Mühazirə dərslərində müzakirə olunan mövzuların məzmunu 1


Tenzorezistor həssas elementli ST 3000 tipli



Yüklə 20,62 Mb.
səhifə39/58
tarix24.11.2023
ölçüsü20,62 Mb.
#134010
növüMühazirə
1   ...   35   36   37   38   39   40   41   42   ...   58
Avtomatlaşdırmanın əsasları müh

Tenzorezistor həssas elementli ST 3000 tipli
İntelektual təzyiq çeviricisi, [ABŞ - Xonnevel]
Təyinatı
ST-3000 təzyiq çeviricisi texnoloji proseslərə avtomatik nəzarət, tənzimləmə və idarəetmə sistem-lərində istifadə olunur və ölçülən parametrin izafi, mütləq, hidrostatik, vakuum təzyiqlər fərqini fasiləsiz olaraq unifikasiya olunmuş (4-20) mA elektrik çıxış siqnalına çevrilməsini və uzaq məsafəyə ötürülməsini təmin edir.
Təzyiqlər fərqi çeviricilərdən mayenin səviyyə-sinin, maye və qazların sərflərinin, hidrostatik təzyiq çeviricilərdən isə səviyyənin qiymətlərinin unifikasiya olunmuş elektrik çıxış siqnallarına çevirmək üçün istifadə edirlər.
Konkret olaraq 3.2-də ST-3000 tipli izafi təzyiq çeviricisinə baxılır.
ST-3000 tipli izafi təzyiq vericisinin çıxış siqnalı ya analoq 4-20 mA və yaxud rəqəm formasında həm elektron prinsipi ilə işləyən ikinci cihazla həm də elektron hesablama maşınına iki elektrik naqili vasitəsilə birləşdirilə bilər.
Bu cihazın ölçü diapazonu (0-3,57) MPa, dəqiqlik sinfi isə 0,1%-dir.
İş prinsipi
Tenzorezistor təzyiq çeviricisi həssas elementi deformasiyaya uğrayan çevirici sayılır. Hansı ki, bu menbrana tenzorezistor elementi yapışdırılır. Tenzore-zistorun əsas iş prinsipi tenzoeffektliyin təsirinə əsaslanır və mahiyyəti ondan ibarətdir ki, keçiricilər və yaxud yarımkeçiricilər deformasiyaya uğrayarkən onların müqavimətləri dəyişir. Tenzorezistorun müqavimətinin dəyişməsi ilə deformasiya arasındakı əlaqəni aşağıdakı kimi göstərmək olar:
,
burada AR/R - tenzorezistorların müqavimətinin dəyişməsi; R - sabit əmsal; AL/L isə tenzorezistorun uzunluğunun dəyişməsidir. Keçirici naqillərdən hazır-lanan tenzorezistorların müqaviməti 30-500 Om, yarımkeçirici tenzorezistorların müqaviməti isə 5-10-2 -dən 10 kOm-a qədər olur.
Tenzorezistorları membrananın üstünə elə yerləşdirmək olar ki, deformasiya vaxtı müxtəlif işarəli müqavimətlər yaransın. Bu isə hər çiyinə AR/R qiymətinə uyğun tenzorezistor birləşdirilmiş körpü sxeminin yaranmasına imkan verir.
Şəkil 3.1-də tenzorezistor həssas elementli təzyiq çeviricisinin sxemi verilmişdir.

Şəkil 3.1
Burada həssas element - ling tipli 4 tenzovericisi 9 bünövrəsinin içərisində yerləşdirilmişdir və eyni zamanda 8 dalğavari membran vasitəsilə ölçü mühitindən ayrılmışdır. 8 və 14 saylı membranlar xarici konturlar vasitəsi ilə 9 bünövrəsinə qaynaq edilir və 6 mərkəzi stok vasitəsilə bir-biri ilə birləşdirilir. 6 stoku isə öz növbəsində 13 dartıcı vasitəsilə tenzorezistorun ucundakı 5 linginə birləşdirilmişdir. 10 flənsi 3 araqatı vasitəsilə kipləşdirilir.
Beləliklə, ölçülən P təzyiqinin təsiri nəticəsində 8 membranı deformasiyaya uğrayır və o öz formasını dəyişir (əyilir). 8 membranının öz formasını dəyişməsi 4 tenzorezistorunun müqavimətinin dəyişməsinə səbəb olur. Tenzorezistorda müqavimətin dəyişməsi 1 - elektron quruluşuna (moduluna) 2 - termoizolə edilmiş naqil vasitəsilə verilir.
Elektron quruluşu haqqında 3-cü bölmədə geniş izahat verilmişdir. Bu elektron quruluşunun vəzifəsi tenzorezistordan gələn elektrik siqnalını unifisə edilmiş (4-20) mA olan çıxış elektrik cərəyan siqnalına və yaxud rəqəm formasında kodlara çevirməkdən ibarətdir.



Yüklə 20,62 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   35   36   37   38   39   40   41   42   ...   58




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©muhaz.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin