50
kirish (baza) va chiqish tavsirdir. Tranzistor to‘yinish kuchlanish
U
kt
,
B
I
oshishi va
r
k
kamayishi bilan kamayadi. Planar tranzistorlar o‘ziga xos tomoni tranzistor
sirtida bitta tekislikda asosiy sohalariga kontaktni joylashishdir. Bu esa kollektor
sohani
r
k
qarshligini sezrali darjada taqsimlanishiga olib keladi.
r
k
ni
kamaytirishning samarali usuli kollektorda berkitilgan
n
+
qatlamni yaratish va
emitterni shaklantrish jarayonida kollektor kontakti ostida donorni kiritishdir. U
kt
kuchlanishini ma‘lum bir kamaytirilishi kollektorning ikkita chiqishi ishlatilganda
erishilishi mumkin. Ulardan biri yuklamaga ulansa, boshqasi chiqishdir.
Shunday qilib, to‘yinish rejimda tranzistor qoldiq kuchlanish kattaligi
U
kt
uchta parametrga bog’liq bo‘ladi:
B
,
B
I
va
r
k
. Ular esa o‘z navbatida struktura
parametrlari va tranzistorlarning ishlash rejimi bilan aniqlanadi Tranzistorning
chastotaviy xossasi asosan baza orqali noasosiy zaryad tashuvchilarning o‘tish
vaqti
o‘t
va emitter
C
e
va kollektor
C
k
o‘tishlarning sig‘imlari bilan aniqlanadi.
Baza orqali zaryad tashuvchilarning o‘tish vaqti kollektor o‘tishda,
injeksiyalangan elektronlarning zaryadi
Q
jamlanish vaqti sifatida aniqlanadi:
dx
x
n
I
q
I
Q
b
W
t
o
0
t
t
‘
,
(6)
bu yerda
n
(
x
) bazaga injeksiyalangan elektronlarning taqsimoti;
w
b
–baza kengligi.
Kollektor va emitter o‘tish sig’imi, o‘tish yuzasi va hajmiy zaryad sohasi
kengligi bilan aniqlanadi. U kirishmalar konsentratsiyasi gradienti va o‘tishga
qo‘yilgan kuchlanish bilan aniqlanadi.
3
/
1
nat
k
kk
2
0
K
K
12
K
x
x
dx
x
dN
U
q
S
C
,
(7)
3
/
1
nat
k
ke
2
0
E
E
12
E
x
x
dx
x
dN
U
q
S
C
.
(8)
Dostları ilə paylaş: