Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika

 
Ko‘p emitterli tranzistorlar
. Ko‘p emitterli tranzistorning (KET) 
strukturasi 4, a – rasmda ko‘rsatilgan. Bunday tranzistorlar TTM sxemasi deb 
nomlanuvchi raqamli ISlarning keng tarqalgan sinfining asosini tashkil qiladi. 
Emitterlar soni 5-8 va undan ko‘p bo‘lishi mumkin. 

---

51 
Birinchi qarashda KET bazalari va kollektorlari ulangan alohida 
tranzistorlarning jamlamasi sifatida sifatida qarash mumkin (4, b - rasm). KETning 
yagona struktura sifatidagi o‘ziga xosligi quyidagichadir (4, c – rasm). 
32 – rasm. Ko‘p emmiterli tranzistor
а –topologiya vа strukturаsi; b – sxema ko‘rinishidagi modeli; 
c – qo‘shni emmiterlar orasidagi o‘zaro ta‘sirlashuv 
Birinchidan, har bir ko‘shni emitter juftliklari, ularni ajratuvchi bazaning p-
qatlami bilan gorizantal (ba‘zida bo‘ylama) 
n
+
-
p
-
n
+
turdagi tranzistorni hosil qiladi. 
Agarda emitterlardan birida to‘g‘ri kuchlanish, boshqasida teskari kuchlanish 
bo‘lsa, u holda birinchisi elektronlarni injeksiyalaydi. Ikkinchisi esa emitterning 
yon yuzasi tomonidan injeksiyalangan va emitterlar orasidagi masofani 
rekombinasiyasiz bosib o‘tgan elektronlarni yig‘adi. Bunday tranzistor effekti KET 
uchun parazit hisoblanadi: berk bo‘lishi kerak bo‘lgan teskari siljigan o‘tishda tok 
oqib o‘tadi. Gorizantal tranzistor effektini yo‘qotish uchun emitterlar orasidagi 
masofa baza qatlamida tashuvchilarning diffuzion uzunligidan oshishi kerak.
agarda tranzistor oltin bilan legirlangan bo‘lsa, u holda diffuzion uzunlik 2-3 mkm 
dan oshmaydi va 10-15 mkm dagi masofa yetarli hisoblanadi. 
Ikkinchidan, KET tok uzatishning invers koeffisiyenti iloji boricha kichik 
bo‘lishi kerak. aks holda emitter teskari kuchlanish, kollektor to‘g‘ri kuchlanish 
ostida bo‘lgan invers rejimda kollektor tomonidan injeksiyalangan tashuvchilar 

---

52 
emitterga yetib boradi hamda emitter zanjirida teskari siljishga qaramasdan tok 
oqib o‘tadi. Bu esa yuqorida qayd qilinganga o‘xshash effektdir. 
Ma‘lumki, invers uzatish koeffisiyenti har doim legirlash darajasi va emitter 
hamda kollektor yuzalari farqi tufayli normal uzatish koeffisiyentidan kichik 
bo‘ladi. KETlarda 

I
invers koeffisiyentni ko‘shimcha kamaytirish uchun suniy 
ravishda sust bazaning qarshiligini oshirishadi. Buni omik bazaviy kontaktni, 
tranzistorning faol sohasidan olib tashlash orqali amalga oshirishadi (4, a - rasm). 
Bunday konfigurasiyada faol soha va baza kontakti orasidagi masofa qarshiligi 
200-300 Omni tashkil qilsa, baza toki tufayli undagi kuchlanishi tushuvi 0,1-0,15 
V ni tashkil qiladi. Demak, kollektor o‘tishdagi to‘g‘ri kulanish (invers rejimda) 
faol sohada baza kontakti yaqinidagiga qaraganda 0,1-0,15 V ga kichik bo‘ladi. 
Mos ravishda kollektordan bazaning faol sohasiga elektronlarning injeksiyasi 
sezilarsiz bo‘ladi va emitter orqali oqib o‘tadigan parazit tok deyarli mavjud 
bo‘lmaydi.