53
konstruktiv-texnologik
omillar bilan
cheklangandir.
Shunday
bo‘lsada,
kollektorning nisbatan ajratgan holda joylashuvi barcha kollektorlar uchun uzatish
koeffisiyentini
=0,8-0,9 yoki kuchaytirish koeffisiyentini B=4-10 ni olish imkoni
beradi. Bu esa kollektor soni 3-5 dan oshmagan I
2
M sxemalarni ishlashi uchun
yetarlidir.
33 – rasm. Ko‘p kollektorli tranzistor
а –strukturasi; b – sxema ko‘rinishdagi modeli;
c –injeksiyalangan tashuvchilarning harakatlanish trayektoriyasi
Injeksiyalangan tashuvchilarning bazada xarakatlanish trayektoriyasi 5, c –
rasmda ko‘rsatilgan. Ko‘rinib turubdiki, tashuvchilar
shunday xarakatlanadiki,
ularning kollektorga keluvchi ulushi kollektor yuzasini emitter yuzasiga nisbati
bo‘yicha hisoblashlarda olish mumkin bo‘lgan qiymatdan katta bo‘lishiga olib
keladi. Aynan shunga bog‘liq ravishda haqiqiy koeffisiyent B yuqorida keltirilgan
katta qiymatlarga ega bo‘lishi mumkin. Shuning uchun
va B koeffisiyentlarni
hisoblashlarda
geometrik emas, balki samarador yuzasiniishlatish kerak.
Tashuvchilarning o‘rtacha trayektoriya uzunligi
w
faol baza qalinligidan oshishi 5,
b – rasmdan ko‘rinib turubdi. Shuning uchun o‘rtacha diffuziya vaqti KET va
alohida tranzistorlarga qaraganda ancha kichik bo‘ladi. O‘tish vaqtlari orasidagi
farq ya‘nada kattadir. Bunga sabab KKTda baza
maydoni injeksiyalangan
tashuvchilar uchun tezlashtiruvchi emas, balki sekinlashtiruvchidir. O‘tish vaqti
o‘t
5-10 ns dan kichik bo‘lmagan vaqtni tashkil qilsa, bunga mos keluvchi chegaraviy
chastota
f
T
– 20-50 MGs dan oshmaydi.
Boshqa tomondan esa n
+
-
kollektor yuzasi kichik bo‘lganligi sababli KKTdagi kollektor
C
K
sig‘imi KET va
alohida tranzistorlarga qaraganda kichik bo‘ladi.
Dostları ilə paylaş: