Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika
Yüklə 3,08 Mb. Pdf görüntüsü
|
| planar-
difuzion , planar-epitaksial va izopalanar . Planar-epataksial tranzistorlar . IMSlarni keng ko‘lamda ishlab chiqishda iqtisodiy nuqtay nazardan eng yaxshisi elmenlarni p-n o‘tish bilan izolyatsiya qilgan planar–epitaksial texnologiyadir. Shuning uchun planar-epitaksial tranzistorlar turli mikrosxemalarni ko‘rish uchun keng tarqalgan. Bundan tashqari planar-epitaksial texnologiya bo‘yicha tayyorlangan tranzistorlar planar-difuzion bilan solishtirilganda yaxshilangan parameter va tavsiflarga egadir. Ta‘kidlash 45 kerakki elmentlari p-n-o‘tish va dieliktrik bilan izolyatsiya qilish bilan tayyorlanadigan planar-epatiksial texnologiyasning bir qancha turlari mavjuddir Ular orasida eng istiqbollari izoplanar jarayon va texnologik jaryonlardir. Ularda elementlarni izolyatsiyasi kollektorni diffuziyasida amalga oshiriladi. 30– rasm Planar-diffuzion va planar-epitaksial transistor strukturasi 1 – kremniy plastinasi; 2 – polikristall kremniy; 3 – kremniy oksidi; 4 – berkitilgan n + –qatlam 1 – rasmda IMSda keng ishlatiladigan va planar epitaksion texnologiyalarning turli ko‘rnishlarda tayyorlangan transistor strukturlari keltirilgan. 2 – rasmda esa planar-epitaksial tranzistorlarning asosiy strukturalari uchun legirlovchi kirshma atomlarning taqsimoti keltrilgan. P-n o‘tish bilan izolyatsiya qilgan planar diffusion tranzistorlar (1, a – rasm) p-turdagi plastinada kollektor, baza va emitter sohalarini shakllantirish uchun legirlovchi kirishmalarni ketma-ket mahalliy diffuziya qilish yo‘li bilan tayyorlanadi. Izolyatsiyalovchi p-n- o‘tish kollektor diffzion sohasini shakillantrish jarayonida hosil qilinadi. Planar- diffuzion tranzistorlarning o‘ziga xos tomoni kollektor sohasida kirishmalar konsensratsiyasi noteks taqsimlanishdir (2, a – rasm). Mos ravishda katta qiymatlargacha boradigan kollektor sohasi qarshiligining noteks bo‘lishiga olib keladi. Bu kollektor taglik-o‘tshning kichik teshilish kuchlanishida va taglikni mazkur tranzistorning elektr parametrlariga kuchli ta‘sirida namoyon bo‘ladi. Bu esa ularning qo‘llanilishini cheklaydi. 46 31–rasm. Planar-difuzion (a) va planar-epitaksial tranzistorlarning (b, c) strukturaviy sohalarida legirlovchi kirshima atomlarning taqsimoti: N k –kolektorda donor kirishmalarining konsentratsiyasi; N b - bazada akseptor kirshmalarning konsentratsiyasi; N e - emitterda donor kirishmalar konsentratsiyasi; x e , x k -emtter va kollektor o‘tishlarning yotish chuqurligi Planar-epitaksial tranzistorlar (1, b – rasm) ikkitali diffuziya bilan tayyorlanadi. Bunda baza va emitter sohalari oldindan n-turdagi kremniy plastinasiga o‘stirilgan va kollektor bo‘lgan epitaksial n-qatlamga kirishmalrini lokal diffuziyasi bilan shakillantirladi. P-n o‘tish bilan izolyatsiya qilish epitaksial qatlamning butun chuqurligi va tranzistorni baza va emitter sohasini shaklantirishdan oldin butun parametri bo‘yicha mahalliy ajratuvchi diffuziyani o‘tkazish bilan amalga oshiriladi. Bunday tranzistorlar kollektoriga kirshmalarning tekis taqsimlanishiga ega bo‘ladi (2, b – rasm). Planar-epitaksial tranzistorda kollektor sohasi qarshligini va taglikni ta‘sir darajasini kamaytrish uchun kollektorda berkitilgan n + qatlamni hosil qilishadi (1,b – rasm). Uni donor kirishmasini qo‘shimcha lokal difuziyasi bilan olinadi. Berkitilgan qatlamning mavjudligi kollektorda kirishmalar noteks taqsimlanishi bilan bog’langandir (2, c – rasm). Bu esa ichki statik elektr maydon hosil bo‘lishiga olib keladi. Bu maydon to‘yinish rejimda bazadan kollektorga injeksiyalangan noasosiy zaryad tashuvchilarning (kovaklar) harakatlanishini sekinlashtiradi. Berkitilgan qatlam mavjud bo‘lganida to‘yinish rejimda ortiqcha noasosiy zaryad tashuvchilar kollektor-baza o‘tishi yonidagi nisbatan yuqori omli kollektor sohasida jamlanadi. Bunda taglik kollektordagi noasosiy tashuvchilar taqsimotiga mos ravishda tranzistor parametrlariga kam ta‘sir qiladi. 47 Dieliktrik bilan izolyatsiya qilingan planar-epitaksial tranzistorlar (1, d– rasm) dastlab bir biridan va polikristall tanglikdan dielektrik qatlam, ko‘pincha kremniy oksidi bilan izolyatsiya qilgan maxsus cho‘ntakda lokallashgan bir jinsli n -sohada baza va emitter sohalarini shakillantrish uchun mahalliy diffuziya qilish yo‘li bilan tayyorlanadi. Bunday tranzistorlarda kirishmalarning taqsimoti p-n - o‘tish bilan izolyatsiya qilingan planar-epitaksial tranzistorlarniki kabidir. Biroq mazkur struktura uchun izolyatsiyada kichik yo‘qotishlar, kollektor soha solishtirma qarshiligining kichik qiymati, oshirilgan chastota xossasiga ega bo‘lish xosdir. Kollektorni izolyatsiyalovchi diffuziyasi texnologiya bo‘yicha tayyorlangan tranzistorlarda izolyatsiyalovchi Yüklə 3,08 Mb. Dostları ilə paylaş:
|