D) K=5

E) K=3
313. Böyük inteqral sxem nəyə deyilir

A) MDP texnologiyada 1000 və daha çox elementdən hazırlanan mikrosxem

B) vahid texnologiyada 200 və daha çox elementdən hazırlanmış mikrosxem

C) bipolyar texnologiya ilə hazırlanmış 100 elementi olan mikrosxem

D) inteqrasiya dərəcəsi K=1 olan mikrosxem

E) heç biri
314. İfrat böyük inteqral sxemlərdə elementlərin sayı (SBİS)

A) 10 000-dən çox

B) 5 000-dən çox

C) 200 - 300

D) 8 000-dən çox

E) 100 - 1 000


315. Optimal sxemlərin yaradılması və tədqiqatı

A) mikrosxemotexnika

B) makrosxemotexnika

C) elektrotexnika

D) elektroradiotexnika

E) radiotexnika


316. Mikrosxemlərin izahı və analizində neçə sxemotexnik qaydadan istifadə edilir

A) 2


B) 5

C) 3


D) 4

E) B, C (3 - 5)


317. Funksioanal təyinatına görə mikrosxemlər

A) analoq və rəqəm qurğularına

B) rezistorlara

C) diodlara

D) tranzistorlara

E) termistorlara


318. Analoq mikrosxemlərdə siqnalların dəyişməsi

A) fasiləsiz funksiya kimi

B) diskret funksiya

C) siqnal dəyişmir

D) onun gərginliyi rəqəm kimi dəyişir

E) onun güclənmə əmsalı ikilik kodla dəyişir


319. Rəqəm tip mikrosxemdə siqnalların dəyişməsi

A) diskret funksiya qanunu üzrə

B) fasiləsiz funksiya qanunu üzrə

C) analoq funksiya kimi

D) ikilik kodla

E) heç biri


320. Mikrosxemlərin tranzistorları hansı materialdan hazırlanır

A) silisium

B) mis

C) qızıl


D) indium

E) platin


321. Baza dövrəsində elektronların hərəkətinin çox yüksək sürəti nəyə səbəb olur

A) cəld işləmə qabiliyyəti artır

B) cərəyan şiddətinin azalmasına

C) gərginliyin artmasına

D) p-n keçidinin keçiriciliyinin azalmasına

E) heç biri


322. Baza dövrəsində elektronların hərəkət sürəti yüksək olduğu halda nə baş verir

A) yüksək tezlik diapazonu

B) aşağı tezlik diapazonu

C) p-n keçidinin eni artır

D) p-n keçidinin boryer potensialı azalır

E) heç biri


323. İlkin mikrosxemlərdə hansı tranzistorlardan istifadə edilmişdir

A) epitaksial-planar tranzistorlar

B) planar-diffuzion tranzistorlar

C) MDP tranzistorlar

D) MDY tranzistorlar

E) bipolyar tranzistorlar


324. Tranzistorların qurulduğu podlojkanın xüsusi müqaviməti

A) 5...10 om cm

B) 0-2 om cm

C) 7...15 om cm

D) 2...4 om cm

E) 0...1 om cm


325. Parazit tranzistorun əsas tranzistorla əlaqəsi

A) emitteri-əsas tranzistorun bazasını,podlojkası kollektoru təşkil edir

B) emitteri-əsas tranzistorun kollektorunu

C) bazası-əsas tranzistorun emitterini

D) B,C

E) heç biri


326. Baza dövrəsində elektronların hərəkətinin çox yüksək sürəti nəyə səbəb olur

A) cəld işləmə qabiliyyəti artır

B) cərəyan şiddətinin azalmasına

C) gərginliyin artmasına

D) p-n keçidinin keçiriciliyinin azalmasına

E) heç biri


327. İlkin mikrosxemlərdə hansı tranzistorlardan istifadə edilmişdir

A) epitaksial-planar tranzistorlar

B) planar-diffuzion tranzistorlar

C) MDP tranzistorlar

D) MDY tranzistorlar

E) bipolyar tranzistorlar


328. Sızma cərəyanının (.) -artması nəyə səbəb olur

A) əsas tranzistorun baza cərəyanın azalmasına

B) əsas tranzistorun baza cərəyanın artmasına

C) əsas tranzistora təsir etmir

D) parazit tranzistorun gücü artır

E) parazit tranzistor qisa qapanır


329. Çoxemitterli tranzistorlar nədir

A) P-tipli baza oblastında 4....8 emitter oblastı

B) P-tipli kollektor oblastında 2 emitter oblastı

C) n-tipli bazada 4....8 baza oblastı yaradılır

D) n-tipli bazada 4....8 kollektor oblastı

E) heç biri


330. Elementlərin birləşdirilməsi üçün əsas şərt

A) elektrodların bütün çıxışlarının bir müstəvidə olması

B) elektrodların çıxışlarının perpendikulyar müstəvidə yerləşməsi

C) elektrodların üfüqi və şaquli birləşməsi

D) elektrodların podlojkadan kənarda birləşməsi

E) B,C
331. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir

A) planar texnologiya

B) qrup texnologiya

C) izodrom texnologiya

D) monoton texnologiya

E) heç biri
332. Çoxemitterli tranzistorlar girişdə qoyularsa,hansı funksiyanı yerinə yetirər

A) diod


B) tranzistor

C) diod-tranzistor

D) tranzistor-tranzistor

E) heç biri


333. Çoxemitterli tranzistorların əsas xüsusiyyəti

A) kollektor keçidinin düz istiqamətdə qoşulması

B) kollektor keçidinin əks istiqamətdə qoşulması

C) emitterin düz istiqamətdə qoşulması

D) baza keçidinin əks istiqamətdə qoşulması

E) heç biri


334. Şotki diodunun mərkəzi oblastı hansı materialdan hazırlanır

A) dioksid-silisium

B) hidrogen peroksid

C) silisium

D) indium-peroksid

E) hidrogen-dioksid


335. Şotki diodu hansı texnologiya ilə hazırlanır

A) izoplanar

B) epitaksial

C) planar

D) planar-epitaksial

E) heç biri


336. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir

A) planar texnologiya

B) qrup texnologiya

C) izodrom texnologiya

D) monoton texnologiya

E) heç biri


337. Şotki diodlarının düz istiqamətdə cərəyanı hansı yük daşıyıcılarının hərəkəti ilə bağlıdır

A) əsas yük daşıyıcıları

B) qeyri-əsas yük daşıyıcıları

C) əsas yüklərin injeksiyası

D) qeyri-əsas daşıyıcıların toplanması

E) heç biri


338. Elementlərin çıxışlarının birləşdirilməsinə nə imkan verir

A) planar texnologiya

B) qrup texnologiya

C) izodrom texnologiya

D) monoton texnologiya

E) heç biri


339. Şotki diodsuz tranzistor açar sxemlərində tsor azaltmaq üçün

A) əlavə yük daçıyıcıların yaşama müddəti azalır

B) əsas yük daşıyıcıların diffuziyası gücləndirilir

C) tranzisrtor diodla şuntlanır

D) tranzistor kondensatorla qısa qapanır

E) heç biri


340. Verilmiş strukturlarda informasiyanın mümkün olan miqdarı modelin nəyi ilə müəyyən olunur?

A) tutumu

B) sürəti

C) tezliyi

D) fazası

E) period


341.Statik, dinamik, daimi, müvəqqəti yaddaş hansı qurğuların növləridir?

A) yaddaş

B) ötürmə

C) çevirmə

D) aralıq

E) ötürmə, aralıq


342. Şotki diodsuz açar sxemində tsor azaldıqdan sonra nə baş verir

A) cərəyana görə ötürmə əmsalı 2...3 dəfə azalır

B) cəld işləmə 5...10 dəfə artır

C) cəld işləmə artmır

D) baza cərəyanı artır

E) emitter keçidi qisa qapanır


343. Şotki diodlu açar sxemlərinin cəld işləmə qabiliyyəti necə dəyişir

A) 2...5 dəfə artır

B) 1...2 dəfə artır

C) artmır

D) 10...20 dəfə artır

E) heç biri


344. Şotki diodlu tranzistorların çatışmayan cəhəti

A) yüksək keyfiyyətli düzləndirici metal-yarımkeçirici keçidin hazırlanması

B) yüksək keyfiyyətli planar texnologiya

C) güclənmə əmsalının məhdudiyyəti

D) elektronların sürətinin kiçik olması

E) elektronların sürətinin sonsuz böyük olması


345. Şotki diodlu tranzistorlar TTM sxemlərində hansı rejimdə işləməsi məqsədə uyğun sayılır

A) doymuş

B) aktiv

C) bağlı


D) reaktiv

E) heç biri


346. ÇKT cərəyana və gərginliyə görə güclənmə əmsalının qiyməti nədən asılıdır

A) emitter,kollektorun effektiv sahəsindən asılıdır

B) emitterin həndəsi ölçüsündən

C) kollektorun həndəsi ölçüsündən

D) emitter,kollektorun həndəsi ölçüsündən

E) qida mənbəyinin gərginliyindən


347. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi

A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə

B) konstruktiv ölçüsündə

C) güclənmə əmsalı

D) tezlik qabiliyyəti

E) cəldişləmə qabiliyyəti


348. Çoxkollektorlu tranzistorların cərəyana görə ötürmə əmsalı

A) 0,8÷0,9

B) 0,2÷0,9

C) 10÷60


D) 0,5÷0,9

E) heç biri


349. ÇKT gərginliyinə görə güclənmə əmsalı

A) 4÷10


B) 0÷2

C) 2÷4


D) 0,8÷0,9

E) heç biri


350. Verilmiş strukturlarda informasiyanın mümkün olan miqdarı modelin nəyi ilə müəyyən olunur?

A) tutumu

B) sürəti

C) tezliyi

D) fazası

E) period


351. Statik, dinamik, daimi, müvəqqəti yaddaş hansı qurğuların növləridir?

A) yaddaş

B) ötürmə

C) çevirmə

D) aralıq

E) ötürmə, aralıq


352. ÇKT cərəyana və gərginliyə görə güclənmə əmsalının qiyməti nədən asılıdır

A) emitter,kollektorun effektiv sahəsindən asılıdır

B) emitterin həndəsi ölçüsündən

C) kollektorun həndəsi ölçüsündən

D) emitter,kollektorun həndəsi ölçüsündən

E) qida mənbəyinin gərginliyindən


353. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi

A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə

B) konstruktiv ölçüsündə

C) güclənmə əmsalı

D) tezlik qabiliyyəti

E) cəldişləmə qabiliyyəti


354. İzolyasiyaedici yuvada yerləşən iki p-n keçidlərdən birinə nə deyilir

A) inteqral diod

B) inteqral tranzistor

C) inteqral kondensator

D) inteqral rezistor

E) diod-tranzistor


355. İnteqral diodun İəks cərəyanı necə adlanır

A) termogenerasiya cərəyanı

B) termoinjeksion cərəyan

C) termocərəyan

D) termodiffuzion cərəyan

E) heç biri


356. ÇKT əks cərəyanın bərpa müddəti

A) diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçmə müddəti

B) diodun bağlı qalma müddəti

C) diodun açıq qalma müddəti

D) diodun bağlı vəziyyətdən açıq vəziyyətdə qalma müddəti

E) heç biri


357. İnteqral p-n-p tranzistorlar n-p-n tranzistorlardan hansı göstəricisinə görə geri qalır

A) güclənmə əmsalı

B) qida mənbəyinin gərginliyinə

C) h-parametr

D) giriş tutumu

E) çıxış müqavimətinin sonsuz qiymətinə görə


358. İnteqral p-n-p tranzistorun son kənar tezliyi

A) 20-40 MHS

B) 10 HS-40 HS

C) 20 kHS-40kHS

D) 40 kHS-80 kHS

E) heç biri


359. İnteqral p-n-p tranzistorun dreyfə malik olmamasının səbəbi

A) bazasının bircinsli epitaksial n-təbəqədən olması

B) bazasının bir-neçə n-təbəqədən olması

C) emitterin epitaksial n-təbəqədən olması

D) kollektorun monotaksial n-təbəqədən olması

E) heç biri


360. Məntiqi elementin girişlərinin sayının artması nəyi azaldır

A) cəld işləməni

B) yük qabiliyyətini

C) cərəyanı

D) gərginliyi

E) qida mənbəyinin gərginliyi


361. Çoxemitterli tranzistorlardan çox kollektorlu tranzistorun fərqi

A) çoxkollektorlu tranzistor invers rejimdə

B) konstruktiv ölçüsündə

C) güclənmə əmsalı

D) tezlik qabiliyyəti

E) cəldişləmə qabiliyyəti


362. İnteqral p-n-p tranzistorun dreyfə malik olmamasının səbəbi

A) bazasının bircinsli epitaksial n-təbəqədən olması

B) bazasının bir-neçə n-təbəqədən olması

C) emitterin epitaksial n-təbəqədən olması

D) kollektorun monotaksial n-təbəqədən olması

E) heç biri


363. RS triggerin xarakteristik tənliyi

A) Qn+1=s+RQn

B) Qn=s+RQn

C) Qn+1=

D) Qn+1=

E) heç biri


364. RS triggerdə giriş siqnalı S=R=1 olarsa

A) trigger qeyri-müəyyən vəziyyət alır

B) triggerin invers çıxışında 1 alınır

C) triggerin cəld işləmə qabiliyyəti artır

D) Q=1,

E) Q=0,


365. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir?

A) Hər iki qat üçün eyni olur

B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir

C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir

D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur

E) Doğru cavab yoxdur


366. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir?

A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması

B) Fəza yüklərinin təsiri

C) Keçidin eninin dəyişməsi

D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


367. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


368. I Bor orbitində (r=0.053 nm) hərəkət edən elektronun dalğa uzunluğu (λ) hansı tərtibdə olar?

A) 0.33 nm

B) 0.23 nm

C) 0.53 nm

D) 0.66 nm

E) 0.63 nm


369. JK trigger giriş siqnallarının J=K=1 kombinasiyası buraxıla biləndirmi?

A) buraxıla biləndir

B) tezlik diapozonu hədsiz qalır

C) mümkün deyil

D) aşağı tezliklərdə mümkündür

E) yüksək tezliklərdə işləyə bilər


370. Əgər germaniuma ( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


371. Optiki və elektriki prosesslərə əsaslanan elektronikanın bir bölməsi

A) optolelektronika

B) mikroelektronika

C) akustikorelektronika

D) elektronika

E) heç biri


372. Optoelektron cihazların işləmə prinsipi nəyə əsaslanır

A) ultrabənövşəyi spektrə

B) gecikən şüalara

C) akustik siqnallara

D) aşağı tezliklərə

E) heç biri


373. Foto qəbuledici nə üçündür

A) görünən və infraqırmızı diapazonda təsvirin video siqnala çevrilməsi

B) görünməyən şüaları video siqnala çevrilməsi

C) elektron keçiriciliyinin yüksəldilməsi

D) təsvirləri ikilik koda çevrilməsi

E) A,B,C
374. p-n keçidləri və ya heterokeçidlər əsasında işləyən matrislər necə adlanır

A) günəş batareyası

B) qalvanik batareya

C) alternativ enerji

D) biokimyəvi batareya

E) B,C
375. Şüalanmanın selektiv udulması hansı veriləndə istifadə edilir

A) atmosferin çirklənməsi və nəmlik vericilərində

B) atmosfer təzyiqin ölçülməsi

C) hiqroskopik nəmlik vericiləri

D) atmosfer qatının hündürlüyünün ölçülməsində

E) heç biri


376. p-n keçidli yarımkeçirici şüa buraxan və qəbul edən cihaz

A) optocüt

B) foto müqavimət

C) foto diod

D) foto tranzistor

E) foto rezistor


377. Optoelektron mikrosxem nəyə deyilir

A) siqnalın çevrilməsi,alınması və ötürülməsinini yerinə yetirən bir neçə optocütə

B) siqnalın çevrilməsini yerinə yetirən n-p-n tranzistorlara

C) siqnalın ötürülməsində istifadə edilən n-p-n tranzistorlara

D) siqnalın səs dalğalarına çevirən bir neçə optocütə

E) heç biri


378. Optiki siqnalların elektriki siqnallara çevrilməsində faydalı iş əmsalı

A) 10....20%

B) 10....50%

C) 50%-70%

D) 70....80%

E) 80-95%


379. Volokon-optik ötürmə sistemləri (ВОСП) nə üçündür

A) optiki siqnalları məsafəyə ötürmə

B) elektrik siqnalları uzaq məsafəyə ötürülməsi ЕSОП

C) maqnik induksiya hadisəsini yaratmaq

D) optik-mexaniki siqnalları məsafəyə vermək

E) heç biri


380. Optik siqnalın hansı parametrləri ötürülən informasiyaya görə dəyişir

A) amplituda,tezlik

B) elektrik gücü

C) effektiv gücü

D) diskret siqnalı

E) siqnalın görünməz diapazonda cərəyanı


381. Yüksək gərginlikdə informasiya mübadiləsi üçün ifrat qısa xəttin uzunluğu

A) 1m-ə qədər

B) 5m-ə qədər

c) 1÷3metr

D) 3÷10metr

E) məhdudiyyət qoyulmur


382. Maqistral və ya kontinental optik əlaqə xəttinin uzunluğu

A) 0,3÷10km

B) 0,6÷8km

C) 12÷100km

D) 15÷100km

E) 100÷1000km


383. 1....100m optik əlaqə xətti nəyə aiddir

A) obyekt daxili və qısa bortlu

B) obyekt xarici

C) yüksək cəld işləyən obyektlərə

D) ATC-daxili kommunikasiya

E) maqistral kommunikasiya


384. Modulyator,açar sxemləri optoelektron cihazlarında nə rolunu yerinə yetirir

A) şüalanmanı idarəedir

B) şüa enerjisi hasil edir

C) şüa enerjisini optiki siqnala çevirir

D) optiki siqnalları qəbul edir

E) heç biri


385. Lazer və işıq diodlarının optoelektron cihazda rolu

A) işıq verir

B) işığı qəbul edir

C) işığı modulyasiya edir

D) işığı demodulyasiya edir

E) heç biri


386. Şüa mənbəyi hansı materiallardan hazırlanır

A) arsenid-qallium

B) silisium

C) silisium-dioksid

D) indium

E) indium-arsenid


387. Fotoqəbuledicinin hazırlandığı material

A) silisium

B) indium

C) arsenid qallium

D) indium arsenid

E) heç biri


388. ВОСП-də kvars hansı elementdə istifadə edilir

A) optiki mühit

B) şüalanmanı idarə edən açar

C) şüalanmanı idarə edən modulyator

D) işıq diodları

E) polimer kley


389. İcra edilən əmrin ünvan hissəsinin qəbulu və yadda saxlanması

A) ünvan bufer reqistri

B) verilənlərin bufer reqistri

C) akkumulyator

D) idarə qurğusu

E) giriş qurğusu


390. Verilənlərin bufer reqistri nə üçündür

A) yaddaşdan seçilmiş sözün xaricinə verilmədən əvvəl müqaviməti yadda saxlamaq

B) yaddaşdakı sözü çıxış portuna ötürmək

C) icra ediləcək əmrin qəbulu

D) çıxış şininə əmrə uyğun baytların verilməsi

E) çıxış şininə əmrə uyğun baytların verilməsi

E) heç biri
391. Ümumi təyinatlı reqistrin əsas vəzifəsi

A) operandları yadda saxlamaq

B) aralıq nəticəni yadda saxlamaq

C) yekun nəticəni yadda saxlamaq

D) daxili reqistrləri idarə edir

E) heç biri


392. Operandlar və hesab məntiq əməliyyatların aralıq nəticəsini yadda saxlayan qurğu

A) akkumulyator

B) bufer reqistri

C) ümumi təyinatlı reqistr

D) idarə qurğusu

E) heç biri


393. Ümumi təyinatlı reqistrdə rəqəmlər necə dəyişir

A) 4÷64


B) 2÷8

C) 8÷32


D) 10÷256

E) 4÷512
394. Operandları yadda saxlayan qurğu

A) ümumi təyinatlı reqistr

B) hesab-məntiq qurğusu

C) bufer reqistr qurğusu

D) xarici reqistr qurğusu

E) heç biri
395. Hesab məntiq qurğusunun və daxili reqistrlərin işini idarə edən qurğu

A) idarə-qurğusu

B) POH

C) akkumulyator



D) operand

E) reqistr


396. Müəyyən əmrlər sisteminə və birqiymətli uzunluqlu sözə malik olan mikroprosessora

A) birkristallı

B) iki kristallı

C) universal

D) çoxkristallı

E) C,D
397. Mikroproqram idarəni və sözlərin tərtiblərinin artırılmasını yerinə yetirən qurğu

A) çox kristallı mikroprosessor

B) bir kristallı mikroprosessor

C) fiksasiyalı mikroprosessor

D) dörd kristallı mikroprosessor

E) B,C
398. p-n keçiddə Fermi səviyyələri hər iki yarımkeçiricidə necə yerləşir?

A) Hər iki qat üçün eyni olur

B) p- tipdə n- tipdən yuxarıda yerləşir

C) n- tipdə p-tipdən yuxarıda yerləşir

D) p-tipdə Fermi səviyyəsi yox olur

E) Doğru cavab yoxdur


399. Z=2a+b+c ifadəsində operandları göstərməli

A) 2,a,b,c

B) (2a+b)

C) b+c


D) c

E) a
400. İkilik kodu müvəqqəti yaddaşda saxlayan elektron qurğu

A) reqistr

B) deşifrator

C) şifrator

D) invertor

E) inteqrator
401. ikilik kodun daxil edilməsi,yaddaşda saxlanması və xaric edilmə reqistrinə

A) toplayıcı

B) vuran

C) çıxan


D) xaric edilən

E) bölmə əməliyyatı


402. W=2k - 1 ifadəsində operandları göstərməli

A) 2,K,1


B) 2

C) K


D) 1

E) heç biri


403. Rüqistrdə hər bir trigger nəyi yadda saxlayır

A) 10


B) 1011

C) 101


D) 1

E) 0
404. Mərkəzi prosessor qurğusu

A) CPU

B) RAM


C) CPQ

D) ROM


E) UPC
405. İxtiyari daxil olma qurğusu və ya operativ yaddaş

A) RAM


B) CPQ

C) ROM


D) PORT

E) heç biri


406. Oxuma və ya sabit yaddaş qurğusu

A) ROM


B) CPU

C) Port 1

D) DDC

E) heç biri


407. Paralel naqillər yığımı olmaqla,rəqəm siqnallarının ötürülməsi üçün nə nəzərdə tutulur

A) şin


B) trigger

C) prosessor

D) reqistr

E) məntiq elementi


408. Zamanın hər bir anında şindən

A) bir ikilik rəqəm ötürülür

B) iki ikilik rəqəm ötürülür

C) bayt ötürülür

D) n-sayda ikilik rəqəm ötürülür

E) heç biri


409. Mikroprosessorun verilənlər şini

A) DATA bus

B) ADDR bus

C) ConTROL bus

D) Reset bus

E) CPU bus


410. Mikroprosessorun ünvan şini

A) ADDR bus

B) ConTROL bus

C) DATA bus

D) ADR bus

E) TROL bus


411. Sadə mikroprosessorlarda verilənlər şininin tərtibi

A) 8


B) 16

C) 32


D) 64

E) 128
412. Bayt neçə tərtibə malik olan rəqəmdir

A) 8

B) 4


C) 2

D) 16


E) 3
413. 64 tərtibli verilənlər şini bir dəfəyə neçə bayt ötürür

A) 8


B) 4

C) 2


D) 16

E) 3
414. K580UK80 seriyalı mikroprosessor neçə tərtibli ünvana malikdir

A) 16

B) 8


C) 24

D) 32


E) 64
415. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir?

A) Fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması

B) Fəza yüklərinin təsiri

C) Keçidin eninin dəyişməsi

D) Yükdaşıyıcıların rekombinasiyası

E) Doğru cavab yoxdur


416. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


417. 1 meqabayt neçə kilobaytdır

A) 1024 kbayt

B) 1024 tbayt

C) 1024 mbayt

D) 512 bayt

E) heç biri


418. İntel 8086 (İBMPC-XTFK) mikroprosessorunun ünvan şininin tərtibi

A) 20


B) 16

C) 32


D) 64

E) 128
419. Əməliyyat kodu nəyə deyilir

A) Mikroprosessorun icra etdiyi hər bir əməliyyatın rəqəmlə kodlaşdırılması

B) mikroprosessorun əməliyyatlar ardıcıllığı

C) prosessorun ünvan kodu

D) prosessorun verilənlər kodu

E) heç biri
420. Prosessorun yerinə yetirdiyi əməliyyatlar ardıcıllığına nə deyilir

A) proqram

B) rəqəmlərin kodlaşdırılması

C) alternativ addım

D) arxitektura

E) heç biri


421. Əmrlərin sayı artdığı halda əmrlərin kodlaşdırılması üçün

A) iki və daha artıq bayt

B) bir bayt

C) bir kbayt

D) iki kbayt

E) heç biri


422. Sadə prosessorda bütün əmrlərin kodlaşdırılması üçün...kifayət edir

A) bir bayt

B) iki bayt

C) üç bayt

D) bir kbayt

E) üç və daha artıq


423. Əgər germaniuma( Ge ) aşqar kimi beşvalentli arsen (Ar) əlavə edilərsə donor enerji səviyyəsi harada yaranar?

A) Keçiricilik zonasının aşağı sərhəddi yaxınlığında

B) Valent zonasının yuxarı sərhədddi yaxınlığında

C) Valent zonasının aşağı sərhədddi yaxınlığında

D) Keçiricilik zonasının yuxarı sərhəddi yaxınlığında

E) Doğru cavab yoxdur


424. Verilənlərin yerdəyişmə (hərəkət) əmri

A) bir yuvadan informasiyanın digərinə köçürülməsi

B) yuvadan-yuvaya verilənləri hərəkət etdirir

C) əmrlərin toplanması

D) əmrlərin çevrilməsi

E) budaqlanmanı yerinə yetirir


425. Məntiqi çevrilmə,toplama,çıxma əməliyyatını aparan əmrlər necə adlanır

A) verilənlərin çevrilmə əmrləri

B) verilənlərin hərəkət əmrləri

C) informasiyanın bir yuvadan digərinə köçürülməsi

D) informasiyanın daxili reqistrə köçürülməsi

E) heç biri


426. Hər hansı şəraitə uyğun olaraq müxtəlif ardıcıllıqla təsirləri yerinə yetirən proqram

A) idarəetmənin ötürülmə əmrləri

B) informasiyanın idarəedilməsi

C) idarəetmənin daxili reqistrdən xaricə ötürülməsi

D) idarəetmənin çevrilmə əmrləri

E) məntiqi çevrilmə


427. Proqramın yerinə yetirilmə ardıcıllığına fasilə vermək və digərinə keçid əmri

A) şərti və şərtsiz keçid əmrləri

B) məntiqi əməliyyatların aparılma əmri

C) məsələ həllində şərti çevrilmə əmri

D) idarə şinini prosessora qoşulma

E) heç biri


428. Proqram uyğun əmr aldıqdan sonra baş verən əmrə

A) şərtsiz keçid əmri

B) şərti keçid əmri

C) məntiqi keçid əmri

D) şərti köçürülmə əmr

E) şərtsiz çevrilmə əmri


429. İcra edilən əmrin ünvan hissəsinin qəbulu və yadda saxlanması

A) ünvan bufer reqistri

B) verilənlərin bufer reqisrtri

C) akkumulyator

D) idarə qurğusu

E) giriş qurğusu


430. Verilənlərin bufer reqistri nə üçündür

A) yaddaşdan seçilmiş sözün,verilənlərin xaricinə şinə verilməzdən əvvəl müvəqqəti yadda saxlamq

B) yaddaşdakı sözü çıxış portuna ötürmək

C) icra ediləcək əmrin qəbulu

D) çıxış şininə əmrə uyğun baytların verilməsi

E) heç biri


431. İnteqral n-p-n tranzistorun p-n-p tranzistordan tezlik diapazonundan böyük olmasının səbəbi

A) deşiklərin hərəkət sürətinin elektronların sürətindən kiçik olması

B) deşiklərin hərəkət sürətinin maksimal sürəti

C) elektronların deşiklərlə rekombinasiyası

D) deşiklərin tormozlanması

E) heç biri


432. Aşağıdakı sxem təsviri hansı yarımkeçirici elementə aiddir

A) sahə tranzistoru

B) bipolyar tranzistor

C) diod


D) tristor

E) MDY-tipli tranzistor


433. Aşağıdakı sxem hansı məntiqi əməli həyata keçirir

A) və ya


B) və

C) yox


D) və-yox

E) vəya-yox


434. Aşağıdakı sxem təsviri hansı yarımkeçirici elementə aiddir

A) bipolyar n-p-n tipli tranzistor

B) sahə tranzistoru

C) bipolyar p-n-p tipli tranzistor

D) diod

E) stabilləşdirmə


435. Aşağıdakı sxem təsviri hansı məntiqi funksiyaya aiddir

A) və


B) və ya yox

C) yox


D) və yox

E) və ya
436. Aşağıdakı sxem təsviri hansı məntiqi funksiyaya aiddir

A) və ya

B) və ya-yox

C) yox

D) və


E) və-yox
437. Ardıcıl registr necə adlanır

A) sürüşdürmə registri

B) köməkçi registr

C) idarəedici registr

D) əsas registr

E) sinxron registr


438. İnteqral mikrosxemlərin tətbiqindən əvvəl qurğular nəyin üzərində yığılırdı

A) çap platalarının

B) şüşənin

C) keramikanın

D) ebonitin

E) misin
439. Bir polyarlığa malik zamandan asılı oaraq yavaş dəyişən cərəyan və ya gərginlik siqnalı necə adlanır

A) sabit analoq siqnalı

B) dəyişən analoq siqnalı

C) diskret siqnal

D) sinusidal siqnal

E) impuls siqnalı
440. p-n yarımkeçiricidə zonaların əyilməsinə səbəb nədir

A) fermi səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması

B) fəza yüklərinin təsiri

C) keçidin eninin dəyişməsi

D) yükdaşıyıcıların rekombinasiyyası

E) heç biri


441. Aşağıdakı cihazlardan hansının iş prinsipi diodun xassəsinə əsaslanır

A) varikap

B) şotki diodu

C) tunel diodu

D) vakuum diodu

E) stabilitron


442. Varikapın tutumu hansı halda azalır

A) əks gərginlik artdıqda

B) əks gərginlik azaldıqda

C) düz cərəyan artdıqda

d ) düz cərəyan azaldıqda

E) heç biri


443. Aşağıdakılardan hansı yalnız sabit cərəyan gərginliyi üçündür

A) stabilitron

B) şotki diod

C) tunel diod

D) vakuum diod

E) varikap


444. Aşağıdakı fikirlərdən hansı doğrudur diodlar:

1.Elektrik siqnallarını düzləndirir

2.Siqnalları detektə edir

3.Siqnalın tezliyini çoxaldır

A) 1,2,3

B) yalnız 1

C) yalnız 2

D) yalnız 3

E) heç biri
445. Aşağıdakı diodlardan hansından dəyişən tutumlu kondensator kimi istifadə oluna bilər

A) varikap

B) tunel diodu

C) stabilitron

D) impuls diodu

E) şotki diodu


446. düzləndirici diodlar hansı tezlik diapozonunda dəyişən cərəyanı sabit cərəyana çevirir

A) 50hs-100khs

B) 10hs-20hs

C) 10-20


D) 5-10

E) 10hs-5hs


447. p-n keçiddə elektrik deşilməsindən hansı diodda istifadə olunur

A) stabilitron

B) tunel diodu

C) impuls diodu

D) varikap

E) şotki diodu


448. Stabilitronda p-n keçidin baza qatında aşqarların nisbətən kiçik konsentrasiyyasında keçiddə hansı deşilmə baş verir

A) selvari

B) səthi

C) tunel


D) selvari və tunel

E) heç biri


449. Aşağıdakılardan hansı stabilitronu xarakterizə edən parametrlərə aid deyildir

1. maksimal güc 3. stabilləşmə gərginliyi

2. diferensial güc 4. impuls gərginliyi

A) 4


B) 1

C) 2


D) 3

E) heç biri

450. Yarımkeçirici stabilitronlardan hansı stabilizatorlarda istifadə olunur

1.Parametrik 2. Kompensasiyalı 3.Körpü

A) 1və 2

B) 1


C) 2

D) 3


E) heç biri
451. Varikapda bazaya injeksiya etmiş yükün dəyişməsinin gərginliyin dəyişməsinə nisbəti necə adlanır

A) diffuziya tutumu

B) sədd tutumu

C) daxili tutum

D) xarici tutum

E) çəpər tutumu


452. p-n-p tipli bipolyar tranzistorda deşiklərin hərəkəti ilə yaranan cərəyanın (Jep) emitter cərəyanına ( Jep) nisbəti nəyi xarakterizə edir

A) injeksiya əmsalını

B) güc əmsalını

C) ekstraksiya əmsalını

D) volt

E) heç biri


453. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının (Jkp) emitter cərəyanına (JE) nisbəti nəyi xarakterizə edir?

A) cərəyana görə ötürmə əmsalını

B) güc əmaslını

C) injeksiya əmsalını

D) keçən cərəyan

E) heç biri


454. p-n-p tip bipolyar tranzistorda kollektor cərəyanının deşik toplananının emitter cərəyanının deşik toplananına nisbəti nəyi xarakterizə edir

A) deşiklərin bazadan keçmə əmsalını

B) ekstraksiya əmsalını

C) cərəyana görə

D) güc əmsalını

E) heç biri


455. Əks istiqamətdə qoşulmuş kollektor keçidində cərəyanının idarə olunmayan toplananı yaranır. Bu cərəyan necə adlanır və nə ilə əlaqədardır

A) əks cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların dreyfi ilə əlaqədardır

B) düz cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların dreyfi iləəlaqədardır

C) düz cərəyan və qeyri-əsas yük daşıyıcıların diffuziyası ilə əlaqədardır

D) əks cərəyan idarə edən,baza cərəyanı idarə olunandır

E) heç biri


456. Aşağıdakılardan hansı doğrudur

A) Emitter cərəyanı idarə edən,kollektor cərəyanı idarə olunandır

B) emitter cərəyanı idarə olunan,kollektor cərəyanı idarə edəndir

C) emitter cərəyanından keçir

D) emitter cərəyanından keçmir

E) heç biri


457. Bipolyar tranzistorda dəyişən siqnal mənbəyi hansı dövrəyə qoşulur

A) giriş elektrodunun dövrəsinə

B) çıxış elektrodunun dövrəsinə

C) həm giriş,həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) xarici dövrəyə

E) heç biri


458. Bipolyar tranzistorda yük müqaviməti hansı dövrəyə qoşulur

A) çıxış elektrodunun dövrəsinə

B) giriş elektrodunun dövrəsinə

C) həm giriş,həm də çıxış elektrodunun dövrəsinə

D) xarici dövrəyə

E) heç biri


459. Bipolyar tranzistorda ümumi baza ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir

1.Cərəyana görə 2.Gərginliyə görə 3.Gücə görə

A) 2 və 3

B) 1 və 2

C) 1 və 3

D) yalnız 1

E) 1,2,3
460. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemində giriş siqnalı mənbəyi hara qoşulur

A) baza dövrəsinə

B) kollektor-emitter aralığına

C) kollektor dövrəsinə

D) emitter dövrəsinə

E) heç biri


461. Bipolyar tranzistorda ümumi emitter ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir? 1. cərəyana görə 2. gərginliyə görə 3. gücə görə

A) 1,2,3


B) 1

C) 2


D) 3

E) heç biri


462. Bipolyar tranzistorun hansı sxemi üzrə qoşulmasına emitter təkrarlayıcısı deyilir

1.ümumi baza 2.ümumi emitter 3.ümumi kollektor

A) 3

B) 1


C) 2

D) 1, 3


E) 2, 3
463. Bipolyar tranzistor dövrəsində gərginliyə və gücə görə gücləndirməni təmin edən element aşağıdakılardan hansıdır

A) yük müqaviməti

B) kondensator

C) giriş müqaviməti

D) çıxış müqaviməti

E) heç biri


464. Bipolyar tranzistorda ümumi kollektor ilə qoşulma sxemi hansı gücləndirməni təmin edir. 1. cərəyana görə 2. gərginliyə görə 3. gücə görə

A) 1


B) 2

C) 3


D) 1, 3

E) 1, 2, 3


465. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı səhvdir

A) dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur

B) izolə olunmuş elektroda malikdir

C) sahə tranzistoruna aiddir

D) n və p tipli induksiya edilmiş kanaldır

E) heç biri


466. MDY tranzistorlar haqqında aşağıdakı mülahizələrin hansı doğrudur

1.izolə olmuş idarəedici elektroda malikdir

2.dielektrik kimi silisiumdan istifadə olunur

3.n və ptipli induksiya edilmiş kanaldır

A) 1

B) 3


C) 2

D) 1, 3


E) 2, 3
467. MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu nə oynayır

A) yarımkeçiricinin səth yanı qatı

B) yarımkeçiricinin orta təbəqəsi

C) dielektrik qatı

D) metal qatı

E) heç biri


168. MDY-tranzistorlarda neçə elektrod olur

A) 2


B) 3

C) 4


D) 5

E) 6
469. MDY-tranzistorda altılığın çıxışı hara qoşula bilər

A) mənbəyə

B) mənsəbə

C) idarəedici elektroda

D) dielektrik təbəqəyə

E) heç biri
470. Analoq diodunda cərəyankeçmə mexanizmi aşağıdakılardan hansına oxşardır

A) vakuum diodu

B) triod

C) yarım keçirici diod

D) polyar tranzistor

E) heç biri


471. Aşağıdakı diodlardan hansının düzləndirmə əmsalı ən böyük olar

1. vakuum diodu 2. analoq diodu 3. yarımkeçirici diod

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1, 2


E) heç biri
472. Nə üçün analoq diodu yüksək temperaturlarda işləyə bilir

A) qadağan olunmuş zolağın eni böyük olan yarımkeçiricilərdən haırlandığı üçün

B) dielektrik təbəqəyə malik olduğu üçün

C) elektronlar metaldan dielektrikə injeksiyalandığı üçün

D) cərəyan keçirmə mexanizmi həmi yüklərlə məhdudlaşan cərəyanla əlaqədar olduğu üçün

E) düzləndirmə əmsalı böyük olduğu üçün


473. Diffuziya rezistorunda diffuziya olunan təbəqənin müqaviməti aşağıdakılardan hansından asılıdır

1. aşqarın konsentrasiyyasının profilindən 2. diffuziya dərinliyindən

3. diffuziya oblastının uzunluğundan 4. diffuziya oblastının enindən

5. diffuziya olunan maddənin fermi səviyyəsindən

A) 1,2,3,4

B) 2,3


C) 3,4

D) 4,5


E) heç biri
474. Diffuziya rezistorunda diffuziya olunan təbəqənin müqaviməti aşağıdakılardan hansından asılı deyil

1.aşqarın konsentrasiyasının profilindən 2.diffuziya dərinliyindən

3.diffuziya oblastının uzunluğundan 4.diffuziya oblasstının enindən

5.diffuziya olunan maddənin fermi səviyyəsindən

A) 1

B) 2


C) 3

D) 4


E) 5
475. Nazik təbəqəli rezistorlardan xüsusi müqavimətin temperaturdan asılılıq qrafikində neçə oblast vardır

A) 3


B) 1

C) 2


D) 5

E) 6
476. Nazik təbəqəli rezistorların hazırlanmasında ən çox istifadə olunan material hansıdır

A) nixrom (NiCr)

B) silisium

C) mis

D) dəmir


E) qızıl
477. diffuziya kondensatorların çatışmamazlığı aşağıdakılardan hansıdır

1. onların tutumları çox kiçikdir 2. tutumları temperaturdan asılıdır

3. deşilmə gərginliyinin qiyməti çox kiçikdir 4. monolit blokda yaradılması

A) 1,2,3


B) 1,2

C) 2,3


D) 3,4

E) 1,4
478. MOY tipli kondensatorlarda köynəklər arasındakı lay hansı materialdan hazırlanır

A) metal oksiddən

B) yarımkeçiricidən

C) dielektrikdən

D) qələvi metaldan

E) heç biri
479. MOY tipli kondensatorlar üçün üstün cəhətlər aşağıdakılardan hansıdır

1.onlar qütblü deyildir

2.elektrik tutumu gərginlikdən asılı deyildir

3.parazit tutum keçid tutumundan kiçikdir

4.köynəkləri al-dan hazırlanır

A) 1, 2, 3

B) 1, 3

C) 1, 4


D) 1, 2

E) 2, 3
480. MOY tipli kondensatorlar üçün aşağıdakılardan hansı səhvdir

1. onlar qütblü deyildir 2. elektrik tutumu gərginlikdən asılı deyildir

3. parazirt tutum keçid tutumundan kiçikdir 4. köynəkləri al-dan hazırlanır

A) 4

B) 1


C) 2

D) 1, 3


E) 3, 4
481. İnduktiv xassələrə malik olan yarımkeçirici elementlərdən ən sadəsi hansıdır?

A) müstəvi diod

B) tunnel diod

C) analoq diodu

D) vakuum diodu

E) heç biri


482. İdarəedici siqnalın təsiri öz elektrik müqavimətini çox kiçik qiymətdən çox böyük qiymətə qədər artıra bilən cihaz necə adlanır?

A) elektron açar

B) gücləndirici

C) düzləndirici

D) kod çeviricisi

E) heç biri


483. Sıfır səviyyəli giriş gərginliyi ilə qoşulan ardıcıl diod açarı hansı halda açılır

1. müsbət gərginlik verdikdə 2. mənfi gərginlik verdikdə

3. giriş gərginliyi sıfır olduqda

A) 1


B) 2

C) 3


D) 1, 2

E) 2, 3
484. Sıfır səviyyəli gərginlikdə qoşulan paralel diod açarı hansı halda açılır

1. müsbət gərginlik verdikdə 2. mənfi gərginlik verdikdə

3. giriş gərginliyi sıfır olduqda

A) 1

B) 2


C) 3

D) 1, 2


E) 2, 3
485. Diod açarlarda diodun bağlanma müddəti nədən asılıdır

1. yükdaşıyıcıların injeksiyasından 2. yükdaşıyıcıların rekombinasiyyasından

3. yükdaşıyıcıların ekstraksiya

A) 2


B) 1

C) 3


D) 1,2

E) 2,3
486. Tranzistorlu açar sxemində hansı halda tranzistor (p-n-p tipli) bağlı olur

1.giriş gərginliyinin mənfi qiymətində 2.giriş gərginliyinin müsbət qiymətində

3.giriş gərginliyinin sıfır qiymətində

A) 2

B) 1


C) 3

D) 1,3


E) 2,3
487. Tranzistorlu açar sxemində giriş gərginliyinin hansı qiymətində tranzistor (p-n-p tipli) açıq olur. 1. müsbət 2. mənfi 3. sıfır

A) 2


B) 1

C) 3


D) 1, 3

E) 2, 3
488. Aşağıdakı parametrlərdən hansılar analoq açarları xarakterizə edirlər

1. mənbə gərginliyi 2. sərf edilən güc 3. temperaturlar diapozonu

A) 1, 2, 3

B) 1

C) 2


D) 3

E) heç biri


489. İnteqral açıb-bağlama sxemlərində ən çox aşağıdakı açar sxemlərindən hansından istifadə olunur. 1. diod 2. bipolyar tranzistorlu 3. sahə tranzistorlu

A) 3


B) 1

C) 2


D) 1,3

E) 2,3
490. İkiqat diod açar necə yığılır

A) 2 paralel dioddan

B) 2 ardıcıl dioddan

C) 1 dioddan

D) 3 paralel dioddan

E) heç biri
491. Aşağıdakılardan hansılar əməliyyat gücləndiricilərinin xarakteristikalarıdır

1. amplitud-tezlik xarakteristikası 2. giriş xarakteristikası

3. çıxış xarakteristikası 4. rezistiv-induktiv xarakteristikası

A) 1, 2, 3

B) 1, 3

C) 3, 4


D) 1, 2

E) 1, 2, 3, 4


492. Hansı gücləndiricilərdə reaktiv elementdən istifadə olunmur

A) əməliyyat gücləndiricilərdə

B) dəyişən cərəyan gücləndiricilərdə

C) gərginlik gücləndiricilərdə

D) güc gücləndiricilərdə

E) heç biri


493. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin hər iki girişinə eyni qiymətli və eyni işarəli gərginlik verilərsə,bu gərginlik necə adlanır?

A) sinfaz siqnal

B) diferensial siqnal

C) inteqral siqnal

D) assimmetrik siqnal

E) heç biri


494. Sabit cərəyan diferensial gücləndiricisinin girişlərinə qiymət və işarələri müxtəlif olan gərginliklər verilərsə,bu gərginlik necə adlanır

A) diferensial siqnal

B) sinfaz siqnal

C) simmetrik siqnal

D) inteqral siqnal

E) assimmetrik siqnal


495. Dinamik rejimdə qoşulmuş tranzistor

1. gərginlik dəyişir 2. cərəyan dəyişir 3. gərginlik sabit qalır,cərəyan dəyişir

4. cərəyan sabit qalır,gərginlik dəyişir

A) 3


B) 1

C) 2


D) 1, 2

E) 4
496. Əməliyyat gücləndiricinin çıxış siqnalının bir qisminin onun girişinə ötürülməsi rejimi necə adlanır

A) əks əlaqə rejimi

B) invers rejim

C) statik rejim

D) aktiv rejim

E) normal rejim
497. Əməliyyat gücləndiricilərinin əsas parametrlərinə aşağıdakıkardan hansı daxil deyildir

A) çıxışda "0"ın sürüşməsi gərginliyi

B) çıxış gərginliyinin dayanıqlı vəziyyət alması müddəti

C) giriş və çıxış müqavimətləro

D) güc gücləndirmə əmsalı

E) girişdə "0"ın sürüşməsi gərginliyi


498. Müasir gücləndirici qurğuların əsasını aşağıdakı qurğulardan hansılar təşkil edir

1.bipolyar tranzistorlar 2.sahə təsirli tranzistorlar 3.İMS-lər

A) 1, 2, 3

B) 1


C) 2

D) 1,3


E) 3
499. Diskret funksiya qanunu ilə elektrik siqnallarını çevirən və emal edən elektron qurğu adlanır?

A) rəqəmsal İMS

B) analoq İMS

C) stabilitron

D) triod

E) vakuum diod


500. İkilik dəyişənləri elektron qurğulara hansı elektrik siqnalları ilə ötürülür?

1. potensialla 2. impulsla 3. induksiya ilə

A) 1, 2

B) 1


C) 2

D) 3


E) 1, 2, 3

Yüklə 108,17 Kb.

Dostları ilə paylaş:




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin