Şəkil 1.1. İstilikdən həcm dəyişilmə göstəriciləri
Qeyd olunanlardan fərqli olaraq, şüşə materiallarının sabit bir ərimə temperaturu olmadığından onlarda maye, ifrat soyudulmuş duru və şüşəsləşmiş halları müşahidə olunur. Həcm dəyişikliyi, atomların müəyyən bir nizamda düzülməsi nəticəsində keçid temperaturu Tg nöqtəsinə qədər sürətlidir. Bu nöqtədən sonra ixtisar olduqca ləng baş verir. Nəticədə çox sıx və amorf quruluşlu, şüşə adı verilən material əldə edilir. Kristal materialı maye halda B nöqtəsinə qədər soyuyur, C nöqtəsindən başlayaraq D-yə qədər qatı olaraq soyuyur və Te nöqtəsi isə artıq ərimə temperaturudur. Şüşəsi materialı da B nöqtəsinə qədər maye olaraq soyuyur. B C nöqtələri həddən artıq soyudulmuş mayedir. Tg nöqtəsi dəyişiklik hərarətidir. Bundan sonra, qatı görünüşlü şüşə şəklində olur. Şüşə düzəldən silisium dioksidə (SiO2) aid atomların düzülüşü aşağıdakı şəkil 1.2-də göstərilmişdir.
Şüşə strukturu, vahid ölçüdə müəyyən qayda ilə əmələ gəlir. Məsələn, silikat əsaslı şüşələrdə quruluş əsasən silisium dioksiddən (SiO2) yaranır. Silisium + 4 valent dəyərinə malik olub, mərkəzdə silisium atomları, ətrafında dörd ədəd oksigen atomlarının yer aldığı düzgün tetrahedralar yaranır.
Hər bir oksigen, iki silisium atomları arasında yerləşərək tetrahedraları bir-birinə bağlayır. Ancaq bu quruluş kristal materiallardan fərqli olaraq nizamsızdır.
Dostları ilə paylaş: |
