Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika

p-n
-o‘tish 
n
-turdagi kirishmalarni yupqa 
epitaksial 
p
- qatlam orqali berkitilgan n
+
-qatlami bilan tutashgunicha chuqur 
diffuziya bilan hosil qilinadi. Hosil bo‘lgan berk 
n
-soha kollektor bo‘lsa, uning 
ichida joylashgan 
p
-soha transistor bazasi bo‘ladi. Emitter 
n
-turdagi kirishmani 
baza sohasiga lokal diffuziyasi bilan hosil qilinadi (1, e – rasm ). Bunday 
transistorlarning o‘ziga xosligi kollektr sohalari solishtirma qarshligining 
kichikligi, invers rejimda kuchaytrish koeffitsiyetining yuqori va kollektor 
o‘tishning teshilish kuchlanishining qiymati kechikroq bo‘lishidir. 
Izoplanar texnologiya bo‘yicha tayyorlangan tranzistorda izolyatsiya 
n
-
turdagi kremniyning epitaksial qatlamini, oksidni berkitilgan 
n
+
-turdagi qatlam 
bilan tutashgunicha chuqur oksidlash bilan ershiladi. Oldinroq Si
3
N
4
nitrid bilan 
himoyalangan epitaksial qatlamning bir qismi oksidlanishga uchramaydi va 
kollektor sohasi bo‘lib xizmat qiladi. Mazkur sohada ketma-ket lokal diffuziya 
bilan 
p
-baza va emitter 
n
+
-sohasi shakllanadi (1, f – rasm). Natijada 
kombinatsiyalangan izolyatsiyaga ega bo‘lgan planar-epitaksial transistor 
yaratiladi: oksid va 
p-n
-o‘tish. 
Tayyorlash va izolyasiya qilish usuliga bog‘liq bo‘lmagan holda planar-
epitaksial tranzistorlar uchun baza va emitter soha kirishmalarning notekis 
taqsimlanishi spetsifik hisoblanadi. Uning harakteri tranzistorning asosiy 
parametirlari va xossasini aniqlaydi. Tranzistor strukturasi shakllantirilganidan 

---

48 
so‘ng har bir strukturaviy sohada diffuziyalanovchi kirishmalar taqsimoti 2–
rasmda ko‘rsatilgan ko‘rnishiga egadir. Baza sohasida kirishmalar taqsimoti Gauss 
funksiyasiga bo‘ysinsa, emitter sohasida u 
erfc
funksiyasiga yaqindir. Biroq 
tranzistorning asosiy parametrlariga asosiy ta‘sirni natijaviy kirishmalar 
taqsimotining xarakterini ko‘rsatadi. Taqsimot quyidagicha aniqlanadi: 
 
 
 
x
N
x
N
x
N
a
d


nat
,
(1) 
bu yerda 
 
 
d
e
k
N
x
N
x
N


donor kirishmalarning konsensratsiyasi. 
 
 
a
b
N
x
N
x

akseptor kirishmaning konsentratsiyasi. Emitter 
x
e
va kollektor 
x
k 
metallurgek 
o‘tish nuqtasida kirishmalarning natijaviy konsentratsiyasi nolga teng bo‘ladi: 
 
 
 
0
,
nat




K
E
x
x
x
a
d
x
N
x
N
x
N
.
(2) 
Natijaviy kirishmalarning bunday noteks taqsimoti transistor strukturasida 
ichki statik elektr maydonini hosil bo‘lishiga olib keladi. Uning kuchlanganligi har 
bir strukturaviy sohasi uchun tok zichliklari tenglamasini yechish bilan aniqlanadi. 
Donor kirishma atomlarining ionlari asosiy zaryad tashuvchilar bo‘lgan emittor 
sohada uchki static maydon hosil bo‘ladi. Ularning kuchlanganligi 
 
 
 
dx
x
dN
x